显示面板和显示面板的制造方法与流程

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示面板的制造方法。

背景技术：

现有液晶显示面板包括阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。液晶层中除了液晶分子外还有一部分的杂质粒子，杂质粒子可包括正离子和负离子。

在显示过程中，显示面板中像素电极和公共电极之间产生的电场作用下，液晶分子发生偏转，同时杂质粒子也会聚集在聚酰亚胺(polymide,pi)形成的配向层，当杂质聚集较多时，由于杂质粒子移动较慢，像素电极和公共电极产生的电场消失后，已聚集的离子无法马上离开配向层表面，从而形成残影。离子聚集主要是有像素电极和公共电极之间的直流电压产生，因此该问题也称离子直流(dc)残留产生残影。尤其对于电路负载比较大的液晶显示面板，功耗高，导致发热量高，在高温度下，杂质粒子更加活跃，将形成较为严重的残影现象。

技术实现要素：

本发明提供一种显示面板和显示面板的制造方法，以解决现有液晶显示面板出现的残影现象，提高显示效果。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：

第一基板和与所述第一基板相对设置的第二基板，以及位于所述第一基板和第二基板之间的液晶层；所述第一基板或者所述第二基板设置有黑矩阵；

所述第一基板包括：

衬底基板；位于所述衬底基板上的多条数据线和多条扫描线，所述多条数据线和所述多条扫描线交叉限定多个像素单元；所述像素单元包括异层绝缘设置的公共电极和像素电极；

多个辅助电极，所述辅助电极位于相邻所述像素单元之间，并位于所述公共电极远离所述衬底基板的一侧，其中，所述辅助电极与所述公共电极具有相同电位；

其中，所述辅助电极在所述衬底基板的垂直投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板的垂直投影内。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制造方法，该制造方法包括：

形成第一基板和第二基板，贴合所述第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板之间设置有液晶层；所述第一基板或所述第二基板上形成有黑矩阵；

所述形成所述第一基板包括：

提供衬底基板；

形成位于所述衬底基板上的多条数据线和多条扫描线，所述多条数据线和所述多条扫描线交叉限定多个像素单元；所述像素单元包括异层绝缘设置的公共电极和像素电极；

在所述公共电极远离所述衬底基板的一侧形成多个辅助电极，所述辅助电极位于相邻所述像素单元之间，形成的所述辅助电极与所述公共电极具有相同电位；

其中，所述辅助电极在所述衬底基板的垂直投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板的垂直投影内。

本发明实施例提供的技术方案，由于辅助电极的电位和公共电极的电位相同，并位于公共电极远离衬底基板的一侧，也就是更靠近液晶层中的液晶分子，在显示面板显示过程中，液晶分子中的杂质离子会聚集在辅助电极的位置附近，该位置会捕获杂质离子，而辅助电极被黑矩阵所遮挡，聚集杂质离子的位置区域也被黑矩阵所遮挡，不用于透光显示，该位置聚集的杂质离子不影响正常显示。而且，显示面板透光区域的杂质离子相对减少，可以减少透光区域的离子dc残留，进而有效改善显示面板中出现的残影现象，提高了显示效果。

附图说明

图1a是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面示意图；

图1b是本发明实施例提供的显示面板中第一基板的俯视图；

图1c是本发明实施例提供的显示面板中第二基板的俯视图；

图1d是本发明实施例提供的显示面板中杂质离子聚集的示意图；

图1e是图1b中第一基板沿a-a的剖面图；

图2是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图；

图3a是本发明实施例提供的一种第一基板的俯视图；

图3b是图3a中沿b-b方向的剖面图；

图3c是图3a中沿c-c方向的剖面图；

图3d是本发明实施例提供的一种第一基板的剖面图；

图3e是本发明实施例提供的另一种第一基板的俯视图；

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1a是本发明实施例提供的一种显示面板的剖面示意图。参见图1a，该显示面板包括第一基板10和与第一基板10相对设置的第二基板20，以及位于第一基板10和第二基板20之间的液晶层30，液晶层30包括多个液晶分子；第一基板10或者第二基板20设置有黑矩阵，图1a中示例性地在第二基板20上设置有黑矩阵21。

图1b是本发明实施提供的显示面板中第一基板的俯视图，图1c是本发明实施例提供的显示面板中第二基板的俯视图，参见图1a、图1b和图1c，第一基板包括：

衬底基板111；位于衬底基板111上的多条数据线101和多条扫描线102，多条数据线101和多条扫描线102交叉限定多个像素单元103；像素单元103包括异层绝缘设置的公共电极12、像素电极11和薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)105，像素电极11与薄膜晶体管105的漏/源极电连接，数据线101与薄膜晶体管105的源/漏极电连接，扫描线102与薄膜晶体管105的栅极电连接。201为显示面板的显示区域，202为显示面板的非显示区域，非显示区域202设置有数据驱动电路203和栅极驱动电路204，数据驱动电路203可与多条数据线101电连接，用于向数据线101提供数据信号；栅极驱动电路204可与多条扫描线102电连接，用于向扫描线102提供扫描信号以打开薄膜晶体管105，以将数据线101上的数据信号写入像素电极11。

多个辅助电极13，辅助电极13位于相邻像素单元103之间，并位于公共电极12远离衬底基板111的一侧，其中，辅助电极13与公共电极12具有相同电位；

其中，辅助电极13在衬底基板111的垂直投影位于黑矩阵21在衬底基板111的垂直投影内，也就是说，在显示面板的正前方朝显示面板看去，黑矩阵21遮挡住辅助电极13，辅助电极13位于显示面板的非开口区域(不透光区域)。

需要说明的是，22可表示显示面板内的色阻，可包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。像素单元103的开口区域为透光区域，也就是色阻22未与黑矩阵21交叠的区域，黑矩阵21所在的位置区域不透光。在本发明实施例的其他实施方式中，黑矩阵21可位于第一基板10上。其中，110为第一基板上的绝缘层，211为第二基板内的衬底基板。

辅助电极13上的电位可由驱动电路提供，具体地，辅助电极13可与驱动电路的输出端电连接，驱动电路向辅助电极13输出与公共电极12相同的信号。辅助电极13也可与公共电极12电连接，此时，辅助电极13与公共电极12的电位相同。由于辅助电极13的电位和公共电极12的电位相同，并位于公共电极12远离衬底基板111的一侧，也就是更靠近液晶层30中的液晶分子，在显示面板显示过程中，液晶分子中的杂质离子会聚集在辅助电极13的位置附近，该位置会捕获杂质离子。示例性地，参见图1d，图1d是本发明实施例提供的一种显示面板中杂质离子聚集的示意图，例如对应图1d左侧的辅助电极13，该辅助电极13的左侧的像素电极11为负帧对应的电压，右侧的像素电极11为正帧对应的电压，负性的杂质离子会从左侧的像素电极11的位置向该辅助电极13聚集，正性的杂质离子会从右侧的像素电极11的位置向该辅助电极13聚集，辅助电极所在的位置聚集杂质离子。而辅助电极13被黑矩阵21所遮挡，聚集杂质离子的位置区域也被黑矩阵21所遮挡，不用于透光显示，该位置聚集的杂质离子不影响正常显示。因此，显示面板透光区域的杂质离子相对减少，可以减少透光区域的离子dc残留，进而实现有效改善残影的效果。

图1e是本发明实施例提供的一种第一基板沿a-a方向的剖面示意图。参见图1e，在上述实施例的基础上，辅助电极13与公共电极12之间设置有第一绝缘层121；第一绝缘层121具有暴露出公共电极12的第一过孔131；辅助电极13与公共电极12通过第一过孔131连接。由于辅助电极13的电位和公共电极12的电位相同，辅助电极13通过第一过孔131电连接公共电极12，在显示过程中，公共电极12上的公共电压信号传输至辅助电极13，无需使用驱动ic(集成电路)向辅助电极13提供相应的信号，简化第一基板内电路和走线的结构。

需要说明的是，图1e中辅助电极13和公共电极12之间示例性地设置有第一绝缘层121，在本发明实施例的其他实施例方式中，辅助电极13和公共电极12之间可设置其他膜层，即可设置有多层膜层，例如辅助电极13和公共电极12之间可以有多层绝缘层。

在本发明实施例中，辅助电极的材料采用导电材料，例如可采用金属材料。另外，辅助电极13和像素电极11可同层设置，辅助电极13和像素电极11在同一工艺中采用同种材料形成。也就是说，辅助电极13和像素电极11在一道工艺中形成，在形成像素电极11的同时形成辅助电极13，在形成辅助电极13解决显示显示面板的残影问题的基础上，可以节省工艺步骤，降低成本。像素电极11的材料一般使用透明导电材料，例如使用氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)材料，辅助电极13和像素电极11的材料相同，辅助电极13的材料也采用透明导电材料。

可选的，在本发明实施例中，可以在部分相邻两列像素单元103之间设置辅助电极13，也可以在部分相邻两行像素单元103之间设置辅助电极13。在其他实施方式中，相邻两列像素单元103和/或相连两行像素单元103之间可均设置有辅助电极13，如此设置较多的辅助电极13，辅助电极13布置的较为均匀，可以将较多杂质离子聚集在辅助电极13对应的位置，较好的解决离子dc残留的问题。

图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图，图中透视出辅助电极13和像素单元103，在上述实施例的基础上，沿扫描线延伸方向x，位于相邻两行像素单元103之间的辅助电极13分段排布；和/或沿数据线延伸方向y，位于相邻两列像素单元103之间的辅助电极13分段排布。

位于相邻两行像素单元103之间的辅助电极13分成若干段排布，位于相邻两列像素单元103之间的辅助电极13呈若干段排布。其中，不同列或者不同行的辅助电极13的分段的个数可以相同也可以不同，例如图2中第一列的辅助电极13分成三段，第三列的辅助电极13分成两段排布，每一列或者每一行的辅助电极13可以分成任意段。

可选的，图3a是本发明实施例提供的一种第一基板的俯视图，图3b是沿图3a中b-b方向的剖面图，图3c是沿图3a中c-c方向的剖面图。参见图3a、图3b和图3c，本发明实施例提供的显示面板还可包括多条触控电极线104；公共电极复用为触控电极，公共电极包括矩阵排列的多个公共电极块121；每条触控电极线104与一公共电极块121电连接；在显示阶段，触控电极线104向公共电极块121传输公共电压信号；在触控阶段，触控电极线104向公共电极块121传输触控信号；实现显示面板的触控功能。

至少部分辅助电极13与触控电极线104电连接，例如辅助电极13通过过孔与触控电极线104电连接。辅助电极13的电位和公共电极块121的电位相同，触控电极线104与公共电极块121电连接，因此辅助电极13上信号可由触控电极线104传输提供，即至少部分触控电极线104既向公共电极块121传输信号，也向辅助电极13传输信号，相对于单独向辅助电极13布线而提供信号而言，可以节省布线。另外辅助电极13和触控电极线104可以交叠也可以不交叠，当像素单元之间的辅助电极13和触控电极线104存在交叠时，可以节省辅助电极13和触控电极线104占用的显示面板的长度或者宽度，而辅助电极13和触控电极线104需要被黑矩阵所遮挡，可以降低黑矩阵的面积，增大显示面板的开口率。

需要说明的是，辅助电极13也可以和公共电极块121电连接，例如通过过孔与公共电极块121实现电连接，也可以有驱动ic的输出端直接连接，由驱动ic向辅助电极13提供与公共电极块121相同的电位。在本发明实施例中，也可以是部分辅助电极13和触控电极线104电连接，部分辅助电极13和公共电极块121电连接，部分辅助电极13和驱动ic的输出端电连接，可以根据显示面板的具体结构进行相应设置。

继续参见图3b和图3c，第一基板10还包括：

缓冲层1011，缓冲层1011位于衬底基板111上；

薄膜晶体管105，位于缓冲层1011上，并且与数据线101以及扫描线电连接；

第二绝缘层1014，位于薄膜晶体管105上；

触控电极线104，位于第二绝缘层1014上；

第四绝缘层1015，位于触控电极线104上；

多个公共电极块121，位于第四绝缘层1015上；

第三绝缘层1016，位于多个公共电极块121上；

像素电极11和辅助电极13位于第三绝缘层1016之上。像素电极11可通过贯穿第二绝缘层1014、第四绝缘层1015以及第三绝缘层1016的第二过孔182与薄膜晶体管105的漏极电连接。多个公共电极块121通过贯穿第四绝缘层1015的通孔与对应的触控电极线104电连接(图3b未示出)。辅助电极13可通过贯穿第三绝缘层1016的过孔与公共电极块121电连接。其中，触控电极线104也可以位于第三绝缘层1016上，当触控电极线104和辅助电极13均位于第三绝缘层1016上时，可以省去第四绝缘层1015。

配向层(图中未示出)，配向层位于像素电极11和辅助电极13的上方，可与液晶层接触。

图3d是本发明实施例提供的另一种第一基板的结构示意图。参见图3d，第一基板10包括：

缓冲层1011，缓冲层1011位于衬底基板111上；

薄膜晶体管105，位于缓冲层1011上，并且与数据线101以及扫描线电连接；

第二绝缘层1014，位于薄膜晶体管105上；

多个公共电极块121位于第二绝缘层1014上；

第三绝缘层1016，位于多个公共电极块121上；

具体地，包括第一半导体区151和第二半导体区152的半导体层15形成在缓冲层1011上，本征多晶硅的第一半导体区151被设置在半导体层15的中心部，掺杂了杂质的多晶硅的第二半导体区152被设置在第一半导体区151的两侧。第一半导体区151用作薄膜晶体管(tft)的沟道，第二半导体区152用作tft的源区和漏区。诸如二氧化硅和硅的氮化物的无机绝缘材料的栅极绝缘层1012形成在半导体层15上，扫描线102和栅极17形成在栅极绝缘层1012上，栅极17连接到扫描线102。诸如二氧化硅和硅的氮化物的无机绝缘材料的中间绝缘层26形成在栅极25和扫描线19上，中间绝缘层1013和栅极绝缘层16具有漏出半导体层15的第二半导体区15的半导体接触孔181。源极153、漏极154和数据线101形成在中间绝缘层1013上。源极153和漏极154彼此分开，与数据线101处于相同的层上，像素电极11连接至漏极154。源极153和漏极154通过半导体接触孔181连接到第二半导体区152，半导体层15、栅极绝缘层1012、栅极17、中间绝缘层1013、源极153和漏极154构成薄膜晶体管(tft)。其中，辅助电极13和触控电极线104可直接接触，相对于图3b和图3c中所示的显示面板，可以节省一层第四绝缘层1015。

继续参见图3d，触控电极线104通过贯穿第三绝缘层1016的第三过孔183与公共电极块121电连接，辅助电极13可覆盖其电连接的触控电极线104，如此，在形成像素电极11时，触控电极104已被辅助电极13覆盖，防止制作像素电极11时损坏触控电极线104，例如可防止刻蚀形成像素电极11过程中对触控电极线104造成腐蚀，提高显示面板的良率。进一步的，当辅助电极13和像素电极材料相同，采用透明导电材料，例如ito材料时，在刻蚀形成像素电极11过程中，ito材料更不易被腐蚀，例如更不容易被刻蚀工艺中使用的溶液腐蚀，可以更好的防止触控电极线104被腐蚀，防腐蚀效果更好。

图3e是本发明实施例提供的另一种第一基板的俯视示意图。参见图3e，与图3a所示的第一基板不同的是，该第一基板还包括虚拟触控电极线106，虚拟触控电极线106，通过过孔与公共电极块121电连接，可用于降低公共电极块121的电阻。虚拟触触控电极线106也位于相邻像素单元之间的区域，一般与触控电极线104同层设置。在本发明实施例中，沿垂直于衬底基板的方向，辅助电极13可以与触控电极线106交叠，也可以与虚拟触控电极线106交叠。可以节省黑矩阵21的空间，提高开口率。本发明实施例还提供了一种显示面板的制造方法，可用于制造本发明任意实施例提供的显示面板。形成的显示面板可参考图1a、图1b和图1c。图4是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程示意图，参见图4，该显示面板的制造方法包括：

s410、形成第一基板10和第二基板20，其中，形成第一基板10包括：提供衬底基板111；形成位于衬底基板111上的多条数据线101和多条扫描线102，多条数据线102和多条扫描线102交叉限定多个像素单元103；像素单元103包括异层绝缘设置的公共电极12和像素电极11；在公共电极12远离衬底基板111的一侧形成多个辅助电极13，辅助电极13位于相邻像素单元103之间，形成的辅助电极13与公共电极12具有相同电位。

s420、贴合第一基板10和第二基板20，第一基板10和第二基板20之间设置有液晶层30；第一基板10或第二基板20上形成有黑矩阵；其中，辅助电极13在衬底基板111的垂直投影位于黑矩阵21在衬底基板111的垂直投影内。

可选的，本发明实施例还提供了另一种显示面板的制造方法，制造成的显示面板的中的第一基板可参考图1e，具体地，在形成多个辅助电极13之前，还包括：

形成第一绝缘层121以及位于第一绝缘层121上的第一过孔131，第一过孔131暴露出公共电极12，形成的辅助电极13与公共电极12通过第一过孔131连接。

在本发明实施例中，可在在同一道工艺中形成像素电极11和辅助电极13，其中，辅助电极13和像素电极11同层设置，并且二者材料相同。

进一步的，在本发明实施例中，在上述实施例的基础上，在形成多个辅助电极之前，还包括形成多条触控电极线；此时，公共电极复用为触控电极，公共电极包括矩阵排列的多个公共电极块；每条触控电极线与一公共电极块电连接；在显示阶段，触控电极线为公共电极块传输公共电压信号；在触控阶段，触控电极线为公共电极块传输触控信号。

本发明实施例还提供了另一种显示面板的制造方法，该制造方法形成的显示面板的结构可参考图3b和图3c，在该制造方法中，形成第一基板包括：

提供衬底基板111；

形成位于衬底基板111上的缓冲层1011；

形成位于缓冲层1011上的薄膜晶体管105，薄膜晶体管105与数据线以及扫描线电连接；

其中，薄膜晶体管105的栅极可与扫描线线电连接，源极可与数据线电连接。

形成位于薄膜晶体管105上的第二绝缘层1014，

形成位于第二绝缘层1014上的触控电极线104；

在触控电极线104上形成第四绝缘层1015；

在第四绝缘层1015上形成多个公共电极块121；

在公共电极块121上形成第三绝缘层1016以及贯穿第二绝缘层1014、第三绝缘层1016和第四绝缘层1015的第二过孔，以及形成贯穿第四绝缘层1015的第三过孔；

在第三绝缘层1016上形成辅助电极13和像素电极11，像素电极11通过第二过孔与薄膜晶体管105的漏极电连接，触控电极线105通过第三过孔与公共电极块121电连接；

形成位于像素电极11和辅助电极13的上方的配向层。

本发明实施例还提供了另一种显示面板的制造方法，形成的显示面板可参考图3d，在该制造方法中，形成第一基板包括：

提供衬底基板111；

形成位于衬底基板111上的缓冲层1011；

形成位于缓冲层1011上的薄膜晶体管105，薄膜晶体管105与数据线101以及扫描线电连接；

其中，薄膜晶体管105的栅极可与扫描线电连接，源极可与数据线101电连接。

形成位于薄膜晶体管105上的第二绝缘层1014，

在第二绝缘层1014上形成多个公共电极块121；

在公共电极块上形成第三绝缘层1016以及贯穿第二绝缘层1014和第三绝缘层1016的第二过孔182，以及形成贯穿第三绝缘层1016的第三过孔183；

在第三绝缘层1016上形成触控电极线104；

在第三绝缘层1016上形成辅助电极13和像素电极11；

其中，像素电极11通过第二过孔182与薄膜晶体管105的漏极电连接，触控电极线104通过第三过孔183与公共电极块121电连接；

在形成辅助电极13之后，形成位于像素电极11和辅助电极13的上方的配向层。

在本发明实施例中，当辅助电极13覆盖与其电连接的触控电极线104时，在形成触控电极线104和辅助电极13后，由于触控电极线104倍辅助电极13覆盖，形成像素电极11过程中，不会对触控电极线104造成腐蚀，提供显示面板的良率。而且当辅助电极13和像素电极11采用同一种材料并在同一工艺形成时，可以节省工艺步骤。此情况下，辅助极13和像素电极11材料相同，二者可采用透明导电材料，例如ito材料时，在刻蚀形成像素电极11过程中，ito材料更不易被腐蚀，例如更不容易被刻蚀工艺中使用的溶液腐蚀，可以更好的防止触控电极线104被腐蚀，防腐蚀效果更好。而且由于形成辅助电极13和像素电极的材料会覆盖触控电极线104，刻蚀过程形成辅助电极13和像素电极11过程中，同样不会腐蚀触控电极线104。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。