本发明属于平板显示技术领域，具体地讲，涉及一种量子点发光层图案化的方法、包括根据该方法制备获得的量子点发光层的量子点彩膜、以及具有该量子点彩膜的显示装置。
背景技术：
量子点发光器件因其具有广色域、低成本的溶液法制备、发光谱线可调以及光照下稳定性好等优势而受到广泛的关注，其不仅具有与OLED发光器件相媲美的显示性能，而且具有制备成本更低的优势。因此，量子点发光器件很可能取代OLED发光器件而成为下一代核心显示器件。
在量子点发光器件的制造过程中，量子点发光层的图案化是其中一项关键工艺。目前，量子点发光层的图形化一般是通过打印或转印工艺来实现，但是，在打印或转印工艺中，一般均存在制备工艺繁琐、制备速度较慢的问题。这些现有工艺所存在的问题限制了量子点发光器件的量产发展。
技术实现要素：
为解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种量子点发光层图案化的方法，该方法工艺简单，便于量产图案化的量子点发光层。
为了达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种量子点发光层图案化的方法，包括步骤：在基板上排布功能量子点，形成量子点层；对所述量子点层进行曝光显影，在所述基板上获得图案化的量子点发光层；其中，所述功能量子点是由感光基团包覆量子点而形成。
进一步地，所述感光基团为重氮酮化合物。
进一步地，所述感光基团为具有苯环的重氮酮衍生物。
进一步地，所述感光基团具有如式(1)所示的化学式：
其中，所述R1选自R2-(CH2)n-SO2-、R2-(CH2)n-CO-、R2-(CH2)n-中的任意一种；所述R2选自NH2-、SH-、PH2-、O＝PH2-、SH-CH2CH2-NH-中的任意一种；所述n为正整数。
进一步地，所述n的取值范围为7≤n≤18。
进一步地，所述量子点选自Au量子点、CdSe量子点、InP量子点、CdTe量子点中的任意一种。
进一步地，对所述量子点层进行曝光显影之前，还包括步骤：将掩膜版设置在所述量子点层上方；其中，所述掩膜版具有与所述图案化的量子点发光层的形状相匹配的通孔。
进一步地，对所述量子点层进行曝光显影的具体步骤包括：对所述量子点层进行曝光，所述通孔对应位置处的功能量子点发生wolff重排反应，变为变性量子点；将剩余的所述功能量子点及所述变性量子点与显影液接触，所述变性量子点溶于所述显影液，在所述基板上获得所述图案化的量子点发光层。
本发明的另一目的在于提供一种量子点彩膜，其包括如上任一所述的量子点发光层图案化的方法制备得到的量子点发光层。
本发明的另一目的还在于提供一种显示装置，其包括如上所述的量子点彩膜。
本发明通过在普通的量子点外包覆感光基团，该感光基团在光照条件下可以发生wolff重排反应，从而实现显影；由此，该方法即可通过简单的曝光显影实现量子点发光层的图案化，从而避免现有技术中一般的量子点发光层图案化的方法中使用打印、转印等工艺所带来的速度慢、工艺复杂等问题。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1是根据本发明的实施例的量子点发光层图案化的方法的步骤流程图；
图2-图5是根据本发明的实施例的量子点发光层图案化的方法的工艺流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件的形状和尺寸，并且相同的标号将始终被用于表示相同或相似的元件。
实施例1
图1是根据本发明的实施例1的量子点发光层图案化的方法的步骤流程图。
参照图1，根据本实施例的量子点发光层图案化的方法具体包括如下步骤：
S1、在基板1上排布功能量子点2a，形成量子点层2；如图2所示。
具体来讲，功能量子点2a是由感光基团包覆量子点而形成的，量子点可以是如Au量子点、CdSe量子点、InP量子点、CdTe量子点等。可选的，该基板为玻璃基板。
更为具体地，感光基团为重氮酮化合物，由此，该功能量子点2a即可在光照条件下发生wolff重排反应。
进一步地，感光基团为具有苯环的重氮酮衍生物，如此，苯环上的共轭结构使得该感光基团具有一定的光学特性，能够更好地应用于后续的曝光中。
在本实施例中，感光基团具有如(1)所示的化学式：
其中，R1选自R2-(CH2)n-SO2-、R2-(CH2)n-CO-、R2-(CH2)n-中的任意一种；R2选自NH2-、SH-、PH2-、O＝PH2-、SH-CH2CH2-NH-中的任意一种；n为正整数，优选为7≤n≤18的取值范围。
S2、将掩膜版3设置在量子点层2上方，如图3所示。
该掩膜版3具有与预制备的图案化的量子点发光层的形状相匹配的通孔31，如此，即可通过后续的曝光显影对量子点层实现图案化。
S3、对量子点层2进行曝光显影，在基板1上获得图案化的量子点发光层4；如图4-图5所示。
具体来讲，对量子点层2进行曝光，掩膜版3上的通孔31对应位置处的功能量子点2a发生wolff重排反应，变为变性量子点2b，如图4所示；将剩余的功能量子点2a及变性量子点2b与显影液接触，变性量子点2b溶于显影液，即在基板1上获得图案化的量子点发光层4。
当获得了图案化的量子点发光层4后，去除掩膜版3即可，如图5所示。
经过上述步骤S1-S3，可以看出，根据本实施例的量子点发光层图案化的方法具有工艺简单的特点，且仅需经过简单的排布-曝光显影即可实现图案化的过程，简单的工艺更适合于进行量产。
实施例2
本实施例提供了一种量子点彩膜，该量子点彩膜中所包括的量子点发光层为根据实施例1中所述的量子点发光层图案化的方法制备获得的量子点发光层。
实施例3
本实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括实施例2中的量子点彩膜。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。