一种内嵌式触控测试电路的制作方法

本发明涉及触控技术领域，尤其涉及一种内嵌式触控测试电路。

背景技术：

相对于传统的将触摸面板设置在液晶面板上的技术，将触摸面板功能和液晶面板一体化的研究日渐盛行，于是，出现了内嵌式触摸屏。内嵌式触摸屏技术包括in-cell和on-cell两种。In-cell触摸屏技术是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中，而on-cell触摸屏技术是指将触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光片之间。与on-cell触摸屏相比，in-cell触摸屏能够实现面板的二更轻薄化。

在in-cell触摸屏技术中，在cell(组立制程)阶段，一般只对触摸屏的显示功能进行测试，而没有对触摸屏的触控功能进行测试。触控功能需要等到绑定芯片和排线后再进行测试，这样使得触控不良的触摸屏在cell阶段不能筛选出来，进而造成芯片和排线等物料的浪费，降低生产效率。

故，有必要提供一种内嵌式触控测试电路，以解决现有技术所存在的问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种内嵌式触控测试电路，以解决现有的触摸屏在cell阶段不能进行触摸功能测试，需要绑定芯片和排线等物料后才能进行测试，进而造成物料浪费，生产效率降低的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种内嵌式触控测试电路，其包括：

阵列排布的触控电极，每个触控电极都与相应的第一薄膜晶体管的源极连接，其中，每一行有n个触控电极，每一列有m个触控电极；

电容耦合模块，其与触控电极耦合连接，用于触发触控电极生成触控信号；

第一开关模块，其包括一个第一输入端、a个第一控制端和n个第一输出端，第一控制端与相应的第一控制信号源连接，第一输入端与恒压高电平源连接，第一输出端与相应的第一薄膜晶体管的栅极连接，用于受第一控制信号源提供的第一控制信号的控制将恒压高电平源提供的恒压高电平传输至第一薄膜晶体管的栅极，将其中一列触控电极生成的触控信号传输到相应的第一薄膜晶体管的漏极；

第二开关模块，其包括m个第二输入端，b个第二控制端和一个第二输出端，第二输入端与相应的第一薄膜晶体管的漏极连接，第二控制端与相应的第二控制信号源连接，第二输出端与触控信号采集端子连接，用于受第二控制信号源提供的第二控制信号的控制将其中一列触控电极生成的触控信号逐个输出至触控信号采集端子上；

其中，n、m、a和b为正整数，n小于等于2^a，m小于等于2^b。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，电容耦合模块包括：

恒压电源，用于提供恒压电平；

扫描线输入信号源，用于提供扫描线输入信号；

扫描线控制信号源，用于提供扫描线控制信号；以及，

控制单元，用于接收扫描线输入信号，并受扫描线控制信号的控制输出扫描线输入信号；其中，

恒压电源与数据线连接，扫描线输入信号源与控制单元的输入端连接，扫描线控制信号源与控制单元的控制端连接，控制单元的输出端与扫描线连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，控制单元包括多个第二薄膜晶体管，每个第二薄膜晶体管的栅极与扫描线控制信号源连接，每个第二薄膜晶体管的源极与扫描线输入信号源连接，每个第二薄膜晶体管的漏极与相应的扫描线连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，第一开关模块包括多个第三薄膜晶体管，每个第一薄膜晶体管的栅极与a个串联的第三薄膜晶体管连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，第二开关模块包括多个第四薄膜晶体管，每个第一薄膜晶体管的漏极与b个串联的第四薄膜晶体管连接。

本发明还提供一种内嵌式触控测试电路，其包括：

阵列排布的触控电极，每个触控电极都与相应的第一薄膜晶体管的源极连接，其中，每一行有n个触控电极，每一列有m个触控电极；

电容耦合模块，其与触控电极耦合连接，用于触发触控电极生成触控信号；

第一开关模块，其包括一个第一输入端、a个第一控制端和n个第一输出端，第一控制端与相应的第一控制信号源连接，第一输入端与恒压高电平源连接，第一输出端与相应的第一薄膜晶体管的栅极连接，用于受第一控制信号源提供的第一控制信号的控制将恒压高电平源提供的恒压高电平传输至第一薄膜晶体管的栅极，将其中一列触控电极生成的触控信号传输到相应的第一薄膜晶体管的漏极；

第二开关模块，其包括m个第二输入端，b个第二控制端和一个第二输出端，第二输入端与相应的第一薄膜晶体管的漏极连接，第二控制端与相应的第二控制信号源连接，第二输出端与触控信号采集端子连接，用于受第二控制信号源提供的第二控制信号的控制将其中一列触控电极生成的触控信号逐个输出至触控信号采集端子上；

其中，n、m、a和b为正整数，n小于等于2^a，m小于等于2^(b+1)。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，电容耦合模块包括：

恒压电源，用于提供恒压电平；

扫描线输入信号源，用于提供扫描线输入信号；

扫描线控制信号源，用于提供扫描线控制信号；以及，

控制单元，用于接收扫描线输入信号，并受扫描线控制信号的控制输出扫描线输入信号；其中，

恒压电源与数据线连接，扫描线输入信号源与控制单元的输入端连接，扫描线控制信号源与控制单元的控制端连接，控制单元的输出端与扫描线连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，控制单元包括多个第二薄膜晶体管，每个第二薄膜晶体管的栅极与扫描线控制信号源连接，每个第二薄膜晶体管的源极与扫描线输入信号源连接，每个第二薄膜晶体管的漏极与相应的扫描线连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，第一开关模块包括多个第三薄膜晶体管，每个第一薄膜晶体管的栅极与a个串联的第三薄膜晶体管连接。

在本发明的内嵌式触控测试电路中，第二开关模块包括多个第四薄膜晶体管，每个第一薄膜晶体管的漏极与b个串联的第四薄膜晶体管连接。

本发明的内嵌式触控测试电路通过电容耦合模块触发触控电极生成触控信号，并通过第一开关模块和第二开关模块逐个采集每个触控电极生成的触控信号，将采集到的触控信号进行对比，从而完成触摸屏的出品功能测试；解决了现有的触摸屏的触控功能需要等到绑定芯片和排线后再进行测试，使得触控不良的触摸屏在cell阶段不能筛选出来，进而造成芯片和排线等物料的浪费，降低生产效率的技术问题。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的结构示意图；

图2为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的电容耦合模块的电路原理图；

图3为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的第一开关模块和第二开关模块的电路原理图；

图4为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的结构示意图；

图5为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的电容耦合模块的电路原理图；

图6为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的第一开关模块和第二开关模块的电路原理图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

需要说明的是，本发明的内嵌式触控测试电路的实施例以4*4的矩阵触控电极为例,本领域技术人员根据以下教导和启示可以类推出触摸屏的所有触控电极的电路连接关系。

参阅图1，图1为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的结构示意图；

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，包括：

阵列排布的触控电极，每个触控电极都与相应的第一薄膜晶体管的源极连接，其中，每一行有4个触控电极，每一列有4个触控电极；

电容耦合模块109，其与触控电极耦合连接，用于触发触控电极生成触控信号；

第一开关模块104，其包括一个第一输入端、2个第一控制端和4个第一输出端，第一控制端与相应的第一控制信号源连接，第一输入端与恒压高电平源101连接，第一输出端与相应的第一薄膜晶体管的栅极连接，用于受第一控制信号源提供的第一控制信号的控制将恒压高电平源101提供的恒压高电平传输至第一薄膜晶体管的栅极，将其中一列触控电极生成的触控信号传输到相应的第一薄膜晶体管的漏极；

第二开关模块108，其包括4个第二输入端、2个第二控制端和一个第二输出端，第二输入端与相应的第一薄膜晶体管的漏极连接，第二控制端与相应的第二控制信号源连接，第二输出端与触控信号采集端子连接，用于受第二控制信号源提供的第二控制信号的控制将其中一列触控电极生成的触控信号逐个输出至触控信号采集端子107上。

特别地，本优选实施例的第一开关模块104的2个第一控制信号源和第二开关模块108的2个控制信号源最多可以控制16个触控电极上生成的触控信号的逐一采集。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，第一开关模块104上的2个第一控制信号源包括：第一个第一控制信号源102和第二个第一控制信号源103；第二开关模块108上的2个第二控制信号源包括：第一个第二控制信号源105和第二个第二控制信号源106。

参阅图2，图2为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的电容耦合模块的电路原理图；

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，电容耦合模块109包括：恒压电源113、扫描线输入信号源112、扫描线控制信号源111以及控制单元110。恒压电源113，用于提供恒压电平；扫描线输入信号源112，用于提供扫描线输入信号；扫描线控制信号源111，用于提供扫描线控制信号；控制单元110，用于接收扫描线输入信号，并受扫描线控制信号的控制输出扫描线输入信号；

其中，恒压电源113与数据线116连接，扫描线输入信号源112与控制单元110的输入端连接，扫描线控制信号源111与控制单元110的控制端连接，控制单元110的输出端与扫描线连接115。

具体地，控制单元110包括12个第二薄膜晶体管T17～T28，一条扫描线115对应一个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的栅极与扫描线控制信号源111连接，每个薄膜晶体管的源极与扫描线输入信号源112连接，每个薄膜晶体管的漏极与相应的扫描线115连接。

参阅图3，图3为本发明的内嵌式触控测试电路的第一优选实施例的第一开关模块和第二开关模块的电路原理图；

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，第一开关模块104包括8个第三薄膜晶体管，每个第一薄膜晶体管的栅极与2个串联的第三薄膜晶体管连接；

具体地，第三薄膜晶体管T29和T30串联，第三薄膜晶体管T29的源极与恒压高电平源101连接，第三薄膜晶体管T30的漏极与第一薄膜晶体管T13、T14、T15和T16的栅极连接；

第三薄膜晶体管T31和T32串联，第三薄膜晶体管T31的源极与恒压高电平源101连接，第三薄膜晶体管T32的漏极与第一薄膜晶体管T9、T10、T11和T12的栅极连接；

第三薄膜晶体管T33和T34串联，第三薄膜晶体管T33的源极与恒压高电平源101连接，第三薄膜晶体管T34的漏极与第一薄膜晶体管T5、T6、T7和T8的栅极连接；

第三薄膜晶体管T35和T36串联，第三薄膜晶体管T35的源极与恒压高电平源101连接，第三薄膜晶体管T36的漏极与第一薄膜晶体管T1、T2、T3和T4的栅极连接。

第一个第一控制信号源102与第三薄膜晶体管T29、T31、T33、T35的栅极连接；第二个第一控制信号源103与第三薄膜晶体管T30、T32、T34、T36的栅极连接。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，第二开关模块108包括8个第四薄膜晶体管，每个第一薄膜晶体管的漏极与2个串联的第四薄膜晶体管连接；

具体地，第四薄膜晶体管T37和T38串联，第四薄膜晶体管T38的源极与第一薄膜晶体管T1、T5、T9、T13连接，第四薄膜晶体管T37的漏极与触控信号采集端子107连接；

第四薄膜晶体管T39和T40串联，第四薄膜晶体管T40的源极与第一薄膜晶体管T2、T6、T10、T14连接，第四薄膜晶体管T40的漏极与触控信号采集端子107连接；

第四薄膜晶体管T41和T42串联，第四薄膜晶体管T42的源极与第一薄膜晶体管T3、T7、T11、T15连接，第四薄膜晶体管T42的漏极与触控信号采集端子107连接；

第四薄膜晶体管T43和T44串联，第四薄膜晶体管T44的源极与第一薄膜晶体管T4、T8、T12、T16连接，第四薄膜晶体管T44的漏极与触控信号采集端子107连接；

第一个第二控制信号源105与第四薄膜晶体管T37、T39、T41、T43的栅极连接；第二个第二控制信号源106与第四薄膜晶体管T38、T40、T42、T44的栅极连接。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，第一薄膜晶体管T1～T16、第二薄膜晶体管T17～T28、第三薄膜晶体管T32、T33、T35和T36、第四薄膜晶体管T40、T41、T43和T44为N型薄膜晶体管；第三薄膜晶体管T29、T30、T31和T34、第四薄膜晶体管T37、T38、T39和T42为P型薄膜晶体管。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路使用时，首先，恒压电源113提供0V电压至数据线116上，防止数据线对触控电极发出电性干扰；随后，扫描线控制信号源111提供高电位的扫描线控制信号至薄膜晶体管T17～T28，扫描线输入信号源112提供一定频率、一定电压的扫描线输入信号经薄膜晶体管T17～T28传至扫描线上，由于扫描线115和触控电极之间的电容耦合效应，进而触发触控电极生成触控信号。

接着，第一个第一控制信号源102和第二个第一控制信号源103提供高电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管T35、T36打开，将恒压高电平源101提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管T1、T2、T3和T4的栅极，第一薄膜晶体管T1、T2、T3和T4打开，第一、二、三和四个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管T1、T2、T3和T4的漏极；

此时，当第一个第二控制信号105源和第二个第二控制信号源106提供低电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T37、T38打开，第一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上；

当第一个第二控制信号源105提供低电位的控制信号，第二个第二控制信号源106提供高电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T39、T40打开，第二个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上；

当第一个第二控制信号源105提供高电位的控制信号，第二个第二控制信号源106提供低电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T41、T42打开，第三个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上；

当第一个第二控制信号源105和第二个第二控制信号源106提供高电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T43、T44打开，第四个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上。

下一时刻，第一个第一控制信号源102提供高电位的控制信号，第二个第一控制信号源103提供低电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管T33、T34打开，将恒压高电平源101提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管T5、T6、T7和T8的栅极，第一薄膜晶体管T5、T6、T7和T8打开，第五、六、七和八个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管T5、T6、T7和T8的漏极；

此时，当第一个第二控制信号源105和第二个第二控制信号源106提供低电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T37、T38打开，第五个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子上107；

当第一个第二控制信号源105提供低电位的控制信号，第二个第二控制信号源106提供高电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T39、T40打开，第六个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上；

当第一个第二控制信号源105提供高电位的控制信号，第二个第二控制信号源106提供低电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T41、T42打开，第七个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上；

当第一个第二控制信号源105和第二个第二控制信号源106提供高电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T43、T44打开，第八个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上。

下一时刻，第一个第一控制信号源102提供低电位的控制信号，第二个第一控制信号源提供高电位的控制信号103，串联的第三薄膜晶体管T31、T32打开，将恒压高电平源101提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管T9、T10、T11和T12的栅极，第一薄膜晶体管T9、T10、T11和T12打开，第九、十、十一和十二个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管T9、T10、T11和T12的漏极；

此时，当第一个第二控制信号源105和第二个第二控制信号源106提供低电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T37、T38打开，第九个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子上；

当第一个第二控制信号源105提供低电位的控制信号，第二个第二控制信号源106提供高电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T39、T40打开，第十个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上；

当第一个第二控制信号源105提供高电位的控制信号，第二个第二控制信号源106提供低电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T41、T42打开，第十一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上；

当第一个第二控制信号源105和第二个第二控制信号源106提供高电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T43、T44打开，第十二个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上。

下一时刻，第一个第一控制信号源102和第二个第一控制信号源103提供低电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管T29、T30打开，将恒压高电平源101提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管T13、T14、T15和T16的栅极，第一薄膜晶体管T13、T14、T15和T16打开，第十三、十四、十五和十六个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管T13、T14、T15和T16的漏极；

此时，当第一个第二控制信号源105和第二个第二控制信号源106提供低电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T37、T38打开，第十三个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上；

当第一个第二控制信号源105提供低电位的控制信号，第二个第二控制信号源106提供高电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T39、T40打开，第十四个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上；

当第一个第二控制信号源105提供高电位的控制信号，第二个第二控制信号源106提供低电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T41、T42打开，第十五个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上；

当第一个第二控制信号源105和第二个第二控制信号源106提供高电位的控制信号，串联的第四薄膜晶体管T43、T44打开，第十六个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子107上。

最后，将采集到的触控信号进行对比，若采集到的所有触控信号的波形一致，则此触摸屏为良品；若某个触控信号跟其他触控信号的波形差异较大，则可推断出此触控电极出现了短路、开路。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路通过电容耦合模块109触发触控电极生成触控信号，并通过第一开关模块104和第二开关模块108逐个采集每个触控电极生成的触控信号，将采集到的触控信号进行对比，从而完成触摸屏的触屏功能测试，避免造成芯片和排线等物料的浪费，提高了生产效率。

参阅图4，图4为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的结构示意图；

本优选实施例与第一优选实施例的区别在于，减少了一个控制信号源的使用，由于每个控制信号源都需要在触摸屏边框上预留位置，减少控制信号源的使用有利于边框的窄型化。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，包括：

阵列排布的触控电极，每个触控电极都与相应的第一薄膜晶体管的源极连接，其中，每一行有4个触控电极，每一列有4个触控电极；

电容耦合模块209，其与触控电极耦合连接，用于触发触控电极生成触控信号；

第一开关模块204，其包括一个第一输入端、2个第一控制端和4个第一输出端，第一控制端与相应的第一控制信号源连接，第一输入端与恒压高电平源201连接，第一输出端与相应的第一薄膜晶体管的栅极连接，用于受第一控制信号源提供的第一控制信号的控制将恒压高电平源201提供的恒压高电平传输至第一薄膜晶体管的栅极，将其中一列触控电极生成的触控信号传输到相应的第一薄膜晶体管的漏极；

第二开关模块208，其包括4个第二输入端、1个第二控制端和一个第二输出端，第二输入端与相应的第一薄膜晶体管的漏极连接，第二控制端与相应的第二控制信号源连接，第二输出端与触控信号采集端子连接，用于受第二控制信号源提供的第二控制信号的控制将其中一列触控电极生成的触控信号逐个输出至触控信号采集端子207上。

特别地，本优选实施例的第一开关模块204的2个第一控制信号源和第二开关模块208的1个控制信号源最多可以控制16个触控电极上生成的触控信号的逐一采集。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，第一开关模块204上的2个第一控制信号源包括：第一个第一控制信号源202和第二个第一控制信号源203；第二开关模块208上的1个第二控制信号源205。

参阅图5，图5为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的电容耦合模块的电路原理图；

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，电容耦合模块209包括：恒压电源213、扫描线输入信号源212、扫描线控制信号源211以及控制单元210。恒压电源213，用于提供恒压电平；扫描线输入信号源212，用于提供扫描线输入信号；扫描线控制信号源211，用于提供扫描线控制信号；控制单元210，用于接收扫描线输入信号，并受扫描线控制信号的控制输出扫描线输入信号；

其中，恒压电源213与数据线216连接，扫描线输入信号源212与控制单元210的输入端连接，扫描线控制信号源211与控制单元210的控制端连接，控制单元210的输出端与扫描线连接215。

具体地，控制单元210包括12个第二薄膜晶体管D17～D28，一条扫描线215对应一个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的栅极与扫描线控制信号源211连接，每个薄膜晶体管的源极与扫描线输入信号源212连接，每个薄膜晶体管的漏极与相应的扫描线215连接。

参阅图6，图6为本发明的内嵌式触控测试电路的第二优选实施例的第一开关模块和第二开关模块的电路原理图；

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，第一开关模块204包括8个第三薄膜晶体管，每个第一薄膜晶体管的栅极与2个串联的第三薄膜晶体管连接；

具体地，第三薄膜晶体管D29和D30串联，第三薄膜晶体管D29的源极与恒压高电平源201连接，第三薄膜晶体管D30的漏极与第一薄膜晶体管D13、D14、D15和D16的栅极连接；

第三薄膜晶体管D31和D32串联，第三薄膜晶体管D31的源极与恒压高电平源201连接，第三薄膜晶体管D32的漏极与第一薄膜晶体管D9、D10、D11和D12的栅极连接；

第三薄膜晶体管D33和D34串联，第三薄膜晶体管D33的源极与恒压高电平源201连接，第三薄膜晶体管D34的漏极与第一薄膜晶体管D5、D6、D7和D8的栅极连接；

第三薄膜晶体管D35和D36串联，第三薄膜晶体管D35的源极与恒压高电平源201连接，第三薄膜晶体管D36的漏极与第一薄膜晶体管D1、D2、D3和D4的栅极连接。

第一个第一控制信号源202与第三薄膜晶体管D29、D31、D33、D35的栅极连接；第二个第一控制信号源203与第三薄膜晶体管D30、D32、D34、D36的栅极连接。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，第二开关模块208包括4个第四薄膜晶体管，每个第一薄膜晶体管的漏极与1个第四薄膜晶体管连接；

具体地，第四薄膜晶体管D37的源极与第一薄膜晶体管D1、D5、D9、D13连接，第四薄膜晶体管D37的漏极与触控信号采集端子207连接；

第四薄膜晶体管D38的源极与第一薄膜晶体管D2、D6、D10、D14连接，第四薄膜晶体管D38的漏极与触控信号采集端子207连接；

第四薄膜晶体管D39与第一薄膜晶体管D3、D7、D11、D15连接，第四薄膜晶体管D39的漏极与触控信号采集端子207连接；

第四薄膜晶体管D40与第一薄膜晶体管D4、D8、D12、D16连接，第四薄膜晶体管D40的漏极与触控信号采集端子207连接；

第二控制信号源205与第四薄膜晶体管D37、D38、D39、D40的栅极连接。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路，第一薄膜晶体管D1～D16、第二薄膜晶体管D23～D28、第三薄膜晶体管D32、D33、D35和D36、第四薄膜晶体管D38和D40为N型薄膜晶体管；第二薄膜晶体管D17～D22、第三薄膜晶体管D29、D30、D31和D34、第四薄膜晶体管D37和D39为P型薄膜晶体管。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路使用时，首先，恒压电源213提供0V电压至数据线216上，防止数据线对触控电极发出电性干扰；随后，扫描线控制信号源211提供高电位的扫描线控制信号至薄膜晶体管D17～D28，扫描线输入信号源212提供一定频率、一定电压的扫描线输入信号经薄膜晶体管D23～D28传至扫描线上，由于扫描线215和触控电极之间的电容耦合效应，进而触发第一、二、五、六、九、十、十三、十四个触控电极生成触控信号。

接着，第一个第一控制信号源202和第二个第一控制信号源203提供高电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管D35、D36打开，将恒压高电平源201提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管D1、D2、D3和D4的栅极，第一薄膜晶体管D1、D2、D3和D4打开，第一、二个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管D1和D2的漏极；

此时，当第二控制信号205源提供低电位的控制信号，第四薄膜晶体管D37打开，第一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子207上；

当第二控制信号源205提供高电位的控制信号，第四薄膜晶体管D38打开，第二个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子207上。

下一时刻，第一个第一控制信号源202提供高电位的控制信号，第二个第一控制信号源203提供低电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管D33、D34打开，将恒压高电平源201提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管D5、D6、D7和D8的栅极，第一薄膜晶体管D5、D6、D7和D8打开，第五、六个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管D5和D6的漏极；

此时，当第二控制信号源205提供低电位的控制信号，第四薄膜晶体管D37打开，第五个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子上207；

当第二控制信号源205提供高电位的控制信号，第四薄膜晶体管D38打开，第六个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子207上。

下一时刻，第一个第一控制信号源202提供低电位的控制信号，第二个第一控制信号源203提供高电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管D31、D32打开，将恒压高电平源201提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管D9、D10、D11和D12的栅极，第一薄膜晶体管D9、D10、D11和D12打开，第九、十个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管D9和D10的漏极；

此时，当第二控制信号源205提供低电位的控制信号，第四薄膜晶体管D37打开，第九个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子上207；

当第二控制信号源205提供高电位的控制信号，第四薄膜晶体管D38打开，第十个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子207上。

下一时刻，第一个第一控制信号源202和第二个第一控制信号源203提供低电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管D29、D30打开，将恒压高电平源201提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管D13、D14、D15和D16的栅极，第一薄膜晶体管D13、D14、D15和D16打开，第十三、十四个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管D13和D14的漏极；

此时，当第二控制信号源205提供低电位的控制信号，第四薄膜晶体管D37打开，第十三个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子上207；

当第二控制信号源205提供高电位的控制信号，第四薄膜晶体管D38打开，第十四个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子207上。

然后，扫描线控制信号源211提供低电位的扫描线控制信号至薄膜晶体管D17～D28，扫描线输入信号源212提供一定频率、一定电压的扫描线输入信号经薄膜晶体管D17～D22传至扫描线上，由于扫描线215和触控电极之间的电容耦合效应，进而触发第三、四、七、八、十一、十二、十五、十六个触控电极生成触控信号。

接着，第一个第一控制信号源202和第二个第一控制信号源203提供高电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管D35、D36打开，将恒压高电平源201提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管D1、D2、D3和D4的栅极，第一薄膜晶体管D1、D2、D3和D4打开，第三、四个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管D3和D4的漏极；

此时，当第二控制信号205源提供低电位的控制信号，第四薄膜晶体管D39打开，第三个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子207上；

当第二控制信号源205提供高电位的控制信号，第四薄膜晶体管D40打开，第四个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子207上。

下一时刻，第一个第一控制信号源202提供高电位的控制信号，第二个第一控制信号源203提供低电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管D33、D34打开，将恒压高电平源201提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管D5、D6、D7和D8的栅极，第一薄膜晶体管D5、D6、D7和D8打开，第七、八个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管D7和D8的漏极；

此时，当第二控制信号源205提供低电位的控制信号，第四薄膜晶体管D39打开，第七个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子上207；

当第二控制信号源205提供高电位的控制信号，第四薄膜晶体管D40打开，第八个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子207上。

下一时刻，第一个第一控制信号源202提供低电位的控制信号，第二个第一控制信号源203提供高电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管D31、D32打开，将恒压高电平源201提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管D9、D10、D11和D12的栅极，第一薄膜晶体管D9、D10、D11和D12打开，第十一、十为个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管D11和D12的漏极；

此时，当第二控制信号源205提供低电位的控制信号，第四薄膜晶体管D39打开，第十一个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子上207；

当第二控制信号源205提供高电位的控制信号，第四薄膜晶体管D40打开，第十二个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子207上。

下一时刻，第一个第一控制信号源202和第二个第一控制信号源203提供低电位的控制信号，串联的第三薄膜晶体管D29、D30打开，将恒压高电平源201提供的恒压高电位传至第一薄膜晶体管D13、D14、D15和D16的栅极，第一薄膜晶体管D13、D14、D15和D16打开，第十五、十六个电极上的触控信号传至第一薄膜晶体管D15和D16的漏极；

此时，当第二控制信号源205提供低电位的控制信号，第四薄膜晶体管D39打开，第十五个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子上207；

当第二控制信号源205提供高电位的控制信号，第四薄膜晶体管D40打开，第十六个触控电极上的触控信号输出至触控信号采集端子207上。

最后，将采集到的触控信号进行对比，若采集到的所有触控信号的波形一致，则此触摸屏为良品；若某个触控信号跟其他触控信号的波形差异较大，则可推断出此触控电极出现了短路、开路。

本优选实施例的内嵌式触控测试电路通过电容耦合模块209触发触控电极生成触控信号，并通过通过第一开关模块204和第二开关模块208逐个采集每个触控电极生成的触控信号，将采集到的触控信号进行对比，从而完成触摸屏的触屏功能测试，避免造成芯片和排线等物料的浪费，提高了生产效率。

综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。