蚀刻装置的制作方法

文档序号:11179072阅读:895来源:国知局
蚀刻装置的制造方法

本实用新型涉及电子工业领域,具体地,涉及一种用于蚀刻处理的蚀刻装置。



背景技术:

许多电子产品例如电视、移动电话、冰箱或甚至在汽车中都可见与平板显示器的搭配应用。液晶显示面板由于具有良好的显示及触控质量以及相对较低的成本,目前已成为平板显示器的主流产品。一般来说,液晶显示及触控面板需经由一至二道蚀刻工艺,完成导电线路成型的工艺。蚀刻机使用的频度极高,各大面板厂在蚀刻房建制成本逐步提升。因此,对于作为蚀刻液的酸液气的腐蚀性防护处理,显的格外重要。

因此,亟需这样的一种蚀刻装置,其能够有效避免酸蚀刻液和/或蚀刻气外泄,从而避免对人员可能发生的伤害及蚀刻房锈蚀。



技术实现要素:

本实用新型的目的是为了提供一种能够有效避免蚀刻过程中蚀刻液和/ 或蚀刻气,例如,酸和/或酸气,外泄的技术方案。

为了实现上述目的,本实用新型提供了一种蚀刻装置,该蚀刻装置包括:

蚀刻区,该蚀刻区允许待蚀刻物件在其中进行蚀刻处理,且该蚀刻区的上部呈突起状,所述突起的外侧面与所述蚀刻装置的外壁内侧是间隔开的;

水封区,该水封区由所述蚀刻装置的外壁内侧、所述突起的外侧面和所述蚀刻区的顶部所形成,该水封区用于捕获由所述蚀刻区外逸的蚀刻液和/或蚀刻气。

优选的,所述突起为锥体状、圆柱状或多面体状。

优选的,所述水封区通过流体入口和流体出口被持续的供给用于捕获外漏的蚀刻液和/或蚀刻气的流体。

优选的,所述水封区还包括溢流出口,该溢流出口用于外排过量的流体,以使得所述水封区内的流体的高度等于或低于所述突起的高度。

优选的,所述水封区还包括抽气孔,该抽气孔用于外排由所述蚀刻区外逸的蚀刻气和/或蚀刻液,且其高度高于水封区中流体的高度。

优选的,所述蚀刻装置还包括内盖,该内盖用于封闭位于所述蚀刻区上部突起的开口。

优选的,所述内盖是蚀刻气和/或蚀刻液可透过的。

优选的,所述蚀刻装置还包括外盖,该外盖用于封闭整个蚀刻装置。

优选的,所述外盖是蚀刻气和/或蚀刻液不可透过的。

优选的,所述外盖呈水平状或中间高两端低的折角状。

通过在蚀刻装置中设置水封区,在刻蚀机启动之后,在所述水封区内持续补给能够捕获蚀刻液和/或蚀刻气的流体并将捕获的蚀刻液和/或蚀刻气送至待处理处,可有效避免蚀刻液和/或蚀刻气外泄到蚀刻房里,造成污染锈蚀。优选的情况下,在水封区高于流体的位置,设置一抽风口,将蚀刻装置中剩余的蚀刻液和/或蚀刻气持续抽离,可进一步降低蚀刻液和/或蚀刻气的外逸。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型,但并不构成对本实用新型的限制。在附图中:

图1是根据本实用新型一种实施方式的蚀刻装置的示意图。

附图标记说明

1 蚀刻区 2 水封区 21 抽气孔

3 流体入口 4 流体出口 5 溢流口

6 内盖 7 外盖

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限制本实用新型。

在本实用新型中,在未作相反说明的情况下,使用的术语如:

“上部”是指蚀刻装置水平放置时,蚀刻区1水平线最高处所形成的突起;

“突起的外侧面”是指突起部位背离蚀刻区1而面向水封区2的侧面;

“蚀刻装置的外壁内侧”是指蚀刻装置外壳的内侧,也即,面向水封区2或是蚀刻区1的一面;

“蚀刻区1的顶部”是指蚀刻区1未与蚀刻装置的外壁内侧间隔开的部分的水平线最高处。

如图1所示,本实用新型提供了一种蚀刻装置,该蚀刻装置包括蚀刻区 1,该蚀刻区1允许待蚀刻物件在其中进行蚀刻处理,且该蚀刻区1的上部呈突起状,所述突起的外侧面与所述蚀刻装置的外壁内侧是间隔开的;水封区2,该水封区2由所述蚀刻装置的外壁内侧、所述突起的外侧面和所述蚀刻区1的顶部所形成,该水封区2用于捕获由所述蚀刻区1外逸的蚀刻液和 /或蚀刻气。

根据本实用新型,一般情况下,所述蚀刻区1向外散逸的主要为蚀刻液所形成的蚀刻气或者为蚀刻区1的喷嘴喷洒蚀刻液所散逸成的微小液滴,而所述外漏的蚀刻液基本上是指由所述外逸的蚀刻气冷凝后所形成的蚀刻液滴和所述微小液滴。

根据本实用新型,所述蚀刻区1的上部突起的形状没有特别的要求,只要其外侧面和所述蚀刻区1的顶部以及所述蚀刻装置的外壁内侧能够形成可存储流体的通道即可。例如,所述突起的形状可以为但不限于椎体状、圆柱状或多面体状。优选的,所述突起的形状为多面体状,更优选为长方体状(包括正方体状)。

本实用新型提供的蚀刻装置还可以包括多个蚀刻区1和水封区2所形成的重复单元,例如,所述重复单元可以有多个,如可以有三个或四个。但实用新型并不限于此,还可以有更多个,如5个或6个。蚀刻液通常通过喷淋的方式喷洒在蚀刻区1内的待蚀刻物件上,当蚀刻装置包括蚀刻区1和水封区2的重复单元时,待蚀刻物件可以按照顺序依次在多个重复单元内分别经过一段时间的喷淋后,完成整个蚀刻处理。在实用新型的技术方案中,主要是在蚀刻装置中(蚀刻区1的外周)设置了水封区2,以吸收外逸的蚀刻液和/或蚀刻气,从而有效避免蚀刻液和/或蚀刻气的外漏给工作人员以及蚀刻房造成的危害,而并未对蚀刻装置的结构及其工作过程做重大改进,因此可以参考传统的蚀刻装置进行时刻处理。

根据本实用新型,如图1所示的,所述突起还包括有向上的开口,由此,本实用新型所提供的蚀刻装置还包括用于封闭所述开口的内盖6和整个蚀刻装置的外盖7。其中,为了实现所述蚀刻区1内的水汽平衡,所述内盖6的材质是蚀刻液和/或蚀刻气所能够通透的(酸气或酸液因蚀刻槽内喷淋,蚀刻液呈现雾状的水汽,酸气流动性高,故内层盖板无法完全将酸气隔绝,因此,酸气可进入到内盖6和外盖7所形成的空间),例如,可以为PVC材质。当所述蚀刻气穿透所述内盖6进入至内盖6和外盖7所形成的空间后,由于温度的降低,会部分冷凝形成蚀刻液滴从而粘附在所述外盖7的内侧(其中,所述外盖7的材质为蚀刻液和/或蚀刻气不可通透的,例如,可以为但并不限于不可通透的PVC材质)。当液滴不断增重至超过其负荷后便会滴落至所述水封区2中,而被水封区2中的流体带走。

其中,本实用新型对于所述外盖7的形状没有特别的要求,其可以为水平状的,或是具有一定倾角的。优选的,为了便于所述蚀刻液滴能够更好的滴落至所述水封区2中,所述外盖7的形状优选为中间高而两端低的折角状。

根据本实用新型,所述水封区2通过不断的流体流动而将滴落至水封区 2中的蚀刻液带走,其中,本实用新型对于水封区2内的流体的种类并没有特别的限制,例如,其可以为纯水或碱水等,只要其能够将所述蚀刻液带离至待处理处而不会对蚀刻工艺造成影响即可。

其中,如图1所示的,所述水封区2还包括流体入口3和流体出口4,所述流体的流动通过所述流体入口3和流体出口4不断的供给流体而完成。所述流体的流动速度本领域技术人员可以根据实际待处理的蚀刻液的情况进行调整。

其中,优选的,为了进一步保证水封区2中的流体的高度不会超过所述突出部位以造成流体内漏至蚀刻区1中,所述水封区2还包括有溢流口5,以使得水封区2内的流体相对于所述突出的高度达到平衡状态。

根据本实用新型,所述蚀刻区1中的蚀刻液可以为本领域任意的常规用于蚀刻的蚀刻液,本领域技术人员可以根据具体的情况而具体的选择,例如,所述蚀刻液为可以为酸。

根据本实用新型的一种更为优选的实施方式,为了进一步防止蚀刻液和 /或蚀刻气的外漏,如图1所示的,本实用新型的蚀刻装置的水封区2还包括一个或多个抽气孔21,以进一步外排没有滴落至水封区2的流体中的蚀刻液和/或蚀刻气,从而更加有效地防止蚀刻液和/或蚀刻气的外漏。

其中,所述抽气孔21的高度高于水封区2中流体的高度,以能够顺利的将剩余的蚀刻气以及蚀刻液抽走。所述抽气孔21的高出水封区2中流体的高度以使得在抽气系统启动后不会或基本上不会由于抽力的作用而将水封区2中的流体抽走。

现结合图1对本实用新型的一种具体的实施方式进行详细介绍。

首先,将水封区2中的流体入口3打开,并控制流量,使作为流体的水流入水封区2内,待水封区2中的水达到预定的高度时,打开流体出口4以及溢流口5,同时调整水流量使得入水与出水和溢流情况稳定并达到平衡状态,在所述平衡状态时,水封区内水的高度低于所述突起的高度(其中,所述突起呈正方体状)。待水封区2中的入水和出水达到平衡状态后,盖上蚀刻液和蚀刻气可透过的内盖6,同时开启抽气系统,并保证设置在水封区2 中高于流体水的位置处的抽气孔21正常运作。之后,盖上蚀刻液和蚀刻气不可透过的水平外盖7并启动蚀刻区1内的蚀刻工序。其中,所述蚀刻区1 内设置有多个向待蚀刻物件喷射蚀刻液的喷嘴,在喷射蚀刻液的过程中蚀刻液会部分散逸为微小的液滴,并通过所述内盖6而逃离到内盖6和外盖7所形成的空间,另外,在蚀刻的过程中所产生的蚀刻气也会通过所述内盖6而逃离到内盖6和外盖7所形成的空间。当逃离的微小液滴粘附在外盖7下层并累积成超过其负荷的水珠后便会滴落至水封区2内,从而被水封区2中流水所带走,而未形成水珠的微小液滴或蚀刻气则会通过抽气孔21而被抽离出体系外。

通过采用本实用新型提供的蚀刻装置,可有效地避免蚀刻过程中蚀刻液和/或蚀刻气外漏至机房中,从而避免对工作人员造成的伤害以及对其他部件所造成的污染锈蚀。此外,本实用新型提供的蚀刻装置操作方便,设备结构也比较简单,且水封区2的维修和清洗液较为方便和容易。

以上结合附图详细描述了本实用新型的优选实施方式,但是,本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节,在本实用新型的技术构思范围内,可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。

另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复,本实用新型对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外,本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本实用新型的思想,其同样应当视为本实用新型所公开的内容。

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