显示面板及其制作方法与流程

本发明涉及一种液晶面板技术，特别是一种显示面板及其制作方法。

背景技术：

目前，液晶显示面板通常包括彩色滤光片基板(cf基板)、阵列基板(tft基板)以及填充于彩色滤光片基板和阵列基板之间的液晶(lc)，形成液晶盒，其中psva(polmerstabilizedvertivallyaligned，聚合物稳定的垂直排列液晶)显示模式作为一种psa技术，具有高对比度、宽视角、响应快以及低功耗的有点，是目前主流的液晶显示面板所用的显示模式之一；其原理为，首先采用电源使液晶分子偏转，再通过紫外光(uv)进行锚定完成液晶配向。在psva制作过程中由于像素的色阻边缘与黑色矩阵之间存在重叠的部分，而该重叠部分又处于每个像素电极中，这样造成位于重叠部分的液晶分子无法安定配向，从而使显示画面时像素点的边缘产生毛刺现象。

技术实现要素：

为克服现有技术的不足，本发明提供一种显示面板及其制作方法，使得减少像素电极边缘配向暗纹的出现。

本发明提供了一种显示面板，包括阵列基板和彩色滤光片基板：

所述彩色滤光片基板包括色阻、黑色矩阵，所述色阻的四周与黑色矩阵之间设置有延伸区域，所述延伸区域中设置有由导电材料构成的第一隔断电极；

所述阵列基板包括与色阻一一对应的像素电极，所述像素电极的外周设有一周与第一隔断电极位置相对的第二隔断电极，第二隔断电极与像素电极不接触；

所述第一隔断电极与第二隔断电极所施加的电压相同。

进一步地，所述第一隔断电极与彩色滤光片中的公共电极电连接；所述第二隔断电极与阵列基板中的公共电极连接；所述彩色滤光片基板中的公共电极与阵列基板中的公共电极所施加的电压相同。

进一步地，所述延伸区域的宽度不小于2um。

进一步地，所述黑色矩阵的线宽不小于2um，且不大于两个色阻的延伸区域之间的间距。

进一步地，所述第一隔断电极和第二隔断电极的形状相适配。

进一步地，所述第一隔断电极与第二隔断电极采用相同的导电材料制成。

进一步地，所述显示面板为psva显示模式。

本发明还提供了一种显示面板的制作方法，包括阵列基板的制作以及彩色滤光片基板的制作：

在彩色滤光片基板的制作中，当制作完色阻后，在色阻与黑色矩阵之间的延伸区域中通过光刻工艺制作过孔，在过孔中制作第一隔断电极；

在阵列基板的制作中，在制作像素电极后，在像素电极的外周制作一周与第一隔断电极位置相对的第二隔断电极，第二隔断电极与像素电极不接触。

进一步地，所述在过孔中制作第一隔断电极包括涂布一层导电材料，通过光刻工艺使位于过孔以外的导电材料被蚀刻掉，从而形成第一隔断电极。

进一步地，所述在像素电极的外周制作一周与第一隔断电极位置相对的第二隔断电极包括涂布一层导电材料，通过光刻工艺形成第二隔断电极。

本发明与现有技术相比，通过在色阻的四周增加延伸区域，减小了黑色矩阵的线宽，从而使重叠的区域不在像素电极中，而且也不改变像素电极的大小；在延伸区中设置第一隔离电极，在像素电极外周设置与第一隔离电极对应的第二隔离电极，施加相同的电压，达到遮蔽的作用，从而使位于像素电极位于边缘的液晶分子不受重叠部分的干扰，影响配向，减少像素电极边缘位置配向暗纹的出现。

附图说明

图1是本发明彩色滤光片基板中制作黑色矩阵的示意图；

图2是本发明彩色滤光片基板中制作第一隔断电极的示意图；

图3是本发明彩色滤光片基板中制作ito导电膜的示意图；

图4是本发明阵列基板中制作第二隔断电极的示意图；

图5是本发明组装成盒后的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

图1-5中示出的仅为与本发明相关的膜层或电极结构，其中省略或夸大了层和区域的厚度以及尺寸，但是值得注意的是，结合附图所示出的示意性附图以及实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。

如图5所示，本发明的一种显示面板，此处，显示面板的显示模式为psva显示模式，所述显示面板包括阵列基板1和彩色滤光片基板2，在阵列基板1和彩色滤光片基板2之间设置有液晶3，其中，阵列基板1的常规结构与现有技术中tft(薄膜晶体管)阵列基板的结构相同，而彩色滤光片基板2的常规结构也与现有技术中用于psva显示模式的彩色滤光片基板的结构相同；本发明的改进之处仅在于增加第一隔断电极24以及第二隔断电极12。

阵列基板主要包括基板、设于基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、层间绝缘层、平坦层、公共电极、钝化层、像素电极，其中上述部件的具体设置形式或位置均可根据需要进行改变；

所述彩色滤光片基板2包括色阻21、黑色矩阵22，所述色阻21的四周与黑色矩阵22之间设置有延伸区域23，所述延伸区域23位于像素电极11的边缘外，从而减少了黑色矩阵22的线宽，使色阻21与黑色矩阵22的交叠部分位于每个像素电极的区域外，在延伸区域23中设置有由导电材料构成的第一隔断电极24；

所述阵列基板1的像素电极11与色阻21一一对应设置，所述像素电极11的外周设有一周与第一隔断电极24位置相对的第二隔断电极12，第二隔断电极12与像素电极11不接触，两者之间不会产生串扰；

第一隔断电极24与第二隔断电极12所施加的电压相同，但本发明不限于此，还可以采用第一隔断电极24与彩色滤光片2中的公共电极电连接；所述第二隔断电极12与阵列基板1中的公共电极连接；所述彩色滤光片基板2中的公共电极与阵列基板1中的公共电极所施加的电压相同。采用与公共电极电连接，可以免去需另外布置供电线路的问题。对第一隔断电极24和第二隔断电极12的供电可采用在相应的层上例如同一层通过光刻工艺制作相应的线路，在此不做具体限定。

通过上述方式，使延伸部分23保持全黑取代现有黑色矩阵22的部分功能，这样能够保证像素电极大小不变的前提下，像素电极的边缘不存在于色阻21与黑色矩阵22交叠部分中，即交叠部分设于每个像素电极的边缘外，使液晶分子在像素电极边缘区域不会受到交叠部分的干扰，影响配向，从而减少像素电极边缘配向暗纹的出现。

本发明中，所述延伸区域23的宽度不小于2um，而黑色矩阵22的线宽不小于2um，且不大于两个色阻21的延伸区域23之间的间距，此处两个色阻21的延伸区域23之间的宽度可根据需要进行调整，仅需保证黑色矩阵22的线宽不小于2um即可。

第一隔断电极24和第二隔断电极12的形状相适配，例如矩形、圆形等，在此不做具体限定。

所述第一隔断电极24与第二隔断电极12采用相同的导电材料制成，优选为ito(氧化铟锡)导电材料。

本发明的一种显示面板的制作方法，包括阵列基板的制作以及彩色滤光片基板的制作；

其中，阵列基板的制作方法采用现有技术的制程进行制作；例如栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、层间绝缘层、平坦层、公共电极、钝化层、像素电极的制作均采用现有技术的制程实现，在此不做详细说明；其中上述部件的具体设置形式或位置均可根据需要进行改变；

在阵列基板的制作中，在制作像素电极11后，在像素电极11的外周制作一周与第一隔断电极24位置相对的第二隔断电极12，第二隔断电极12与像素电极11不接触，具体为涂布一层导电材料，对导电材料进行光刻工艺形成第二隔断电极12。但本发明不限于此，也可以采用在制作像素电极11时，通过光刻工艺，在形成像素电极11的同时形成第二隔断电极12(图4所示)，本发明中光刻工艺可以为黄光工艺，在此不做具体限定。

彩色滤光片基板的制作方法如下，下面仅针对设计本发明的改进之处的部分制作进行说明，但本发明并不限于此：

如图1所示，在基板100上涂布黑色光阻材料，对黑色光子材料进行光刻工艺形成黑色矩阵22，黑色矩阵22的线宽小于现有技术中黑色矩阵的线宽；

如图2所示，进行色阻21的制作，通过光刻工艺进行r、g、b等色阻21的制作，此时，由于黑色矩阵22的线宽变小，因此在色阻21的四周形成了延伸区域23；

在延伸区域23中通过光刻工艺制作过孔，在过孔中制作第一隔断电极24；具体为涂布一层导电材料，通过光刻工艺使位于过孔以外的导电材料被蚀刻掉，从而在过孔中形成第一隔断电极24，光刻工艺可以为黄光工艺，在此不做具体限定；涂布一层导电材料具体为在色阻以及黑色矩阵上涂布一层导电材料。

涂布一层ito材料形成ito导电层25(图4所示)，具体为在黑色矩阵以及色阻以及第一隔断电极24上涂布一层ito材料，形成ito导电层25；

最后，对阵列基板以及彩色滤光片基板进行配向膜(pi)制程以及odf(液晶滴下制程并成盒后(图5所示)，进行psva、激光切割、贴偏光片以及cof基板的贴附等工艺。

上述制作方法中，第一隔断电极24和第二隔断电极12可采用单独布线的形式进行独立的供电，也可以将其与公共电极通过过孔接触，实现供电，在此不作具体限定。采用独立布线的方式可通过光刻工艺形成相应的导线实现。

所述延伸区域23的宽度不小于2um，而黑色矩阵22的线宽不小于2um，且不大于两个色阻21的延伸区域23之间的宽度，此处两个色阻21的延伸区域23之间的宽度可根据需要进行调整，仅需保证黑色矩阵22的线宽不小于2um即可。

第一隔断电极24和第二隔断电极12的形状相适配，例如矩形、圆形等，在此不做具体限定。

所述第一隔断电极24与第二隔断电极12采用相同的导电材料制成，优选为ito导电材料。

本发明通过降低彩色滤光片基板黑色矩阵的线宽，并在色阻周围增加延伸区域以及第一隔断电极，对应地在阵列基板的像素电极外制作与第一隔断电极相对应的第二隔断电极，并输入相同的电压，使第一隔断电极和第二隔断电极的电压保持一致，从而保持延伸区域全黑取代黑色矩阵的部分功能，同时还保持了像素电极大小不变而且像素电极边缘不存在色阻与黑色矩阵的交叠部分，使液晶分子在像素电极边缘区域不会受到焦点交叠部分的干扰，影响配向，从而减少像素电极边缘配向暗纹出现。

虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。