从设备部件中移除污染物颗粒的设备和方法与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年12月28日提交的欧洲申请17210857.3和2018年3月6日提交的欧洲申请18160148.5的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用的方式合并入本文中。

本公开涉及用于从设备(可选地，量测设备)的部件中移除污染物颗粒的方法和设备。

背景技术：

在光刻过程中，需要对所创建的结构进行频繁的测量，例如，用于过程控制和验证。进行这些测量的工具通常称为量测工具(met)。用于进行这些测量的不同类型的量测工具是已知的，包括扫描电子显微镜或各种形式的散射仪量测工具。

散射仪是多用途仪器，通过在散射仪物镜的光瞳或与光瞳共轭的平面上安装传感器来允许进行对光刻过程的参数的测量，通常称为基于光瞳的测量，或者通过使传感器位于图像平面或与图像平面共轭的平面，在这种情况下，测量通常被称为基于图像或基于场的测量。

在专利申请us20100328655、us2011102753a1、us20120044470a、us20110249244、us20110026032或ep1628164a中进一步描述了这些散射仪和相关联的测量技术，这些专利申请通过引用全部并入本文中。上述散射仪可使用来自软x射线、极紫外(euv)和可见光至近红外波长范围的辐射来测量光栅。

有时，污染物颗粒(诸如聚酯或纤维素颗粒/纤维)可能附着在量测工具的部件上，例如，附着在形成散射仪的一部分的光学物镜上。量测工具内存在着若干潜在的污染物颗粒源，诸如在工具维修和维护期间所使用的清洁擦拭件。包含有被测结构的半导体晶片本身可能由于晶片输送系统或用于存储和运输晶片的前开式统集盒或前开式晶片传送盒(foup)中的污染而将污染物颗粒引入量测工具内。

发明人已经认识到，在某些情况下，这种污染物颗粒会导致量测工具对被测晶片造成损坏，这是不期望的，因为它会导致较低的产率。例如，污染物颗粒也可能影响量测工具在准确度方面的性能。

因此，本发明解决的问题是如何从设备移除污染物颗粒。该设备可以是一种量测工具。

技术实现要素：

根据本发明的一个方面，提供了一种用于从设备的部件移除污染物颗粒的设备，所述污染物颗粒产生环境电场，所述设备包括：用于吸引所述颗粒的收集区域，其中所述环境电场至少在所述部件与所述收集区域之间；和电场发生器，其被配置成在所述收集区域与所述部件之间建立所施加电场以使所述颗粒从所述部件传输到所述收集区域，其中，电场发生器被配置成基于所述环境电场来确定所施加电场的极性。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于从设备的部件移除污染物颗粒的设备，所述污染物颗粒产生环境电场，所述设备包括：用于吸引所述颗粒的收集区域，其中所述环境电场至少在所述部件与所述收集区域之间；电场发生器；和处理器，所述处理器被配置成执行以下步骤：基于所述环境电场来确定所施加电场的极性；使电场发生器在所述收集区域与所述部件之间建立所施加电场，以使所述颗粒从所述部件传输到所述收集区域。

所施加电场的极性可能与所述环境电场的极性相反。

电场发生器可被配置成基于以下一个或多个来确定所施加电场的量值：环境电场的量值；将所述颗粒保持在所述部件上的粘附力的估计；将颗粒保持在部件上的范德华力的估计。

所述收集区域的至少一部分可以是导电的，并且其中所述电场发生器可包括电压源，所述电压源被布置成通过向收集区域的至少一部分施加电压来建立所施加电场。

所述设备还可包括场传感器，所述场传感器被配置成在建立所施加电场之前感测所述环境电场的极性并且可选地感测所述周围电场的量值。

所述场传感器可包括导电元件，并且感测所述环境电场可包括监测由环境电场在导电元件中感应的电压。

所述设备可被配置成在感测到环境电场时允许导电元件的电压浮动。

所施加电场的量值可以基于所感测的环境电场的量值和介于部件与导电元件和/或收集区域之间的距离中的至少一个来确定。

所述收集区域可包括导电元件。

所述设备还可包括场感应器，其配置成在建立所施加电场之前在介于所述收集区域与所述部件之间的区域中感应另一电场，而所述收集区域可选地触及所述污染物颗粒。

所述部件可以是光学系统的物镜。

所施加电压的量值可以是在从0v到10kv的范围内。

所施加电压的量值可以被确定以便防止所述部件与所述收集区域之间的电击穿。

所述部件可以被保持处于地电位。

所述设备还可包括检查单元，该检查单元被配置成进行针对颗粒检查该部件的初始步骤，并且其中电场发生器被配置成根据在该部件上检测到的颗粒的阈值数量来建立所施加电场。

所述电场发生器可以被配置成以环境电场的极性和/或量值作为输入，基于从实验数据的库查找和/或所述设备的静电有限元模型来确定所施加电场的极性和/或量值。

在建立所施加电场之前，所述部件可以被转换为位于所述收集区域的正上方，或者替代地，所述收集区域可以被转换为位于所述部件的正下方。

所述设备还可包括配置成从所述收集区域移除所述颗粒的颗粒移除器。

所述颗粒移除器可包括真空泵，其中通过抽吸从所述收集区域移除所述颗粒。

所述设备还可包括用于放置在所述收集区域上方的盖子，所述盖子具有与真空泵流体连通的通风口，并且所述通风口被配置成在真空泵操作时跨过所述收集区域且朝向所述真空泵抽吸气体通过所述通风口。

所述电场发生器可被配置成在真空泵运行之前或期间减小所施加电场的量值。

所述电场发生器可被配置成在真空泵运行之前或期间移除所施加电场。

所述电场发生器可被配置成在真空泵运行之前或期间反转所施加电场的极性。

所述设备还可包括位于所述收集区域外围的防护装置，所述防护装置被配置成将所施加电场保持在与所述收集区域相邻的区域内。

所述防护装置的至少一部分可以是导电的，并且被保持处于地电位。

所述部件是量测设备。

根据本发明的另一个方面，提供了一种用于从设备的部件移除污染物颗粒的方法，所述污染物颗粒产生环境电场，并且所述设备包括用于吸引所述颗粒的收集区域，其中所述环境电场至少在所述部件与所述收集区域之间，所述方法包括：由电场发生器基于环境电场来确定所施加电场的极性；以及由电场发生器在所述收集区域与所述部件之间建立确定极性的所施加电场，以使所述颗粒从部件传输到所述收集区域。

确定所施加电场的极性和量值可以至少基于以下其中之一：所述环境电场的量值；将颗粒保持在部件上的粘附力的估计；以及将颗粒保持在部件上的范德华力的估计。

所述电场发生器可包括电压源，并且建立所施加电场可包括向导电的所述收集区域的一部分施加电压的电压源。

在建立所施加电场之前，所述环境电场的极性和/或所述环境电场的量值可由场传感器感测。

所述场传感器可包括导电元件，且感测所述环境电场可包括监测由所述环境电场在导电元件中所感应的电压。

可以在感测到环境电场时允许导电元件的电压浮动。

所述方法还可包括基于所感测的环境电场的量值和介于所述部件与所述导电元件和/或所述收集区域之间的距离的至少一个来确定所施加电场的量值。

所述方法还可包括由场感应器在建立所施加电场之前，在所述收集区域与所述部件之间的区域中感生另一电场，同时可选地允许所述收集区域触及所述污染物颗粒。

所施加电压的量值在从0v至10kv范围内。

所述方法还可包括确定所施加电压的量值，以便防止所述部件与所述收集区域之间的电击穿。

所述方法还可包括保持所述部件处于地电位。

所述方法还可包括由检查单元检查用于颗粒的所述部件和所述电场发生器的初始步骤，所述电场发生器根据在所述部件上检测到的

所述方法还可包括电场发生器，其以环境电场的极性和/或量值作为输入，基于从实验数据的库查找和/或所述设备的静电有限元模型来确定所施加电场的极性和/或量值。

在建立所施加电场之前，可以将所述部件平移成定位在所述收集区域正上方，或替代地可以将所述收集区域平移成定位在所述部件的正下方。

所述方法还可包括从所述收集区域移除所述颗粒的颗粒移除器。

所述颗粒移除器可包括真空泵，其中通过抽吸从所述收集区域移除所述颗粒。

所述方法还可包括在收集区域上放置盖子，盖子上有与真空泵流体连通的通风口，并且操作所述真空泵以将气体穿过所述通风口、跨过所述收集区域并且朝向真空泵吸入。

所述方法还可包括电场发生器，其在真空泵的运行之前或期间减小所施加电场的量值。

所述方法还可包括电场发生器，在真空泵运行之前或期间移除所施加电场。

所述方法还可包括电场发生器在真空泵运行之前或期间反转所施加电场的极性。

所述方法还可包括将位于收集区域外围处的防护装置保持处于地电位，以在与收集区域相邻的区域中保持所施加电场。

根据本发明的另一方面，提供了一种计算机程序，所述计算机程序包括指令，当在至少一个处理器上执行时，所述指令使至少一个处理器控制设备执行根据本发明的上述方面的方法。

根据本发明的另一方面，提供了一种载体，包含根据本发明的上述方面的计算机程序。所述载体可以是电子信号、光学信号、无线电信号或非暂时性计算机可读储存介质之一。

根据本发明的另一方面，提供了一种量测设备，其包括根据本发明的上述方面的设备。

根据本发明的另一方面，提供了一种光刻设备，其包括根据本发明的上述方面的量测设备。

根据本发明的另一方面，提供了一种光刻单元，其包括根据本发明的上述方面的量测设备。

本发明旨在能使得以受控方式从诸如量测设备或更具体地散射仪之类的设备的部件移除污染物颗粒，且不存在实际将其他污染引入所述设备或将现有污染扩散至设备内其他部位的风险。

本发明旨在能使得以非接触的方式移除污染物颗粒，从而降低损坏被清洁的设备的部件(例如由清洁湿巾等刮擦光学部件)的风险。

本发明还旨在提供一种快速且非侵入性的从一设备移除污染物颗粒的方式，由此减少被清洁的设备的停机时间，且因此对生产周期的中断远低于例如使用清洁擦拭件的已知技术。

本发明还旨在提供一种低成本的从一设备移除污染物颗粒的方法，因为无需打开将会需要技术人员或技术人员团队在场的量测设备。

附图说明

现在将参考附图来描述实施例，其中：

图1示出了光刻设备的示意性概览图；

图2示出了光刻单元的示意性概览图；

图3示出了整体光刻的示意图，表示用以优化半导体制造的三项关键技术之间的协同工作；

图4a和4b示出了量测设备的部件；

图5是量测设备的区域的示意图；

图6a和6b示出了用于从量测设备的部件移除污染物颗粒的设备；

图7a至7c示出了图6a和6b中的设备在从量测设备的部件中移除污染物颗粒方面的用法/用途；

图8a和8b示出了用于从图6a和6b的设备的颗粒收集区域移除颗粒的颗粒移除器700；

图9a和9b示出了图8a和8b的颗粒移除器用于从图6a和6b的设备的颗粒收集区域移除颗粒的用法；

图10是与从量测设备的部件中移除污染物颗粒的方法对应的流程图；以及

图11是与用于确定由图6a和6b的设备所产生的所加电场的极性和量值的方法相对应的流程图。

具体实施方式

在详细描述本发明之前，呈现本发明中的示例环境是有益的。

在本文档中，术语“辐射”和“束”用于包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如波长为365、248、193、157或126nm)和euv(极紫外线辐射，例如具有在约5-100nm范围内的波长)。

本文中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可被广义地解释为指代可用于向入射辐射束赋予图案化横截面的通用图案形成装置，其对应于待在衬底的目标部分中创建的图案。术语“光阀”也可用于这种情境。除了经典的掩模(透射或反射掩膜、二进制掩膜、相移掩膜、混合掩膜等)之外，其它这种图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程lcd阵列。

图1示意性地描绘了光刻设备la。光刻设备la包括：照射系统(也称为照射器)il，其被配置成调节辐射束b(例如紫外辐射、duv辐射或euv辐射)；掩模支撑件(例如掩模台)mt，所述掩模支撑件(例如掩模台)mt被构造成支撑图案形成装置(例如掩模)ma并且连接到配置成根据特定参数准确地定位图案形成装置ma；衬底支撑件(例如，晶片台)wt，所述衬底支撑件被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀涂的晶片)w并且连接到第二定位装置pw，所述第二定位装置pw被配置成根据特定参数准确地定位衬底支撑件；以及投影系统(例如，折射投影透镜系统)ps，其被配置成将由图案形成装置ma赋予辐射束b的图案投影到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或更多个管芯)上。

在操作中，照射系统il接收来自辐射源so的辐射束，例如经由束传送系统bd。照射系统il可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其他类型的光学部件，或其任何组合，用于引导、成形和/或控制辐射。照射器il可用于使辐射束b在图形装置ma的平面处的其横截面中具有期望的空间和角强度分布。

本文中使用的术语“投影系统”ps应广义地解释为包括各种类型的投影系统，包括折射式、反射式、折射反射式、变形式、磁性式、电磁式和/或静电式光学系统，或其任何组合，视情况而定，适用于所使用的曝光辐射，和/或其他因素，诸如浸没液的使用或真空的使用。本文中术语“投影透镜”的任何使用可被视为与更广义的术语“投影系统”ps同义。

光刻设备la可以是这样的类型，其中至少一部分衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充介于投影系统ps与衬底w之间的空间,这也被称为浸没光刻。us6952253中给出了有关浸没技术的更多信息，通过引用将其并入本文中。

光刻设备la也可以是具有两个或更多个衬底支撑件wt(也称为“双平台”)的类型。在这种“多平台”机器中，衬底支撑件wt可以并联使用，和/或可以对位于衬底支撑件wt之一上的衬底w执行准备衬底w的随后曝光的步骤、而同时将在其他衬底支撑件wt上的另一衬底w用于对其他衬底w上的图案曝光。

除了衬底支撑件wt之外，光刻设备la可以包括测量平台。测量平台被布置成保持传感器和/或清洁装置。传感器可被布置成测量所述投影系统ps的属性或辐射束b的属性。测量平台可保持多个传感器。所述清洁装置可被布置成清洁所述光刻设备的一部分，例如投影系统ps的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑wt远离所述投影系统ps时，测量平台可在投影系统ps下方移动。

在操作中，辐射束b入射到被保持在掩模支撑件mt上的图案形成装置(例如掩模ma)，并且由图案形成装置ma上存在的图案(设计布局)来图案化。在已穿过掩模ma之后，辐射束b穿过投影系统ps，该投影系统将束聚焦到衬底w的目标部分c上。借助于第二定位装置pw和位置测量系统if，能够准确地移动所述衬底支撑件wt，例如，以便将不同的目标部分c定位在辐射束b的路径中处于聚焦和对准的位置。类似地，第一定位装置pm和可能的另一个位置传感器(图1中未明确描绘)可用于相对于辐射束b的路径来准确地定位所述图案形成装置ma。图案形成装置ma和衬底w可使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准。尽管如图所示的衬底对准标记p1、p2占据专用目标部分，但它们可以位于介于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记p1、p2位于目标部分c之间时，它们被称为划道对准标记。

如图2所示，光刻设备la可形成光刻单元lc(有时也称为光刻元或(光刻)簇)的一部分，其通常还包括用以在衬底w上执行曝光前和曝光后过程的设备。常规地，这些设备包括用以沉积抗蚀剂层的旋涂机sc、用以曝光抗蚀剂的显影剂de、激冷板ch和焙烤板bk，例如用于调节所述衬底w的温度，例如用于调节抗蚀剂层中的溶剂。衬底输送装置或机器人ro从输入端口i/o1、输出端口i/o2拾取衬底w，在不同的过程设备之间移动它们，并且将衬底w传送到光刻设备la的装载台lb。在通常也统称为涂覆显影系统或轨迹(track)的光刻元中的装置通常在涂覆显影系统控制单元或轨迹控制单元tcu的控制下，涂覆显影系统控制单元或轨迹控制单元tcu本身可以由管理控制系统scs控制，输送管理控制系统scs也可以控制光刻设备la，例如经由光刻控制单元lacu。

为了使由光刻设备la曝光的衬底w正确且一致地曝光，需要检查衬底以测量经图案化结构的属性，诸如后续层之间的重叠误差、线厚度、临界尺寸(cd)等。为此目的，检查工具(未显示)可能被包括于光刻元lc中。如果检测到错误，例如，可以对后续衬底的曝光或待在衬底w上执行的其他处理步骤进行调整，特别是如果在同一批次或批量的其他衬底w仍待曝光或处理之前进行检查。

检查设备(即检查工具)也可称为量测设备，被用于确定衬底w的属性，特别是不同衬底w的属性如何变化，或与同一衬底w的不同层相关联的属性如何在层间发生变化。所述检查设备可以替代地被构造为识别所述衬底w上的缺陷，并且例如可以是光刻元lc的一部分，或者可以被集成到光刻设备la中，或者甚至可以是单独装置。所述检查装置可测量潜像(在曝光后在抗蚀剂层中的图像)、半潜影(在曝光后焙烤步骤peb后在抗蚀剂层中的图像)、或经显影后的抗蚀剂图像(其中已移除了抗蚀剂的曝光或未曝光部分)上的特性，或者甚至在经蚀刻图像上(在诸如蚀刻之类的图案转印步骤之后)。

典型地，在光刻设备la中的图案化过程是处理中最关键的步骤之一，它要求在衬底w上的结构的确定尺寸和放置的高准确度。为了确保这种高准确度，如图3中示意性地描绘的，可以在所谓的“整体”控制环境中组合三个系统。其中一个系统是光刻设备la，它(实际上)连接到量测工具mt(第二系统)并且连接至计算机系统cl(第三系统)。这种“整体”环境的关键是优化这三个系统之间的协同工作以增强整个过程窗口并且提供紧密的控制回路，来确保由光刻设备la所执行的图案化保持在过程窗口内。所述过程窗口定义了一定范围的过程参数(例如剂量、聚焦、覆盖)，在这些参数范围内，特定的制造过程产生一个被限定的结果(例如，功能性半导体器件)，通常允许光刻过程或图案化过程中的过程参数在被限定的结果内发生变化。

计算机系统cl可以使用待图案化的设计布局(的部分)来预测将要使用何种分辨率增强技术，并且执行计算光刻模拟和计算，以确定哪些掩模布局和光刻设备设置实现所述图案化过程的最大的总过程窗口(在图3中由第一刻度sc1中的双箭头所描绘)。典型地，分辨率增强技术被布置成与光刻装置la的图案化可能性相匹配。计算机系统cl还可用于检测所述光刻设备la当前在过程窗口内的何处进行操作(例如使用来自量测工具mt的输入)，以预测是否由于例如次优加工而存在缺陷(在图3中由第二刻度sc2中的指向“0”的箭头所描绘)。

量测工具mt可向计算机系统cl提供输入以实现精确的模拟和预测，并且可向光刻设备la提供反馈以识别可能的漂移，例如在光刻设备la的校准或标定状态下(在图3中由第三刻度sc3中的多个箭头所描绘)。

图4a和4b示出了仪器的一部分，诸如量测设备/工具mt，诸如上述散射仪。工具mt的一个部件(在这种情况下是物镜202)被安装在平移平台201上，平移平台201可以沿x和z两个方向移动所述物镜。物镜202用于将照射辐射聚焦到被测量的半导体晶片203的目标部分上，和/或用于收集从被测量的半导体晶片203的目标部分衍射/反射的辐射。半导体晶片203通常被夹持在晶片台wt上，晶片台wt能够沿y方向平移，并且能够绕穿过晶片203的中心的轴线旋转。物镜202可以是单个透镜/反射镜204或包含一定数目透镜的光学封装，包括最外面的透镜元件204，其是在测量期间与半导体晶片最接近的物镜的一部分。透镜204与半导体晶片203的表面之间的间隔被表示为z0，并且在典型散射测量期间，该间隔可能在100μm到500μm的范围内。

发明人已经认识到，在量测设备mt内时不时地存在污染物颗粒205，污染物颗粒205可被吸引并且保留在物镜202的底部或侧面上，在透镜204处或附近。污染物颗粒205可以是聚酯纤维或纤维素纤维。这些颗粒的一个可能来源是在量测设备mt的维护期间所使用的清洁擦拭件。在量测设备mt的部件(诸如物镜202)上，颗粒的吸引和保持所涉及的可能力包括重力、附着力(例如范德华力)，以及静电力。

透镜204与半导体晶片203的表面之间的间隔z0可以与所述量测设备mt中存在的典型污染物颗粒205的大小大致是相同数量级。这在图4a中示出，其中由例如静电力保持于透镜204上的污染物颗粒205也与半导体晶片203的上表面成刷涂接触(brushingcontact)。当物镜202被移动时(例如通过平移平台201沿x方向移动)，假设将颗粒205保持在透镜204上的力大于通过其与半导体晶片203的表面相接触而施加在颗粒205上的任何拖曳力，则颗粒将保持附着在透镜204上且因此将与透镜204一起被传送到跨过半导体晶片表面的新位置。然而，发明人已经意识到，这将导致颗粒205在半导体晶片203的表面上留下缺陷的痕迹，由图4b中的区域206表示。已经发现这种缺陷206影响所制作的半导体器件的完整性并且显然是不希望的。因此，发明人已开发了用于移除此类污染物颗粒205的方案，以便减少或消除缺陷206的实例，且由此提高产率。

图5示出了典型量测设备mt的部件的示意图。具体地，除了如上所述安装在平移平台201上的物镜202外，还示出了三个区域，用于在各个区域之间移动物镜202和其他相关联的元件，如由三个区域之间的粗体箭头所示。第一区域是晶片台wt，其被配置成在晶片测量期间将半导体晶片203保持就位。第二区域是用于从设备的部件(诸如物镜202，且更具体地是物镜的透镜204)中移除污染物颗粒205的设备300。第三区域是检查单元400，用于检查物镜202，以确定是否存在污染物颗粒205。下面更详细地描述用于从晶片203移除污染物颗粒的检查单元400和设备300。应理解，量测设备mt可包含图5中未示出的其他元件和区域。此外，图5只是不同区域的示意图，且这些区域可能位于与所描绘不同的几何图形中。还将认识到，在替代布置中，物镜可以不被安装在平移平台上，且替代的是，所述量测设备的其他元件可相对于物镜移动。例如，晶片工作台可相对于物镜能够充分地平移，该物镜可相对于设备的外壳而固定地安装。

图6a示出了用于从量测设备mt的部件中移除污染物颗粒205的示例性设备300。该部件可以是物镜202，且更具体地是构成上述量测设备mt的一部分的所述物镜202的最外部透镜204。该设备包括收集区域301，其在本文中被称为颗粒收集区域301，用于从部件中吸引和可选地保持污染物颗粒205。在此示例中，颗粒收集区域301是由诸如金属的导电材料形成的基本圆形圆盘，并且可以称为收集板。在颗粒收集区域301周围是由例如聚四氟乙烯(ptfe)形成的电绝缘层302。电绝缘层302被布置成三面包围所述颗粒收集区域301，仅使颗粒收集区域的顶面暴露。在颗粒收集区域301的外围是防护装置303，防护装置303被配置成在颗粒收集区域301附近的区域(例如，在收集区域301和物镜202之间)中保持所施加电场。防护装置303包围电绝缘层302，并且经由电连接器306而被保持在地电位。保护环优选地由金属制造，并且具有与接地电位连接的受控连接，使得保护环仅在如本文所描述的设备300的操作期间(即，当从物镜执行颗粒移除时)连接到地。更具体地，保护环优选地被布置成在物镜接近收集区域(或相反)的同时是电浮动的，并且仅在介于物镜与颗粒收集区域之间的区域中建立所施加电场的大致同时接地。如果物镜接近收集区域时所述保护环被保持在地电位，则保护环可能会以不受控制的方式无意地吸引污染物颗粒。在这种不受控制的吸引中，可能很少知晓或根本不知道颗粒在收集区域/保护环上的位置，从而通过下面描述的颗粒移除器进一步永久移除所述污染物颗粒不能保证是成功的。下面更详细地描述保护303和颗粒收集区域301的功能。颗粒收集区域301被电连接到组合的高压供应单元和电压感测装置304。可以理解，高压供应单元和电压感测装置304也可以作为两个单独的单元提供，通过开关单独连接到颗粒收集区域301，使得在任何时候，电压供应单元和电压感测装置中只有一个与颗粒收集区域301电接触。在组合的高压供应单元和电压感测装置304的情况下，在内部提供开关以在高压供应单元和电压感测装置之间切换所述颗粒收集区域301。组合的高压供应单元和电压感测装置304被连接到外部电源，例如主电源305。图6b示出了显示所述颗粒收集区域301、绝缘层302和防护装置303的同心环形几何结构的设备300的自上而下视图或平面视图。

尽管在上述和以下段落中，提及了包含该部件的量测设备，但用于移除污染物颗粒的设备也可适用于具有其上可能存在污染物颗粒的部件的任何设备。

参考图7a至7c描述了用于从量测设备mt的部件中移除污染物颗粒205的设备300的操作。在图7a至7c中，物镜202的最外部透镜204具有附着在其上的污染物颗粒205，例如通过粘着力和静电力的组合。希望通过设备300移除颗粒205。因此，已经通过位于设备300的颗粒收集区域301正上方的平移平台201移动了物镜202。理想情况下，物镜202位于颗粒收集区域301的正上方，用于移除污染物颗粒205。应当理解，可以选择所述设备300的其他几何结构和配置，诸如用于颗粒收集区域301的正方形或矩形形状。

如果污染物颗粒205至少部分地通过静电力附着在透镜204上，则该颗粒205将必然展现出电荷分布，从而在该颗粒205周围产生局部/环境电场。术语“环境电场”在本文中用于指代由污染物颗粒产生的电场，即由于颗粒上的电荷分布而在污染物颗粒周围区域中产生的电场。取决于污染物颗粒205和透镜204表面上的电荷分布，该环境电场将具有特定的量值和极性。如果颗粒205被置于外部所施加电场e中，则期望的是，颗粒205将由于颗粒的电荷分布/环境电场与所施加电场e的相互作用而经受到额外的静电力。发明人已经认识到静电力可用于通过有效地克服静电力以及将污染物颗粒205保持在透镜204上的任何其他粘附力来从透镜204的表面移除颗粒205。

在图7a到7c中，通过组合的高压供应单元和电压感测装置304向颗粒收集区域301施加高压。高压的量值通常在0到10千伏的范围中。物镜202由多个金属部件而构造成，所述多个金属部件包括用于保持所述透镜的外壳部件和支架。通常，物镜202的金属部分将被保持处于地电位。因此，如图7a至7c中的虚线箭头示意性地示出的那样，在向颗粒收集区域301施加高压的情况下，在介于颗粒收集区域301与物镜202之间的区域中建立所施加电场e。如先前所提及，污染物颗粒205具有电荷分布并且将与所施加电场e相互作用。所施加电场e的极性将直接取决于通过组合的高压供应单元和电压感测装置304施加到颗粒收集区域301的高压的极性。组合的高压供应单元和电压感测装置304可以被配置成相对于地电位产生正或负的高压。电绝缘层302将设备300的其它部件、以及其中使用了所述设备300的较宽量测设备与施加到颗粒收集区域301的高压隔离。由于防护装置303被保持处于地电位，因此防护装置具有防止所施加电场e扩展到量测设备mt的其他区域的效果。换句话说，防护装置303有助于将所施加电场e限制在介于颗粒收集区域301和待清洁部件(例如物镜202和透镜204)之间的直接区域。

为了最有效地移除颗粒205，发明人认识到所施加电场e的极性应与由颗粒本身引起的环境电场的极性相反。这是因为在所施加的矢量电场e中，由具备电荷q的颗粒所经受的静电力是由f＝qe给出。因而，为了使带正电的颗粒经受负力(远离所述部件)，则所施加电场应该在负方向(远离所述部件)，而为了使带负电荷的颗粒经受负力(远离所述部件)，则所施加电场应该是正向的(朝向所述部件)。由于物镜通常地被保持处于地电位，则当正电压被施加到颗粒收集区域301时，所施加电场的方向将为正，且当负电压被施加到颗粒收集区域时，所施加电场的方向将为负。此外，除了所施加电场的极性外，还应根据环境电场的量值来确定所施加电场e的量值。例如，较大的环境电场意味着将污染物颗粒保持在部件上的较大静电力，因此将需要具有较大量值的所施加电场以吸引所述颗粒远离所述部件。本发明提供了用于确定所施加电场e的极性和量值的至少一种方法(因此通过关联确定了施加到颗粒收集区域301的电压的量值和极性)，以便通过所施加的静电来最有效地从所述部件移除污染物颗粒205。

在上述描述中，颗粒收集区域301既用作用于感测环境电场的感测元件，又用作被施加高压以产生所施加电场的导电元件。感测元件的操作在图11的情境中进行了更详细的讨论。这是因为在上述示例中，收集区域是导电的。可以理解，替代地，所述颗粒收集区域可以包括单独的导电部分/元件，用于执行感测所述环境电场和产生所施加电场的两个功能。此外，可使用不形成所述颗粒收集区域一部分的导电元件来进行环境电场的感测。

在上述描述以及下文的描述中，已经提及所施加电场e的极性和量值可取决于颗粒205周围的环境电场的极性和量值。需要注意的是，不必根据颗粒205周围的环境电场的极性和量值来确定所施加电场的量值。需要注意的是，为了确定所施加电场e的极性，不必知道颗粒205周围的环境电场的量值。换言之，所施加电场e的极性至少取决于颗粒205周围的环境电场的极性，使得对污染物颗粒的静电力朝向颗粒收集区域而不是朝向所述部件。

图8a和8b示出了一种示例性的颗粒移除器700，用于一旦由如上所述的所施加电场e已将颗粒205输送至颗粒收集区域301的情况下从颗粒收集区域301移除颗粒205。图8a是颗粒移除器700的侧视图，图8b是自顶向下的视图。颗粒移除器700通常由圆柱形盖元件701(其顶部与喷嘴702连接)组成。喷嘴702与盖元件701和真空泵703成流体连通。流体可以是空气、清洁空气、或设备中存在的任何其他气体。盖元件701的尺寸被确定为优选地覆盖所述颗粒收集区域301的整个表面。在操作中，真空泵703通过盖元件701中的多个通风口704且通过喷嘴702而吸入空气。以这种方式产生的紊流或湍流产生吸力，该吸力能够移除在颗粒收集区域301上收集的任何污染物颗粒205。

图9a和9b示出了使用颗粒移除器700用于移除已通过如上所述的所施加电场e而被吸引到颗粒收集区域301并且保持于该区域301处的颗粒205。在图9a中，盖元件701已被安装在颗粒收集区域301的顶部上，使得所捕获的污染物颗粒205位于盖元件的下方。在放置所述盖元件701之前，物镜202已经从用于移除污染物颗粒的设备300移开。在图9a中，真空泵703尚未打开。在此示例中，盖元件的直径使得其完全覆盖所述颗粒收集区域和所述电绝缘区域，并且使得其部分地与防护装置重叠。以这种方式，颗粒移除器700也有效地移除略微伸出颗粒收集区域301之外的任何颗粒205。当盖元件701安装在颗粒收集区域301上方时，所施加电场e可以保持被接通。盖元件可以由电绝缘材料形成，使得其不显著干扰存在于颗粒收集区域301与物镜202之间的所施加电场e。

在图9b中，真空泵703已经打开，并且所施加电场e被移除、反转或减小(如果还没有这样做的话)。如由盖元件701的通风口704内的箭头所指示而建立空气流。如果真空泵703、盖元件701和通风口704的参数选择得当，则该空气流对颗粒205产生吸力，将导致颗粒205从颗粒收集区域301的表面被抽出并且通过喷嘴702到达安全容器705。

检查单元400用于检查所述物镜202，以确定是否存在污染物颗粒205。所述检查单元可以包括照相机系统，例如，用于产生物镜的图像，然后可以由操作员看到该图像，或者可以由软件来自动分析该图像，以确定物镜上是否存在污染物颗粒。替代地，所述检查单元可以引导一束光线指向相对于物镜移动的物镜，例如在跨过物镜表面的2d扫描中。探测器可以监测被透射穿过所述物镜或从物镜的表面反射的光的强度，并且将这种光的强度与在物镜上不存在污染物颗粒的已知情况下的校准强度扫描进行比较。如果光线被颗粒阻挡或部分地散射，则由探测器所记录的强度将下降，由此表明物体上存在污染物颗粒。

用于从量测设备mt的部件移除污染物颗粒205的设备300还可以包括场感应器，所述场感应器在建立所施加电场之前被配置成在介于所述收集区域与所述部件之间的区域中感生另一电场。所述场感应器可以由用于产生所施加电场的相同部件构成，即，与所述导电颗粒收集区域相结合的组合的高压供应单元与电压感测装置304。在产生所施加电场之前，可以操作所述场感应器，以便建立与污染物颗粒相互作用的感生电场或感应电场。例如，所述感应电场可将电荷分布施加到污染物颗粒上，由此影响环境电场。这可以通过在施加所述感应电场的同时将污染物颗粒布置成与场感应器相接触来实现。需要注意的是，必须注意到，污染物颗粒205不会接收到来自进一步电场的过于高的力，从而从移动远离介于部件202、204与收集区域301之间的区域。

现在将参考图10来描述用于从量测设备mt的部件202、204移除污染物颗粒205的示例性方法。初始步骤s0必需使用检查单元400来针对颗粒检查所述部件。随后的方法步骤可通过在s0a处的判定或确定，取决于在该部件上所检测到的颗粒的阈值数量来进行。阈值数目可为1，即，如果检测到任何污染物颗粒，则执行后续的方法步骤，使得零容忍所述物镜上的污染物颗粒。如果没有检测到颗粒，则量测设备可继续其正常操作，直到已经过了固定的时间间隔或已由所述量测设备进行了一定数量的测量，此时，从针对颗粒来检查所述部件的步骤s0开始重复该方法。如果部件上不存在污染物颗粒，这可防止不必要地执行完整方法，且从而最小化对生产时间的影响。然而，应当理解，步骤s0和判定s0a是可选的，并且该方法可以替代为从步骤s1开始，使得不存在针对颗粒来检查该部件的步骤。然后，整个方法可以在固定的时间段或固定的循环次数之后重复，再次从步骤s1开始，而不首先检查部件是否存在污染物颗粒。

在步骤s1，电场发生器基于环境电场来确定所施加电场e的极性和量值。然后，一旦已确定了所施加电场的极性和量值，在步骤s2，电场发生器以所确定的极性和量值来建立所施加电场e。在收集区域301与部件之间建立了所施加电场，以便使颗粒从所述部件传送到所述收集区域。

一旦颗粒已被传送到所述收集区域，则在步骤s3，颗粒移除器从所述收集区域移除颗粒。所述颗粒移除器可以如上文参考图8至9所述，由此所述颗粒移除器700的盖701被放置在所述收集区域上方，并且真空泵703被操作以朝向真空泵吸引气体穿过所述盖的通风口704。这会产生通过抽吸而从所述颗粒收集区域移除颗粒的效果。在步骤s3期间，所述电场发生器将减小所施加电场e的量值、反转所施加电场e的极性、或完全移除所施加电场e，以帮助通过抽吸移除颗粒。这可以通过减小由组合的高压供应单元和电压感测装置304施加到颗粒收集区域301的高压的量值来实现。通过以预期到所述颗粒205仍将被牢固地保持在颗粒收集区域301处的方式减小所施加电场的量值，但是与所施加电场e的全部量值被保持一段延长的时间的情况相比，部件的寿命可被增强。同样地，一旦已经收集到颗粒205、或在颗粒205已被收集之后不久，则物镜202可以移离所述颗粒收集区域301。

在已经过了固定的时间间隔或已进行了一定数量的量测测量之后，可以重复图10中的方法，这可能与所述检查单元在步骤s0检测不到颗粒且步骤s1至s3被绕过的情况相同。以这种方式，颗粒移除方法在连续周期的基础上运行，但如果需要，也可以在操作员的请求下手动运行。

参考图11进一步详细描述了基于环境电场来确定所施加电场的极性和量值的步骤s1。首先，在步骤s1a，关闭了组合的高压电源单元和电压感测装置304的高压电源，并且颗粒收集区域301被布置成相对于地电位电浮动。然后，在步骤s1b，通过位于设备300的颗粒收集区域301正上方的平移平台201来移动物镜202。然后感测由颗粒205引起的环境电场，以便确定其极性和量值。颗粒收集区域301和组合的高压供应单元和电压感测装置304以类似于电荷板监视器的布置而使用，以便感测所述环境电场的极性和量值。在执行此功能时，在步骤s1c处，颗粒收集区域301被连接(例如通过开关)到组合的高压供应单元和电压感测装置304的电压感测装置。在步骤s1d处，通过电压感测装置来测量由环境电场在颗粒收集区域301上所感应的电压的量值和极性。在步骤s1e处，根据在颗粒收集区域上所感应的电压的量值和极性，推断了环境电场的量值和极性。例如，由于物镜202被保持处于地电位并且已经测量了在颗粒收集区域中所感应的电压，则可以通过将感应电压除以颗粒收集区域301与物镜202之间的间隔来推断所述环境电场。最后，在步骤s1f处，根据环境电场的所推断出的量值和极性来确定所施加电场e的量值和极性。这涉及确定出当施加到颗粒收集区域301时产生所确定的所施加电场e的高压的量值和极性，这可以再次包括说明介于颗粒收集区域301和物镜202之间的间隔。

可以限制在步骤s1f中所确定的高电压，以便不导致在物镜202和颗粒收集区域301之间发生电击穿。在所施加电场e的施加期间，还可以对介于物镜202与颗粒收集区域301之间的最小间隔施加约束，以便进一步降低发生电击穿的可能性。此外，高压和由此产生的所施加电场e的确定可以包括从实验数据的库查找和/或设备的静电有限元模型的使用。这也可以包括考虑将颗粒保持在部件上的粘附力的估计；和/或将颗粒保持在部件上的范德华力的估计。这是因为颗粒可能不是仅通过由周围电场产生的静电力而保持在部件上，而是可能受到例如粘附力的影响。为了成功地将颗粒从部件传输到颗粒收集区域，应克服这些附加力以及静电力。计算机模型或库数据可以解释这些额外的力的贡献，以帮助准确确定所施加电场的量值和极性，这将导致颗粒被传送到颗粒收集区域。

在步骤s1f中确定的引起所施加电场的电压的极性将与由环境电场在颗粒收集区域中所感应的电压的极性相反。这是为了建立与环境电场的极性相反的所施加电场e，以便朝向颗粒收集区域301吸引颗粒205。如果环境电场和所施加电场的极性相同，则颗粒205可从颗粒收集区域301被排斥，并且被传送到不希望的量测设备的其它区域。

一旦根据上述参照图11所述的方法已确定了高压/所施加电场e的极性和量值，则组合的高压供应单元和电压感测装置304的高压电源在所确定的高压情况下被接通。这在介于颗粒收集区域301与物镜202之间的区域中建立所施加电场e(即如上所述的步骤s2)。这导致对颗粒205施加的静电力，该静电力克服将颗粒保持在物镜202上的总力(静电力、粘附力和重力之和)，且由此将颗粒205从物镜202传送到颗粒收集区域301的表面，如图7b和7c所示。一旦颗粒205已经到达颗粒收集区域301的表面(图7c)，则通过所施加电场e将其保持就位，直到随后的移除步骤s3已发生。

尽管在本文中可以具体参考在ic制造中光刻设备的使用，但是应当理解，本文所描述的光刻设备可以具有其他应用。可能的其他应用包括集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和探测模式、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头等。

尽管在本文中可以在量测设备的情境中具体提及本发明的实施例，但是本发明的实施例可以在其他装置中使用。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、检测偏离预期图案的晶片检查设备、光刻设备、或测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)之类物体的任何设备的一部分。这些设备通常称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

尽管上面可能已经具体提及了本发明的实施例在光学光刻的情境中的使用，但是应当理解，在情境允许的情况下，本发明不限于光学光刻，并且可以在其他应用中使用，例如压印光刻。

计算机程序可以被配置成提供上述方法中的任何一种。计算机程序可以设置在计算机可读介质上。计算机程序可以是计算机程序产品。该产品可包括非暂时性计算机可用储存介质。计算机程序产品可以具有计算机可读的程序代码，该程序代码体现于被配置成执行该方法的介质中。计算机程序产品可以被配置成使至少一个处理器执行部分或全部方法。

本文中参考计算机实现的方法、设备(系统和/或装置)和/或计算机程序产品的框图或流程图图示来描述了各种方法和设备。应理解的是，方框图和/或流程图图示的一个框，以及在框图和/或流程图图示中的块的组合可以由通过一个或多个计算机电路执行的计算机程序指令来实施。这些计算机程序指令可以被提供给通用计算机电路、专用计算机电路、和/或其他可编程数据处理电路的处理器电路，以产生机器，使得经由计算机的处理器和/或其他可编程数据处理设备执行的指令来转换和控制晶体管、存储在存储器位置中的值、和这种电路中的其他硬件部件，以实施在框图和/或流程图块中指定的功能/动作，且由此创建用于实施框图和/或流程图块中指定的功能/动作的装置(功能)和/或结构。

计算机程序指令也可以储存在计算机可读介质中，该介质可以指示计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作，使得储存在计算机可读介质中的指令产生制品，所述制品包括实施在实施框图和/或流程图块中指定的功能/动作的指令。

有形的、非暂时性的计算机可读介质可以包括电子、磁性、光学、电磁或半导体数据储存系统、设备或装置。计算机可读介质的更具体的例子将会包括以下项目：便携式计算机软盘、随机存取存储器(ram)电路、只读存储器(rom)电路、可擦除可编程只读存储器(eprom或闪存)电路、便携式光盘只读存储器(cd-rom)，以及便携式数字视频光盘只读存储器(dvd/蓝光)。

计算机程序指令也可以被加载到计算机和/或其他可编程数据处理设备上，以使在计算机和/或其他可编程设备上执行的一系列操作步骤产生计算机实施的过程，使得在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实施框图和/或流程图块中所指定的功能/动作的步骤。

在随后编号的项目中提供了进一步的实施例：

1.一种用于从设备的部件移除污染物颗粒的设备，所述污染物颗粒产生环境电场，所述设备包括：

用于吸引所述颗粒的收集区域，其中所述环境电场至少在所述部件与所述收集区域之间；以及

电场发生器，其被配置成在所述收集区域与所述部件之间建立所施加电场以使所述颗粒从所述部件传输到所述收集区域，

其中，电场发生器被配置成基于环境电场来确定所施加电场的极性。

2.根据项目1所述的设备，其中所施加电场的极性与环境电场的极性相反。

3.根据项目1或2所述的设备，其中所述电场发生器被配置成基于以下一个或多个来确定所施加电场的量值：环境电场的量值；将所述颗粒保持在所述部件上的粘附力的估计；将颗粒保持在部件上的范德华力的估计。

4.根据前述任一项目所述的设备，其中所述收集区域的至少一部分是导电的，并且其中所述电场发生器包括电压源，所述电压源被布置成通过向收集区域的至少一部分施加电压来建立所施加电场。

5.根据前述任一项目所述的设备，还包括场传感器，所述场传感器被配置成在建立所施加电场之前感测所述环境电场的极性，其中所述场传感器被可选地配置成在建立所施加电场之前感测所述周围电场的量值。

6.根据项目5所述的设备，其中所述场传感器包括导电元件，并且其中感测所述环境电场包括监测由环境电场在导电元件中感应或感生的电压。

7.根据项目6所述的设备，配置成在感测到环境电场时允许导电元件的电压浮动。

8.根据项目5至7中任一项目所述的设备，其中基于所感测的环境电场的量值和介于部件与导电元件和/或收集区域之间的距离中的至少一个确定所施加电场的量值。

9.根据项目5至8中任一所述的设备，其中收集区域包括导电元件。

10.根据前述任一项目所述的设备，还包括场感应器，其配置成在建立所施加电场之前在介于所述收集区域与所述部件之间的区域中感应另一电场，而所述收集区域可选地触及所述污染物颗粒。

11.根据前述任一项目所述的设备，其中部件是光学系统的物镜。

12.根据直接或间接地从属于项目4时的前述任一项目所述的设备，其中所施加电压的量值是在从0v到10kv的范围内。

13.根据项目12所述的设备，其中所施加电压的量值被确定以便防止所述部件与所述收集区域之间的电击穿。

14.根据前述任一项目所述的设备，其中所述部件被保持处于地电位。

15.根据前述任一项目所述的设备，还包括检查单元，该检查单元被配置成进行针对颗粒检查该部件的初始步骤，并且其中电场发生器被配置成根据在该部件上检测到的颗粒的阈值数量来建立所施加电场。

16.根据前述任一项目所述的设备，其中电场发生器被配置成以环境电场的极性和/或量值作为输入，基于从实验数据的库查找和/或所述设备的静电有限元模型来确定所施加电场的极性和/或量值。

17.根据前述任一项目所述的设备，其中在建立所施加电场之前，所述部件被转换为位于所述收集区域的正上方，或者所述收集区域被转换为位于所述部件的正下方。

18.根据前述任一项目所述的设备，还包括配置成从所述收集区域移除所述颗粒的颗粒移除器。

19.根据项目18所述的设备，其中所述颗粒移除器包括真空泵，且其中通过抽吸从所述收集区域移除所述颗粒。

20.根据项目19所述的设备，还包括用于放置在所述收集区域上方的盖子，所述盖子具有与真空泵流体连通的通风口，并且所述通风口被配置成在真空泵操作时跨过所述收集区域且朝向所述真空泵抽吸气体通过所述通风口。

21.根据项目18至20中任一所述的设备，其中电场发生器被配置成在真空泵运行之前或期间减小所施加电场的量值。

22.根据项目21所述的设备，其中电场发生器被配置成在真空泵运行之前或期间移除所施加电场。

23.根据项目21所述的设备，其中电场发生器被配置成在真空泵运行之前或期间反转所施加电场的极性。

24.根据前述任一项目所述的设备，还包括位于所述收集区域外围的防护装置，所述防护装置被配置成将所施加电场保持在与所述收集区域相邻的区域内。

25.根据项目24所述的设备，其中所述防护装置的至少一部分是导电的，并且被保持处于地电位。

26.根据项目1至25中任一所述的设备，其中所述部件是量测设备。

27.一种用于从设备的部件移除污染物颗粒的方法，所述污染物颗粒产生环境电场，并且所述设备包括用于吸引所述颗粒的收集区域，其中所述环境电场至少在所述部件与所述收集区域之间，所述方法包括：

由电场发生器基于环境电场来确定所施加电场的极性；以及

由电场发生器在所述收集区域与所述部件之间建立确定极性的所施加电场，以使所述颗粒从部件传输到所述收集区域。

28.根据项目27所述的方法，其中，确定所施加电场的极性和量值至少基于以下其中之一：所述环境电场的量值；将颗粒保持在部件上的粘附力的估计；和将颗粒保持在部件上的范德华力的估计。

29.根据项目27或28所述的方法，其中电场发生器包括电压源，并且其中建立所施加电场包括向导电的所述收集区域的一部分施加电压的电压源。

30.根据项目27至29中任一所述的方法，还包括在建立所施加电场之前，由场传感器感测所述环境电场的极性，并且还包括在建立所施加电场之前，由场传感器感测所述环境电场的量值的可选阶段。

31.根据项目30所述的方法，其中所述场传感器包括导电元件，且其中感测所述环境电场包括监测由所述环境电场在导电元件中所感应的电压。

32.根据项目31所述的方法，还包括在感测到环境电场时允许导电元件的电压浮动。

33.根据项目30至32中任一所述的方法，还包括基于所感测的环境电场的量值以及介于所述部件与所述导电元件和/或所述收集区域之间的距离的至少一个来确定所施加电场的量值。

34.根据项目27至33中任一所述的方法，还包括由场感应器在建立所施加电场之前，在所述收集区域与所述部件之间的区域中感生另一电场，同时可选地允许所述收集区域触及所述污染物颗粒。

35.根据项目27至34中任一所述的方法，其中所施加电压的量值在从0v至10kv范围内。

36.根据项目35所述的方法，还包括确定所施加电压的量值，以便防止所述部件与所述收集区域之间的电击穿。

37.根据项目27至36中任一所述的方法，还包括保持所述部件处于地电位。

38.根据项目27至37中任一所述的方法，还包括由检查单元检查用于颗粒的所述部件和所述电场发生器的初始步骤，所述电场发生器根据在所述部件上检测到的颗粒的阈值数量来建立所施加电场。

39.根据项目27至38中任一所述的方法，还包括电场发生器，其以环境电场的极性和/或量值作为输入，基于从实验数据的库查找和/或所述设备的静电有限元模型来确定所施加电场的极性和/或量值。

40.根据项目27至39中任一所述的方法，还包括在建立所施加电场之前，将所述部件平移成定位在所述收集区域正上方或替代地将所述收集区域平移成定位在所述部件的正下方。

41.根据项目27至40中任一所述的方法，还包括从所述收集区域移除所述颗粒的颗粒移除器。

42.根据项目41所述的方法，其中所述颗粒移除器包括真空泵，且其中通过抽吸从所述收集区域移除所述颗粒。

43.根据项目42所述的方法，还包括在收集区域上放置盖子，盖子上有与真空泵流体连通的通风口，并且操作所述真空泵以将气体穿过所述通风口、跨过所述收集区域并且朝向真空泵吸入。

44.根据项目41至43中任一所述的方法，还包括电场发生器，其在真空泵的运行之前或期间减小所施加电场的量值。

45.根据项目44所述的方法，还包括电场发生器，在真空泵运行之前或期间移除所施加电场。

46.根据项目44所述的方法，还包括电场发生器在真空泵运行之前或期间反转所施加电场的极性。

47.根据项目27至46中任一所述的方法，还包括将位于收集区域外围处的防护装置保持处于地电位，以在与收集区域相邻的区域中保持所施加电场。

48.根据项目27至47中任一所述的方法，其中所述部件属于量测设备。

49.一种计算机程序，包括指令，当指令在至少一个处理器上执行时，使至少一个处理器控制设备执行根据项目27至48中任一所述的方法。

50.一种载体，包含根据项目49所述的计算机程序，其中载体是电子信号、光学信号、无线电信号、或非暂时性计算机可读储存介质之一。

51.一种量测设备，包括根据项目1至26中任一所述的器具。

52.一种光刻设备，包括根据项目1至26中任一所述的或根据项目51所述的设备。

53.一种光刻单元，包括根据项目52所述的设备。

54.一种用于从设备的部件移除污染物颗粒的设备，所述污染物颗粒产生环境电场，所述设备包括：

用于吸引颗粒的收集区域，其中所述环境电场至少在所述部件与所述收集区域之间；

电场发生器；以及

处理器，配置成执行以下步骤：

基于所述电场来确定所施加电场的极性；以及

使电场发生器在所述收集区域与所述部件之间建立一所施加电场，以使颗粒从所述部件传输到所述收集区域。

因此，本发明可被体现于在处理器上运行的硬件和/或软件(包括固件、驻留软件、微代码等)，其可统称为“电路”、“模块”或其变型。

还应注意，在一些替代实现方式中，块中所提及的功能/动作可能出现在流程图中提及的顺序之外。例如，根据所涉及的功能/动作，连续示出的两个块实际上可以实质上同时并发地执行，或者这些块有时可以按相反的顺序执行。此外，流程图和/或框图的给定块的功能可以被分离成多个块和/或流程图，和/或框图的两个或更多个块的功能可以被至少部分地集成。最后，可以在所示块之间添加/插入其他块。

虽然本发明的具体实施例已经在上文中描述过，但是应当理解，可以按与所描述方式不同的其他方式来实践本发明。以上描述旨在是说明性而非限制性的。因此，本领域技术人员将清楚地看到，在不脱离下文阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对本发明进行修改。