光学器件和光学器件的制造方法与流程

本发明涉及光学器件，该光学器件具备形成有被覆去除区间的光纤和埋设有该被覆去除区间的树脂部件。另外，涉及这种光学器件的制造方法。

背景技术：

广泛应用有双包层或三重包层光纤等能够将光束缚于包层中的光纤。在这种光纤中，在包层中传播的不必要的光(以下，记载为“包层光”)成为使覆盖包层的外侧面的被覆发热的原因。因此，在这种光纤中，需要在去除了被覆的被覆去除区间中使包层光从包层漏出。

在专利文献1中公开有如下的光学器件，该光学器件具备形成有被覆(该文献中的“预涂层”)去除区间的光纤和埋设有该被覆去除区间的树脂部件。在记载于专利文献1的光学器件中，通过使树脂部件的折射率比包层的折射率高，从而在被覆去除区间中使包层光从包层漏出到树脂部件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国公开特许公报“特开平1-316705号”(公开日：1989年12月21日)

技术实现要素：

发明所要解决的课题

如记载于专利文献1的光学器件那样，在构成为将去除了覆盖包层的外侧面的被覆的被覆去除区间埋设于折射率比包层高的树脂部件中时，在被覆去除区间的入射端产生包层光的集中漏出。因此，存在被覆去除区间的入射端附近的树脂部件吸收包层光而成为高温的问题。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，在具备形成有被覆去除区间的光纤和埋设有该被覆去除区间的树脂部件的光学器件中，实现树脂部件比以往更难成为高温的光学器件。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明的光学器件的特征在于，具备：光纤，形成有被覆去除区间；以及树脂部件，折射率比上述光纤的包层的折射率高，且埋设有上述光纤的上述被覆去除区间，上述被覆去除区间是以在各横截面中仅使上述包层的外侧面的一部分露出的方式，局部地去除了覆盖该包层的外侧面的被覆的区间。

另外，为了解决该课题，本发明的光纤的制造方法的特征在于，包括：形成工序，在光纤上形成被覆去除区间；以及埋设工序，将上述光纤的上述被覆去除区间埋设于折射率比上述光纤的包层的折射率高的树脂部件，上述被覆去除区间是以在各横截面中仅使上述包层的外侧面的一部分露出的方式，局部地去除了覆盖该包层的外侧面的被覆的区间。

发明效果

根据本发明，能够实现树脂部件比以往更难成为高温的光学器件。

附图说明

图1是用于说明本发明的一实施方式的光学器件的结构的图。(a)是该光学器件的俯视图，(b)是该光学器件的侧视图，(c)是该光学器件的AA’剖视图，(d)是该光学器件1的BB’剖视图。

图2是用于说明图1所示的光学器件中的被覆去除区间的形成方法的图。(a)～(c)是其光纤的(纵)剖视图。

图3是通过图2所示的方法形成了被覆去除区间的光纤的显微镜照片。

图4是用于说明图1所示的光学器件的效果的图。是该光学器件的(横)剖视图。

图5是在以往的光学器件中得到的、表示包层光量与树脂温度上升量之间的关系的图表。

图6是在图1所示的光学器件中，使被覆去除区间的长度为1mm时得到的、表示包层光量与树脂温度上升量之间的关系的图表。

图7是在图1所示的光学器件中，使被覆去除区间的长度为2mm时得到的、表示包层光量与树脂温度上升量之间的关系的图表。

图8是用于说明图1所示的光学器件中的被覆去除区间的优选长度的图。(a)～(b)是其光纤的(纵)剖视图，(c)是表示树脂部件的温度分布的图表。

图9是用于说明图1所示的光学器件中的被覆的切口的优选斜率的图。是该光学器件的(纵)剖视图。

图10是用于说明图1所示的光学器件的第1变形例的图。(a)是该光学器件的俯视图，(b)是该光学器件的侧视图，(c)是该光学器件的仰视图。

图11是用于说明图1所示的光学器件的第2变形例的图。(a)是该光学器件的俯视图，(b)是该光学器件的侧视图，(c)是该光学器件的仰视图。

具体实施方式

以下，根据附图对本发明的光学器件的一实施方式进行说明。

〔光学器件的结构〕

首先，参照图1对本实施方式的光学器件1的结构进行说明。在图1中，(a)是光学器件1的俯视图，(b)是光学器件1的侧视图，(c)是光学器件1的AA’剖视图，(d)是光学器件1的BB’剖视图(省略剖面线)。

如图1的(a)～(d)所示，光学器件1具备：形成有被覆去除区间I1的光纤11；以及埋设有光纤11的被覆去除区间I1的树脂部件12。

光纤11为双包层光纤，如图1的(c)所示，具备：圆柱状的芯111a；覆盖芯111a的侧面的圆筒状的内包层111b；覆盖内包层111b的外侧面的圆筒状的外包层112a；以及覆盖外包层112a的外侧面的圆筒状的外套112b。

在光纤11中，芯111a和内包层111b为玻璃制。以下，将芯111a和内包层111b统一记载为裸光纤111。另外，在光纤11中，外包层112a和外套112b为树脂制。以下，将外包层112a和外套112b统一记载为被覆112。

光纤11的被覆去除区间I1是以在各横截面(与光纤11的中心轴正交的截面)中仅使内包层111b的外侧面的一部分露出的方式，局部地去除了覆盖内包层111b的外侧面的被覆112的区间。

在本实施方式中，如图1的(b)所示，使在被覆去除区间I1以及与被覆去除区间I1相邻的相邻区间I2、I3中去除的被覆112的形状成为向yz面的投影为梯形的形状。因此，如图1的(a)和(b)所示，被覆去除区间I1中的被覆112的切口112c1成为具有与光纤11的径向(图1中的y轴正方向)平行的法向量v1的长方形形状的平坦面。另外，如图1的(a)和(b)所示，相邻区间I2、I3中的被覆112的切口112c2、112c3成为具有与光纤11的径向(图1中的y轴正方向)所成的角度比π/2[rad]小的法向量v2、v3的半椭圆形状的平坦面。

另外，在本实施方式中，如图1的(b)所示，使在被覆去除区间I1中去除的被覆112的深度d比被覆112的厚度t’(外包层112a的厚度与外套112b的厚度之和)大。因此，在被覆去除区间I1的各横截面中，如图1的(d)所示，内包层111b的外侧面中的、从y轴正方向位于±β[rad]的范围的部分不被被覆112覆盖而露出。此处，将光纤11的半径设为r时，通过下述的式(1)得出β。

β＝cos^-1[(r-d+t’)/r]…(1)

将光纤11的被覆去除区间I1埋设于折射率比光纤11的内包层111b的折射率高的树脂部件12。因此，在光纤11的内包层111b中传播的包层光在被覆去除区间I1中从内包层111b的外侧面向树脂部件12漏出。在本实施方式中，如图1所示，将一个侧面(图1中与zx面平行的侧面)与被覆112的切口112c1相对的长方体状的树脂成型物用作树脂部件12。

〔被覆去除区间的形成方法〕

接着，参照图2对被覆去除区间I1的形成方法进行说明。在图2中，(a)～(c)是表示光纤11的纵截面(包含光纤11的中心轴的截面)的剖视图。

被覆去除区间I1是通过使用具有直线型的刀尖2a的刀2削掉被覆112的一部分而形成的。更具体地讲，通过对以被施加了预定的张力的状态伸展在一对光纤夹具之间的光纤11实施下述的工序S11～S13来形成。

工序S11：首先，将刀2配置成在相邻区间I3的右端使刀尖2a与被覆112的外侧面接触。并且，将刀2倾斜地插入到被覆112，将刀尖2a在被覆去除区间I1的右端推靠到内包层111b的外侧面。图示实施了本工序之后的光纤11的纵截面的话，如图2的(a)所示。

工序S12：接着，在将刀尖2a推靠到内包层111b的外侧面的状态下，与光纤11的中心轴平行地移动刀2，直到刀尖2a到达被覆去除区间I1的左端为止。图示实施了本工序之后的光纤11的纵截面的话，如图2的(b)所示。

工序S13：接着，将刀2重新配置成在相邻区间I2的左端使刀尖2a与被覆112的外侧面接触。并且，将刀2倾斜地插入到被覆112，将刀尖2a在被覆去除区间I1的左端推靠到内包层111b的外侧面。图示实施了本工序之后的光纤11的纵截面的话，如图2的(c)所示。

在工序S12中，使将刀尖2a推靠到内包层111b的外侧面的压力足够大，从而如图1的(b)所示，能够使在被覆去除区间I1中去除的被覆112的深度D比被覆112的厚度t’大。即，在被覆去除区间I1的各横截面中，如图1的(d)所示，能够使内包层111b的外侧面中的从y轴正方向位于±β[rad]的范围的部分露出。

接着，参照图3确认能够通过上述的方法形成图1所示的被覆去除区间I1。图3是通过上述的方法形成了被覆去除区间I1的光纤11的显微镜照片。

在图3中，用白色虚线围住示出内包层111b的外侧面露出的区域。根据图3，在被覆去除区间I1的各横截面中，可确认到内包层111b的外侧面中的从y轴正方向位于±β[rad]的范围的部分不被被覆112覆盖而露出。

另外，光学器件1能够通过实施如下工序来制造：形成工序S1，在光纤11上形成被覆去除区间I1；埋设工序S2，将光纤11的被覆去除区间I1埋设于折射率比光纤11的内包层111b的折射率高的树脂部件12。如果在该形成工序S1中应用上述的被覆去除区间I1的形成方法，则能够制造本实施方式的光学器件1。

〔光学器件的效果〕

接着，参照图4～图7对本实施方式的光学器件1起到的效果进行说明。

图4是表示被覆去除区间I1中的光学器件1的横截面(与光纤11的中心轴正交的截面)的剖视图(省略剖面线)。

如图4所示，在光学器件1中，采用如下结构：将以在各横截面中仅使内包层111b的外侧面的一部分(位于与y轴正方向所成的角度为β[rad]以下的方向上的部分)露出的方式局部地去除了被覆112的区间作为埋设于树脂部件12的被覆去除区间I1。因此，如图4所示，在树脂部件12中从内包层111b的外侧面漏出的包层光所到达的区域A、即在树脂部件12中发热的区域A，被限制为树脂部件12的一部分(位于与y轴正方向所成的角度成为β[rad]以下的方向上的部分)。

在树脂部件12中，在区域A的内部产生的热向区域A的外部扩散。因此，树脂部件12的最高温度、即区域A中的树脂部件12的温度比在被覆去除区间中使内包层的外侧面全体露出的以往的光学器件低。

另外，如图4所示，在光学器件1中，采用如下结构：将被覆去除区间I1中的被覆112的切口112c1作成具有与光纤11的径向(y轴正方向)平行的法向量v1的平坦面。因此，从内包层111b的外侧面漏出到树脂部件12的包层光不会通过切口112c1入射到被覆112。因此，能够避免由从内包层111b的外侧面漏出到树脂部件12的包层光引起的被覆112的发热。

能够通过图5～图7确认本实施方式的光学器件1起到的上述效果。

图5是示出在被覆去除区间中使内包层的外侧面全体露出的以往的光学器件中得到的、包层光量与树脂温度上升量(包层光不存在时的树脂部件的温度与包层光存在时的树脂部件的最高温度之差)之间的关系的图表。图6是示出在本实施方式的光学器件1中使被覆去除区间I1的长度L为1mm时得到的、包层光量与树脂温度上升度之间的关系的图表。图7是示出在本实施方式的光学器件1中使被覆去除区间I1的长度L为2mm时得到的、包层光量与树脂温度上升度之间的关系的图表。

另外，在得出图5～图7所示的图表时，设内包层(111b)的数值孔径NA0为0.3、内包层(111b)的折射率n0为1.45、树脂部件(12)的厚度t为0.8mm、树脂部件(12)的折射率n1为1.54。

在以往的光学器件中，树脂温度上升量的斜率成为1.51℃/W(参照图5)。另一方面，在本实施方式的光学器件1中，在使被覆去除区间I1的长度L为1mm时，树脂温度上升量的斜率成为0.20℃/W(参照图6)，在使被覆去除区间I1的长度L为2mm时，树脂温度上升量的斜率成为0.29℃/W(参照图7)。即，根据本实施方式的光学器件1，能够将树脂温度上升量抑制为以往的光学器件的5分之1以下。

〔被覆去除区间的优选长度〕

接着，参照图8对被覆去除区间I1的优选长度L进行说明。在图8中，(a)～(b)是示出光学器件1的纵截面(包含光纤11的中心轴的截面)的剖视图(省略剖面线)，(c)是示出树脂部件12的温度分布的图表。

树脂部件12的温度在被覆去除区间I1的入射端处从内包层111b的外侧面漏出到树脂部件12的包层光到达树脂部件12的表面的点P处成为最高。当设内包层111b的折射率为n0、包层光的临界传播角度为θ0(当设内包层111b的数值孔径为NA0时，θ0＝sin^-1(NA0/n0))、树脂部件12的折射率为n1时，从内包层111b的外侧面漏出到树脂部件12的包层光的传播角度θ1通过下述式(2)给出。因此，当使树脂部件12的厚度为t时，沿着光纤11的中心轴(图8中的z轴)测量的从被覆去除区间I1的入射端到点P为止的距离L0通过下述式(3)给出。

θ1＝cos^-1((n0/n1)cos(θ0))…(2)

L0＝t/tan(θ1)

＝t/tan(cos^-1((n0/n1)cos(θ0))…(3)

如图8的(a)所示，在被覆去除区间I1的长度L为L0以上时，树脂部件12的温度分布成为在图8的(c)中由虚线表示的曲线。在被覆去除区间I1的长度L为L0以上时，点P中的树脂部件12的温度、即树脂部件12的最高温度Tmax不依赖于被覆去除区间I1的长度L而恒定。

另一方面，如图8的(b)所示，在被覆去除区间I1的长度L比L0短时，树脂部件12的温度分布成为在图8的(c)中由实线表示的曲线。在被覆去除区间I1的长度L比L0短时，点P中的树脂部件12的温度、即树脂部件12的最高温度Tmax(L)根据被覆去除区间I1的长度L而变化。更具体地讲，当缩短被覆去除区间I1的长度L时，树脂部件12的最高温度Tmax(L)降低，当加长被覆去除区间I1的长度时，树脂部件12的最高温度Tmax(L)上升。

根据以上，优选的是，被覆去除区间I1的长度L比通过上述式(3)定义的L0短。这是因为，能够将树脂部件12的最高温度Tmax(L)抑制为比L≧L0时的树脂部件12的最高温度Tmax低。

〔相邻区间中的被覆的切口的优选斜率〕

接着，参照图9对出射侧的相邻区间I3中的被覆112的切口112c3的优选斜率进行说明。图9是示出光学器件1的纵截面(包含光纤11的中心轴的截面)的剖视图(省略剖面线)。

如上所述，当设内包层111b的折射率为n0、包层光的临界传播角度为θ0、树脂部件12的折射率为n1时，通过上述式(2)给出从内包层111b的外侧面漏出到树脂部件12的包层光的传播角度θ1。

因此，关于相邻区间I3中的被覆112的切口112c3的斜率，优选设定为切口112c3的法向量v3与光纤11的径向(图9中的y轴正方向)所成的角度α满足下述式(4)。

α<θ1＝cos^-1((n0/n1)cos(θ0))…(4)

在切口112c3的法向量v3与光纤11的径向所成的角度α满足上述式(4)时，从内包层111b的外侧面漏出到树脂部件12的包层光不会通过切口112c3入射到被覆112。因此，能够避免由从内包层111b的外侧面漏出到树脂部件12的包层光引起的被覆112的发热。

另外，优选的是，入射侧的相邻区间I2中的被覆112的切口112c2的斜率也与出射侧的相邻区间I3中的被覆112的切口112c3的斜率同样地设定。由此，能够避免由从内包层111b的外侧面漏出到树脂部件12的返回包层光引起的被覆112的发热。

〔第1变形例〕

接着，参照图10对光学器件1的第1变形例进行说明。在图10中，(a)是本变形例的光学器件1的俯视图，(b)是本变形例的光学器件1的侧视图，(c)是本变形例的光学器件1的仰视图。

本变形例的光学器件1相对于图1所示的光学器件1，增加了第2被覆去除区间I1’。第2被覆去除区间I1’的构造与第1被覆去除区间I1的构造相同。

由此，通过增加第2被覆去除区间I1’，能够使从内包层111b的外侧面漏出到树脂部件12的包层光的光量比图1所示的光学器件1多。

在第1被覆去除区间I1中内包层111b的外侧面露出的方向以及在第2被覆去除区间I1’中内包层111b的外侧面露出的方向都是y轴正方向。由此，优选的是，内包层111b的外侧面露出的方向一致的两个被覆去除区间I1、I1’的间隔G比上述的L0大。

当两个被覆去除区间I1、I1’的间隔G为L0以下时，在树脂部件12中，在一个被覆去除区间I1中从内包层111b的外侧面漏出的包层光能够到达的区域A1与在另一个被覆去除区间I1’中从内包层111b的外侧面漏出的包层光能够到达的区域A2重复。于是，与不存在另一个被覆去除区间I1’的情况相比，有可能产生在区域A1中树脂部件12的最高温度变高的问题。如果两个被覆去除区间I1、I1’的间隔G比L0大，则不会产生这种问题。

〔第2变形例〕

接着，参照图11对光学器件1的第2变形例进行说明。在图11中，(a)是本变形例的光学器件1的俯视图，(b)是本变形例的光学器件1的侧视图，(c)是本变形例的光学器件1的仰视图。

本变形例的光学器件1相对于图1所示的光学器件1，增加了第2被覆去除区间I1’和第3被覆去除区间I1”。第2被覆去除区间I1’和第3被覆去除区间I1”的构造与第1被覆去除区间I1的构造相同。

由此，通过增加第2被覆去除区间I1’和第3被覆去除区间I1”，能够使从内包层111b的外侧面漏出到树脂部件12的包层光的光量比图1所示的光学器件1多。

在第1被覆去除区间I1中内包层111b的外侧面露出的方向以及在第3被覆去除区间I1”中内包层111b的外侧面露出的方向都是y轴正方向。由此，优选的是，内包层111b的外侧面露出的方向一致的两个被覆去除区间I1、I1”的间隔G比上述的L0大。

当两个被覆去除区间I1、I1”的间隔G为L0以下时，在树脂部件12中，在一个被覆去除区间I1中从内包层111b的外侧面漏出的包层光能够到达的区域A1与在另一个被覆去除区间I1”中从内包层111b的外侧面漏出的包层光能够到达的区域A3重复。于是，与不存在另一个被覆去除区间I1”的情况相比，有可能产生在区域A1中树脂部件12的最高温度变高的问题。如果两个被覆去除区间I1、I1”的间隔G比L0大，则不会产生这种问题。

第1被覆去除区间I1与第2被覆去除区间I1’彼此相邻。另外，第2被覆去除区间I1’与第3被覆去除区间I1”彼此相邻。由此，优选的是，在彼此相邻的两个被覆去除区间I1、I1’(I1’、I1”)中，内包层111b的外侧面露出的方向不同。

在彼此相邻的两个被覆去除区间I1、I1’(I1’、I1”)中，当内包层111b的外侧面露出的方向一致时，在一个被覆去除区间I1(I1’)中从内包层111b的外侧面漏出的包层光能够到达的区域A1(A2)与在另一个被覆去除区间I1’(I1”)中从内包层111b的外侧面漏出的包层光能够到达的区域A2(A3)重复。于是，与不存在另一个被覆去除区间I1’(I1”)的情况相比，有可能产生在区域A1(A2)中树脂部件12的最高温度变高的问题。在彼此相邻的两个被覆去除区间I1、I1’(I1’、I1”)中，如内包层111b的外侧面露出的方向不同，则不会产生这种问题。

〔总结〕

本实施方式的光学器件的特征在于，具备：光纤，形成有被覆去除区间；以及树脂部件，折射率比上述光纤的包层的折射率高，且埋设有上述光纤的上述被覆去除区间，上述被覆去除区间是以在各横截面中仅使上述包层的外侧面的一部分露出的方式，局部地去除了覆盖该包层的外侧面的被覆的区间。

根据上述的结构，由于在上述被覆去除区间的各横截面中仅使上述包层的外侧面的一部分露出，因此能够将在上述树脂部件中从上述包层漏出的包层光到达的区域、即在上述树脂部件中产生发热的区域限制为上述树脂部件的一部分的区域。在上述树脂部件中，在该区域的内部产生的热向该区域的外部扩散。因此，根据上述的结构，与在被覆去除区间的各横截面中使包层的外侧面的全部露出的以往的光学器件相比，能够抑制上述树脂部件的最高温度。

在本实施方式的光学器件中，优选的是，当设上述包层的折射率为n0、在上述包层中传播的光的临界传播角度为θ0、上述树脂部件的折射率为n1、上述树脂部件的厚度为t时，上述被覆去除区间的长度L比通过下述式(A)定义的L0小：

L0＝t/tan(cos^-1((n0/n1)cos(θ0)))…(A)。

根据上述的结构，能够将上述树脂部件的最高温度抑制得比上述被覆去除区间的长度L为L0以上的情况低。

在本实施方式的光学器件中，优选的是，在上述光纤形成有多个上述被覆去除区间。

根据上述的结构，能够使从上述包层漏出到上述树脂部件的包层光的光量比仅形成有一个上述被覆去除区间的情况多。

在本实施方式的光学器件中，优选的是，当设上述包层的折射率为n0、在上述包层中传播的光的临界传播角度为θ0、上述树脂部件的折射率为n1、上述树脂部件的厚度为t时，上述包层的外侧面露出的方向一致的两个被覆去除区间的间隔G比通过下述式(A)定义的L0大：

L0＝t/tan(cos^-1((n0/n1)cos(θ0)))…(A)。

根据上述的结构，能够使从上述包层漏出到上述树脂部件的包层光的光量比仅形成有一个上述被覆去除区间的情况多，而不会使上述树脂部件的最高温度上升。

在本实施方式的光学器件中，优选的是，在彼此相邻的两个被覆去除区间中，上述包层的外侧面露出的方向不同。

根据上述的结构，能够从上述包层漏出到上述树脂部件的包层光的光量，比仅形成有一个上述被覆去除区间的情况多，而不会使上述树脂部件的最高温度上升。

在本实施方式的光学器件中，优选的是，上述被覆去除区间中的上述被覆的切口是具有与上述光纤的径向平行的法向量的平坦面。

根据上述的结构，能够避免从上述包层漏出到上述树脂部件的光通过上述切口入射到上述被覆。

在本实施方式的光学器件中，优选的是，当设上述包层的折射率为n0、在上述包层中传播的光的临界传播角度为θ0、上述树脂部件的折射率为n1时，与上述被覆去除区间相邻的相邻区间中的上述被覆的切口是具有与上述光纤的径向所成的角度α满足下述式(B)的法向量的平坦面：

α<cos^-1((n0/n1)cos(θ0))…(B)。

根据上述的结构，能够避免从上述包层漏出到上述树脂部件的光通过上述切口入射到上述被覆。

在本实施方式的光学器件中，作为上述光纤，例如能够使用双包层光纤。此时，只要将以在各横截面中仅使内包层的外侧面的一部分露出的方式局部地去除了外包层和外套的区间作为上述被覆去除区间即可。

本实施方式的光纤的制造方法的特征在于，包括：形成工序，在光纤上形成被覆去除区间；以及埋设工序，将上述光纤的上述被覆去除区间埋设于折射率比上述光纤的包层的折射率高的树脂部件，上述被覆去除区间是以在各横截面中仅使上述包层的外侧面的一部分露出的方式，局部地去除了覆盖该包层的外侧面的被覆的区间。换言之，本实施方式的光纤的制造方法的特征在于，包括在光纤上形成被覆去除区间的形成工序以及将上述光纤的上述被覆去除区间埋设于折射率比上述光纤的包层的折射率高的树脂部件的埋设工序，上述形成工序是以在上述被覆去除区间的各横截面中仅使上述包层的外侧面的一部分露出的方式在上述被覆去除区间中局部地去除覆盖该包层的外侧面的被覆的工序。

根据上述的结构，能够制造上述树脂部件比以往更难成为高温的光学器件。

〔付记事项〕

本发明不限定于上述的实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种变更。即，将在权利要求所示的范围内进行了适当变更的技术方案进行组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。

产业利用性

本发明通常能够适用于双包层或三重包层光纤等能够将光束缚于包层的光纤。另外，能够应用于光纤激光器或光纤放大器等。

标号说明

1 光学器件

11 光纤

111 裸光纤

111a 芯

111b 内包层(包层)

112 被覆

112a 外包层

112b 外套

112c1 被覆去除区间中的被覆的切口

112c2、112c3 相邻区间中的被覆的切口

I1、I1’、I1” 被覆去除区间

I2、I3 相邻区间

12 树脂部件

L 被覆去除区间的长度

n0 内包层的折射率

θ0 包层光(在包层中传播的光)的临界传播角度

n1 树脂部件的折射率

t 树脂部件的厚度

v1 被覆去除区间中的被覆的切口的法向量

v2、v3 相邻区间中的被覆的切口的法向量。