触摸式液晶屏的制备方法

专利名称：触摸式液晶屏的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶屏的制备方法，尤其涉及一种基于碳纳米管的触摸 式液晶屏的制备方法。
背景技术：
液晶显示因为低功耗、小型化及高质量的显示效果，成为最佳的显示方
式之一。目前较为常用的液晶显示屏为TN (扭曲向列相)模式的液晶显示 屏(TN-LCD)。对于TN-LCD，当电极上未施加电压时，液晶显示屏处于"OFF" 状态，光能透过液晶显示屏呈通光状态；当在电极上施加一定电压时，液晶 显示屏处于"ON"态，液晶分子长轴方向沿电场方向排列，光不能透过液晶 显示屏，故呈遮光状态。通过有选择地在电极上施加电压，可以显示出不同 的图案。
近年来，伴随着移动电话与触摸导航系统等各种电子设备的高性能化和 多样化的发展，在液晶等显示元件的前面安装透光性的触摸屏的电子设备逐 步增加。这样的电子设备的使用者通过触摸屏， 一边对位于触摸屏背面的显 示元件的显示内容进行视觉确认， 一边利用手指或笔等方式按压触摸屏来进 行操作。由此，可以操作电子设备的各种功能。
按照触摸屏的工作原理和传输介质的不同，现有的触摸屏通常分为四种 类型，分别为电阻式、电容感应式、红外线式以及表面声波式。其中电阻式 触才莫屏的应用最为广泛，i青参见文献"Production of Transparent Conductive Films with Inserted Si02 Anchor Layer, and Application to a Resistive Touch Panel" Kazuhiro Noda， Kohtaro Tanimura. Electronics and Communications in Japan, Part 2, Vol.84， P39-45(2001)。
现有的电阻式触摸屏一般包括一上基板，该上基板的下表面形成有一上 透明导电层； 一下基板，该下基板的上表面形成有一下透明导电层；以及多 个点状隔离物(Dot Spacer)设置在上透明导电层与下透明导电层之间。其中， 该上透明导电层与该下透明导电层通常采用具有导电特性的铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)层(下称ITO层)。当使用手指或笔按压上基板时，上 基板发生扭曲，使得按压处的上透明导电层与下透明导电层彼此接触。通过 外接的电子电路分别向上透明导电层与下透明导电层依次施加电压，触摸屏 控制器通过分别测量第一导电层上的电压变化与第二导电层上的电压变化， 并进行精确计算，将其转换成触点坐标。触摸屏控制器将数字化的触点坐标 传递给中央处理器。中央处理器根据触点坐标发出相应指令，启动电子设备 的各种功能切换，并通过显示器控制器控制显示元件显示。
然而，ITO层作为透明导电层通常采用离子束溅射或蒸镀等工艺制备， 在制备的过程，需要较高的真空环境及需要加热到200 3002C,因此，使得 ITO层的制备成本较高。此外，ITO层作为透明导电层具有机械性能不够好、 难以弯曲及阻值分布不均匀等缺点。另外，ITO在潮湿的空气中透明度会逐 渐下降。从而导致现有的电阻式触摸屏及显示装置存在耐用性不够好，灵敏 度低、线性及准确性较差等缺点。由此可见，采用该触摸屏的触摸式液晶显 示屏具有制备工艺繁杂，成本高，耐用性差，灵敏度低，且线性及准确性差 等不足。

发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种制备触摸式液晶显示屏的方法，该方法具 有工艺简单，成本低等优点，且制备的触摸式液晶显示屏耐用性好，灵敏度 高，线性及准确性强。
一种触摸式液晶显示屏的制备方法，其包括以下步骤提供一触摸屏， 该触摸屏包括两个透明导电层，该透明导电层包括至少一碳纳米管膜；形成 一第一偏光层于上述触摸屏的一表面；提供一薄膜晶体管面板，该薄膜晶体 管面板包括多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管中的半导体层包括多个碳纳米管； 以及封装一液晶层于上述触摸屏的第一偏光层与薄膜晶体管面板之间。
与现有技术相比较，本发明提供的触摸式液晶显示屏的制备方法具有以 下优点由于碳纳米管具有优异的力学特性并且耐弯折，故，采用上述的碳 纳米管膜作透明导电层，可使得透明导电层具有很好的韧性和机械强度。进 一步地，与柔性基体配合，可以制备一柔性触摸式液晶显示屏，从而适合用 于柔性显示装置上。且方法具有工艺简单，成本低等优点，且制备的触摸液晶显示屏耐用性好，灵敏度高，线性及准确性强。


图1是本发明实施例的触摸式液晶显示屏的制备方法的流程图。 图2是本发明实施例的触摸式液晶显示屏的侧视图。
图3是本发明实施例的触摸式液晶显示屏所采用的触摸屏的制备工艺流程图。
图4是本发明实施例的所述触摸屏制备中，所使用的碳纳米管膜的扫描 电镜照片。
图5是本发明实施例的所述触摸屏制备中，采用的热压过程示意图。 图6是本发明实施例的触摸式液晶显示屏的上基板的制备工艺流程图。 图7是本发明实施例触摸式液晶显示屏所采用的薄膜晶体管面板的俯视图。
图8是本发明实施例触摸式液晶显示屏所采用的薄膜晶体管面板的制备 工艺流程图。
图9是本发明实施例触摸式液晶显示屏的下基板的制备工艺流程图。
具体实施例方式
以下将结合附图详细说明本发明的触摸式液晶显示屏的制备方法。
请参阅图1及图2，本发明实施例提供一种触摸式液晶显示屏10的制备 方法，其主要包括以下步骤
步骤一制备一触摸屏200，该触摸屏200包括两个透明导电层，该透 明导电层包括至少一碳纳米管膜。
请参阅图3，所述制备一触摸屏200的方法具体包括以下步骤 (一)提供一第一基体206，其包括两个相对的表面。
所述第一基体206为一透明的柔性平面结构。该第一基体206的厚度为 0.01毫米~1厘米，面积不限，可以根据实际情况选择。该第一基体206由 塑料，树脂等柔性材料形成。具体地，所述第一基体206的材料可以为聚碳 酸酯(PC)、聚曱基丙烯酸曱酯(PMMA)、聚对苯二曱酸乙二醇酯(PET)、聚 醚砜(PES)、聚亚酰胺(PI)、纤维素酯、苯并环丁烯(BCB)、聚氯乙烯(PVC)及丙烯酸树脂等材料中的一种或几种。可以理解，形成所述第一基体206的 材料并不限于上述列举的材料，只要确保所述第一基体206具有一定柔性及 较好的透明度即可。
本实施例中，所述第一基体206为一聚对苯二曱酸乙二醇酯(PET)薄膜 (以下简称PET薄膜)。该PET薄膜的厚度为2毫米，宽度为20厘米，长度 为30厘米。
(二 )形成一第一透明导电层208于所述第一基体206的一个表面。 所述形成一第 一透明导电层208于所述第 一基体206的一个表面的方法 具体包括以下步骤
首先，制备至少一个碳纳米管膜。
所述制备碳纳米管膜的方法包括直接生长法、絮化法、碾压法或拉膜法 等其它方法。所述碳纳米管膜包括多个均匀分布的碳纳米管，且该多个碳纳 米管相互连接形成导电网络结构。
本发明实施例以拉膜法制备一碳纳米管膜的方法具体包括以下步骤 (a)提供一碳纳米管阵列，优选地，该阵列为超顺排碳纳米管阵列；(b) 从上述碳纳米管阵列中选定一定宽度的部分碳纳米管，本实施例优选为采用 具有一定宽度的胶带接触碳纳米管阵列以选定一定宽度的部分碳纳米管； (c)以一定速度沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向拉伸该部分碳纳米管， 形成一连续的碳纳米管膜。
该超顺排碳纳米管阵列的制备方法可采用化学气相沉积法、石墨电极恒 流电弧放电沉积法或激光蒸发沉积法。本发明实施例提供的碳纳米管阵列为 单壁碳纳米管阵列、双壁碳纳米管阵列及多壁碳纳米管阵列中的一种或多 种。该超顺排碳纳米管阵列为多个彼此平行且垂直于基底生长的碳纳米管形 成的纯碳纳米管阵列。该生长碳纳米管的基底可循环多次使用，从而降低该 碳纳米管阵列的制造成本。该碳纳米管阵列中的碳纳米管彼此通过范德华力 紧密接触形成阵列。该碳纳米管阵列与上述基底面积基本相同。该碳纳米管 阵列的高度大于100微米。本实施例中，优选地，碳纳米管阵列的高度为200 微米 900微米。
请参阅图4，在上述拉伸过程中，在拉力作用下超顺排碳纳米管阵列中 选定的部分碳纳米管沿拉伸方向逐渐脱离基底的同时，由于范德华力作用，被拉出，从而形 成一碳纳米管膜。该碳纳米管膜包括多个碳纳米管首尾相连且沿拉伸方向定 向排列。该直接拉伸获得的择优取向排列的碳纳米管膜比无序的碳纳米管膜 具有更好的均匀性，即具有更均匀的厚度以及更均匀的导电性能。同时该直 接拉伸获得碳纳米管膜的方法简单快速，适宜进行工业化应用。
本实施例中，所述碳纳米管膜的宽度与碳纳米管阵列所生长的基底的尺 寸有关，该碳纳米管膜的长度不限，可根据实际需求制得。本实施例中采用
4英寸的基底生长超顺排碳纳米管阵列，该碳纳米管膜的宽度可为0.01厘米 10厘米，该碳纳米管膜的厚度为0.5纳米 100微米。该碳纳米管膜中的碳 纳米管为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管及多壁碳纳米管中的一种或多种。该 单壁石友纳米管的直径为0.5纳米 50纳米，该双壁石友纳米管的直径为1.0纳 米 50纳米，该多壁^友纳米管的直径为1.5纳米 50纳米。
可以理解，所述碳纳米管膜的制备方法还可以为直接生长法、碾压法或 絮化法等其它方法。所述直接生长法为用化学气相沉积法于一基板上生长碳 纳米管膜。该碳纳米管膜为无序碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个无序排 列的碳纳米管。所述采用碾压法制备碳纳米管膜的方法包括以下步骤提供 一碳纳米管阵列形成于一基底；以及提供一施压装置挤压上述碳纳米管阵 列，从而得到碳纳米管膜。该碳纳米管膜为无序碳纳米管膜，且包括多个沿 一个或多个方向择优取向排列的碳纳米管。所述絮化法制备碳纳米管包括以 下步骤将直接生长得到的碳纳米管原料加入到溶剂中并进行絮化处理获得 碳纳米管絮状结构；以及将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离，并对该碳 纳米管絮状结构定型处理以获得碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜为无序碳纳 米管薄膜，且包括多个相互缠绕且各向同性的碳纳米管。
其次，采用激光处理上述碳纳米管膜。
由于碳纳米管膜中的碳纳米管之间存在范德华力，碳纳米管膜中的某些 碳纳米管容易聚集形成碳纳米管束，该碳纳米管束直径较大，影响了碳纳米 管膜的透光性。为提高碳纳米管膜的透光性，以功率密度大于0.1xi(^瓦特 /平方米的激光照射该碳纳米管膜，除去碳纳米管膜中直径较大，透光性较差 的碳纳米管束。采用激光处理碳纳米管膜的步骤可以在含氧环境中进行。优 选地，激光处理碳纳米管膜的步骤在空气环境下进行。采用激光处理上述碳纳米管膜可以通过固定碳纳米管膜，然后移动激光
装置照射该碳纳米管膜的方法实现；或通过固定激光装置，移动碳纳米管膜 使激光照射该碳纳米管膜的方法实现。
上述激光照射碳纳米管膜的过程中，由于碳纳米管对激光具有良好的吸 收特性，而激光为一具有较高能量的光，被碳纳米管膜吸收后会产生一定的 热量，使碳纳米管膜中的碳纳米管升温。碳纳米管膜中，直径较大的碳纳米 管束吸收的热量较多，因此，所述碳纳米管束中的碳纳米管的温度较高，当 碳纳米管的温度达到足够高时(一般大于600。C)，碳纳米管束被激光烧掉。 相对于激光处理前的碳纳米管膜，激光处理后的碳纳米管膜的透光性有显著 的提高，其透光率大于70%。
可以理解，采用激光处理碳纳米管拉膜结构的目的为进一步提高碳纳米 管膜的透明度，因此本步骤为一可选择的步骤。
最后，将所述至少一个碳纳米管膜设置于所述第一基体206的一个表 面，形成一碳纳米管层，从而在所述第一基体206的表面形成一第一透明导 电层208。
本发明实施例中，所述第一透明导电层208为一碳纳米管层，该碳纳米 管层包括多个定向排列的碳纳米管。具体地，所述碳纳米管层可以是单个碳 纳米管膜或是多个平行且无间隙铺设的碳纳米管膜。由于上述的碳纳米管层 中的多个碳纳米管膜可以平行且无间隙的铺设，故，上述碳纳米管层的长度 和宽度不限，可根据实际需要制成具有任意长度和宽度的碳纳米管层。本实 施例中，所述碳纳米管层包括多个平行且无间隙铺设的碳纳米管膜。
可以理解，本发明的碳纳米管层也可为其他结构的碳纳米管层，并不仅 限于本实施例所述的结构。
可以理解，本实施例中，还可以将多个碳纳米管层重叠铺设形成一第一 透明导电层208,且该多个碳纳米管层依据碳纳米管的排列方向以一交叉角 度a直接重叠铺设，其中，0。SaS卯。。本实施例中，a优选为90度。
具体地，所述将至少一个碳纳米管膜铺设在所述第一基体206的表面的 步骤为将至少一个碳纳米管膜直接铺设在所述第一基体206的表面或将多 个碳纳米管膜平行且无间隙地铺设在所述第一基体206的表面，形成一覆盖 在所述第一基体206的表面上的碳纳米管层。可以理解，也可将至少两个碳纳米管膜重叠铺设在所述第一基体206的表面形成多个碳纳米管层；所述多 个碳纳米管层依据碳纳米管的排列方向以一交叉角度a直接重叠铺设，其中， 0。Sa￡90。。由于所述碳纳米管膜包括多个定向排列的碳纳米管，且该多个 碳纳米管沿着拉膜的方向排列，故可以将上述的多个碳纳米管层依据碳纳米 管的排列方向以一交叉角度a设置。
另外，所述将上述至少一碳纳米管膜铺设在所述第一基体206的表面的 步骤还可为将所述至少一个碳纳米管膜直接铺设于一支撑体的表面或将多 个碳纳米管膜平行且无间隙地铺设于一支撑体的表面；除去所述支撑体，形 成一 自支撑的碳纳米管膜结构；以及将该碳纳米管膜结构直接覆盖在所述第 一基体206的表面，形成一碳纳米管层。可以理解，也可将至少两个碳纳米 管膜依据碳纳米管的排列方向以一交叉角度a重叠铺设在所述支撑体的表 面，从而形成多个自支撑的碳纳米管膜结构，其中，OSa^卯。。将上述的 多个碳纳米管膜结构覆盖在所述第一基体206的表面，从而形成多个碳纳米 管层。由于所述碳纳米管膜包括多个定向排列的碳纳米管，且该多个碳纳米 管沿着拉膜的方向排列，故可以将上述的多个碳纳米管层中的碳纳米管以一 交叉角度a设置。
上述支撑体可以为一基板，也可选用一框架结构。由于本实施例提供的 超顺排碳纳米管阵列中的碳纳米管非常纯净，且由于碳纳米管本身的比表面 积非常大，所以该碳纳米管膜本身具有较强的粘性，该碳纳米管膜可利用其 本身的粘性直接粘附于基板或框架。碳纳米管膜黏附在基板或框架上，基板 或框架以外多余的碳纳米管膜部分可以用刀子刮去。去除基板或框架，得到 一碳纳米管膜结构。本实施例中，该基板或框架的大小可依据实际需求确定。
进一步地，在所述将至少一个碳纳米管膜铺设在上述第一基体206的表 面之前，或形成至少一覆盖于所述第一基体206的表面的碳纳米管层之后， 包括用有机溶剂处理该碳纳米管膜或该碳纳米管层的步骤。该有机溶剂为挥 发性有机溶剂，可选用乙醇、曱醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿等，本实施例中 的有机溶剂采用乙醇。该使用有机溶剂处理的步骤可通过试管将有机溶剂滴 落在碳纳米管膜或碳纳米管层的表面，并浸润整个碳纳米管膜或碳纳米管 层。也可将上述形成有碳纳米管层的第一基体206或形成有碳纳米管膜结构 的支撑体整个浸入盛有有机溶剂的容器中浸润。所述的碳纳米管膜、碳纳米管层或碳纳米管膜结构经有机溶剂浸润处理后，在挥发性有机溶剂的表面张 力的作用下，其中的平行的碳纳米管片断会部分聚集成碳纳米管束。因此， 该碳纳米管膜、碳纳米管层或碳纳米管膜结构的表面体积比小，无粘性，且 具有良好的机械强度及韧性。
此外，本实施例中，还可以形成一碳纳米管复合材料层于所述第一基体
206的表面作为第一透明导电层208,具体包括以下步骤
首先，在形成碳纳米管层于所述第一基体206的表面之前，可涂覆一高 分子材料溶液层于所述第一基体206的一表面。
所述涂覆一高分子材料溶液层于所述第一基体206的一表面的方法为 采用刷子或其它工具沾取一定量的高分子材料溶液，均匀涂敷于柔性基体的 表面或将柔性基体的表面浸没于高分子材料溶液中直接沾取一定量的高分 子材料溶液，形成一高分子材料溶液层。可以理解，所述在该柔性基体的表 面涂敷高分子材料溶液的方式不限，只要可以在柔性基体的表面形成均匀的 高分子材料层即可。所述高分子材料层的厚度为0.1微米 1毫米。
所述的高分子材料溶液为高分子材料溶于挥发性有机溶剂所形成的溶 液，其具有一定的粘度，优选地，高分子材料溶液的粘度大于1帕'秒(Pa's)。
所述的高分子材料在常温下为固态，且具有一定的透明度。所述挥发性有机 溶剂包括乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿等。所述高分子材料为一透明 高分子材料，其包括聚苯乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚曱基丙烯酸曱酯 (PMMA)、聚碳酸酯(PC)、对苯二曱酸乙二醇酯(PET)、苯丙环丁烯(BCB)、 聚环烯烃等。本实施例中，所述的高分子材料为PMMA。
其次，设置一碳纳米管层于该高分子材料溶液层上，使该高分子材料溶 液均匀分散到该碳纳米管层中。使该高分子材料溶液均匀分散到该碳纳米管 层中的方法包括热压法，冷压法或施加一气流于该碳纳米管层等。
该碳纳米管层为至少一个碳纳米管膜组成，可通过将至少一个碳纳米管 膜直接铺设在该高分子材料溶液层上，其铺设方法与上述在第一基体206表 面直接铺膜的方法相同。
请一并参见图5，本实施例采用热压法使该高分子材料溶液均匀分散到 该碳纳米管层中。该方法通过一热压装置50实现，具体包括以下步骤
(a)将至少一个上述覆盖有碳纳米管层与高分子材料溶液层的第一基体206放置于一具有轧辊的热压装置50中。
所述热压装置50包括一施压装置及一加热装置(图中未显示)。本实施 例中，所述热压装置50为热压机或封塑机，所述施压装置为两个金属轧辊 52。所述高分子材料为一低熔点的高分子材料。
(b) 加热所述热压装置50中的轧辊52。
具体地，用热压装置50中的加热装置加热所述轧辊52。本实施例中， 加热的温度为1102C~120gC。可以理解，所述加热轧辊52的温度可以才艮据 实际需要进行选择。
(c) 将所述覆盖有碳纳米管层与高分子材料溶液层的第一基体206通 过加热了的轧辊52。
本实施例中，将所述覆盖有碳纳米管层与高分子材料溶液层的第一基体 206慢慢通过加热了的两个金属轧辊52,速度控制在1毫米/分~10米/分。 加热了的轧辊52可以施加一定的压力于所述覆盖有碳纳米管层与高分子材 料溶液层的第一基体206，并能软化所述碳纳米管层与高分子材料溶液层， 使得所述碳纳米管层与高分子材料溶液层之间的空气被挤压出来，从而使得 所述碳纳米管层均匀分散于碳纳米管层中。
该高分子材料溶液层还可起到粘结剂的作用，用于将所述碳纳米管膜牢 固地粘结在所述第一基体206的一个表面。碳纳米管复合材料层中的高分子 材料可以使碳纳米管层与第一基体206结合牢固，同时，由于高分子材料渗 入于碳纳米管层中，使碳纳米管层中的碳纳米管之间的短路现象消除，使碳 纳米管层的电阻呈较好的线性关系。
最后，固化形成一碳纳米管复合材料层作为第一透明导电层208。
具体地，在涂覆低熔点的高分子材料于所述第一基体206的表面之前， 还进一步包括一清洗所述第一基体206的步骤。所述清洗方法包括用乙醇、 丙酮等有机溶剂清洗所述第一基体206的表面。可以理解，所述对第一基体 206的清洗也可釆用其它方法和溶剂，只需确保所述第 一基体206表面无污 染物即可。
(三)间隔地形成两个第一电极(图中未显示)于上述第一透明导电层208 的两端或第一基体206的两端，且与该第一透明导电层208电连接，形成一 第一电极板202。所述两个第一电极可以为金属层、碳纳米管膜、导电的银浆层或其他导 电材料层。本发明实施例中，所述两个第一电极为导电的银浆层。所述两个
第一电极的形成方法具体包括以下步骤首先，采用丝网印刷、移印或喷涂 等方式分别将银浆涂覆在上述碳纳米管层或第一基体206的两端；然后，放 入烘箱中烘烤10-60分钟使银浆固化，烘烤温度为100°C-120°C，即可得到 所述两个第一电极。上述制备方法需确保所述两个第一电极与所述第一透明 导电层208电连接。
(四) 提供一第二基体210，其包括两个相对的表面。 所述第二基体210为一透明的平面结构。该第二基体210的厚度为0.01
毫米 1厘米，面积不限，可以根据实际情况选择。该第二基体210的材料可 以为硬性材料或柔性材料。其中，所述硬性材料可以为玻璃、石英、金刚石 或塑料等中的一种或几种。所述柔性材料可以为聚碳酸酯(PC)、聚曱基丙烯 酸曱酯(PMMA)、聚对苯二曱酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚亚酰胺(PI)、 纤维素酯、苯并环丁烯(BCB)、聚氯乙烯(PVC)及丙烯酸树脂等材料中的一种 或几种。可以理解，形成所述第二基体210的材料并不限于上述列举的材料， 只要确保所述第二基体210具有一定透明度即可。
本发明实施例中，所述第二基体210为一聚对苯二曱酸乙二醇酯(PET) 薄膜(以下简称PET薄膜)。该PET薄膜的厚度为2毫米，宽度为20厘米， 长度为30厘米。
(五) 形成一碳纳米管层于所述第二基体210的一表面作为第二透明导 电层212，且间隔地形成两个第二电极(图中未显示)于该碳纳米管层的两
端或所述第二基体210的两端，形成一第二电极板204。
所述第二电极板204中的第二透明导电层212和两个第二电极的形成方 法与第一电极板202中的第一透明导电层208和两个第一电极的形成方法相 同。
(六) 封装上述第一电极板202与第二电极板204,得到一触摸屏200。 所述封装上述第一电极板202与第二电极板204，得到一触摸屏200的
方法具体包括以下步骤
首先，形成一绝缘层214于所述第二电极板204的第二透明导电层212 的外围。所述绝缘层214可采用绝缘透明树脂或其他绝缘透明材料制成。所述绝缘层214的形成方法为涂敷一绝缘粘合剂于所述第二电极板204的第二透明导电层212的外围。该绝缘粘合剂用作绝缘层214。
其次，覆盖第一电极板202于所述绝缘层214上，且使所述第一透明导电层208和所述第二透明导电层212相对设置，得到一触摸屏200。
所述触摸屏200中第一电极板202上的两个电极所在的直线和所述第二电极板204上的两个电极所在的直线交叉。
进一步，覆盖第一电极板202于所述绝缘层214上之前还可包括一形成多个透明点状隔离物216于所述第 一 电极板202和第二电极板204之间的步骤。该透明点状隔离物216的形成方法为将包含该多个透明点状隔离物216的浆料涂敷在第二电极板204上绝缘层214之外的区域，烘干后即形成所述透明点状隔离物216。所述绝缘层214与所述透明点状隔离物216均可釆用绝缘树脂或其他绝缘材料制成。设置绝缘层214与点状隔离物216可使得第一电极板202与第二电极板204电绝缘。可以理解，当触摸屏200尺寸较小时，点状隔离物216为可选择的结构，只需确保第一电极板202与第二电极板204电绝缘即可。
可以理解，本实施例中还可以先在第一电极4反202的第一透明导电层208的外围形成一绝缘层214,然后，覆盖第二电极板204于所述绝缘层214上，形成一触摸屏200。
本发明还可进一步包括形成一透明保护膜218于该触摸屏200第一基体206的远离第一透明导电层208的另一表面的步骤。该透明保护膜218可由氮化硅、氧化硅、苯丙环丁烯(BCB)、聚酯以及丙烯酸树脂等材料中的一种或几种形成。该透明保护膜218也可釆用一层表面硬化处理、光滑防刮的塑料层，如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜，用于保护该触摸屏200,以提高耐用性。该透明保护膜218还可用于提供一些其它的附加功能，如可以减少眩光或降低反射。本实施例中，该透明保护膜218采用有粘性的PET膜，该PET膜可直接粘附于第一基体206远离第一透明导电层208的表面用作透明保护膜218。
步骤二，形成一第一偏光层220于所述触摸屏200的一表面。
请参见图6,所述第 一偏光层220形成于所述触摸屏220的第二基体210远离第二透明导电层212的表面。所述第一偏光层220为一碳纳米管层。该碳纳米管层包括至少一个碳纳米管膜，该碳纳米管层还可以由多个碳纳米管膜平行无间隙铺设或重叠设置形成，且相邻两个碳纳米管膜中碳纳米管的排列方向相同。该碳纳米管膜包括多个首尾相连且择优取向排列的碳纳米管。该多个碳纳米管之间通过范德华力结合。 一方面，首尾相连的碳纳米管之间通过范德华力连接；另一方面，择优取向排列的碳纳米管之间部分通过范德华力结合。故，该碳纳米管膜具有较好的自支撑性及柔韧性。
所述形成一碳纳米管层于所述第二基体210的表面的方法与上述步骤中形成一碳纳米管层于所述第一基体206的一表面的方法基本相同。其区别在于，该步骤中，第一偏光层220中碳纳米管的排列方向相同。该第一偏光层220的厚度为100樣i米 1毫米。
可以理解，由于该碳纳米管具有优良的导电性，且该第一偏光层220包括多个沿同 一方向排列的碳纳米管，所以该第 一偏光层220同时具有透明电极与偏光片的作用。
可以理解，还可进一步形成一第一配向层222于所述第一偏光层220的表面，从而获得一上基板20。
所述第一配向层222的制备方法主要包括以下步骤
(一) 在第一偏光层220表面上形成一配向膜。
所述配向膜的材料包括聚苯乙烯及其衍生物、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚酯、环氧树脂、聚胺酯、聚硅烷等。所述形成一配向膜的方法为丝网印刷法或喷涂法等。本实施例中，通过喷涂法于第一偏光层220表面上形成一层聚酰亚胺作为配向膜。
(二) 形成多个微小沟槽于该配向膜表面，从而形成第一配向层222。所述形成多个微小沟槽的方法可以为磨擦法，倾斜蒸镀SiOx膜法和对膜
进行微沟槽处理法。
步骤三制备一薄膜晶体管面板300，该薄膜晶体管面板300包括多个薄膜晶体管304，该薄膜晶体管中的半导体层包括多个碳纳米管。
请参见图7及图8,所述制备一薄膜晶体管面板300的方法具体包括以下步骤
.(一)提供一第三基体302，形成一导电层320于所述第三基体302表面，图案化该导电层320，在所述第三基体表面形成多个平行等间隔形成的行电极及多个与行电极330电连接的栅极328。
所述第三基体302的材料以及大小与所述第二基体210相同。本实施例中，所述第三基体302与第二基体均为柔性材料，使得通过本发明实施例制得的触摸式液晶显示屏为柔性，从而具有较好的弯折性。所述行电极330与栅极328的材料可以为金属、合金、铟锡氧化物(ITO)、锑锡氧化物(ATO)、导电银胶、导电聚合物以及金属性碳纳米管膜等导电材料。根据形成行电极330与栅极328的材料种类的不同，可以釆用不同方法形成该行电极330与栅极328。具体地，当该行电极330与栅极328的材料为金属、合金、ITO或ATO时，可以通过蒸镀、溅射、沉积、掩模及刻蚀等方法形成行电极330与栅极328,并使所述栅极328与对应的行电极330电连接。当该行电极330与栅极328的材料为导电银胶、导电聚合物或碳纳米管膜时，可以通过印刷涂覆或直接黏附的方法，将该导电银胶或碳纳米管膜涂覆或黏附于第三基体302表面，形成行电极330与4册极328,并4吏所述4册才及328与对应的行电扨_330电连接。 一般地，该行电极330与栅极328的厚度为0.5纳米 100微米。本实施例中，导电层320为金属，形成行电极330以及栅极328的方法为沉积、掩模及刻蚀。
(二 )在所述第三基体302形成有行电极330及栅极328的表面形成一第一绝缘层362，并覆盖所述行电极330及栅极328。
该第一绝缘层362的材料可以为氮化硅、氧化硅等硬性材料或苯并环丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸树脂等柔性材料。根据第一绝缘层362的材料种类的不同，可以采用不同方法形成该绝缘层362。具体地，当该第一绝缘层362的材料为氮化硅或氧化硅时，可以通过沉积的方法形成绝缘层362。当该第一绝缘层362的材料为苯并环丁烯(BCB)、聚酯或丙烯酸树脂时，可以通过印刷涂附的方法形成。 一般地，该第一绝缘层362的厚度为0.5纳米 100賴:米。
本实施例中，采用等离子体化学气相沉积等沉积方法形成一氮化硅绝缘层362于第三基体302表面，并覆盖行电极330与栅极328。所述绝缘层362的厚度约为l微米。
(三)形成多个碳纳米管半导体层360在所述绝缘层362表面，每一碳纳米管半导体层360与一个栅极328相对应。
本实施例中，在所述第一绝缘层362表面形成一碳纳米管半导体层360的方法具体包括以下步骤首先，提供至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜中碳纳米管定向排列；其次，将所述至少一碳纳米管膜铺设于所述第三基体302第一绝缘层362表面，形成一碳纳米管层；最后，图案化该碳纳米管层，在第一绝缘层362表面对应每一个栅极328形成一碳纳米管半导体层360。
本实施例中，所述碳纳米管膜包括超长碳纳米管膜，该超长碳纳米管膜包括多个平行于碳纳米管膜表面的超长碳纳米管，且超长碳纳米管彼此平行排列。多个超长碳纳米管为定向排列的单壁碳纳米管或双壁碳纳米管，直径为0.5纳米 10纳米。因此，所述多个碳纳米管半导体层360中的碳纳米管排列方向相同。
所述超长碳纳米管膜的制备方法包括以下步骤提供一基底；在所述基底表面形成至少一个带状催化剂薄膜；采用化学气相沉积法生长至少一个带状碳纳米管阵列；以及处理所述至少一个带状碳纳米管阵列，使所述至少一个带状碳纳米管阵列沿垂直于其长度的方向倾倒，在基底表面形成至少一个带状碳纳米管膜。
所述超长碳纳米管膜还可釆用以下方法制备提供一生长装置，且该生长装置包括一反应室以及间隔设置于该反应室内的一旋转平台与 一 固定平台，反应室包括一进气口与一出气口，且所述固定平台设置于靠近进气口一边，所述旋转平台设置于靠近出气口一边；提供一生长基底以及一接收基底，并在该生长基底表面沉积一单分散性催化剂层；将所述生长基底放置于该固定平台上，将所述接收基底放置于该旋转平台上；通入碳源气，沿着气流的方向生长超长碳纳米管；停止通入碳源气，超长碳纳米管平行且间隔的形成在接收基底表面；更换生长基底，并多次重复上述生长超长碳纳米管的步骤，在接收基底上形成至少一碳纳米管膜；以及将所述至少一碳纳米管膜从接收基底上取下，从而得到一碳纳米管膜结构。
所述图案化第一绝缘层362表面的碳纳米管膜的方法可以采用激光刻蚀、等离子体刻蚀等方法对该碳納米管膜进行切割，从而在第一绝缘层362表面每一栅极328对应的位置形成一-友纳米管半导体层360。
(四)在所述绝缘层362表面平行等间隔形成多个列电极340，所述每两个相邻的列电极340与所述每两个相邻的行电极330构成一 网格结构350，并在每一碳纳米管半导体层360表面间隔形成一源极364及一漏才及366，所述源才及364与对应的列电极340电连接。
330及栅极328的形成方法相同。碳纳米管半导体层360中的碳纳米管膜沿基本相同的方向重叠时，该源极364及漏极366应沿碳纳米管半导体层360中碳纳米管的排列方向间隔形成于碳纳米管半导体层360表面，从而使碳纳米管半导体
可以理解，为了得到具有更好的半导体性的碳纳米管半导体层360，在形成源极364及漏极366之后，可以进一步包括一去除碳纳米管半导体层360中的金属性碳纳米管的步骤。具体包括以下步骤首先，提供一外部电源，其次，将外部电源的正负两极连接至源极364及漏极366;最后，通过外部电源在源极364及漏极366两端施加一电压，使金属性的碳纳米管发热并烧蚀，获得一具有更好的半导体性碳纳米管半导体层360。该电压在1 1000伏范围内。
另外，上述去除碳纳米管半导体层360中金属性碳纳米管的方法也可以使用氢等离子体、微波、太赫兹(THz)、红外线(IR)、紫外线(UV)或可见光(Vis)照射该碳纳米管半导体层360，使金属性的碳纳米管发热并烧蚀，获得一半导体性更好的碳纳米管半导体层360。
(五) 形成一第二绝缘层352覆盖所述列电极340、源极364、漏极366以及碳纳米管半导体层360，在所述第二绝缘层352表面对应漏极366的位置形成多个通孔356。
所述第二绝缘层352的材料、厚度以及形成方法同所述第一绝缘层362的材料、厚度以及形成方法相同。所述通孔356的形成方法为刻蚀或离子轰击。所述通孔356可以使第二绝缘层352所覆盖的漏极366与外界形成一个导电通道，即因为通孔356处的第二绝缘层352被除去，因此漏极366可以通过该通孔356与外界电连接。
(六) 在所述每个网格结构350中形成一像素电极370，使得所述像素电极370与网格结构350中对应的漏极366电连接，从而在第三基体302表面形成多个薄膜晶体管304,从而获得一薄膜晶体管阵列，进而得到一薄膜晶体管面板300。所述像素电极370为一导电薄膜，该导电薄膜的材料为一导电材料，当用于液晶显示器中时，该像素电极370可选择为铟锡氧化物(ITO)层、锑锡氧化物(ATO)层、铟锌氧化物(IZO)层或金属性碳纳米管膜等透明导电层。所述像素电极370的面积小于对应网才各结构350的面积，且所述像素电极370与漏极366电连接。所述像素电极370的面积为10平方孩克米~0.1平方毫米。本实施例中，所述^f象素电极370的材料为ITO，面积为0.05平方毫米。
所述像素电极370可以通过以下方法制备在所述第三基体302的第二绝缘层352的表面形成一导电层；以及图案化该导电层，在每个网格结构350内形成一个像素电极370，使所述像素电才及370通过通孔356与漏4及366电连接。所述图案化该导电层的方法包括激光刻蚀、等离子体刻蚀等方法。
在所述第二绝缘层352的表面形成导电层的方法为蒸镀法、溅射法或沉积法。在所述第二绝缘层352的表面形成导电层的过程中，导电材料会将第二绝缘 层352表面与漏极366对应的通孔356填满，从而4吏得漏极366与导电层电连接，在图案化导电层后每一网格结构350内的漏极366通过通孔356与对应的像素电极370实现电连接。
请一并参阅图9，本发明还可以进一步包括形成一第二配向层306，覆盖于上述薄膜晶体管面板300形成有多个薄膜晶体管304的表面的步骤。
所述形成一第二配向层306覆盖于该多个薄膜晶体管304的方法与形成一第一配向层222于上述第一偏光层220表面的方法相同。所述形成一第二配向层306，覆盖于上述薄膜晶体管面板300形成有多个薄膜晶体管304的表面的步骤为一可选择步骤。
本实施例技术方案进一步包括形成一第二偏光层308于所述薄膜晶体管面板300远离第二配向层306的表面，从而得到一下基板30的步骤。
本实施例中，形成第二偏光层308于所述薄膜晶体管面板300远离第二配向层306的表面的方法同在第一基体206的表面形成第一偏光层220的方法相同。所述第二偏光层308包括多个重叠设置的碳纳米管有序膜，且相邻两个碳纳米管有序膜中碳纳米管的排列方向相同。所述第二偏光层308的光偏振方向与所述第一偏光层220的光偏振方向相互垂直。当使用偏振光源时，形成一第二偏光层308于所述薄膜晶体管面板300远离第二配向层306的表面，从而得到一下基板30的步骤为一可选择步骤。步骤四形成一液晶层40于上述触摸屏200的第一偏光层220与薄膜 晶体管面板300的薄膜晶体管304之间，从而得到一触摸式液晶显示屏10。
请参照图2,所述形成一液晶层40于上述触摸屏200的第一偏光层220 与薄膜晶体管面板300的薄膜晶体管304之间，从而得到一触摸式液晶显示 屏10方法具体包括以下步骤
( 一 )将液晶材料滴到上基板20的第一配向层222或下基板30的第二 配向层306的表面，爿t人而形成一液晶层40。
本实施例中，采用滴管吸取一定量的液晶材料，滴到下基板30的第二 配向层306的表面，形成一液晶层40,该液晶层40包括多个长棒状的液晶 分子。
(二 )将上基板20的第一配向层222紧邻所述液晶层40铺设，且保证 上基板20的第 一配向层222与下基板30的第二配向层306上的多个微小沟 槽的延伸方向相互垂直。
(三)将上基板20和下基板30的周边采用密封胶进行密封。本实施例， 所述的密封胶为706B型号硫化硅橡胶。将该密封胶涂敷于相对设置的上基 板20和下基板30的边缘，放置24小时即可凝固。
可以理解，本实施例中还可以通过以下方式形成一液晶层40于上述触 摸屏200的第一偏光层220与薄膜晶体管面板300的薄膜晶体管304之间， 其具体包括以下步骤
(一)将上述上基板20与下基板30平行且间隔设置，且第一配向层 222与第二配向层306相对。
(二 )将上基板20和下基板30的周边采用密封胶进行密封，且保留一小孔。
(三)通过该小孔将一定量的液晶材料注入到上基板20与下基板30之 间形成一液晶层40，并密封得到一触摸式液晶显示屏10。
进一步，为了保持上基板20和下基板30之间的间距，还可在形成液晶 层40之前，先于上基板20和下基板30之间形成多个透明间隔物(图中未显 出)。所述间隔物的材料和大小可根据实际需要进行选择。本实施例，将1~10 微米的聚乙烯(polyethylene， PE)小球超声分散在无水乙醇中，用滴管吸取少 量上述溶液，滴在下基板30的第二配向层306的表面。待乙醇挥发后，剩余的PE小球将起到间隔物的作用。
本发明实施例提供的触摸式液晶显示屏10的制备方法具有以下优点 其一，由于碳纳米管层具有优异的力学特性并且耐弯折，故，采用上述的碳 纳米管层作透明导电层，可使得透明导电层具有很好的韧性和机械强度。进 一步地，与柔性基体配合，可以制备一柔性触摸式液晶显示屏10,从而适合 用于柔性显示装置上。其二，由于本实施例所提供的碳纳米管膜由一拉伸工 具拉取而获得，该方法无需真空环境和加热过程，故采用上述碳纳米管膜用 作透明导电层及制备触摸式液晶显示屏10的方法，具有成本低、环保及节 能的优点。其三，相比较现有技术中采用的偏光层的制备方法，由于所述第 一偏光层220采用直接铺设碳纳米管膜制备，且该碳纳米管膜中的碳纳米管 沿同一方向排列，具有偏光作用，所以可以筒化该触摸式液晶显示屏10的
制备方法。其四，由于本实施例提供的碳纳米管膜可通过一热压过程粘结在 基体上，从而降低了制作成本，简化了制作工艺。进一步地，本实施例的热 压过程，温度要求较低，从而对基体材料的温度限制较小。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依 据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
权利要求
1.一种触摸式液晶显示屏的制备方法，其包括以下步骤提供一触摸屏，该触摸屏包括两个透明导电层，该透明导电层包括至少一碳纳米管膜；形成一第一偏光层于上述触摸屏的一表面；提供一薄膜晶体管面板，该薄膜晶体管面板包括多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管中的半导体层包括多个碳纳米管；以及封装一液晶层于上述触摸屏的第一偏光层与薄膜晶体管面板之间。
2. 如权利要求1所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述触摸 屏的制备方法具体包括以下步骤提供一第一基体，其包括两个相对的表面； 形成一第一透明导电层于所述第一基体的一表面；间隔地形成两个第一电极于上述第一透明导电层的两端或所述第一基体的两 端，且与该第一透明导电层电连接，形成一第一电极板； 提供一第二基体，其包括两个相对的表面；形成一第二透明导电层于所述第二基体一表面，间隔地形成两个第二电极于 该第二透明导电层的两端或所述第二基体的两端，且与该第二透明导电层电 连接，形成一第二电极板；以及 封装上述第一电极板与第二电极板，得到一触摸屏。
3. 如权利要求2所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述分别 形成第一透明导电层和第二透明导电层于上述第一基体和第二基体的表面的 方法具体包括以下步骤提供至少一个碳纳米管膜，该碳纳米管膜中的碳纳米管定向排列；以及 将所述至少一个碳纳米管膜铺设于所述第一基体或第二基体的表面。
4. 如权利要求3所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述提供 至少一个碳纳米管膜之后，进一步包括一采用激光处理上述碳纳米管膜的步骤。
5. 如权利要求3所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述铺设至少一碳纳米管膜于所述基体的表面之后，进一步包括采用有机溶剂处理该碳纳米管膜的步骤，具体包括通过试管将有机溶剂滴落在所述至少一碳纳 米管膜的表面或将上述铺设有至少一碳纳米管膜的基体整个放入盛有有机溶 剂的容器中浸润。
6. 如权利要求2所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述分别 形成第一透明导电层和第二透明导电层于上述第一基体和第二基体的表面的 方法具体包括以下步骤 涂覆一高分子材料溶液层于所述基体的表面；铺设至少一碳纳米管膜于该高分子材料溶液层，使该高分子材料溶液均匀分散到该碳纳米管膜中；以及固化所述高分子溶液。
7. 如权利要求2所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述封装 上述第一电极板与第二电极板，得到一触摸屏的方法具体包括以下步骤 形成一绝缘层于所述第二电极板的第二透明导电层的外围；以及 覆盖第一电极板于所述绝缘层，以^_所述第一透明导电层和所述第二透明导 电层相对设置，得到一触摸屏，并使第一电极板上的两个第一电极所在的直 线和第二电极板上的两个第二电极所在的直线交叉。
8. 如权利要求1所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述的触 摸式液晶显示屏的制备方法进一步包括以下步骤 形成第一配向层于该触摸屏的第一偏光层的表面；以及 形成第二配向层于该薄膜晶体管面板靠近液晶层的表面，所述液晶层形成在所述第一配向层与第二配向层之间。
9. 如权利要求1所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述形成第 一偏光层于上述触摸屏表面的方法具体包括以下步骤 提供至少一个碳纳米管膜，该碳纳米管膜中碳纳米管定向排列；以及 将至少一个碳纳米管膜直接铺设在所述触摸屏的表面，或将多个碳纳米管膜 平行且无间隙地铺设或重叠设置在所述触摸屏的表面。
10. 如权利要求9所迷的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述制备 一薄膜晶体管面板之后，进一步包括形成一第二偏光层于该薄膜晶体管面板远离所述液晶层的表面，其包括以下步骤提供至少一个碳纳米管膜，该碳纳米管膜中碳纳米管定向排列；以及 将至少一个碳纳米管膜直接铺设在所述触摸屏的表面，或将多个碳纳米管膜 平行且无间隙地铺设或重叠设置在所述薄膜晶体管面板远离所述液晶层的表 面，且该碳纳米管膜中碳纳米管的延伸方向与第 一偏光层中碳纳米管的延伸 方向垂直。
11. 如权利要求9或IO所述的触摸式液晶显示屏，其特征在于，当所述第一偏光 层或第二偏光层包括多个碳纳米管膜时，该所述第一偏光层中多个碳纳米管 膜中的碳纳米管的排列方向相同，所述二偏光层中多个碳纳米管膜中的碳纳 米管的排列方向相同。
12. 如权利要求1所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述薄膜 晶体管面板的制备方法包括以下步骤提供一第三基体，形成一导电层于所述第三基体表面，图案化该导电层，在 所述第三基体表面形成多个平行等间隔形成的行电极及多个与该行电极电连 接的栅极；在所述第三基体形成有行电极及栅极的表面形成一第一绝缘层，并覆盖所述行 电极及栅极；形成多个碳纳米管半导体层在所述绝缘层表面，每一碳纳米管半导体层与一 个棚4及相对应；在所述绝缘层表面平行等间隔形成多个列电极，在每一碳纳米管半导体层表 面间隔形成一源极及一漏极，所述源极与对应的列电极电连接，所述每两个 相邻的源极与所述每两个相邻的行电极构成一 网格结构；形成一第二绝缘层覆盖所述列电极、源极、漏极以及碳纳米管半导体层，在 所述第二绝缘层表面对应漏极的位置形成多个通孔；以及在所述每个网格结构中形成一像素电极，使得所述像素电极与网格结构中对 应的漏极电连接，从而获得一薄膜晶体管阵列。
13. 如权利要求12所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述图案 化导电层的方法包括激光刻蚀法及等离子体刻蚀法。
14. 如权利要求12所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述形成多个碳纳米管半导体层于所述绝缘层表面的方法具体包括以下步骤 提供至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜中碳纳米管定向排列； 将所述至少一个碳纳米管膜铺设于第三基体第一绝缘层表面；以及 图案化该至少一碳纳米管膜，在第一绝缘层表面对应每一个栅极形成一半导 体层。
15. 如权利要求12所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，所述像素 电极的材料为铟锡氧化物、锑锡氧化物、铟锌氧化物或金属性碳纳米管膜。
16. 如权利要求12所述的触摸式液晶显示屏的制备方法，其特征在于，在形成源 极及漏极之后进一步包括去除碳纳米管半导体层中金属性碳纳米管的步骤， 去除的方法包括采用氬等离子体、^:波、太赫兹、红外线、紫外线或可见光 照射碳纳米管半导体层，或在碳纳米管半导体层两端施加电压。
全文摘要
一种触摸式液晶显示屏的制备方法，其包括以下步骤提供一触摸屏，该触摸屏包括两个透明导电层，该透明导电层包括至少一碳纳米管膜；形成一第一偏光层于上述触摸屏的一表面；提供一薄膜晶体管面板，该薄膜晶体管面板包括多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管中的半导体层包括多个碳纳米管；以及封装一液晶层于上述触摸屏的第一偏光层与薄膜晶体管面板之间。
文档编号G02F1/13GK101625468SQ200910004619
公开日2010年1月13日 申请日期2009年2月20日 优先权日2008年7月9日
发明者亮 刘, 吴志笙, 姜开利, 范守善, 郑嘉雄, 陈杰良 申请人:清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司