一种触控层的制作方法及设备与流程

本发明实施例涉及电子产品制作技术领域，特别是涉及一种触控层的制作方法及设备。

背景技术

随着科技的发展，带有触摸功能的电子产品在生活中的应用越来越广泛。目前，玻璃结构的触控层的制作一般采用黄光工艺，并且采用非接触曝光的方式进行曝光。即铬板膜面与光刻胶层之间存在一定的间隙，由于光存在散射，间隙的存在使曝光时的实际受光区域会大于设计区域，极大的影响了触控层对精细线宽的要求。例如目前市场上的metalmesh等对线条要求在5um甚至是4um以下，如果采用非接触式曝光，对曝光机要求很高，并且设备及其昂贵，一般的非接触式曝光机很难满足。而采用接触式曝光的方式制作触摸屏时，铬板膜面需要与光刻胶直接接触，这种方式消除了间隙，可以在很大程度上提高曝光精度，但是，采用接触式曝光制作触控层时，光刻胶容易与铬板粘结，从而造成光刻胶上的图案断线，使触控层的制作良率降低。

鉴于此，如何提供一种解决上述技术问题的触控层制作方法及设备成为本领域技术人员目前需要解决的问题。

技术实现要素：

本发明实施例的目的是提供一种触控层的制作方法及设备，在使用过程中能够避免光学胶层在曝光后出现图案断线现象的发生，在确保曝光精度的同时提高了触控层的制作良率。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种触控层的制作方法，包括：

向光刻胶层上溅镀透光膜层；

采用曝光光源通过铬板膜面及所述透光膜层对所述光刻胶层进行曝光处理，使所述铬板膜面上的图案转移至所述光刻胶层上；其中，所述铬板膜面与所述透光膜层直接接触；

将所述铬板从所述透光膜层上移开，并去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层，得到带有所述图案的光刻胶层。

可选的，所述去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层的过程为：

采用化学蚀刻的方法对位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层进行蚀刻处理，以去除所述透光膜层。

可选的，所述向光刻胶层上溅镀透光膜层的过程为：

所述向光刻胶层上溅镀氧化铟锡膜层。

可选的，所述采用化学蚀刻的方法对位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层进行蚀刻处理，以去除所述透光膜层的过程为：

采用酸刻蚀的方式对位于曝光后的光刻胶层上的氧化铟锡膜层进行蚀刻处理，以去除所述氧化铟锡膜层。

可选的，所述向光刻胶层上溅镀氧化铟锡膜层的过程为：

采用磁控溅镀的方式将氧化铟锡溅镀至所述光刻胶层的表面形成氧化铟锡膜层。

可选的，所述采用磁控溅镀的方式将氧化铟锡溅镀至所述光刻胶层的表面形成氧化铟锡膜层的过程为：

采用磁控溅镀的方式通过包含铌的氧化铟锡靶材将氧化铟锡溅镀至所述光刻胶层的表面形成氧化铟锡膜层。

可选的，还包括通过酸蚀刻的方法对位于所述光刻胶层下方的金属层进行蚀刻处理，以便所述金属层形成具有所述图像的金属电极。

本发明实施例还提供了一种触控层的制作设备，包括：

溅镀装置，用于向光刻胶层上溅镀透光膜层；

曝光装置，用于采用曝光光源通过铬板膜面及所述透光膜层对所述光刻胶层进行曝光处理，使所述铬板膜面上的图案转移至所述光刻胶层上；其中，所述铬板膜面与所述透光膜层直接接触；

清洁装置，用于将所述铬板从所述透光膜层上移开，并去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层，得到带有所述图案的光刻胶层。

本发明实施例提供了一种触控层的制作方法及设备，包括向光刻胶层上溅镀透光膜层；采用曝光光源通过铬板膜面及透光膜层对光刻胶层进行曝光处理，使铬板膜面上的图案转移至光刻胶层上；其中，铬板膜面与透光膜层直接接触；将铬板从透光膜层上移开，并去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层，得到带有图案的光刻胶层。

可见，本发明实施例在制作触控层的过程中，铬板与溅镀于光刻胶层上的透光膜层直接接触，并通过所述透光膜层对光刻胶层进行曝光处理，使铬板上的图案通过曝光的方式转移至光刻胶层上，在曝光结束后将铬板从透光膜层上移开，并去除掉透光膜层即可得到带有完整图案的光刻胶层。本申请在曝光过程中避免了铬板与光刻胶层的直接接触，从而避免光学胶层在曝光后出现图案断线现象的发生，在确保曝光精度的同时提高了触控层的制作良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种触控层的制作方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种触控层的制作方法的流程示意图；

图3为本发明实施例提供的一种触控层的制作设备的结构示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种触控层的制作方法及设备，在使用过程中能够避免光学胶层在曝光后出现图案断线现象的发生，在确保曝光精度的同时提高了触控层的制作良率。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参照图1，图1为本发明实施例提供的一种触控层的制作方法的流程示意图。

该方法包括：

s11：向光刻胶层上溅镀透光膜层；

s12：采用曝光光源通过铬板膜面及透光膜层对光刻胶层进行曝光处理，使铬板膜面上的图案转移至光刻胶层上；其中，铬板膜面与透光膜层直接接触；

s13：将铬板从透光膜层上移开，并去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层，得到带有图案的光刻胶层。

需要说明的是，触控层中从下至上依次包括玻璃基板、第一金属电极层、绝缘层和第二金属电极层，在制作触控层时需要通过光刻胶层制作位于最上方的金属电极层，所以光刻胶层的曝光是制作触控层的重要的环节。

具体的，本发明实施例中在对光刻胶层曝光时不需要铬板膜面与光刻胶层直接接触，而是在光刻胶层上溅镀一层透光膜层，使铬板膜面与透光膜层直接接触，采用曝光光源通过铬板及透光膜层对光刻胶层进行曝光处理，由于透光膜层很薄(具体可以为纳米级的透光膜层)，所以可以相比于非接触式曝光，曝光精度要大大提高。又因为铬板与光刻胶层之间设有透光膜层，所以在曝光完成后将铬板取下时铬板不会与光刻胶层发生粘连，光刻胶层上曝光得到的图案就不会出现断线的现象，只需要将位于光刻胶层上方的透光膜层去除掉即可得到曝光后的、带有预设图案的光刻胶层，也即曝光后的光刻胶层上的图案完整，没有损坏，进而就可以根据该光刻胶层上的图案进行后续的触控层制作过程，其中，预设图案即为铬板上的图案。可见，本发明实施例在制作触控层的过程中，铬板与溅镀于光刻胶层上的透光膜层直接接触，并通过透光膜层对光刻胶层进行曝光处理，使铬板上的图案通过曝光的方式转移至光刻胶层上，在曝光结束后将铬板从透光膜层上移开，并去除掉透光膜层即可得到带有完整图案的光刻胶层。本申请在曝光过程中避免了铬板与光刻胶层的直接接触，从而避免光学胶层在曝光后出现图案断线现象的发生，在确保曝光精度的同时提高了触控层的制作良率。

请参照图2，本发明实施例公开了一种触控层的制作方法，相对于上一实施例，本实施例对技术方案作了进一步的说明和优化。具体的：

s11：向光刻胶层上溅镀透光膜层；

s12：采用曝光光源通过铬板膜面及透光膜层对光刻胶层进行曝光处理，使铬板膜面上的图案转移至光刻胶层上；其中，铬板膜面与透光膜层直接接触；

s13：将铬板从透光膜层上移开，并去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层，得到带有图案的光刻胶层；

进一步的，上述s13中的去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层的过程，具体可以为：

采用化学蚀刻的方法对位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层进行蚀刻处理，以去除透光膜层。

具体的，在对光刻胶层曝光完成后，可以采用化学蚀刻的方法将位于光刻胶层上的透光膜层蚀刻去除。当然，也可以采用其他的方式将该透光膜层去除，具体采用哪种方式，本申请对此不做特殊限定，能实现本申请的目的即可。

更进一步的，上述s11中的向光刻胶层上溅镀透光膜层的过程，具体可以为：

向光刻胶层上溅镀氧化铟锡膜层。

需要说明的是，由于有氧化铟锡(ito)形成的膜层具有较高的致密性，且具有一定的表面硬度，所以本申请中的透光膜层优先的采用ito膜层。当然，除了采用ito膜层之外，还可以采用其他的透明金属或高分子材料制作而成的膜层，具体不做特殊限定。

进一步的，上述采用化学蚀刻的方法对位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层进行蚀刻处理，以去除透光膜层的过程，具体可以为：

采用酸刻蚀的方式对位于曝光后的光刻胶层上的氧化铟锡膜层进行蚀刻处理，以去除氧化铟锡膜层。

需要说明的是，当本申请中的透光膜层为ito膜层时，优选的采用酸蚀刻的方法对ito膜层进行蚀刻处理，以去除位于曝光后的光刻胶层上方的ito膜层。

进一步的，向光刻胶层上溅镀氧化铟锡膜层的过程，具体可以为：

采用磁控溅镀的方式将氧化铟锡溅镀至光刻胶层的表面形成氧化铟锡膜层。

需要说明的是，为了更好地将ito镀于光刻胶层上，本申请优选的采用磁控溅镀的方式对ito进行溅镀处理。当然，在实际应用中还可以选择其他的方式，本申请对此不做特殊限定，能实现本申请的目的即可。更进一步的，采用磁控溅镀的方式将氧化铟锡溅镀至光刻胶层的表面形成氧化铟锡膜层的过程为：

采用磁控溅镀的方式通过包含铌的氧化铟锡靶材将氧化铟锡溅镀至光刻胶层的表面形成氧化铟锡膜层。

具体的，可以通过磁控溅镀的方式将ito溅镀至光刻胶层上形成ito膜层，并且在溅镀过程中可以采用掺杂nb(铌)的氧化铟锡靶材，在溅镀过程中，铌在氧气的气氛下铌会生成氧化铌，并且氧化铌在进紫外到红外光都是透明的，而曝光光源一般为紫外光，所以铌并不会影响曝光。由于铌的作用使镀至光刻胶层表面的膜层为ito和氧化铌的混合物，又因为氧化铌的折射率在2.2—2.5，ito的折射率一般为1.48—1.50，光刻胶折射率为1.64—1.69，所以通过氧化铌和ito的混合可以将镀出的ito膜层的折射率调整为1.64—1.69的范围内，也即使其折射率与光刻胶层的折射率一致，从而确保曝光精度。

具体的，在溅镀过程中可以将氧气流量控制在50sccm，氩气控制在150sccm，功率设为4kw，以便将镀出的ito膜层的折射率调整为1.64—1.69的范围内。

进一步的，该方法还包括：

s14：通过酸蚀刻的方法对位于光刻胶层下方的金属层进行蚀刻处理，以便金属层形成具有图像的金属电极。

需要说明的是，本申请中在得到具有预设图案的光刻胶层后，还可以采用酸蚀刻的方法对设置于光刻胶层下方的金属层进行蚀刻处理，从而即可得到具有预设图案的金属电极层，并根据该金属电极层进行后续的触控层制作，后续制作方法为现有技术中成熟的方法，本申请在此不再。

请参照图3，在上述实施例的基础上，本发明实施例还提供了一种触控层的制作设备，包括：

溅镀装置1，用于向光刻胶层上溅镀透光膜层；

曝光装置2，用于采用曝光光源通过铬板膜面及透光膜层对光刻胶层进行曝光处理，使铬板膜面上的图案转移至光刻胶层上；其中，铬板膜面与透光膜层直接接触；

清洁装置3，用于将铬板从透光膜层上移开，并去除位于曝光后的光刻胶层上的透光膜层，得到带有图案的光刻胶层。

需要说明的是，本发明实施例中的触控层的制作设备具有与上述实施例相同的有益效果。另外，对于本发明实施例中所涉及到的触控层的制作方法的具体介绍请参照上述方法实施例，本申请在此不再赘述。

还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。