阵列基板以及显示面板的制作方法

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板以及显示面板。

背景技术：

随着显示技术的发展，各种液晶显示装置(如液晶电视等)被广泛应用。其显示面板通常包括相对设置的阵列基板和彩膜基板。阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶分子。

阵列基板中设置有位于子像素内部的像素电极以及位于子像素边缘的第一公共电极。彩膜基板上设置有与第一公共电极等电位的第二公共电极。像素电极用于为子像素出光显示供电。第一公共电极包括屏蔽极板，屏蔽极板与第二公共电极间没有电压差，使得二者之间的液晶分子全部站立而遮住光源，进而使得子像素边缘显示为暗态。

显示面板工作时，像素电极上的电场容易受到第一公共电极(屏蔽极板)上的电场影响，而在子像素边缘形成暗纹，从而影响面板的穿透率。

技术实现要素：

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够改善各子像素的边缘暗纹的阵列基板以及显示面板。

一种阵列基板，包括：

像素电极，包括边框与连接所述边框的分支，所述边框包围所述分支；

第一公共电极，与所述像素电极相互绝缘，包括与所述边框相对设置的边板，所述边板包括屏蔽极板，所述屏蔽极板围绕所述边框的正投影，所述边板在朝向所述分支的一侧具有凹槽。

在其中一个实施例中，所述凹槽与所述分支的正投影相对。

在其中一个实施例中，所述边板还包括电容极板，所述电容极板与所述屏蔽极板相互连接，且所述电容极板与所述边框形成存储电容。

在其中一个实施例中，所述凹槽形成于所述电容极板。

在其中一个实施例中，一个所述凹槽与一个所述分支的正投影相对设置。

在其中一个实施例中，所述凹槽的槽口面积大于所述分支朝向所述凹槽的一侧的表面的面积。

在其中一个实施例中，所述凹槽在垂直于所述边板厚度方向的截面上的截面形状为四边形。

在其中一个实施例中，所述像素电极还包括主干，所述主干两侧连接有所述分支，所述主干将所述像素电极的内部区域分为多个畴，各个所述畴中的所述分支的长度方向不同，所述畴对应的所述边板中具有所述凹槽。

一种阵列基板，包括：

像素电极，包括边框、主干以及分支；所述边框连接并包围所述主干与所述分支；所述主干包括第一干与第二干，所述第一干与所述第二干交叉且将所述像素电极的内部区域分为四个大小相等的畴；所述分支分布于各所述畴中并连接所述主干与所述边框，各个所述畴中的所述分支的长度方向不同；

第一公共电极，与所述像素电极相互绝缘，包括与所述边框相对设置的边板，所述边板包括屏蔽极板与电容极板，所述屏蔽极板围绕所述边框的正投影，所述电容极板与所述边框形成存储电容；所述边板在朝向所述分支的一侧具有与所述分支的正投影相对的凹槽。

一种显示面板，包括液晶分子、彩膜基板以及上述任一项所述的阵列基板，所述阵列基板与所述彩膜基板相对设置，所述液晶位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间，所述彩膜基板包括第二公共电极，所述第二公共电极与所述第一公共电极等电位。

上述阵列基板，第一公共电极的边板包括屏蔽极板，其在朝向分支的一侧具有凹槽。凹槽对应的屏蔽极板与边框连接分支的一侧的距离被拉远。因此，屏蔽极板上的电场对使得液晶分子透光的分支上的电场的影响减弱，进而改善子像素边缘的暗纹现象。

附图说明

图1为一个实施例中的显示面板示意图；

图2为一个实施例中的阵列基板示意图；

图3为另一个实施例中的阵列基板示意图。

附图标记：

100-阵列基板；110-第一公共电极；111-边板；111a-屏蔽极板；111b-凹槽；111c-电容极板；112-中央板；120-像素电极；121-边框；122-分支；123-主干；1231-第一干；1232-第二干；130-绝缘层；200-彩膜基板；210-第二公共电极；300-液晶分子。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请提供的阵列基板以及显示面板，可以应用于液晶电视等液晶显示装置之中。

在一个实施例中，如图1所示，提供了一种显示面板，包括阵列基板100、彩膜基板200以及液晶分子300。阵列基板100与彩膜基板200相对设置。液晶分子300位于阵列基板100和彩膜基板200之间。阵列基板100包括第一公共电极110、像素电极120以及绝缘层130等。第一公共电极110与像素电极120通过二者之间的绝缘层130相互绝缘。彩膜基板200包括第二公共电极210。第二公共电极210与第一公共电极110等电位。

具体地，显示面板包括多个像素单元。每个像素单元中具有多个子像素，例如：红色子像素R、绿色子像素素G、蓝色子像素B。彩膜基板200上可以具有包括不同颜色色阻的色阻层。各子像素的颜色可通过不同颜色的色阻实现。

每个像素电极120均与部分第二公共电极210相对设置。每个子像素均对应一个像素电极120。多个子像素可以共用一个第二公共电极210。子像素可以包括像素电极120、与像素电极120相对的第二公共电极210以及二者之间的液晶分子300。各子像素中的液晶分子300可以在像素电极120与第二公共电极210形成电压差的情况下偏转，进而使得各子像素透光显示。

阵列基板100中还可以具有薄膜晶体管。像素电极120通过与薄膜晶体管的漏极电极电连接，进而对子像素进行充电。而第二公共电极210与第一公共电极110等电位电连接，进而可以通过第一公共电极110对第二公共电极210进行供电。

参考图2，像素电极120包括边框121与分支122。边框121包围在分支122的四周。分支122连接边框121。

第一公共电极110包括与边框121相对设置的边板111。边板111包括屏蔽极板111a。屏蔽极板111a围绕边框121的正投影。本申请实施例中，边板111可以与部分边框121相对设置(参考图2以及图3)，也可以与全部的边框121(未图示)相对设置，本申请对此不做限制。

屏蔽极板111a位于各子像素之间，其与各子像素之间的第二公共电极210相对。第一公共电极110与第二公共电极210等电位，而屏蔽极板111a是第一公共电极110的一部分。因此，屏蔽极板111a与各子像素之间的第二公共电极210等电位，即二者之间没有电压差。屏蔽极板111a与各子像素之间的第二公共电极210之间的液晶分子300沿着等势线站立，进而遮住光源，使得各子像素之间显示为暗态。但是，电场之间的相互影响，也使得屏蔽极板111a上的电场作用影响其附近的像素电极120上的电场。

显示面板在进行正常显示时，分支122上的电压产生的电场引导分支122及其周围区域(例如，分支122数量为多个时，各分支之间的区域)与第二公共电极210之间的液晶分子300偏转而透光。分支122与第二公共电极210之间场强为E1，分支122的周围区域与第二公共电极210之间场强为E2。由于周围区域上没有电压，因此E2相对E1较弱。因此，当分支122靠近屏蔽极板111a处的电压产生的电场受到屏蔽极板111a上的电压产生的电场的影响而变弱时，此处的周围区域与第二公共电极210之间场强为E2变得更弱，导致对应的液晶分子300容易偏转混乱而不能正常透光，而使得子像素边缘容易产生暗纹，影响面板的穿透率。

本申请实施例中，第一公共电极110的边板111与像素电极120的边框121相对设置。像素电极120的边框121包围分支122。边板111在朝向分支122的一侧具有凹槽111b。凹槽111b对应的屏蔽极板111与边框121内侧(连接分支122的一侧)的距离被拉远。因此，屏蔽极板111上的电场对使得液晶分子透光的分支122上的电场的影响减弱，进而改善子像素边缘的暗纹现象。

参考图2以及图3，在一个实施例中，第一公共电极110上凹槽111b与像素电极上的分支122的正投影相对。具体地，可以是一个凹槽111b与一个分支122的正投影相对，也可以是一个凹槽111b与多个分支122的正投影相对，也可以是多个凹槽111b与一个分支122的正投影相对等。

由于子像素边缘的暗纹现象主要是由于分支122上的电场受到屏蔽极板111a上的电场影响导致。所以，将凹槽111b与分支122的正投影相对设置，可以直接拉远分支122与屏蔽极板111a的距离，进而更好抵抗屏蔽极板111a上的电场的影响，更加有效地抑制暗纹。

当然，本申请实施例中，凹槽111b也可以不与分支122的正投影相对设置，或者与部分分支122的正投影相对设置，本申请对此均不做限制。

在一个实施例中，边板111还包括电容极板111c。电容极板111c与屏蔽极板111a相互连接。并且，电容极板111c与边框121形成存储电容。存储电容在显示过程中，可以保持像素电极120上的电压持续。使得像素电极120上具有持续的电压供给，以有效避免显示异常。

在一个实施例中，凹槽111b形成于电容极板111c。即电容极板111c上具有凹槽111b，凹槽111b的周围均是电容极板111c，进而可以保证存储电容上的容量足够大，以保持像素电极120上的电压持续。

本申请实施例中，也可以将凹槽111b贯通电容极板111c与屏蔽极板111a设置等，而并不限于只形成与电容极板111c中。

在一个实施例中，凹槽111b形成于电容极板111c的同时，一个凹槽111b与一个分支122的正投影相对设置。进而使得有效降低屏蔽极板111a对分支122上的电场影响的前提下，凹槽111b之间的部分也可以用来形成存储电容，进而增加电容的容量。

在一个实施例中，在上面实施例的基础上，设置凹槽111b的槽口面积大于分支122朝向凹槽111b的一侧的表面的面积。进而使得凹槽111b充分保护分支122，降低其受到的屏蔽极板111a上的电场的影响。

在一个实施例中，凹槽111b在垂直于边板111厚度方向的截面上的截面形状为四边形，以便于凹槽111b的图形化工艺制作。具体地，四边形可以为矩形、正方形、平行四边形、菱形、梯形等等。当然，本申请实施例中，上述四边形也可以用其他任意多边形代替，如正五边形、正六边形等。

参考图3，在一个实施例中，像素电极120还包括主干123。主干123两侧连接有分支122。主干123将像素电极120分为多个畴，使得一个子像素内具有多个畴。各个畴中的分支122的延伸方向不同。因此，当施加了电压时，各个畴内的液晶分子300的倾斜方向不同。所以，一个子像素内液晶分子300具有多种倾斜方向。这样，更加有利于显示面板的广视野角显示。

畴对应的边板111中具有凹槽111b，可以将该畴对应的边框121内侧与屏蔽极板111a之间的距离拉远，进而使得子像素的畴中可有效改善暗纹现象。每个畴对应的边板111中均具有凹槽111b时，各个畴中均可有效改善暗纹现象，进而使得整个子像素中的边缘暗纹得到有效抑制。

在一个实施例中，如图1以及图3所示，阵列基板100包括第一公共电极110以及像素电极120。

像素电极120包括边框121、主干123以及分支122。边框121连接且包围主干123与分支122。主干123包括第一干1231与第二干1232。第一干1231与第二干1232交叉并将像素电极120的内部区域分为四个大小相等的畴。分支122分布于各畴中且连接主干123与边框121。各个畴中的分支122的长度方向均不同。四个畴中的分支122的延伸方向与一主干123(例如第一干1231)的夹角可分别为±45°、±135°。此时，当施加了电压时，四个畴内的液晶分子300的倾斜方向均不同。一个子像素内液晶分子300具有四种倾斜方向。各个畴中可以具有多个分支122，一个畴中的多个分支122之间可以具有固定的间隔。

第一公共电极110包括与边框121相对设置的边板111。边板111包括相互连接的屏蔽极板111与电容极板112。屏蔽极板111围绕边框121的正投影。并且屏蔽极板111与各子像素之间的第二公共电极210相对，进而使得二者之前的液晶分子300遮光而显示暗态。电容极板112与边框121形成存储电容。存储电容在显示过程中，保持像素电极120上的电压持续。为了增加存储电容的容量，第一公共电极110还可以具有中央板112，中央板112可与一主干123相对设置而形成存储电容。

边板111在朝向分支122的一侧具有与分支122的正投影相对的凹槽111b。凹槽111b拉远分支122与屏蔽极板111a的距离，进而有效降低蔽极板111a上的电场对分支122上的电场影响。因此，子像素边缘的暗纹得以有效抑制。

综上所述，本申请提供的阵列基板，第一公共电极的边板包括屏蔽极板，其在朝向分支的一侧具有凹槽。凹槽对应的屏蔽极板与边框连接分支的一侧的距离被拉远。因此，屏蔽极板上的电场对使得液晶分子透光的分支上的电场的影响减弱，进而改善子像素边缘的暗纹现象。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。