一种干膜显影方法与流程

文档序号:15163360发布日期:2018-08-14 17:05阅读:2344来源:国知局

本发明属于电子器件制造技术领域,具体涉及一种干膜显影方法。



背景技术:

干膜技术应用于形成rn5041薄膜精密分压电阻网络的电阻体图形,图形的质量直接影响产品的质量。在干膜显影过程中原来采用的方式是静置显影,会造成基片表面形成絮状层,阻挡进一步显影。

曝光后基片在显影液中浸泡时间较长,会导致显影后产品表面干膜起皮、起泡;而显影时间较短,表面边缘则有锯齿状过多,甚至出现大面积剥离现象,而则一组矛盾还存在重叠。大概每片有60%的电阻单元会出现如图1中出现的严重锯齿状边缘,而在随后的激光调阻中会导致余切量过小而产生质量隐患,甚至有的基片出现大面积剥离而报废。



技术实现要素:

为了解决上述问题,本发明提供了一种干膜显影方法,避免显影之后表面边缘有锯齿状产生。

本发明的技术方案为:一种干膜显影方法,包括以下步骤:

(1)将干膜显影槽用去离子水清洗干净;

(2)向干膜显影槽中加入干膜显影剂;

(3)将待显影的基片放入所述干膜显影剂中,喷淋浸泡;

(4)在显影过程中,采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面;

(5)显影结束之后,取出已显影的基片,清洗干净,并吹干。

本发明经分析基片显影之后表面边缘则有锯齿状,该现象产生的原因是由于在静置显影时,干膜溶解的物质在基片表面形成了絮状层,而该絮状层阻挡了进一步显影。

由上述分析之后,本发明在现有干膜显影技术中,在显影过程中,采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面,将絮状层以物理方式破坏,从而减少该絮状层对显影产生的影响,干膜本身有一定硬度,所以软毛刷不足以影响干膜本身。

本发明中的基片可以为多种现有常规的产品结构,作为优选,所述基片为rn5041薄膜精密分压电阻。

与现有技术相比,本发明的有益效果体现在:

本发明使用软毛刷轻微的来回刷洗并减少絮状层对产品的影响,经过多批次验证,本发明起到很大的改善,齿状边缘出现的频率(从60%降为10%),同时显影矛盾的解决和效率提升,生产速率得到了明显的改善。增加了显影效率(速度由5m/30s~7m/30s降至2m/30s),因此本发明有效的增加显影质量,减少锯齿状边缘出现的频率,增加了显影效率。

附图说明

图1为本发明改善前的产品示意图。

图2为本发明改善后的产品示意图。

具体实施方式

实施例1

一种干膜显影方法,包括以下步骤:

(1)将干膜显影槽用去离子水清洗干净;

(2)向干膜显影槽中加入干膜显影剂;

(3)将待显影的基片(rn5041薄膜精密分压电阻)放入所述干膜显影剂中,喷淋浸泡;

(4)在显影过程中,采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面;

(5)显影结束之后,取出已显影的基片,清洗干净,并吹干。

注:本发明中除了在显影过程中,采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面以外的步骤,均为现有常规方法,因此本发明在此不做赘述。

本发明中显影过程中采取使用软毛刷轻微的来回刷洗,将絮状层以物理方式破坏,从而减少该絮状层对显影产生的影响。干膜本身有一定硬度,所以软毛刷不足以影响干膜本身。

采用上述方法经过多批次验证,该方法起到很大的改善,齿状边缘出现的频率(从60%降为10%),(见图2:改善后效果),同时显影矛盾的解决和效率提升,生产速率得到了明显的改善,增加了显影效率(速度由5m/30s~7m/30s降至2m/30s)。

在rn5041薄膜精密分压电阻(约900只)发货产品时因本发明的方法改进收益,特别表现在发货周期的提前的时候(周期缩短了1周左右的时间),同时后续的合格率也明显提升(40%升至60%),对质量的提升和质量一致性有明显的贡献。该改善虽是流程改善,但考虑到rn5041的售价较高,如果按100元/只计算,该技术改进的贡献幅度可能近千元升至更高。未来rn5041的发货仍可能进一步上升,加之如果将改进后的干膜技术引入其它溅射阻挡领域(例如研发的滤波器正在尝试),后期效益不可估计。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种干膜显影方法,包括以下步骤:(1)将干膜显影槽用去离子水清洗干净;(2)向干膜显影槽中加入干膜显影剂;(3)将待显影的基片放入所述干膜显影剂中,喷淋浸泡;(4)在显影过程中,采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面;(5)显影结束之后,取出已显影的基片,清洗干净,并吹干。本发明使用软毛刷轻微的来回刷洗并减少絮状层对产品的影响,经过多批次验证,本发明起到很大的改善,齿状边缘出现的频率(从60%降为10%),同时显影矛盾的解决和效率提升,生产速率得到了明显的改善。增加了显影效率(速度由5m/30s~7m/30s降至2m/30s),因此本发明有效的增加显影质量,减少锯齿状边缘出现的频率,增加了显影效率。

技术研发人员:汪培;韩玉成;张弦;廖东
受保护的技术使用者:中国振华集团云科电子有限公司
技术研发日:2018.05.04
技术公布日:2018.08.14
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