极紫外光刻系统中与杂散光有关的镜面加工误差分析方法

文档序号:2716190阅读:356来源:国知局
极紫外光刻系统中与杂散光有关的镜面加工误差分析方法
【专利摘要】极紫外光刻系统中与杂散光有关的镜面加工误差分析方法,属于光学设计仿真分析领域,解决了在极紫外光刻系统中与杂散光紧密相关的扩展中频粗糙度摄取无统一测量标准或求解方法而导致镜面加工误差分析较低的问题。该方法为:初始暗岛尺寸的最小值和最大值,取其平均值为初始暗岛尺寸进入光刻仿真,判断杂散光水平与仿真杂散光阈值的关系直到两者相等,得到最佳暗岛尺寸;扩展中频粗糙度的空间周期为Λ,对应的空间频率光栅方程Λsinθ=λ,λ为系统曝光波长,得到扩展中频粗糙度对应的空间频率:θ和θ’为入射光在扩展中频粗糙度上发生衍射时的衍射角极限值,且θ<θ’。本发明可以准确地为光刻性能分析、后续光学元件精修等工作提供重要依据。
【专利说明】极紫外光刻系统中与杂散光有关的镜面加工误差分析方法

【技术领域】
[0001] 本发明属于光学设计仿真分析【技术领域】,具体涉及一种极紫外光刻系统中与杂散 光有关的镜面加工误差分析方法。

【背景技术】
[0002] 极紫外光刻技术(EUVL)是采用13. 5nm的极紫外光(EUV)作为工作波长的下一代 光刻技术(NGL)之一,是实现22nm及其以下技术节点的关键技术。由于其超短的曝光波长, 系统成像除要满足极小的波像差(?InmRMS)外,还需要充分考虑由光学元件加工粗糙 度引起的光能散射。根据散射理论,由光学元件加工误差引起的光能散射主要可以分为三 类,分别是低频粗糙度(LowSpatialFrequencyRoughness,LSFR)引起的极小角度散射, 向系统中引入基本像差,通常称作光学元件轮廓(Figure);由中频粗糙度(MiddleSpatial FrequencyRoughness,MSFR)引起的小角度散射,使光能散射于整个视场内,导致像面形 成一均匀的背景照明,从而降低空间成像对比度,通过称作杂散光(Flare);由高频粗糙度 (HighSpatialFrequencyRoughness,HSFR)引起的大角度散射将使光能溢出像面,导致 能量下降,降低系统的产出。
[0003] 极紫外光刻系统中的杂散光不同于深紫外光刻系统中的杂散光,它可以被认为是 仅由光学元件加工误差引起的,而不同空间频率的加工误差对系统的影响不一,只有特定 频域加工误差引起的光能散射才会向像面引入一均匀的背景照明,形成杂散光,降低空间 成像对比度,缩小光刻工艺窗面积,从而增加工艺难度或导致光刻过程无法实现,而系统分 配给杂散光的公差、光学元件加工误差中与杂散光有关的加工误差频域以及引入的杂散光 数量均需在前期仿真和后期测定中被准确分析和测量,为光学元件加工提供指导。其中由 中频粗糙度(MSFR)引入的杂散光将直接影响光刻能否实现,因此必须进行精确分析评估。
[0004] 目前,与杂散光紧密相关的扩展中频粗糙度摄取并无统一标准或方法,导致同系 列极紫外曝光实验装置杂散光分析不具备理论上的连贯性与一致性,如美国LLNL实验室 的三套微视场极紫外光刻曝光系统(MicroExposureT〇〇ls,MET),尽管三套系统在结构上 均采用了Swarzschild两镜结构,在功能上也具有一致性和传承性,但其对系统杂散光的 定义各不相同,而在国内,国防科技大学利用小波变换将光学元件加工误差在频率域内不 断进行分解,并根据不同频率域误差对空间成像质量的不同效果进行系统杂散光分析,但 该基于小波变换的误差频段分析方法每进行一次小波变换,其数据点将减少一半,这便导 致后续分析数据明显不足,失去可信度。
[0005] 目前,行业中测量极紫外光刻系统杂散光水平多采用Kirk法,即对一具有一定尺 寸的暗岛(高反射式掩模板上一孤立吸收区域)进行曝光,经曝光显影等光刻工艺后,完全 清洗掉亮区和暗区所使用曝光剂量之比即为系统杂散光水平,但在该暗岛尺寸的选择上, 目前行业内未形成统一标准或求解方法,导致杂散光测试结果高度依赖于其尺寸选择,且 目前该尺寸选择与所要实现的工艺节点尺寸无明显关联。


【发明内容】

[0006]为了解决在极紫外光刻系统中与杂散光紧密相关的扩展中频粗糙度摄取无统一 测量标准或求解方法而导致镜面加工误差分析较低的问题,本发明提供一种极紫外光刻系 统中与杂散光有关的镜面加工误差分析方法。
[0007] 本发明为解决技术问题所采用的技术方案如下:
[0008] 极紫外光刻系统中与杂散光有关的镜面加工误差分析方法,该方法的条件和步骤 如下:
[0009] 步骤一、最佳暗岛尺寸的求解
[0010] ⑴确定仿真杂散光阈值;
[0011] (2)根据光刻原理确定暗岛尺寸的最小值Aimm= 0.25^,λ为曝光波长,NA为投 NA 影曝光系统的像方数值孔径,该暗岛尺寸的最小值为投影曝光系统的极限分辨率,即在任 何条件下均不能成功成像曝光;
[0012] (3)初始暗岛尺寸的最大值d_ =D,该暗岛尺寸的最大值可以使暗岛的空间像在 任何条件下其中心区域光强为0 ;
[0013] (4)取暗岛尺寸的最小值和最大值的平均值i= 作为初始暗岛尺寸进 入第一次光刻仿真;
[0014] (5)根据Kirk法中关于系统杂散光的定义和光刻仿真空间像得到杂散光水平,判 断杂散光水平与仿真杂散光阈值的关系,若杂散光水平大于仿真杂散光阈值,说明初始暗 岛尺寸d过小,则将d赋值于Clmin并进入下一次仿真计算,若杂散光水平小于仿真杂散光阈 值,说明初始暗岛尺寸d过大,则将d赋值于Clmax并进入下一次仿真计算;
[0015] (6)重复步骤(5),最终d将收敛于某一值Clisland,直到杂散光水平与仿真杂散光阈 值相等,即d disland' 则disland为最佳暗岛尺寸;
[0016] 步骤二、利用最佳暗岛尺寸求解与杂散光有关的扩展中频粗糙度对应的空间频率
[0017] (1)最佳尺寸暗岛经投影曝光系统后形成暗岛空间像,而亮区经投影曝光系统后 形成亮区空间像,因投影曝光系统中存在与杂散光有关的扩展中频粗糙度,导致入射光发 生衍射产生0级光和两束次级光,忽略能量极低的高衍射级次,其中一束次级光进入到暗 岛空间像,叠加一亮背景,形成杂散光;
[0018] (2)暗岛空间像所在像面与亮区空间像所在像面在同一平面上,设该平面与投影 曝光系统口径之间的距离为1',最佳尺寸暗岛所在物面与亮区所在物面在同一平面上,设 该平面与投影曝光系统口径之间的距离为1,扩展中频粗糙度的空间周期为Λ,对应的空 间频率/ = ^,最佳暗岛尺寸为disland,系统放大倍率为α,则结合光栅方程Asinθ=λ, 其中,λ为系统曝光波长,从两个方面求解与杂散光有关的扩展中频粗糙度对应的空间频 率:
[0019] ①从物空间摄取扩展中频粗糙度:
[0020] 「?Fov/2
[0021] -----=Ian
[0022] ②从像空间摄取扩展中频粗糙度: OCdisland/ 2 ^/island /2 ^
[0023] -=-= tan汐 /, I a*FOVi/2FOVH⑶
[0024] -^- =-= tan 6?, /' /
[0025] 其中,Θ和θ'为入射光在扩展中频粗糙度上发生衍射时的衍射角极限值,且θ <Θ',由于扩展中频粗糙度上具有不同频率的加工误差,因此实际的衍射角为Θ和Θ'之 间的任意值,则与杂散光有关的扩展中频粗糙度对应的空间频率分布范围为: Γ n sinθ Γ sinθ''
[0026] </<^- AΛ
[0027] 无论是从物空间求解还是从像空间求解结论一致,因此可从物空间和像空间分别 求解扩展中频粗糙度。
[0028] 在进行步骤一之前还包括以下步骤:最佳暗岛尺寸提出的理论分析
[0029] 当一小尺寸暗岛经过理想投影曝光系统后形成第一空间像,由于系统数值孔径限 制而发生衍射,从而使得小尺寸暗岛的第一空间像的中心区域具有光强,即若使用该小尺 寸暗岛测量系统杂散光,对于理想投影曝光系统而言,其测得的杂散光水平也不为0,这与 假设的理想投影曝光系统相矛盾,说明该小尺寸暗岛尺寸选择失当;
[0030] 当一大尺寸暗岛经过半真实投影曝光系统后形成第二空间像,半真实投影曝光系 统由理想投影曝光系统、基础像差和引入杂散光的扩展中频粗糙度组成,使得大尺寸暗岛 的第二空间像的中心区域光强为0,即若采用该大尺寸暗岛测量系统杂散光,对于半真实投 影曝光系统而言,其测得的杂散光水平为0,这与假设的半真实投影曝光系统相矛盾,说明 该大尺寸暗岛尺寸选择失当;
[0031] 基于以上两种情况的考虑,小尺寸暗岛和大尺寸暗岛之间必然存在一最佳尺寸暗 岛,当一最佳尺寸暗岛经过投影曝光系统后形成第三空间像,投影曝光系统由理想投影曝 光系统与基础像差组成,使得最佳尺寸暗岛的第三空间像的中心区域光强刚好为0,这便与 假设的投影曝光系统相吻合,且与利用仿真进行杂散光公差分配的过程中所使用的系统一 致;
[0032] 结合光刻系统仿真以及系统杂散光测量两方面理论,得到了必然存在一用于杂散 光测量的最优暗岛尺寸的结论,而不是任意选取,使得杂散光成为系统的一种固有性质,与 照明条件、光学元件加工水平有关。
[0033]本发明的有益效果是:
[0034] 本发明旨在结合极紫外光刻系统杂散光基本测量原理以及光刻仿真分析原理,从 理论上提出一种统一的方法用以摄取与系统杂散光有关的扩展中频粗糙度,从光学元件的 加工数据预测系统杂散光,以使仿真更具指导意义。
[0035] 本发明基于Kirk法基本测量原理和光刻仿真,求解得到利用Kirk法测量极紫外 光刻系统杂散光的最佳暗岛尺寸,利用求解得到的最佳暗岛尺寸,结合光刻系统结构布局, 快速摄取系统中各光学元件中与系统杂散光有光的加工误差频域,可准确地为光刻性能分 析、后续光学元件精修等工作提供依据。该方法可为行业中系统杂散光的测量提供一统一 参考标准,便于行业内交流沟通。

【专利附图】

【附图说明】
[0036] 图1为本发明中小尺寸暗岛经理想投影曝光系统后形成第一空间像的原理示意 图。
[0037] 图2为本发明中大尺寸暗岛经半真实投影曝光系统后形成第二空间像的原理示 意图。
[0038] 图3为本发明中用于测量杂散光的最佳暗岛尺寸求解原理示意图。
[0039] 图4为本发明中用于测量杂散光的最佳暗岛尺寸求解流程示意图。
[0040] 图5为利用最佳暗岛尺寸求解与杂散光有关的扩展中频粗糖度对应的空间频率 的原理示意图。
[0041] 图中:1、小尺寸暗岛,2、大尺寸暗岛,3、最佳尺寸暗岛,4、理想投影曝光系统,5、 半真实投影曝光系统,6、投影曝光系统,7、第一空间像,8、第二空间像,9、第三空间像,10、 基础像差,11、扩展中频粗糙度,12、单一反射镜,13、暗岛空间像,14、亮区,15、亮区空间像, 16、入射光,17、次级光,18、0级光。

【具体实施方式】
[0042] 以下结合附图对本发明作进一步详细说明。
[0043] 本发明的极紫外光刻系统中与杂散光有关的镜面加工误差分析方法,该方法的条 件和步骤如下:
[0044] 步骤一、最佳暗岛尺寸提出的理论分析
[0045]在极紫外光刻系统中,杂散光被认为是像面空间成像中一均匀的背景照明,将会 导致像面空间成像对比度下降,从而减小光刻工艺窗,在光刻过程中,系统能容忍多少这样 的背景照明,便是系统分配给杂散光的公差。
[0046] 在极紫外光刻系统中,对高反射式掩模上一特定尺寸的暗区进行连续剂量的曝 光,通过分析其形成的光刻胶像获得杂散光水平,将该特定尺寸的暗区称作island,在此译 为暗岛。
[0047] 如图1所示,当一小尺寸暗岛1经过理想投影曝光系统4后形成第一空间像7,由 于系统数值孔径限制而发生衍射,从而使得小尺寸暗岛1的第一空间像7的中心区域具有 光强,即若使用该小尺寸暗岛1测量系统杂散光,对于理想投影曝光系统4而言,其测得的 杂散光水平也不为〇,这与假设的理想投影曝光系统4相矛盾,说明该小尺寸暗岛1尺寸选 择失当;如图2所示,当一大尺寸暗岛2经过半真实投影曝光系统5后形成第二空间像8, 半真实投影曝光系统5由理想投影曝光系统4、基础像差10和引入杂散光的扩展中频粗糙 度11组成,使得大尺寸暗岛2的第二空间像8的中心区域光强为0,即若采用该大尺寸暗岛 2测量系统杂散光,对于半真实投影曝光系统5而言,其测得的杂散光水平为0,这与假设的 半真实投影曝光系统5相矛盾,说明该大尺寸暗岛2尺寸选择失当。
[0048] 基于以上两种情况的考虑,小尺寸暗岛1和大尺寸暗岛2之间必然存在一最佳尺 寸暗岛3,如图3所示,当一最佳尺寸暗岛3在特定的照明条件下,经过投影曝光系统6后形 成第三空间像9,投影曝光系统6由理想投影曝光系统4与基础像差10组成,使得最佳尺寸 暗岛3的第三空间像9的中心区域光强刚好为0,这便与假设的投影曝光系统6相吻合,且 与利用仿真进行杂散光公差分配的过程中所使用的系统一致。只有利用该最佳暗岛尺寸和 Kirk法实测的杂散光水平才能与前期杂散光的分配公差相吻合。
[0049] 结合光刻系统仿真以及系统杂散光测量两方面理论,得到了必然存在一用于杂散 光测量的最优暗岛尺寸的结论,而不是任意选取,使得杂散光成为系统的一种固有性质,与 照明条件、光学元件加工水平等因素有关。
[0050] 步骤二、最佳暗岛尺寸的求解
[0051]最佳暗岛尺寸的求解主要通过光刻仿真完成,在光刻仿真过程中,向系统中加入 数值孔径和基础像差10,使杂散光的公差中完全排除系统数值孔径引起的衍射和基础像差 10引起的光线偏折作用,进而再利用基于光刻胶的杂散光测量实验中必须以仿真作为标准 才能准确利用仿真所得的杂散光公差分配结果,即在杂散光的测量实验中,在此特指利用 Kirk法测量杂散光的实验,必须有效排除系统数值孔径限制和基础像差10所引入的光能 重新分布,确保在测量过程中,中心暗区光刻胶的曝光必须且仅由杂散光引入。
[0052]根据极紫外光刻系统中照明条件、实测像差等既定条件,以艾里斑(点光源通过 理想透镜成像,中央是明亮的原斑,周围有一组较弱的明暗相间的同心环状条纹,把其中以 第一暗环为界限的中央亮斑称作艾里斑,它的大小决定了望远镜的分辨能力)尺寸为暗岛 尺寸初始值,以仿真中空间像的最小最大强度比为判据,利用迭代算法求解最佳暗岛尺寸, 使得仿真中空间像的最小最大强度比远低于某一杂散光测量精度,即使得暗岛空间像13 的最小光强刚好为〇(理论上应刚好为〇,但实际求解过程中由于仿真计算误差、系统杂散 光测量精度等限制,只要达到一阈值即可)。
[0053]如图4所示,计算开始时,根据杂散光测量精度、仿真计算误差等确定仿真杂散光 阈值,仿真杂散光阈值是由实际应用需求及软硬件条件确定的,如杂散光测量精度,目前文 献报道均是如5 %、10%、16%这样的数值,因此没必要将其设置为0. 1 %,又如仿真中软件 计算的舍入误差、电磁场计算中的计算元胞大小,若电磁场仿真为2. 5nm-个计算单元,那 么就不需要将仿真精确到2. 5nm以下精度,浪费计算资源的同时,对加工也提出了过高要 求,仿真杂散光阈值在仿真中理论为0,不能说仿真杂散光阈值为0,因为仿真的最终目的 是为了实现真实系统中的杂散光测量,本来就需要考虑真实需求,因此不能用理想的阈值〇 来替换。根据光刻原理确定暗岛尺寸的最小值0.25^·,其中λ为曝光波长,NA为投 影曝光系统6的像方数值孔径,该暗岛尺寸的最小值为投影曝光系统6的极限分辨率,即在 任何条件下均不能成功成像曝光;初始暗岛尺寸的最大值(Iniin =D,该暗岛尺寸的最大值可 以使暗岛的空间像在任何条件下其中心区域光强为〇 ;取暗岛尺寸的最小值和最大值的平 均值= 作为初始暗岛尺寸进入第一次光刻仿真,该仿真输入条件包括照明条 件、光刻投影曝光物镜像差等一系列可测量确定、可仿真实现的所有因素(但不包括杂散 光);根据Kirk法中关于系统杂散光的定义和光刻仿真空间像得到杂散光水平,杂散光最 初、最原始的定义就源于Kirk法,因此光刻仿真及杂散光评定都将严格依照Kirk法中光于 杂散光的定义,是通过仿真光刻空间像的强度分布获得的,即暗岛空间像中心强度与非暗 岛区的空间像强度之比。判断杂散光水平与仿真杂散光阈值的关系,若杂散光水平大于仿 真杂散光阈值,则对应于图1所示情形,说明初始暗岛尺寸d过小,则将d赋值于Clmin并进 入下一次仿真计算,若杂散光水平小于仿真杂散光阈值,则对应于图2所示情形,说明初始 暗岛尺寸d过大,则将d赋值于dmax并进入下一次仿真计算;按照以上规则反复迭代,最终 d必将收敛于某一值Clisland,此时杂散光水平与仿真杂散光阈值将尽可能接近直到Clisland = d,则结束迭代过程,此时disland则为用于测量该投影曝光系统6杂散光的最佳暗岛尺寸。
[0054] 步骤三、利用最佳暗岛尺寸求解与杂散光有关的扩展中频粗糙度对应的空间频率
[0055] 求取最佳暗岛尺寸后,在实际测量杂散光过程中,任何散射进暗岛中心并在视场 范围内的光能均为杂散光,是由除系统数值孔径和基础像差10外的其他因素引起的光能 重新分布,这与前期的杂散光公差分配中所提及的杂散光一致,在极紫外光刻系统中,该因 素仅被认为是镜面加工误差中的扩展中频粗糙度11,因此,可以根据上述得到的最佳暗岛 尺寸disland和系统视场准确截取扩展中频粗糙度11对应的空间频率范围。
[0056] 如图5所示,为便于说明利用最佳暗岛尺寸disland摄取与杂散光相关的扩展中频 粗糙度11的原理,将投影曝光系统6简化为单一反射镜12,最佳尺寸暗岛3经单一反射镜 12后形成暗岛空间像13,而亮区14经单一反射镜12后形成亮区空间像15,因单一反射镜 12存在与杂散光有关的扩展中频粗糙度11,导致入射光16发生衍射产生0级光8和两束 次级光17,忽略能量极低的高衍射级次,其中一束次级光17进入到暗岛空间像13,叠加一 亮背景,形成杂散光。暗岛空间像13所在像面与亮区空间像15所在像面在同一平面上,设 该平面与单一反射镜12 口径之间的距离为1',最佳尺寸暗岛3所在物面与亮区14所在物 面在同一平面上,设该平面与单一反射镜12 口径之间的距离为1,扩展中频粗糙度11的空 间周期为Λ,对应的空间频率/ =j,最佳暗岛尺寸为disland,系统放大倍率为α,则结合光 栅方程AsinQ=λ,从两个方面求解与杂散光有关的扩展中频粗糙度11对应的空间频 率:
[0057] 从物空间摄取扩展中频粗糙度11 :

【权利要求】
1.极紫外光刻系统中与杂散光有关的镜面加工误差分析方法,其特征在于,该方法的 条件和步骤如下: 步骤一、最佳暗岛尺寸的求解 (1) 确定仿真杂散光阈值; (2) 根据光刻原理确定暗岛尺寸的最小值4^=0.25^,λ为曝光波长,NA为投影曝 NA 光系统的像方数值孔径,该暗岛尺寸的最小值为投影曝光系统的极限分辨率,即在任何条 件下均不能成功成像曝光; (3) 初始暗岛尺寸的最大值Clmax=D,该暗岛尺寸的最大值可以使暗岛的空间像在任何 条件下其中心区域光强为〇 ; (4) 取暗岛尺寸的最小值和最大值的平均值= 作为初始暗岛尺寸进入第 一次光刻仿真; (5) 根据Kirk法中关于系统杂散光的定义和光刻仿真空间像得到杂散光水平,判断杂 散光水平与仿真杂散光阈值的关系,若杂散光水平大于仿真杂散光阈值,说明初始暗岛尺 寸d过小,则将d赋值于Clmin并进入下一次仿真计算,若杂散光水平小于仿真杂散光阈值, 说明初始暗岛尺寸d过大,则将d赋值于dmax并进入下一次仿真计算; (6) 重复步骤(5),最终d将收敛于某一值disland,直到杂散光水平与仿真杂散光阈值相 'J' 即ddisiand,则disian(j为最佳暗岛尺寸; 步骤二、利用最佳暗岛尺寸求解与杂散光有关的扩展中频粗糙度对应的空间频率 (1) 最佳尺寸暗岛经投影曝光系统后形成暗岛空间像,而亮区经投影曝光系统后形成 亮区空间像,因投影曝光系统中存在与杂散光有关的扩展中频粗糙度,导致入射光发生衍 射产生0级光和两束次级光,忽略能量极低的高衍射级次,其中一束次级光进入到暗岛空 间像,叠加一亮背景,形成杂散光; (2) 暗岛空间像所在像面与亮区空间像所在像面在同一平面上,设该平面与投影曝光 系统口径之间的距离为1',最佳尺寸暗岛所在物面与亮区所在物面在同一平面上,设该平 面与投影曝光系统口径之间的距离为1,扩展中频粗糙度的空间周期为Λ,对应的空间频 率/=j,最佳暗岛尺寸为Clisland,系统放大倍率为α,则结合光栅方程Asine= λ,其 中,λ为系统曝光波长,从两个方面求解与杂散光有关的扩展中频粗糙度对应的空间频 率: ① 从物空间摄取扩展中频粗糙度:
② 从像空间摄取扩展中频粗糙度:
其中,Θ和θ'为入射光在扩展中频粗糙度上发生衍射时的衍射角极限值,且θ<Θ',由于扩展中频粗糙度上具有不同频率的加工误差,因此实际的衍射角为Θ和Θ'之 间的任意值,则与杂散光有关的扩展中频粗糙度对应的空间频率分布范围为: sinΘ ,.s i nθ' -<I<--- λ λ 无论是从物空间求解还是从像空间求解结论一致,因此可从物空间和像空间分别求解 扩展中频粗糙度。
2.根据权利要求1所述的极紫外光刻系统中与杂散光有关的镜面加工误差分析方法, 其特征在于,在进行步骤一之前还包括以下步骤:最佳暗岛尺寸提出的理论分析 当一小尺寸暗岛经过理想投影曝光系统后形成第一空间像,由于系统数值孔径限制而 发生衍射,从而使得小尺寸暗岛的第一空间像的中心区域具有光强,即若使用该小尺寸暗 岛测量系统杂散光,对于理想投影曝光系统而言,其测得的杂散光水平也不为0,这与假设 的理想投影曝光系统相矛盾,说明该小尺寸暗岛尺寸选择失当; 当一大尺寸暗岛经过半真实投影曝光系统后形成第二空间像,半真实投影曝光系统由 理想投影曝光系统、基础像差和引入杂散光的扩展中频粗糙度组成,使得大尺寸暗岛的第 二空间像的中心区域光强为〇,即若采用该大尺寸暗岛测量系统杂散光,对于半真实投影曝 光系统而言,其测得的杂散光水平为〇,这与假设的半真实投影曝光系统相矛盾,说明该大 尺寸暗岛尺寸选择失当; 基于以上两种情况的考虑,小尺寸暗岛和大尺寸暗岛之间必然存在一最佳尺寸暗岛, 当一最佳尺寸暗岛经过投影曝光系统后形成第三空间像,投影曝光系统由理想投影曝光系 统与基础像差组成,使得最佳尺寸暗岛的第三空间像的中心区域光强刚好为〇,这便与假设 的投影曝光系统相吻合,且与利用仿真进行杂散光公差分配的过程中所使用的系统一致; 结合光刻系统仿真以及系统杂散光测量两方面理论,得到了必然存在一用于杂散光测 量的最优暗岛尺寸的结论,而不是任意选取,使得杂散光成为系统的一种固有性质,与照明 条件、光学元件加工水平有关。
【文档编号】G03F7/20GK104317168SQ201410593209
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日
【发明者】王君, 王丽萍, 金春水, 谢耀 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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