本发明涉及液晶显示器薄膜晶体管（tft）行业电子化学品技术领域，具体涉及一种tft行业铜制程用高回收率环保型剥离液。
背景技术：
在液晶面板等制造过程中，需要通过多次图形掩膜照射曝光及蚀刻等工序在硅晶圆或玻璃基片形成多层精密的微电路，形成微电路之后，进一步使用专用的剥离液将涂覆在微电路保护区域上作为掩膜的光刻胶除去。剥离过程是将剥离液喷淋到刻蚀后的产品表面，剥离液会将未被紫外线照射的感光光阻溶解掉，留下被保护的部分，从而形成线路。
光刻胶在剥离去除的过程中，产生大量有机废液，回收处理这种废液的比例对环境及成本有较大影响，对剥离液成分进行改进从而达到高回收率是本领域技术人员需要思考的技术课题。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种tft行业铜制程用剥离液，在满足有效剥离铜制程工艺中光刻胶的前提下，通过选择低沸点溶剂，使得使用后的废液有着较高的回收率。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种tft行业铜制程用剥离液，包括如下质量百分比的成分
醇醚40～50%，
低沸点有机溶剂30～45%，
缓蚀剂1～5%，
非离子型表面活性剂1～5%，
余量为纯水。
优选地，所述醇醚为二乙二醇单丁醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单乙醚中的一种或几种。
优选地，低沸点有机溶剂为酰胺类或内酰胺类低沸点有机溶剂中的一种或几种。
优选地，低沸点有机溶剂为n-甲基甲酰胺、n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二甲基乙酰胺、n,n-二乙基乙酰胺、n-甲基-2-吡咯烷酮、n-乙基-2-吡咯烷酮、n-丙基-2-吡咯烷酮中的一种或几种。
优选地，缓蚀剂为膦羧酸（pbtca）、巯基苯并噻唑、苯并三唑中的一种或几种。保护金属层，不致于被腐蚀。
优选地，非离子型表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚。
优选地，烷基酚聚氧乙烯醚为辛基酚聚氧乙烯醚和壬基酚聚氧乙烯醚中的一种。
与现有技术相比，本发明的优点在于：该剥离液剥离速度适中，在1000倍显微镜下，剥离后的晶圆表面无光刻胶残留；10000倍显微镜下，对铜金属层几乎没有腐蚀。与现有技术中铜制程用剥离液相比，该剥离液在常温下非常稳定，剥离速度快，使用成本低，寿命长。采用低沸点的有机溶剂后能够显著提高剥离液中有效成分的回收。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例1
剥离液成分与重量百分比分别为：
醇醚50%
低沸点有机溶剂30%
缓蚀剂5%
非离子型表面活性剂5%
余量为纯水。
其中，醇醚为二乙二醇单丁醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单乙醚的一种或几种，优选二乙二醇单丁醚。其中，低沸点有机溶剂为酰胺类或内酰胺类低沸点有机溶剂中的一种或几种，优选n-甲基甲酰胺作为低沸点有机溶剂。其中，缓蚀剂为膦羧酸（pbtca）、巯基苯并噻唑、苯并三唑的一种或几种，优选苯并三唑作为缓蚀剂。其中，非离子型表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚，优选壬基酚聚氧乙烯醚作为表面活性剂。
实施例2
剥离液成分与重量百分比分别为：
醇醚40%
低沸点有机溶剂45%
缓蚀剂1%
非离子型表面活性剂1%
余量为纯水。
其中，醇醚为二乙二醇单丁醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单乙醚中的一种或几种，优选二乙二醇单丁醚和丙二醇单甲醚中的混合溶液。其中，低沸点有机溶剂为酰胺类或内酰胺类低沸点有机溶剂中的一种或几种，优选n-甲基甲酰胺与n-丙基-2-吡咯烷酮混合溶剂作为低沸点有机溶剂。其中，缓蚀剂为膦羧酸（pbtca）、巯基苯并噻唑、苯并三唑中的一种或几种，优选苯并三唑与巯基苯并噻唑两者的混合物作为缓蚀剂。其中，非离子型表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚，优选壬基酚聚氧乙烯醚作为表面活性剂。
实施例3
剥离液成分与重量百分比分别为：
醇醚45%
低沸点有机溶剂40%
缓蚀剂3%
非离子型表面活性剂2%
余量为纯水。
其中，醇醚为二乙二醇单丁醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单乙醚的一种或几种，优选丙二醇单甲醚。其中，低沸点有机溶剂为酰胺类或内酰胺类低沸点有机溶剂中的一种或几种，优选n-甲基甲酰胺作为低沸点有机溶剂。其中，缓蚀剂为膦羧酸（pbtca）、巯基苯并噻唑、苯并三唑的一种或几种，优选苯并三唑与膦羧酸（pbtca）两者的混合物作为缓蚀剂。其中，非离子型表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚，优选辛基酚聚氧乙烯醚作为表面活性剂。
上述各实施例的剥离液成本低，稳定，在有效清除胶的同时亦不会对铜金属造成腐蚀。
除上述实施例外，本发明还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本发明权利要求的保护范围之内。