电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备与流程

本发明涉及具备反射镜的电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备。

背景技术：

作为电子设备，例如公开有下述的投射式显示装置等，其通过被称为dmd(数字微镜器件)的电光装置的多个反射镜(微镜)调制从光源射出的光之后，通过投射光学系统放大投射调制光，从而在屏幕显示图像。用于这样的投射式显示装置等中的电光装置例如具有形成有反射镜以及驱动反射镜的驱动元件的芯片、俯视观察时覆盖反射镜的透光性的罩盖以及位于罩盖与芯片之间的隔离片。在电光装置中，如果水分进入配置有反射镜的空间内，则反射镜会以倾斜的姿势被附着在反射镜周边的水滴吸住，从而存在发生动作不良的可能性。为此，提出了利用密封树脂覆盖罩盖以及隔离片的侧面的结构(参照专利文献1)。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利us7,898,724b2

但是，即使按照专利文献1中记载的构成进行密封，水分还是会从罩盖与密封树脂的界面进入，这样的水分有可能从罩盖与隔离片的边界进入配置有反射镜的空间内。

技术实现要素：

鉴于上述问题点，本发明的课题在于，提供能够有效地抑制水分进入配置有反射镜的空间的电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备。

为了解决上述技术问题，本发明所涉及的电光装置的一方面其特征在于，具有：布线基板；芯片，安装于所述布线基板的一表面，并且，在所述芯片中形成有反射镜以及驱动所述反射镜的驱动元件；透光性的罩盖，覆盖所述反射镜；隔离片(spacer)，位于所述罩盖与所述芯片之间；以及无机膜，覆盖所述罩盖与所述隔离片的边界、所述芯片与所述隔离片的边界以及所述布线基板的一部分。

这样的电光装置的制造方法的一方面其特征在于，具有：芯片设置工序，在布线基板设置形成有反射镜以及驱动所述反射镜的驱动元件的芯片、覆盖所述反射镜的罩盖以及位于所述罩盖与所述芯片之间的隔离片；以及无机膜形成工序，在所述芯片设置工序之后，形成覆盖所述罩盖与所述隔离片的边界以及所述隔离片与所述芯片的边界的无机膜。

在本发明中，罩盖与隔离片的边界以及芯片与隔离片的边界被无机膜覆盖，无机膜经由成膜工序而形成。为此，罩盖、隔离片以及芯片的贴紧性高，水分难以从罩盖与无机膜的界面进入。因此，能够有效地抑制水分通过罩盖与隔离片的边界以及芯片与隔离片的边界而进入配置有反射镜的空间内。由此，不易发生反射镜因附着在反射镜周边的水滴而以倾斜的姿势被吸附等不良情况。

在本发明所涉及的电光装置中，可以采用下述的方式：即、具有：第一端子，设于所述布线基板的所述一表面；第二端子，设于所述芯片，并与所述驱动元件电连接；以及导电部件，连接所述第一端子和所述第二端子，其中，所述无机膜是绝缘膜，并覆盖所述导电部件。在这样的方式的电光装置的制造方法中，所述布线基板在所述一表面具有第一端子，所述芯片具有与所述驱动元件电连接的第二端子，所述无机膜是绝缘膜，在所述芯片设置工序之后且所述无机膜形成工序之前进行通过导电部件连接所述第一端子和所述第二端子的连接工序。根据这样的方式的电光装置，可以通过无机膜防止导电部件的短路等。

在本发明所涉及的电光装置中，可以采用所述无机膜覆盖所述第一端子的一部分的方式。在这样的方式的电光装置的制造方法中，采用在所述无机膜形成工序之后所述无机膜覆盖所述导电部件的构成。

在本发明所涉及的电光装置中，可以采用在所述隔离片与所述罩盖的边界具有由包含羟基(oh基)的粘接剂构成的粘接层的方式。当设在罩盖与隔离片的边界的粘接层具有羟基(oh基)时，在粘接层上迅速开展原子层沉积法的化学反应，提高粘接层与无机膜的贴紧性。由此，可以抑制反射镜劣化。

在本发明所涉及的电光装置的制造方法中，可以采用下述的方式：即、在所述无机膜形成工序中进行以覆盖所述罩盖的方式使所述无机膜成膜的成膜工序以及在所述成膜工序之后去除与所述罩盖的外表面重叠的所述无机膜的无机膜去除工序，所述外表面是所述罩盖的与所述反射镜相反一侧的面。

这时，可以采用下述的方式，该方式其特征在于，在所述成膜工序中，在用保护部件覆盖了所述外表面的状态下使所述无机膜成膜，在所述无机膜去除工序中，从所述外表面去除所述保护部件。

优选地，在本发明所涉及的电光装置的制造方法中，在所述无机膜形成工序中，通过原子层沉积法使所述无机膜成膜。根据原子层沉积法，具有出色的高低差覆盖性，所以能够可靠地覆盖罩盖与隔离片的边界以及芯片与隔离片的边界。

应用了本发明的电光装置可以用在各种电子设备中，这时，在电子设备中设置向所述反射镜照射光源光的光源部。并且，在构成了作为电子设备的投射式显示装置的情况下，还在电子设备中设置投射经所述反射镜调制的光的投射光学系统。

附图说明

图1是示意性示出设在应用了本发明的投射式显示装置中的光学系统的一个例子的说明图。

图2是示意性示出应用了本发明的电光装置的基本构成的一个例子的说明图。

图3是示意性示出应用了本发明的电光装置的反射镜周边截面的说明图。

图4是示意性示出应用了本发明的电光装置整体截面的说明图。

图5是示出应用了本发明的电光装置的制造方法的工序截面图。

图6是示出应用了本发明的电光装置的制造中使用的第二晶片等的制造方法的工序图。

图7是示出应用了本发明的电光装置的制造方法中将芯片等设置在布线基板上的工序的工序截面图。

图8是示出应用了本发明的电光装置的制造方法中密封芯片的无机膜的形成方法的工序截面图。

图9是示出应用了本发明的电光装置的其它制造方法中密封芯片的无机膜的形成方法的工序截面图。

附图标记说明

1：元件基板，1s：元件基板的一表面，2s：芯片的一表面，91s：布线基板的一表面，2：芯片，8：无机膜，10：第一晶片，17：芯片侧端子(第二端子)，20：第二晶片，30：驱动元件，50：反射镜(镜，mirror)，60：隔离片用晶片，61：隔离片(衬垫)，61w：隔离片的侧面，71w：罩盖的侧面，70：透光性晶片，71：罩盖，74：罩盖的外表面，75：密封部件，76、78、97：粘接层，77、79：边界，85：保护部件，90：布线基板，91：底板部，92：侧板部，92s：内表面，92t：前端面，93：基板安装部，94：内部端子(第一端子)，98：密封材料，99：导电部件，100：电光装置，1000：投射式显示装置，1002：光源部，1004：投射光学系统，1020：光源，1100：被投射物。

具体实施方式

参照附图说明本发明的实施方式。需要注意的是，在下面的说明中，作为应用了本发明的电子设备，对投射式显示装置进行说明。并且，关于在下面的说明中参照的图，为了使各层、各部件在图中为可辨认程度的大小，各层、各部件的缩尺各不相同。图中示出的反射镜等的数量设定为在图中可辨认程度的大小，但也可以设置比图中示出的数量更多的反射镜等。

(作为电子设备的投射式显示装置)

图1是示意性示出应用了本发明的投射式显示装置中设置的光学系统的一个例子的说明图。图1所示的投射式显示装置1000(电子设备)具有光源部1002、根据图像信息对从光源部1002照射的光源光进行调制的电光装置100以及将经电光装置100调制的光作为投射图像投射到屏幕等被投射物1100的投射光学系统1004。光源部1002具备光源1020以及滤色片1030。光源1020射出作为光源光的白色光，滤色片1030伴随着旋转而射出各种颜色的光，电光装置100在与滤色片1030的旋转同步的时机，对入射的光进行调制。需要说明的是，还可以采用将从光源1020射出的光转换为各种颜色的光的荧光体基板，以此来代替滤色片1030。并且，还可以按各种颜色的光设置光源部1002以及电光装置100。

(电光装置100的基本构成)

图2是示意性示出应用了本发明的电光装置100的基本构成的一个例子的说明图，图2还示出了拆分了其一部分的情形。图3是示意性示出应用了本发明的电光装置100的反射镜(镜)50周边的截面的说明图，图3中示出了反射镜50向一侧倾斜的状态以及反射镜50向另一侧倾斜的状态。

如图2以及图3所示，电光装置100在元件基板1的一表面1s具备矩阵状配置有多个反射镜50的芯片2，在芯片2中，反射镜50与元件基板1分离。元件基板1例如是硅基板。反射镜50例如是具有一边的长度例如为10μm～30μm的平面尺寸的微镜。反射镜50例如以800×600至1028×1024的排列配置，一个反射镜50对应于图像的一像素。

反射镜50的表面为由铝等反射金属膜构成的反射面。芯片2具备包含形成于元件基板1的一表面1s的基板侧偏压电极11和基板侧地址电极12、13等的第一层部分100a、包含高架地址电极(elevatedaddresselectrode)32、33和转轴(铰链，hinge)35的第二层部分100b、以及包含反射镜50的第三层部分100c。在第一层部分100a中，在元件基板1上形成有地址指定电路14。地址指定电路14具备用于选择性控制各反射镜50的动作的存储单元或字线、位线的布线15等，具有类似于具备cmos电路16的ram(随机存取存储器)的电路构成。

第二层部分100b包括高架地址电极32、33、转轴35以及反射镜支柱51。高架地址电极32、33经由电极支柱321、331与基板侧地址电极12、13导通，并由基板侧地址电极12、13支撑。转轴臂36、37从转轴35的两端延伸。转轴臂36、37经由臂支柱39与基板侧偏压电极11导通，并由基板侧偏压电极11支撑。反射镜50经由反射镜支柱51与转轴35导通，并由转轴35支撑。因而，反射镜50经由反射镜支柱51、转轴35、转轴臂36、37、臂支柱39与基板侧偏压电极11导通，从基板侧偏压电极11施加偏压。需要注意的是，在转轴臂36、37的前端形成有挡块361、362、371、372，挡块361、362、371、372在反射镜50倾斜时与反射镜50抵接，从而防止反射镜50与高架地址电极32、33接触。

高架地址电极32、33构成与反射镜50之间产生静电力而驱动反射镜50倾斜的驱动元件30。另外，基板侧地址电极12、13有时也构成为与反射镜50之间产生静电力而驱动反射镜50倾斜，这时，驱动元件30由高架地址电极32、33以及基板侧地址电极12、13构成。在对高架地址电极32、33施加驱动电压，且如图3所示，反射镜50以被拽向高架地址电极32或高架地址电极33的方式倾斜时，转轴35扭转，在停止对高架地址电极32、33施加驱动电压而使对反射镜50的吸引力消失时，转轴35发挥使反射镜50恢复为与元件基板1平行的姿态的力。

如图3所示，在电光装置100中，例如当反射镜50向一侧的高架地址电极32侧倾斜时，成为从光源部1002射出的光被反射镜50向投射光学系统1004反射的开启状态。与此相对，当反射镜50向另一侧的高架地址电极33侧倾斜时，变成从光源部1002射出的光被反射镜50向光吸收装置1005反射的关闭状态，在这样的关闭状态下，光不向投射光学系统1004反射。这样的驱动在多个反射镜50各自中进行的结果，从光源部1002射出的光被多个反射镜50调制为图像光并从投射光学系统1004投射而显示图像。

需要注意的是，有时也会与转轴35一体地设置与基板侧地址电极12、13相对的平板状的轭，除了利用在高架地址电极32、33与反射镜50之间产生的静电力之外，还利用在基板侧地址电极12、13与轭之间作用的静电力来驱动反射镜50。

(电光装置100的密封结构)

图4是示意性示出应用了本发明的电光装置100整体的截面的说明图。如图4所示，在本方式的电光装置100中，形成有多个参照图2及图3说明的反射镜50的元件基板1(芯片2)在一表面1s被由框状的隔离片(衬垫)61以及具有透光性的平板状的透光性的罩盖71构成的密封部件75密封之后，固定于布线基板90的基板安装部93，之后，被密封材料98密封。在布线基板90中，基板安装部93形成为被侧板部92包围的有底的凹部，元件基板1通过粘接层97固定于布线基板90的底板部91。由此，保护反射镜50以及芯片2免受水分等的影响。

在本方式中，罩盖71在俯视观察(例如，观察芯片2的设有反射镜的面时的俯视观察)时覆盖反射镜50，隔离片61在罩盖71与芯片2之间与芯片2的一表面2s接触。更加具体地，隔离片61的元件基板1侧的端部61e通过由环氧类粘接剂等构成的粘接层76而粘接于芯片2的一表面2s，粘接层76构成隔离片61与芯片2的边界77。在本方式中，芯片2的一表面2s由元件基板1的一表面1s构成。

罩盖71通过由环氧类粘接剂等构成的粘接层78而粘接于隔离片61的与元件基板1相对的端部的相反一侧的端部61f，粘接层78构成隔离片61与罩盖71的边界79。在该状态下，罩盖71在与反射镜50隔开预定距离的位置与反射镜50的表面相对。因此，光透过罩盖71并入射到反射镜50之后，被反射镜50反射的光透过罩盖71而射出。

在本方式中，隔离片61以及罩盖71的平面形状均为四边形，而且，外形尺寸相等。为此，隔离片61的位于与反射镜50相反一侧的侧面61w和罩盖71的侧面71w构成连续的平面。罩盖71由玻璃制成。隔离片61也可以由玻璃、硅、金属、树脂中的任意种制成，在本方式中，作为隔离片61，采用了玻璃基板、硅基板。作为被罩盖71、隔离片61包围且配置有反射镜50的空间，采用存在空气的构成、填充有不活泼气体等而以此来代替空气的构成、或者真空构成。在本方式中，配置有反射镜50的空间为真空。

在元件基板1的一表面1s中，与反射镜50不重叠的端部(隔离片61的外侧)上形成有多个芯片侧端子17(第二端子)。在本方式中，芯片侧端子17以夹着反射镜50的方式配置有两列。多个芯片侧端子17的一部分经由参照图2以及图3说明的地址指定电路14、基板侧地址电极12、13而与高架地址电极32、33(驱动元件30)电连接。多个芯片侧端子17的另外一部分经由参照图2以及图3说明的地址指定电路14、基板侧偏压电极11以及转轴35而与反射镜50电连接。多个芯片侧端子17的再另外的一部分与设在参照图2以及图3说明的地址指定电路14的前段(stage)的驱动电路等电连接。

芯片侧端子17的与元件基板1的相反侧为开放状态，并且，布线基板90在底板部91的元件基板1一侧的面(一表面91s)具备内部端子94(第一端子)，芯片侧端子17和内部端子94通过由引线接合用的导线等构成的导电部件99而电连接。布线基板90的底板部91形成为多层布线基板，内部端子94经由通过形成于底板部91的通孔、布线所构成的多层布线部95而与形成于底板部91的与元件基板1相反一侧的外表面91t上的外部端子96导通。

布线基板90的侧板部92的内侧(凹部)设有由环氧类树脂等树脂构成的密封材料98。密封材料98覆盖导电部件99、导电部件99与芯片侧端子17的接合部、导电部件99与内部端子94的接合部、元件基板1的周围、隔离片61与元件基板1的边界77(粘接层76)以及隔离片61与罩盖71的边界79(粘接层78)的周围，并且覆盖隔离片61的整个侧面61w以及罩盖71的整个侧面71w。

(密封用的无机膜8的构成)

本方式的电光装置100中，在隔离片61的侧面61w以及罩盖71的侧面71w形成有无机膜8，密封材料98隔着无机膜8覆盖隔离片61的侧面61w以及罩盖71的侧面71w。无机膜8从罩盖71的侧面71w经由隔离片61的侧面61w连续到芯片2的一表面2s(元件基板1的一表面1s)。因此，无机膜8覆盖隔离片61与罩盖71的边界79以及隔离片61与芯片2的边界77，密封材料98隔着无机膜8覆盖边界77、79。

在本方式中，无机膜8覆盖由导线(wire，电线)构成的导电部件99。并且，无机膜8经由芯片2的一表面2s、粘接层97的表面、布线基板90的底板部91的一表面91s以及侧板部92的内表面92s而连续到侧板部92的前端面92t。为此，无机膜8覆盖芯片侧端子17中除了与导电部件99接合的部分之外的部分(一部分)，并且，覆盖内部端子94中除了与导电部件99接合的部分之外的部分(一部分)。为此，密封材料98隔着无机膜8覆盖导电部件99、芯片侧端子17的一部分以及内部端子94的一部分。

在本方式中，无机膜8由氧化硅膜、氧化铝膜、氧化钽膜、氧化钛膜、氧化铌膜、氧化铪膜等氧化膜；氮化硅膜、氮化铝膜、氮化钽膜、氮化钛膜、氮化铌膜、氮化铪膜等氮化膜等单层膜或多层膜构成。

(电光装置100的制造方法)

参照图5、图6、图7以及图8说明应用了本发明的电光装置100的制造方法。图5是示出应用了本发明的电光装置100的制造方法的工序截面图。图6是示出应用了本发明的电光装置100的制造中所使用的第二晶片20等的制造方法的工序图，图6中示出了各工序中的晶片的平面图，并在平面图的下部示出了切断截面图。图7是示出应用了本发明的电光装置100的制造方法中将芯片2等设置于布线基板90的工序的工序截面图。图8是示出应用了本发明的电光装置100的制造方法中密封芯片2的无机膜8的形成方法的工序截面图。需要说明的是，在图6省略了反射镜50等的图示，在图5中，反射镜50的数量比图4、图7以及图8少，示出为在一张元件基板1形成三个反射镜50。

在本方式中，从晶片获得多个元件基板1等。为此，在下面的说明中，将形成于多个获得的多个元件基板1中得到一个基板的区域中的反射镜50以及芯片侧端子17分别描述为第一反射镜50a以及第一芯片侧端子17a等在各附图标记后面附带a来进行说明。并且，将形成于多个元件基板1中与形成有第一反射镜50a以及第一芯片侧端子17a的区域相邻的区域的反射镜50以及芯片侧端子17分别描述为第二反射镜50b以及第二芯片侧端子17b等在各附图标记后面附带b来进行说明。不过，在无需特定任一元件基板1时，不再附带上述a、b进行说明。

为了制造本方式的电光装置100，在图5所示的工序a5以及图6所示的工序a6、b6(第一晶片准备工序)中，准备能够获得多个元件基板1的大型的第一晶片10。在第一晶片的一表面10s(第一面)上对应分割出元件基板1的每个区域形成有反射镜50、芯片侧端子17以及驱动元件30(未图示)。

因此，在第一晶片10的一表面10s形成有第一反射镜50a，并在俯视观察时与第一反射镜50a相邻的位置形成有与驱动第一反射镜50a的第一驱动元件30a(参照图2以及图3)电连接的第一芯片侧端子17a。并且，在第一晶片10的一表面10s的相对于第一芯片侧端子17a而言与第一反射镜50a相反的一侧形成有第二反射镜50b，并在第一芯片侧端子17a与第二反射镜50b之间形成有与驱动第二反射镜50b的第二驱动元件30b(参照图2以及图3)电连接的第二芯片侧端子17b。

并且，在图5所示的工序a5(第二晶片形成工序)中，准备能够获得多个隔离片61以及罩盖71的大型的第二晶片20。在由第二晶片20的一表面构成的第二面20s上，对应分割出隔离片61以及罩盖71的每个区域形成有底部具有透光性的凹部21，并且，形成有在彼此呈直角交叉的两个方向上延伸而包围多个凹部21中各个凹部的有底的槽22。多个凹部21中的一个凹部是第一凹部21a，与第一凹部21a相邻的凹部21是第二凹部21b。因此，在第二晶片20的第二面20s形成有底部具有透光性的第一凹部21a、底部具有透光性的第二凹部21b以及沿第一凹部21a与第二凹部21b之间延伸的有底的槽22。

在形成这样的第二晶片20时，在第二晶片形成工序中，例如进行图6所示的工序c6～f6。首先在工序c6中准备可以获得多个罩盖71的透光性晶片70(第四晶片)。并且，在工序d6中，准备了可以获得多个隔离片61的隔离片用晶片60(第三晶片)之后，在第一工序中，通过蚀刻等处理在隔离片用晶片60上形成用于构成凹部21的贯通孔66。多个贯通孔66中的一个贯通孔是用于构成第一凹部21a的第一贯通孔66a，与第一贯通孔66a相邻的贯通孔66是用于构成第二凹部21b的第二贯通孔66b。接着，在工序e6中，通过半蚀刻等处理，形成在彼此呈直角交叉的两个方向上延伸而包围多个凹部21中各个凹部的有底的槽22。需要说明的是，在第一工序中，在形成了贯通孔66之后形成槽22，但也可以在形成槽22之后形成贯通孔66。

接着，在第二工序中，如工序f6所示，在隔离片用晶片60的与槽22开口的面60s相反一侧的面60t层叠透光性晶片70，并通过粘接层78粘接。其结果，形成了隔离片用晶片60和透光性晶片70层叠的第二晶片20，在这样的第二晶片20中，通过隔离片用晶片60的面60s构成第二晶片20的第二面20s，通过透光性晶片70的与隔离片用晶片60相反一侧的面构成第二晶片20的第三面20t。并且，贯通孔66(第一贯通孔66a以及第二贯通孔66b)的一开口端被透光性晶片70堵塞，成为底部具有透光性的凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。

接着，对于粘接工序，在图5所示的工序b5中，以俯视观察(例如从一表面10s侧观察第一晶片10时的俯视观察)时凹部21与反射镜50重叠、且槽22与芯片侧端子17重叠的方式通过粘接层76粘接第一晶片10的一表面10s和第二晶片20的第二面20s。其结果，俯视观察时第一凹部21a与第一反射镜50a重叠，俯视观察时第二凹部21b与第二反射镜50b重叠，并且，俯视观察时共同的槽22与第一芯片侧端子17a、第二芯片侧端子17b以及被第一芯片侧端子17a和第二芯片侧端子17b夹着的区域重叠。在该状态下，第二晶片20中被第一凹部21a和槽22夹着的部分粘接于第一反射镜50a与第一芯片侧端子17a之间，第二晶片20中被第二凹部21b和槽22夹着的部分粘接于第二反射镜50b与第二芯片侧端子17b之间。因此，第一芯片侧端子17a以及第二芯片侧端子17b不与第二晶片20粘接。

接着，在图5所示的工序c5(第二晶片切割工序)中，使第二晶片用切割刀片82(第一切割刀片)从第二晶片20的与第二面20s相反一侧的面所构成的第三面20t进入而沿着槽22切割第二晶片20。其结果，分割第二晶片20，由第二晶片20中从透光性晶片70分割出的平板部分构成罩盖71，由从隔离片用晶片60分割出的框部分构成隔离片61。在本方式中，第二晶片用切割刀片82的厚度w2与槽22的宽度w0等同。

接着，在图5所示的工序d5(第一晶片切割工序)中，用第一晶片用切割刀片81(第二切割刀片)沿着在第一晶片10中分割出元件基板1的区域(被第一芯片侧端子17a和第二芯片侧端子17b夹着的区域)切割第一晶片10。其结果，第一晶片10在第一芯片侧端子17a与第二芯片侧端子17b之间被切割。在本方式中，第一晶片用切割刀片81的厚度w1比第二晶片用切割刀片82的厚度w2更薄。因此，在第一晶片切割工序中，使第一晶片用切割刀片81从相对于第一晶片10而言的第二晶片20一侧进入第二晶片20的切断部位(相邻的罩盖71之间以及相邻的隔离片61之间)来切割第一晶片10。

其结果，制造出形成有多个反射镜50的元件基板1的一表面1s被隔离片61以及罩盖71密封的多个电光装置100。在本方式中，如图4所示，还通过布线基板90、无机膜8以及密封材料98密封电光装置100。

首先，在图7所示的工序a7中，准备了基板安装部93形成为被侧板部92围住的凹部的布线基板90之后，在图7所示的工序b7(芯片设置工序)中，通过粘接层97将芯片2(元件基板1)固定于基板安装部93的底部。其结果，在布线基板90的一表面91s设置形成有反射镜50以及驱动元件30(参照图3)的芯片2、俯视观察时覆盖反射镜50的罩盖71以及位于罩盖71与芯片2之间的隔离片61。

接着，在图7所示的工序c7(连接工序)中，通过导电部件99将元件基板1的芯片侧端子17和布线基板90的内部端子94电连接。

接着，在图8所示的无机膜形成工序中，形成覆盖罩盖71与隔离片61的边界79以及隔离片61与芯片2的边界77的无机膜8。本方式中，在图8所示的工序b8(成膜工序)中以覆盖罩盖71的方式使无机膜8成膜之后，在图8所示的工序c8(无机膜去除工序)中，去除同罩盖71的与反射镜50相反一侧的面、即外表面74重叠的无机膜8。在进行这样的无机膜去除工序时，在图8所示的工序a8中，在罩盖71的外表面74设置带状的保护部件85，在图8所示的工序b8(成膜工序)中，在用保护部件85覆盖了罩盖71的外表面74的状态下使无机膜8成膜。之后，在图8所示的工序c8(无机膜去除工序)中，从罩盖71的外表面74去除保护部件85，并去除覆盖保护部件85的无机膜8。因此，能够简单地去除与罩盖71的外表面74重叠的无机膜8。

本方式中，在结束图8所示的无机膜形成工序的时间点，无机膜8覆盖由导线构成的导电部件99。并且，无机膜8覆盖芯片侧端子17中除了接合有导电部件99的部分之外的部分(一部分)，并覆盖内部端子94中除了接合有导电部件99的部分之外的部分(一部分)。并且，无机膜8覆盖布线基板90的底板部91的一表面91s、侧板部92的内表面92s以及前端面92t。

在图8所示的工序b8(成膜工序)中，通过原子层沉积法(ald(atomiclayerdeposition)法)、化学气相沉积法(cvd(chemicalvapordeposition)法)等使无机膜8成膜。例如，通过原子层沉积法，形成氧化硅膜、氧化铝膜、氧化钽膜、氧化钛膜、氧化铌膜、氧化铪膜等氧化膜、氮化硅膜、氮化铝膜、氮化钽膜、氮化钛膜、氮化铌膜、氮化铪膜等氮化膜等单层膜或多层膜作为无机膜8。根据原子层沉积法，具有出色的高低差覆盖性，所以能够通过无机膜8可靠地覆盖罩盖71与隔离片61的边界77以及芯片2与隔离片61的边界79。在本方式中，无机膜8是氧化铝膜，并是绝缘膜。

随后，如图4所示，在布线基板90的侧板部92内侧注入密封材料98，之后固化密封材料98，从而通过密封材料98密封元件基板1。其结果，可以得到反射镜50被隔离片61、罩盖71、布线基板90、无机膜8以及密封材料98密封的电光装置100。

(本方式的主要效果)

如以上所说明的，在本方式的电光装置100及其制造方法中，具有透光性的罩盖71与隔离片61的边界79以及芯片2与隔离片61的边界77被无机膜8覆盖，无机膜8经由对罩盖71、隔离片61以及芯片2的成膜工序而形成。为此，无机膜8与罩盖71、隔离片61以及芯片2的贴紧性高。因此，水分难以从无机膜8与罩盖71之间进入，所以能够有效地抑制水分通过罩盖71与隔离片61的边界79以及芯片2与隔离片61的边界77而进入配置有反射镜50的空间内。为此，不易发生由于附着在反射镜50周边的水滴而导致反射镜50以倾斜的姿势被吸附等不良情况。

并且，在本方式中，由无机膜8覆盖导电部件99，无机膜8起到导电部件99的保护膜的功能。为此，能够抑制导电部件99由于设置密封材料98时的压力而断线。并且，由于无机膜8是绝缘膜，所以能够防止导电部件99之间的短路等。

并且，设于芯片2与隔离片61的边界77以及透光性的罩盖71与隔离片61的边界79的粘接层76、78具有环氧类粘接剂等的oh基，所以在粘接层上能够迅速地开展原子层沉积法的化学反应，提高粘接层与无机膜的贴紧性。由此，能够抑制反射镜50的劣化。

(电光装置100的其它制造方法)

图9是示出应用了本发明的电光装置100的其它制造方法中密封芯片2的无机膜8的形成方法的工序截面图。

本方式中，也是在参照图7的工序b7(芯片设置工序)中，在布线基板90的一表面91s上设置形成有反射镜50以及驱动元件30(参照图3)的芯片2、俯视观察时覆盖反射镜50的罩盖71以及位于罩盖71与芯片2之间的隔离片61。接着，在图9所示的无机膜形成工序中形成覆盖罩盖71与隔离片61的边界79以及隔离片61与芯片2的边界77的无机膜8。

本方式中，在图9所示的工序a9(成膜工序)中以覆盖罩盖71的方式使无机膜8成膜之后，在图9所示的工序b9(无机膜去除工序)中去除同罩盖71的与反射镜50相反一侧的外表面74重叠的无机膜8。在进行这样的无机膜去除工序时，在本方式中，如箭头e所示，在垂直于罩盖71的外表面74的方向上进行具有蚀刻方向性(etchdirectionality)的各向异性蚀刻，从而去除重叠在罩盖71的外表面74的无机膜8。其结果，形成覆盖罩盖71与隔离片61的边界79以及隔离片61与芯片2的边界77的无机膜8。不过，在无机膜去除工序中去除覆盖导电部件99、芯片侧端子17以及内部端子94的无机膜8、覆盖布线基板90的底板部91、侧板部92的前端面92t的无机膜8，布线基板90中只有侧板部92的内表面92s被无机膜8覆盖。

之后，如图4所示，向布线基板90的侧板部92内侧注入密封材料98，之后固化密封材料98，从而通过密封材料98密封元件基板1。其结果，可以得到反射镜50被隔离片61、罩盖71、布线基板90、无机膜8以及密封材料98密封的电光装置100。

根据这样的制造方法，也是无机膜8与罩盖71、隔离片61以及芯片2的贴紧性高，所以水分难以从无机膜8与罩盖71之间进入，因此能够有效地抑制水分通过罩盖71与隔离片61的边界79以及芯片2与隔离片61的边界77而进入配置有反射镜50的空间内。为此，可以实现不易发生由于附着在反射镜50周边的水滴而导致反射镜50以倾斜的姿势被吸附等不良情况等效果。

(其它实施方式)

在上述实施方式中，通过引线结合用的导线将内部端子94(第一端子)和芯片侧端子17(第二端子)电连接，但本发明还可以应用于芯片2形成为表面安装式的情况。这时，在与芯片2重叠的位置设置内部端子94(第一端子)以及芯片侧端子17(第二端子)，所以不会被无机膜8覆盖。