阵列基板及液晶显示器的制作方法

本发明涉及液晶显示屏技术领域，尤其涉及一种阵列基板以及液晶显示器。

背景技术：

显示面板非显示区的导电端通常为从显示区引出的金属线与芯片的触点压接导电粒子形成。传统的芯片的触点通常为凸起结构，压接金属线时由于导电粒子中的树脂的流动，造成导电粒子在触点与金属线之间空隙处聚集，而触点与金属线压接缝隙内无导电粒子，反而使相邻的端子导通，造成短路。

技术实现要素：

本发明提供一种导电粒子不稳定导致导电端之间导通而造成短路的阵列基板。

本发明还提供一种液晶显示器。

本发明所述的阵列基板，包括外围区域及设于所述外围区的数个导电端，所述外围区域包括基底、依次层叠设置于基底的缓冲层、绝缘层及层间电介质层，还包括由所述层间点介质层延伸至所述基底的凹槽；

每一所述导电端包括第一端子、包括压接层及设于压接层的第二端子的压接端及数个导电粒子，所述第一端子包括层叠于所述凹槽的内壁表面的连接段及与连接段连接的由所述内壁延伸至所述凹槽周缘的层间电介质层上的延伸段；所述第二端子截面与所述凹槽截面相同，所述压接层与所述第一端子延伸段相对，所述第二端子插接于所述凹槽内，所述导电粒子均匀封于所述第一端子的连接段与第二端子之间的缝隙，以及压接层与延伸段之间的缝隙内，以实现所述第一端子与第二端子的导通。

其中，所述凹槽的内壁部分或者全部为向远离凹槽内部方向倾斜的斜面。

其中，所述凹槽的横截面为v型，所述第二端子为凸设于压接层的凸起。

其中，所述凹槽的横截面为倒置梯形，所述第二端子为凸设于压接层的截面为倒置梯形的凸起。

其中，所述凹槽的横截面为圆弧形，所述内壁为圆弧形凹面，所述第二端子为凸设于压接层的截面为圆弧形的凸起。

其中，所述凹槽的内壁包括倾斜的槽侧壁和由基底形成的槽底壁，所述连接段层叠于所述槽侧壁及槽底壁上，并且层叠于所述槽侧壁的部分与槽侧壁倾斜角度相同。

其中，所述第一端子为金属层。

其中，所述压接端形成于为芯片的触点。

本发明所述一种液晶显示屏，包括显示区和非显示区，还包括所述的阵列基板，所述阵列基板的外围区域位于所述非显示区内。

其中，所述液晶显示器为柔性oled或者lcd显示屏。

本发明所述的阵列基板的位于基底上的第一端子21在纵向上，深度延伸至基底的位置，横向上，连接段采用斜面设置，如此增加了整个端子的接触面积，当压接端压接后，第二端子与第一端子之间的压接缝隙面积增大，导电粒子所在缝隙接触面积增大，限制了导电粒子向压接端与第一端子空隙流动频率，增强压接缝隙内导电粒子的均匀性和稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所述阵列基板平面示意图；

图2为本发明一实施例的阵列基板的导电端的包含第一端子的内部侧面示意简图；

图3为图2所示的导电端的内部侧面示意简图；

图4为本发明一实施例的阵列基板的导电端的包含第一端子的内部侧面示意简图；

图5为图4所示的导电端的内部侧面示意简图；

图6为图4所示的第一端子的俯视图；

图7为本发明一实施例的阵列基板的导电端的包含第一端子的内部侧面示意简图；

图8为图7所示的导电端的内部侧面示意简图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本申请所述的图案化构图工艺包括成膜、显影、曝光、蚀刻等构图工艺。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括外围区域及设于所述外围区的数个导电端，所述外围区域包括基底、依次层叠设置于基底的缓冲层、绝缘层及层间电介质层，还包括由所述层间点介质层延伸至所述基底的凹槽；

每一所述导电端包括第一端子、压接层及设于压接层的第二端子及数个导电粒子，所述第一端子包括层叠于所述凹槽的内壁表面的连接段及与连接段连接的由所述内壁延伸至所述凹槽周缘的层间电介质层上的延伸段；

所述第二端子截面与所述凹槽截面相同，所述压接层与所述第一端子延伸段相对，所述第二端子插接于所述凹槽内，所述导电粒子均匀封于所述第一端子的连接段与第二端子之间的缝隙，以及压接层与延伸段之间的缝隙内，以实现所述第一端子与第二端子的导通。其中，所述凹槽的内壁部分或者全部为向远离凹槽内部方向倾斜的斜面。其中，斜面倾斜的角度值越小，所述第一端子的面积越大，这样有利于第一端子的接触性能。

具体请参阅图1与图2，本发明实施例提供一种阵列基板100，包括外围区域10及设于所述外围区域10的数个导电端20。所述外围区域10包括基底11、依次层叠设置于基底11的缓冲层12、绝缘层13及层间电介质层14，还包括由所述层间点介质层14延伸至所述基底11的凹槽15。其中绝缘层为两层结构。所述基板11为柔性材质制成。所述阵列基板还包括中间功能区域(图未示)用于设置如半导体层、源漏极、电极等。其中所述基底11、依次层叠设置于基底11的缓冲层12、绝缘层13及层间电介质层14均为所述阵列基板中间区域延伸出来的。

请参阅图3，本发明实施例中，所述凹槽15横截面为v型，所述凹槽15包括两个相对的槽侧壁151及相对的端侧壁，槽侧壁与端侧壁围成条状的槽体，槽侧壁151及相对的端侧壁均向远离凹槽15内部方向倾斜构成倾斜面。每一所述导电端20包括第一端子21、压接端及数个导电粒子24，压接端包括压接层22及设于压接层22的第二端子23。所述压接端为芯片封装件或者芯片集成件或芯片上的触点。本实施例中，为芯片30延伸的触点。所述第一端子21为金属层，可以是所述阵列基板上的源漏极的通道工序同层形成，也可以是单独形成。

所述第一端子21包括层叠于所述凹槽15的内壁表面的连接段211及与连接段211连接的由所述内壁延伸至所述凹槽15周缘的层间电介质层14上的延伸段212。所述第一端子21位于凹槽内的部分的形状与凹槽相同，位于层间电介质层14上的延伸段212围绕所述凹槽15设置。由于槽侧壁151及端侧壁均为倾斜面，相较于竖直面面积大，那么形成于槽侧壁151及端侧壁均的连接段212的面积就增大，这样就可以增大第一端子21的有效接触面积。

所述第二端子23截面与所述凹槽15截面相同，所述第二端子23为凸设于压接层22的锥形的凸起。压接端与所述第一端子21压接时，所述压接层22与所述第一端子21延伸段212相对，所述第二端子23插接于所述凹槽15内，所述导电粒子24均匀封于所述第一端子21的连接段211与第二端子23之间的缝隙，以及压接层22与延伸段212之间的缝隙内，以实现所述第一端子21与第二端子23的导通。

本发明所述的阵列基板的位于基底11上的第一端子21在纵向上，深度延伸至基底11的位置，横向上，连接段采用斜面设置，如此增加了整个端子的接触面积，当压接端压接后，压接层22与第二端子23与第一端子21之间的压接缝隙面积增大，因此，导电导电粒子24所在缝隙接触面积增大，深度方向上至少可以容纳一个导电粒子，限制了导电粒子向压接端与第一端子空隙流动频率，增强压接缝隙内导电粒子的均匀性和稳定性，进而提高第一端子21与第二端子23之间的连接稳定性。

请采纳语文图4与图5，本发明另一实施例中，与上述实施例不同的是，所述凹槽15的横截面为倒置梯形，包括基底形成的槽底壁152及围绕底壁152设置的槽侧壁153，所述槽侧壁153为倾斜面，所述第二端子23为凸设于压接层22的截面为倒置梯形的凸起。所述第一端子21的连接段211在制造过程中随着凹槽的截面形状而变化，本实施例的连接段211层叠于槽底壁152及槽侧壁153上，并且层叠于所述槽侧壁153的部分与槽侧壁153倾斜角度相同，以保证连接段的最大面积。压接端的第二端子与所述第一端子21的连接段211的相对并形成压接缝隙容纳导电粒子23，压接层22与所述延伸段相对形成容纳导电粒子23的缝隙。比如图,6所示，为本实施例第一端子21的俯视图，其包括a、b、c三个区域，所述b区域与c区域为所述第一端子21的连接段211的俯视图，所述a区域为延伸段212的俯视图，当连接段211的倾斜角度值越小，那么b区域的面积越大，这样就增加了第一端子21的接触面积。

请参阅图7与图8，本发明另一实施例中，与上述实施例不同的是，所述凹槽15的横截面为圆弧形，所述第一端子21的连接段211为圆弧形，所述内壁155为圆弧形凹面，所述第二端子23为凸设于压接层的截面为圆弧形的凸起。所述压接端与所述第一端子21压接时，圆弧形第二端子23与第一端子21的连接段211形成容纳导电粒子24的压接缝隙，压接层22与所述延伸段相对形成容纳导电粒子23的缝隙。

本发明实施例还提供一种液晶显示屏，包括显示区和非显示区及所述的阵列基板，所述阵列基板的外围区域位于所述非显示区内，设置压接端的芯片为液晶显示屏的驱动芯片。还包括显示介质层以及对向基板。其中，阵列基板与对向基板上设置有多个显示元件(图未示)，所示多个显示元件用于产生电场驱动显示介质层进行图像显示。本实施例中，显示介质层还以为其他显示介质，例如有机发光材料(organicelectroluminesencedisplay,oled)为例进行说明。当然，可变更地，显示介质层为液晶分子层，也即是本实施中显示面板以液晶显示面板(liquidcrystaldisplay,lcd)或者其他显示材料，并不以此为限。所述第一端子21与压接端压接并通过导电粒子导通实现阵列基板与对向基板与芯片的导通。

所述阵列基板的缓冲层12、绝缘层13及层间电介质层14，这些结构主要为sio2和sinx制成。通过芯片触点的压接，使第一端子21与压接端的压接层和第二端子23进行压合。如果按照常规设计该线金属线在介电层显示区引出之后，先换线到栅极层，再通过较小的过孔结构跳回介电层显。由于柔性oled的基底通常是柔性的聚酰亚胺(pi)，其膨胀率与金属层(如ti/al/ti)、sio2和sinx不一致，压接过程的高温易造成阵列基板的多层结构的开裂如。本发明所述的导电端的第一端子深度方向直接到基底穿过绝缘层和缓冲层，而且连接段采用斜面设置，不但可以较小高温造成的多层开裂现象，而且可以稳固导电粒子的稳定性。需要说明的是，本发明的附图只是示意图，大小形状可能存在尺寸差皆为正常。

以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。