彩膜基板、显示面板及彩膜基板的制备方法与流程

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种彩膜基板、显示面板及彩膜基板的制备方法。

背景技术：

液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

主动式液晶显示器中，每个子像素具有一个薄膜晶体管(tft)，其栅极(gate)连接至水平扫描线，漏极(drain)连接至垂直方向的数据线，源极(source)则连接至像素电极。在水平扫描线上施加足够的电压，会使得该条水平扫描线上的所有tft打开，此时该条水平扫描线上的像素电极会与垂直方向上的数据线连通，从而将数据线上的显示信号电压写入像素，控制不同液晶的透光度进而达到控制色彩的效果。

通常液晶显示面板由cf(彩膜)基板、tft(薄膜晶体管)基板、夹于cf基板与tft基板之间的液晶材料及密封胶(sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(cell)制程(tft基板与cf基板贴合)及后段模组(module)制程(驱动电路(ic)与印刷电路板压合)。其中，前段阵列制程主要是形成tft基板，以便于控制液晶分子的运动；中段成盒制程主要是在tft基板与cf基板之间添加液晶；后段模组制程主要是驱动电路压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

随着曲面屏的市场扩大，液晶屏采用coa(阵列上彩膜)以及poa(阵列上光阻间隔物)的工艺技术越来越广泛，将rgb滤光片以及光阻间隔物(ps)制作在阵列(array)基板上可以有效的避免大视角色偏以及漏光风险。

然而，若使用了coa以及poa工艺制程，采用注射(inject)工艺来进行pi(聚亚酰胺)配向膜工艺制作的话，cf基板上的pi配向膜就无法控制其涂布精度，为了避免显示区cf基板上pi膜厚不均导致画面不均，因此通常情况下，cf基板上的pi配向膜会超出用作框胶的密封胶(sealant)涂布位置，全覆盖cf基板。这也导致了水汽容易通过cf基板上的pi配向膜进入面板内部，导致面板内部器件寿命缩短或面板内部线路发生腐蚀，使得面板显示异常。

技术实现要素：

因此，本发明的目的在于提供一种彩膜基板，控制cf侧配向膜的边界。

本发明的另一目的在于提供一种显示面板，控制cf侧配向膜的边界。

本发明的再一目的在于提供一种彩膜基板的制备方法，制备控制cf侧配向膜的边界的彩膜基板。

为实现上述目的，本发明提供了一种彩膜基板，包括第一玻璃基板，以及在该第一玻璃基板朝向阵列基板的表面上所形成的挡墙，该挡墙为该第一玻璃基板自身的表面凸起结构，所述挡墙位于非显示区。

其中，所述挡墙包括间隔设置的第一挡墙和第二挡墙。

其中，所述第一挡墙和第二挡墙分别呈封闭状环绕该第一玻璃基板的中央。

其中，所述第一挡墙和第二挡墙呈矩形。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板，包括彩膜基板、阵列基板，所述彩膜基板包括：第一玻璃基板，以及在该第一玻璃基板朝向阵列基板的表面上所形成的挡墙，该挡墙为该第一玻璃基板自身的表面凸起结构，所述挡墙位于非显示区，所述显示面板为采用阵列上彩膜工艺制备的显示面板。

为实现上述目的，本发明提供了一种彩膜基板的制备方法，包括：

步骤1、提供第一玻璃基板；

步骤2、在所述第一玻璃基板上涂布遮挡层；

步骤3、采用蚀刻剂对所述第一玻璃基板进行蚀刻，将未被所述遮挡层遮挡的第一玻璃基板蚀刻掉，得到挡墙；

步骤4、去除遮挡层。

其中，所述遮挡层为框胶。

其中，所述遮挡层包括间隔设置的第一遮挡层和第二遮挡层，所述挡墙包括第一挡墙和第二挡墙。

其中，所述第一挡墙和第二挡墙分别呈封闭状环绕该第一玻璃基板的中央。

其中，所述蚀刻剂为氟化氢。

综上，本发明的彩膜基板、显示面板及彩膜基板的制备方法，利用cf侧玻璃基板自身做配向膜挡墙设计，可任意控制cf侧配向膜的边界，防止水气通过cf侧配向膜进入面板内部造成线路腐蚀。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。

附图中，

图1为本发明彩膜基板的制备方法一较佳实施例的工艺制程示意图；

图2为本发明彩膜基板一较佳实施例的截面示意图；

图3为含有本发明彩膜基板的lcd的工艺流程示意图。

具体实施方式

参见图1，其为本发明彩膜基板的制备方法一较佳实施例的工艺制程示意图，左侧视图和右侧视图分别从不同角度展示了工艺制程。该彩膜基板的制备方法主要包括：

步骤1、提供第一玻璃基板1，即提供cf侧玻璃基板；

步骤2、在所述第一玻璃基板1上涂布遮挡层2；

所述遮挡层2的区域对应欲制备的挡墙；遮挡层2可以为密封胶，即框胶；在第一玻璃基板1上根据欲制备的挡墙的形状和位置涂布密封胶(即框胶)，框胶选择可不被蚀刻剂腐蚀的材料，涂胶区域视所需cf侧配向膜位置而定，配向膜可以为聚亚酰胺(pi)膜；

步骤3、采用蚀刻剂对所述第一玻璃基板1进行蚀刻，将未被所述遮挡层2遮挡的第一玻璃基板1蚀刻掉，得到挡墙；

使用蚀刻剂对cf侧玻璃基板进行蚀刻，蚀刻剂可选择氟化氢，有用密封胶涂布的区域会阻挡氟化氢蚀刻，蚀刻前第一玻璃基板1高度为h；

步骤4、去除遮挡层；

去除密封胶，形成配向膜挡墙结构，即第一挡墙3和第二挡墙4，蚀刻后第一玻璃基板1高度为h－l，第一挡墙3和第二挡墙4高度为l。

在此较佳实施例中，欲制备的挡墙包括分别呈封闭状环绕该第一玻璃基板1中央的第一挡墙3和第二挡墙4，第一挡墙3和第二挡墙4可以呈矩形。遮挡层2包括间隔设置的第一遮挡层和第二遮挡层，从而所对应形成的挡墙包括第一挡墙3和第二挡墙4。

根据本发明彩膜基板的制备方法，可以制备本发明的彩膜基板及包含本发明彩膜基板的显示面板。

参见图2，其为本发明彩膜基板一较佳实施例的截面示意图，为便于理解本发明，图2中还包括了相关的彩膜基板和阵列基板结构。本发明的彩膜基板主要包括：第一玻璃基板(即cf侧玻璃基板)10，以及在该第一玻璃基板10朝向第二玻璃基板(即tft侧玻璃基板)20的表面上所形成的挡墙，在此较佳实施例中包括第一挡墙11和第二挡墙12，该第一挡墙11和第二挡墙12为该第一玻璃基板10自身的表面凸起结构，第一挡墙11和第二挡墙12可以位于非显示区。在该较佳实施例中，第一挡墙11和第二挡墙12为间隔设置，可以分别呈封闭状环绕该第一玻璃基板10的中央；第一挡墙11和第二挡墙12可以呈矩形。第一玻璃基板10表面上设有黑色矩阵13，氧化铟锡电极14，以及配向膜15。第一玻璃基板10和第二玻璃基板20之间采用密封胶30作为框胶封装相对在一起。第二玻璃基板20表面也相应设有配向膜21，并且对应于第一挡墙11和第二挡墙12也分别设有配向膜挡墙22和23。

本发明的第一挡墙11和第二挡墙12的位置可视情况做调整；配向液涂布至第一挡墙11和第二挡墙12之间，则第一挡墙11的作用是防止配向液往密封胶30外侧流动，第二挡墙12的作用防止配向液往有效显示区(aa)流动。

本发明利用cf侧基板玻璃自身进行配向膜挡墙制作，适用于所有配向膜采用注射工艺的lcd产品。在注射工艺下可任意控制cf侧配向膜的边界，防止水气通过cf侧配向膜进入面板内部造成线路腐蚀，防止配向液回流导致画面出现漏光。

参见图3，其为含有本发明彩膜基板的lcd的工艺流程示意图。由于本发明是利用cf侧基板玻璃自身进行配向膜挡墙制作，因此可与各种现有lcd工艺流程结合，仅需在cf基板侧制程中加入配向膜挡墙制作的步骤即可。图3中从tft基板侧制程(coa)和cf基板侧制程(coa)两方面来说明整个显示面板的工艺流程，该显示面板采用阵列上彩膜工艺制备。

tft基板侧制程(coa)：顺序制备第一层金属(即栅极金属)，栅极绝缘层(gi)，第二层金属(即源漏极金属)，rgb色阻，钝化层(pv)，氧化铟锡(ito)电极，配向膜(pi)。

cf基板侧制程(coa)：顺序进行玻璃挡墙蚀刻，制备黑色矩阵(bm)，氧化铟锡(ito)电极，配向膜(pi)，涂密封胶。

进行成盒(cell)制程，将tft基板和cf基板贴合到一起。

综上，本发明的彩膜基板、显示面板及彩膜基板的制备方法，利用cf侧玻璃基板自身做配向膜挡墙设计，可任意控制cf侧配向膜的边界，防止水气通过cf侧配向膜进入面板内部造成线路腐蚀。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。