显示基板的修复方法、修复系统、显示基板及显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板的修复方法、修复系统、显示基板及显示面板。

背景技术：

显示基板的生产工艺中信号线的断路和短路不良严重降低产品良率，所以信号线的修复对提高产品良率至关重要。

修复时，对于断路的不良，可以采用修复技术在断开处沉积导电膜层，以形成修复线将断开处连接起来；对于信号线之间短路的不良，需要利用激光将信号线之间造成短路的导电颗粒去除，同时，信号线在该短路位置也会被激光断开，需要在断开处沉积导电膜层，以形成修复线将短路修复时形成的断开处连接起来。

但是，在修复之后，后段的清洗、涂覆等工序可能会影响该修复线，甚至使其脱落，导致修复失败。因此，以上现有技术对信号线的修复效果不佳，影响了产品品质。

技术实现要素：

本发明实施例的目的是提供一种显示基板的修复方法、修复系统、显示基板及显示面板，用于解决现有技术中对信号线的修复效果不佳的问题。

本发明实施例的目的是通过以下技术方案实现的：

一种显示基板的修复方法，该方法包括：

在检测到显示基板的信号线发生断路或者短路之后，在信号线发生断路的断开处或者在信号线短路修复时形成的断开处，形成修复线；

至少在所述修复线所在区域形成保护层。

较佳地，在信号线发生断路的断开处或者在信号线短路修复时形成的断开处，形成修复线，包括：

将所述断开处上方的膜层去除，形成凹槽；

在所述凹槽内形成所述修复线；

所述至少在所述修复线所在区域形成保护层，包括：

在形成有所述修复线的所述凹槽内填充所述保护层，至所述凹槽被填平。

较佳地，所述保护层具有遮光性能。

较佳地，所述至少在所述修复线所在区域形成保护层，包括：

在所述修复线所在的像素单元中，仅在包含所述修复线的部分像素单元区域形成所述保护层或者在整个像素单元区域形成所述保护层。

较佳地，所述保护层具有绝缘性能。

较佳地，所述保护层的材料为有机材料。

较佳地，所述形成修复线，包括：

采用激光化学气相沉积修复技术或喷墨印刷技术形成修复线。

较佳地，所述至少在所述修复线所在区域形成保护层，包括：

采用喷墨印刷技术至少在所述修复线所在区域涂覆保护层材料；

对涂覆的保护层材料进行固化处理，以形成所述保护层。

一种显示基板，包括多条信号线；其中，存在经过断路或者短路修复的信号线，在该信号线的断开处设置有修复线，至少在所述修复线所在区域设置有保护层。

较佳地，所述信号线为源极信号线；所述显示基板还包括在所述信号线上层叠的有机膜层、导电层、绝缘层；

在所述信号线的断开处设置有贯穿所述有机膜层、导电层、绝缘层的凹槽；

所述修复线设置于所述凹槽内；所述凹槽被具有遮光性能的所述保护层填平；

该保护层还覆盖所述凹槽以及所述凹槽所在区域的周边区域。

较佳地，所述信号线为源极信号线；所述显示基板还包括在所述信号线上层叠的绝缘层、有机膜层；

在所述信号线的断开处设置有贯穿所述绝缘层、有机膜层的凹槽；

所述修复线设置于所述凹槽内；所述凹槽内具有遮光绝缘性能的所述保护层填平；

所述显示基板还包括在所述保护层和有机膜层上层叠的发光层、阴极层。

一种显示面板，包括如以上任一项所述的显示基板。

一种显示基板修复系统，包括：

激光化学气相沉积修复设备，用于在检测到显示基板的信号线发生断路或者短路之后，在信号线发生断路的断开处或者在信号线短路修复时形成的断开处，形成修复线；

喷墨印刷设备，用于至少在所述修复线所在区域形成保护层。

本发明实施例的有益效果如下：

本发明实施例提供的显示基板的修复方法、修复系统、显示基板及显示基板中，在对信号线的断开处形成修复线之后，还要进一步形成保护层将该修复线保护起来，消除了后段的清洗、涂覆等工艺对该修复线的影响，避免其脱落导致修复失败，从而提高了修复效果和产品品质。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种显示基板的修复方法流程图；

图2为现有的一种有机膜层结构的显示基板的修复结构示意图；

图3为现有的一种oled显示基板的修复结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种有机膜层结构的显示基板的修复结构示意图之一；

图5为本发明实施例提供的一种有机膜层结构的显示基板的修复结构示意图之二；

图6为本发明实施例提供的一种oled结构的显示基板的修复结构示意图之一；

图7为本发明实施例提供的一种oled结构的显示基板的修复结构示意图之二。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明提供的一种显示基板的修复方法、修复系统、显示基板及显示面板中进行更详细地说明。

参见图1，本发明实施例提供一种显示基板的修复方法，其实现方式如下：

步骤110、在检测到显示基板的信号线发生断路或者短路之后，在信号线发生断路的断开处或者在信号线短路修复时形成的断开处，形成修复线；

步骤120、至少在修复线所在区域形成保护层。

本发明实施例中，在对信号线的断开处形成修复线之后，还要进一步形成保护层将该修复线保护起来，消除了后段的清洗、涂覆等工艺对该修复线的影响，避免其脱落导致修复失败，从而提高了修复效果和产品品质。

本发明实施例中，显示基板可以但不限于是薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)阵列基板。

具体实施时，可选的，上述步骤110中，形成修复线，具体实现方式可以是：采用激光化学气相沉积修复技术或者喷墨印刷技术形成修复线。本实施例中列举了一种可选的技术形成修复线，也可以采用其它的技术，此处不再一一列举。

具体实施时，修复线的材料有多种，例如，可以采用钨粉材料，导电银胶等等。如果采用钨粉材料，可以采用激光化学气相沉积修复技术，如果采用导电银胶，可以采用喷墨印刷技术。

具体实施时，较佳地，上述步骤120中，至少在修复线所在区域形成保护层，具体实现方式可以是：采用喷墨印刷技术至少在修复线所在区域涂覆保护层材料；对涂覆的保护层材料进行固化处理，以形成保护层。其中，固化处理的方式可以是紫外光固化处理，或者热固化处理。本实施例中列举了一种可选的技术形成保护层，也可以采用其他的技术，此处不再一一列举。

本发明实施例的修复过程，可以是在信号线上方未形成其它膜层结构的时候进行的，可以是在信号线上方已形成一定的膜层结构的时候进行的。并且，修复之后，还可以继续进行后续膜层结构的制备。

采用现有的修复技术在修复过程中，除了以上的修复线脱落的问题，由修复技术本身还会带来新的问题，以下列举几种可能的问题：

问题一、如果信号线上有其它膜层的结构，如有机膜层结构，以图2所示的显示基板为例，该显示基板包括衬底基板21，位于衬底基板21上的栅极22，覆盖栅极22的栅绝缘层23，位于该栅绝缘层23上的有源层24，在有源层24上相对设置的第一欧姆接触层25和第二欧姆接触层26，位于第一欧姆接触层25和栅绝缘层23上的源极信号线27，位于第二欧姆接触层26和栅绝缘层23上的漏极信号线28，覆盖有源层24、源极信号线27和漏极信号线28的有机膜层29，位于有机膜层29上的第一电极层210，位于第一电极层210上的绝缘层211，位于绝缘层211上的第二电极层212；如果源极信号线27断路，需要将断开处上方的有机膜层29、第一电极层210、绝缘层211移除，挖出一个凹槽213，再在断开处形成修复线214，修复之后，由于有机膜层29较厚，该凹槽处相对其它的区域缺少了较多的膜层，造成透光率相对较大，会导致亮点不良。

问题二、对液晶产品进行修复后，修复线可能会影响液晶排列导致形成亮点不良，在r/g/b任何画面下均可见。

问题三、修复线与其它的导电层有交叠区域，额外产生电容效应，导致亮点不良。

问题四、因源极信号线断开，修复之后，从线不良变成了亮点不良。

问题五、如果采用激光化学气相沉积修复技术沉积材料形成修复线，沉积过程中材料扩散到薄膜晶体管的沟道中，导致短路，也会造成亮点不良。

问题六、暗点化失败，仍是存在亮点不良。

问题七、信号线通过保护层直接与其它的导电膜层电连接，以一种oled产品为例，参见图3所示的oled显示基板，该显示基板包括衬底基板31，位于衬底基板31上的栅极32，覆盖栅极32的栅绝缘层33，位于该栅绝缘层33上的有源层34，在有源层34上相对设置的第一欧姆接触层35和第二欧姆接触层36，位于第一欧姆接触层35和栅绝缘层33上的源极信号线37，位于第二欧姆接触层36和栅绝缘层33上的漏极信号线38，覆盖有源层34、源极信号线37和漏极信号线38的绝缘层39，位于绝缘层39上的有机膜层310，位于有机膜层310上的阳极层311。如果源极信号线37断路，需要将断开处上方的绝缘层39、有机膜层310、阳极层311移除，挖出一个凹槽312，再在断开处形成修复线313，修复之后，在凹槽312处，修复线313代替原来的阳极层311，后续在形成发光层314、阴极层315之后，发光层314直接与修复线313和阴极层315电连接，发光层导通，不再受薄膜晶体管的控制，成为常亮点；且由于有机膜层310较厚，该凹槽312处段差过大，甚至还会导致发光层314容易断裂，阴极层和阳极层直接短路，导致形成暗线。

针对以上由修复技术带来的问题，发明人进一步提出了解决方案，下面进行具体说明。

基于以上相关实施例，上述步骤110的具体实现方式可以是：将断开处上方的膜层去除，形成凹槽；在凹槽内形成修复线。相应的，上述步骤120中，至少在修复线上形成保护层，具体实现方式可以是：在形成有修复线的凹槽内填充保护层，至凹槽被填平。本实施例中，利用保护层将形成的凹槽填平，一方面，针对问题一，凹槽内填充的保护层代替了被移除的膜层，降低了透过率，使之暗点化，从而解决了上述的问题一中凹槽带来的亮点不良问题；另一方面，针对问题八，由于凹槽被保护层填平，消除了段差，使得后续膜层在该处保持平坦，不会断裂，从而解决了问题八中凹槽段差大带来的暗线的问题。

基于以上相关实施例，较佳地，保护层具有遮光性能。这样，还可以进一步利用保护层将亮点不良的区域遮挡。较佳地，上述步骤120中，至少在修复线上形成保护层，具体实现方式可以是：在修复线所在的像素单元中，仅在包含修复线的部分像素单元区域形成保护层或者在整个像素单元区域形成保护层。实施中，根据引起像素区域的亮点不良的原因，选择是部分遮挡还是全部遮挡，例如，针对以上问题一、二、三、七带来的亮点不良，在部分像素单元区域遮挡。针对以上问题四、五、六带来的亮点不良，对整个像素单元区域全部遮挡。

基于以上相关实施例，较佳地，保护层具有绝缘性能。较佳地，保护层的材料可以但不限于为有机材料。较佳地，有机材料为聚亚酰胺或者酚醛树脂，还可以为丙烯酸酯、不饱和聚酯、环氧丙烯酸树脂、聚氨酯丙烯酸酯、双酚a环氧树脂、丙烯酸酯硅氧烷、含异氰酸基的聚氨酯丙烯酸酯或者聚乙二醇聚氨酯丙烯酸，等等。本实施例中，保护层绝缘可以避免信号线通过保护层直接与其它的导电膜层电连接，从而有效避免了以上问题八oled中，发光层不受薄膜晶体管控制的问题。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供一种显示基板，包括多条信号线；其中，存在经过断路或者短路修复的信号线，在该信号线的断开处设置有修复线，至少在修复线所在区域设置有保护层。

具体实施时，信号线为源极信号线，本实施例提供的一种显示基板还包括：在信号线上层叠的有机膜层、导电层、绝缘层；

在信号线的断开处设置有贯穿有机膜层、导电层、绝缘层的凹槽；

修复线设置于凹槽内；凹槽被具有遮光性能的保护层填平；

该保护层还覆盖凹槽以及凹槽所在区域的周边区域。

本实施例的显示基板为有机膜层结构的显示基板，对发生断路或者短路的源极信号线修复后，由于凹槽被遮光性能的保护层填平，并且凹槽及其周边都被遮光的保护层遮挡，可以有效的防止亮点的出现。

具体实施时，信号线为源极信号线，本发明实施例提供的一种显示基板还

包括在信号线上层叠的绝缘层、有机膜层；

在信号线的断开处设置有贯穿绝缘层、有机膜层的凹槽；

修复线设置于凹槽内；凹槽内具有遮光绝缘性能的保护层填平；

显示基板还包括在保护层和有机膜层上层叠的发光层、阴极层。

本实施例的显示基板为oled结构的显示基板，对发生断路或者短路的源极信号线修复后，由于凹槽被绝缘保护层填平，消除了段差，发光层不易断裂，且保护层绝缘，发光层不会直接被导通，可以有效的防止亮点的出现。

下面以具体的显示基板结构为例，对本发明实施例提供的显示基板的修复方法及显示基板进行更加详细地说明。

以图2所示的有机膜层显示基板结构为例，本实施例提供的修复过程如下：

步骤一、对绝缘层211切出有机膜层加工轮廓，防止有机膜层崩裂，按照该加工轮廓，移除绝缘层211、第一导电电极层210和有机膜层29，在源极信号线27的断开处形成凹槽213；在源极信号线27的断开处采用激光化学气相沉积修复技术沉积钨粉，形成修复线214；移除凹槽侧壁上与钨粉接触的ito(即第一导电电极210和第二导电电极212)，防止短路发生。

步骤二、如图4所示，采用喷墨印刷技术在凹槽中填充遮光的保护层材料，直至该凹槽被填平，进一步的，将凹槽上方及周边区域覆盖该保护层材料；对该保护层材料进行紫外固化，形成保护层215。

以图3所示的oled显示基板为例，本发明实施例提供的修复过程如下：

步骤一、移除断开的源极信号线37上方的阳极层311、有机膜层310、绝缘层39，形成凹槽312，采用激光化学气相沉积修复技术在源极信号线37的断开处沉积钨粉，形成修复线313，移除凹槽内与钨粉接触的ito，避免发生短路，如图5所示。

步骤二、采用喷墨印刷技术在凹槽312中填充遮光绝缘的保护层材料，直至该凹槽312被填平；对该保护层材料进行紫外固化，以形成保护层316，如图6所示。

修复后的显示基板，由于凹槽312被绝缘遮光的保护层316填平，如图7所示，后续在蒸镀发光层314和形成阴极层315后，发光层314就不会在凹槽处断开，阴极层315和源极信号线就不会短路，防止形成暗线。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供一种显示基板修复系统，包括：

激光化学气相沉积修复设备，用于在检测到显示基板的信号线发生断路或者短路之后，在信号线发生断路的断开处或者在信号线短路修复时形成的断开处，形成修复线；

喷墨印刷设备，用于至少在修复线所在区域形成保护层。

本发明实施例提供的显示基板的修复方法、修复系统、显示基板及显示基板中，在对信号线的断开处形成修复线之后，还要进一步形成保护层将该修复线保护起来，消除了后段的清洗、涂覆等工艺对该修复线的影响，避免其脱落导致修复失败，从而提高了修复效果和产品品质。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。