1.一种片上集成型偏振分束器，其特征在于包括：衬底(5)，衬底(5)上设置有混合等离子波导(1)，厚度相同的耦合波导(2)、S弯型波导(3)和输出硅波导(4)；耦合波导(2)、S弯型波导(3)和输出硅波导(4)依次串联并位于混合等离子波导(1)的同一侧；混合等离子波导(1)从上至下分为金属覆盖层(1-5)、上二氧化硅层(1-4)、氮化硅波导层(1-3)、下二氧化硅层(1-2)和硅波导层(1-1)；耦合波导(2)、S弯型波导(3)和输出硅波导(4)的厚度与硅波导层(1-1)的厚度相同；耦合波导(2)为硅波导。
2.根据权利1所述的一种片上集成型偏振分束器，其特征在于，所述耦合波导(2)为taper型耦合波导；taper型耦合波导与混合等离子波导(1)平行设置，taper型耦合波导的宽度沿taper型耦合波导输入端至输出端方向由小到大递增；S弯型波导(3)和输出硅波导(4)均为等宽条状波导，S弯型波导(3)和输出硅波导(4)的宽度均与taper型耦合波导输出端的宽度相等。
3.根据权利2所述的一种片上集成型偏振分束器，其特征在于，所述taper型耦合波导的厚度为120nm～150nm，宽度从300nm线性过渡至700nm，与之相连的S弯型波导(3)和输出硅波导(4)的波导宽度均为700nm；taper型耦合波导靠近混合等离子波导(1)的侧边与混合等离子波导(1)之间的间距保持不变，所述间距为150nm～200nm；所述混合等离子波导(1)宽度为600nm，混合等离子波导(1)中：金属覆盖层(1-5)的厚度为100nm；上二氧化硅层(1-4)厚度为40nm～80nm；氮化硅波导层(1-3)厚度为380nm～420nm；下二氧化硅层(1-2)厚度为40nm～60nm；硅波导层(1-1)厚度为120nm～150nm。
4.根据权利1所述的一种片上集成型偏振分束器，其特征在于，所述耦合波导(2)为多模干涉耦合器，多模干涉耦合器为矩形波导，多模干涉耦合器输入端两角中，远离混合等离子波导(1)的一角被截去。
5.根据权利1所述的一种片上集成型偏振分束器，其特征在于，还包括包层(6)，所述混合等离子波导(1)、耦合波导(2)、S弯型波导(3)和输出硅波导(4)均包裹在包层(6)与衬底(5)之间。
6.一种片上集成型偏振分束器，其特征在于，包括：衬底(5)，衬底(5)上设置有混合等离子波导(1)，混合等离子波导(1)两侧分别设有第一耦合波导(2-1)和第二耦合波导(2-2)，第一耦合波导(2-1)和第二耦合波导(2-2)与混合等离子波导(1)\t的距离相等；第一耦合波导(2-1)的输出端通过第一S弯型波导(3-1)与第一输出硅波导(4-1)相连；第二耦合波导(2-2)的输出端通过第二S弯型波导(3-2)与第二输出硅波导(4-2)相连；混合等离子波导(1)从上至下分为金属覆盖层(1-5)、上二氧化硅层(1-4)、氮化硅波导层(1-3)、下二氧化硅层(1-2)和硅波导层(1-1)；第一耦合波导(2-1)、第二耦合波导(2-2)、第一S弯型波导(3-1)、第二S弯型波导(3-2)、第一输出硅波导(4-1)和第二输出硅波导(4-2)的厚度均与硅波导层(1-1)的厚度相等。
7.根据权利要求6所述的一种片上集成型偏振分束器，其特征在于，所述第一耦合波导(2-1)和第二耦合波导(2-2)为一对相同的taper型耦合波导。
8.一种片上集成型偏振分束器的偏振分束方法，其特征在于，包括步骤：
(1)构建如权利要求1至7任意一项所述的片上集成型偏振分束器；
(2)将包含TE和TM模的输入信号从混合等离子波导(1)靠近耦合波导(2)的一端输入，TE和TM模分别分布在混合等离子波导(1)中的硅波导层(1-1)和氮化硅波导层(1-3)中；
(3)当输入信号进入由耦合波导(2)和硅波导层(1-1)构成的耦合区域中时，分布于混合等离子波导(1)底部硅波导层(1-1)的TE模与耦合波导(2)进行同向耦合，使TE模耦合到耦合波导(2)中并通过S弯型波导(3)和输出硅波导(4)输出；分布于氮化硅波导层(1-3)的TM模从混合等离子波导(1)的输出端输出，得到TE和TM模的分束信号。