一种防窥模组、显示装置及其防窥角度切换方法与流程

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种防窥模组、显示装置及其防窥角度切换方法。

背景技术：

现如今社会对显示产品的需求越来越大，要求也越来越高，人们对显示产品的观看私密性也越来越关注。对于手机、平板电脑等显示产品，需要实现防窥来达到保护个人隐私及商业机密的目的。目前具备防窥功能的显示产品，通常仅具有一个防窥角度，无法根据实际需要选择防窥角度。综上，现有技术的显示产品防窥显示不能实现防窥角度的切换。

技术实现要素：

本申请实施例提供了一种防窥模组、显示装置及其防窥角度切换方法，用以实现防窥角度的切换。

本申请实施例提供的一种防窥模组，所述防窥模组包括：光栅层，以及设置在所述光栅层一侧的偏转控制层；所述光栅层包括：多个磁致偏转光栅结构，相邻两个所述磁致偏转光栅结构之间具有间隙；所述偏转控制层用于产生磁场控制所述磁致偏转光栅结构发生偏转，以使所述间隙的大小发生变化。

本申请实施例提供的防窥模组，由于光栅层包括磁致偏转光栅结构，磁致偏转光栅结构在偏转控制层产生的磁场作用下可以发生偏转，以使所述间隙的大小发生变化，磁场撤销后这样所述间隙的大小再次恢复到未施加磁场的状态，即偏转控制层未产生磁场时使是间隙的大小与所述偏转控制层产生磁场时所述间隙的大小不同，从而，偏转控制层未产生磁场时光线从光栅层出射的角度与偏转控制层产生磁场时光线从光栅层出射的角度不同，从而可以通过偏转控制层产生磁场来实现不同防窥角度的切换。

可选地，所述光栅层还包括：相对而置的第一基板以及第二基板，所述第一基板和所述第二基板之间具有与所述磁致偏转光栅结构一一对应的偏转空间，所述磁致偏转光栅结构位于所述偏转空间内；所述偏转空间的高度和宽度均大于所述磁致偏转光栅结构的最大尺寸。

本申请实施例提供的防窥模组所述偏转空间的高度和宽度均大于所述磁致偏转光栅结构的最大尺寸，从而可以为每一磁致偏转光栅结构提供充足的偏转空间。

可选地，所述磁致偏转光栅结构沿相互交叉的第一方向和第二方向排列。

所述磁致偏转光栅结构沿相互交叉的第一方向和第二方向排列，即磁致偏转光栅结构排列形成二维光栅，从而本申请实施例提供的防窥模组可以在实现防窥角度切换的同时实现360°防窥，进一步提升防窥效果以及防窥可靠性。

可选地，所述光栅层划分成对称中心重合的多个光栅组，每一所述光栅组中，所述磁致偏转结构首尾相邻，在垂直于所述防窥模组所在平面的方向上，每一所述光栅组正投影的形状为环形。

可选地，所述偏转控制层包括与所述光栅组一一对应的通电线圈；所述防窥模组还包括与所述通电线圈连接的控制单元。

可选地，所述偏转控制层未产生磁场时所述间隙的大小，小于所述偏转控制层产生磁场时所述间隙的大小。

可选地，所述磁致偏转光栅结构的材料包括下列之一或其组合：纳米四氧化三铁，铁基硼硅铌铜合金。

本申请实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，以及位于所述显示面板一侧的本申请实施例提供的上述防窥模组。

可选地，所述显示装置还包括背光模组；所述防窥模组位于所述背光模组与所述显示面板之间，或者，所述显示面板位于所述防窥模组与所述背光模组之间。

一种本申请实施例提供的显示装置的防窥角度切换方法，该方法包括：

确定所述防窥角度；所述防窥角度为第一防窥角度或第二防窥角度；

当所述防窥角度为所述第一防窥角度时，控制所述偏转控制层产生使得所述磁致偏转光栅结构发生偏转的电场；

当所述防窥角度为所述第二防窥角度时，控制所述偏转控制层不产生电场。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种防窥模组的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种防窥模组中磁致偏转光栅在磁场作用下发生偏转的示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种防窥模组的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种防窥模组中磁致偏转光栅结构排列的示意图；

图5为本申请实施例提供的另一种防窥模组中磁致偏转光栅结构排列的示意图；

图6为本申请实施例提供的一种通电线圈的示意图；

图7为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的另一种显示装置的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图12为本申请实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图13为本申请实施例提供的一种显示装置防窥角度切换方法的示意图。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种防窥模组，如图1所示，所述防窥模组包括：光栅层1，以及设置在所述光栅层1一侧的偏转控制层2；所述光栅层1包括：多个磁致偏转光栅结构3，相邻两个所述磁致偏转光栅结构3之间具有间隙；所述偏转控制层2用于产生磁场控制所述磁致偏转光栅结构3发生偏转，以使所述间隙的大小发生变化。

需要说明的是，本申请实施例提供的如图1所示的防窥模组，偏转控制层2未产生磁场，磁致偏转光栅结构未发生偏转，此时相邻两个磁致偏转光栅结构之间的间隙的大小为h1。当偏转控制层产生磁场，如图2所示，磁致偏转光栅结构在磁场的作用下发生偏转，相邻两个磁致偏转光栅结构之间的间隙的大小变为h2。之后再次控制偏转控制层不产生磁场，磁场慢慢消失，且在消失的过程中，磁场方向发生改变，磁致偏转光栅结构随着磁场方向改变发生偏转，在磁场彻底消失后，磁致偏转光栅结构在其重力的作用下恢复到如图1所示的状态，相邻两个磁致偏转光栅结构之间的间隙变为h1。

本申请实施例提供的防窥模组，由于光栅层包括磁致偏转光栅结构，磁致偏转光栅结构在偏转控制层产生的磁场作用下可以发生偏转，以使所述间隙的大小发生变化，磁场撤销后所述间隙的大小再次恢复到未施加磁场时的状态，即偏转控制层未产生磁场时使是间隙的大小与所述偏转控制层产生磁场时所述间隙的大小不同，从而，偏转控制层未产生磁场时光线从光栅层出射的角度与偏转控制层产生磁场时光线从光栅层出射的角度不同，从而可以通过偏转控制层产生磁场来实现不同防窥角度的切换。

可选地，磁致偏转光栅结构平行于偏转平面的截面的水平方向的最大长度与竖直方向的最大长度不相等。从而可以实现偏转控制层未产生磁场时使是间隙的大小与所述偏转控制层产生磁场时所述间隙的大小不同。

本申请实施例提供的如图1、图2所示的防窥模组，所述磁致偏转光栅结构3的形状为长方体，且磁致偏转光栅结构平行于偏转平面的截面的形状为长方形。

可选地，如图1、图2所示，所述光栅层1还包括：相对而置的第一基板4以及第二基板5，所述第一基板4和所述第二基板5之间具有与所述磁致偏转光栅结构3一一对应的偏转空间6，所述磁致偏转光栅结构3位于所述偏转空间6内；所述偏转空间6的高度和宽度均大于所述磁致偏转光栅结构3的最大尺寸。

本申请实施例提供的防窥模组所述偏转空间的高度和宽度均大于所述磁致偏转光栅结构的最大尺寸，从而可以为每一磁致偏转光栅结构提供充足的偏转空间。

在制作防窥模组时，可以在第二基板上形成与磁致偏转光栅结构一一对应的凹槽，在将第一基板和第二基板对合后，凹槽区域即为磁致偏转光栅结构的偏转空间。在具体实施时，第一基板和第二基板例如可以选择透明基板，透明基板的材料例如可以是聚对苯二甲酸类塑料(pet)。第二基板可以是单层也可以由多层pet基板复合形成。

磁致偏转光栅结构的制备，例如可以在第一基板之上整层设置磁致偏转光栅结构的材料，之后采用图形化工艺处理磁致偏转光栅结构的材料，形成多个独立的磁致偏转光栅结构的图案。

以磁致偏转光栅结构平行于偏转平面的截面的形状为长方形为例，磁致偏转空间的宽度和高度大于长方形长边的变长，还需要大于长方形的对角线长度，从而长方体的磁致偏转光栅可以在磁致偏转空间中发生偏转。

需要说明的是，本申请实施例提供的防窥模组，可以根据实际需要对磁致偏转光栅结构的尺寸、相邻两个磁致偏转光栅结构之间的距离、以及偏转空间的尺寸进行选择，本申请不进行限制。

本申请实施例提供的如图1、图2所示的防窥模组，偏转控制层2位于第一基板4背离磁致偏转光栅结构3的一侧。当然，也可以是如图3所示，偏转控制层2位于第二基板5背离磁致偏转光栅结构3的一侧。

可选地，如图4、图5所示，所述磁致偏转光栅结构3沿相互交叉的第一方向x和第二方向y排列。图4、图5中第一方向x和第二方向y垂直，磁致偏转光栅结构3沿第一方向x和第二方向y的排列都具有周期性。

所述磁致偏转光栅结构沿相互交叉的第一方向和第二方向排列，即磁致偏转光栅结构排列形成二维光栅，从而本申请实施例提供的防窥模组可以在实现防窥角度切换的同时实现360°防窥，进一步提升防窥效果以及防窥可靠性。

可选地，如图4、图5所示，所述光栅层划分成对称中心重合的多个光栅组8，每一所述光栅组8中，所述磁致偏转光栅结构3首尾相邻，在垂直于所述防窥模组所在平面的方向上，每一所述光栅组正投影的形状为环形。

环形可以是如图4所示的圆环，也可以是如图5所示的方环。

可选地，本申请实施例提供的如图1、图2所示的防窥模组，所述偏转控制层2包括与所述光栅组一一对应的通电线圈7；所述防窥模组还包括与所述通电线圈7连接的控制单元。

即本申请实施例提供的防窥模组，控制单元向通电线圈供电，通电线圈通入电流，从而电生磁产生磁场，进而控制磁致偏转光栅结构发生偏转。

可选地，所述控制单元包括开关以及控制部件。具体地，控制部件通过控制开关开启为通电线圈提供电流，产生磁场，控制部件通过控制开关关闭，使得通电线圈无电流流过而磁场消失。

本申请实施例提供的防窥模组，当磁致偏转光栅结构排列形成二维光栅，通电线圈的形状与光栅组的形状相对应。例如，当光栅组正投影的形状为圆环时，如图6所示，通电线圈7围成的形状为圆形。当控制单元向通电线圈供电，通电线圈的电流方向为逆时针方向时，磁场的方向为垂直纸面向外的方向。当控制单元向通电线圈供电，通电线圈的电流方向为顺时针方向时，磁场的方向为垂直纸面向里的方向。

可选地，所述通电线圈的材料为氧化铟锡(ito)。

具体实施时，可以在第一基板背离磁致偏转光栅结构的一侧整层设置ito，刻蚀形成通电线圈的图案，再在ito之上沉积平坦化层。也可以在第二基板背离磁致偏转光栅结构的一侧整层设置ito，刻蚀形成通电线圈的图案，再在ito之上沉积平坦化层。

可选地，本申请实施例提供的如图1、图2所示的防窥模组，所述偏转控制层2未产生磁场时所述间隙的大小h1，小于所述偏转控制层2产生磁场时所述间隙的大小h2。

即偏转控制层未产生磁场时光线经过光栅层的出射角度小于偏转控制层产生磁场时光线经过光栅层的出射角度，本申请实施例提供的防窥模组，可以提供两个防窥角度，当偏转控制层产生电场时对应大防窥角，而当偏转控制层不产生电场时对应小防窥角，在具体实施时，当需要选择大防窥角时，向通电线圈提供电流，产生磁场，使得磁致偏转光栅发生偏转，当需要选择小防窥角时，控制通电线圈无电流通过，例如当需要从大防窥角切换为小防窥角时，可以通过关闭控制单元的开关，使得通电线圈无电流通过。

在实际应用中，可以根据观看显示画面的人数来选择防窥模组的防窥角度，例如，当需要观看显示画面的人数较多时选择大防窥角度，当需要观看显示画面的人数较少时，选择小防窥角度。

可选地，所述磁致偏转光栅结构的材料包括下列之一或其组合：纳米四氧化三铁(fe3o4)，铁基硼硅铌铜(fe73.5cu1nbsi13.5b9)合金。

本申请实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，以及位于所述显示面板一侧的本申请实施例提供的上述防窥模组。

本申请实施例提供的显示装置，由于包括本申请实施例提供的上述防窥模组，从而当用户使用显示装置时，可以根据实际需要选择防窥角度，即可以根据需要切换防窥角度。

本申请实施例提供的显示装置，显示面板可以是液晶显示面板，也可以是电致发光显示面板。电致发光显示面板例如可以是有机发光二极管显示面板。

当显示面板为电致发光显示面板时，如图7、图8所示，防窥模组10位于显示面板9出光侧。其中，本申请实施例提供的如图7所述的显示装置，偏转控制层2位于光栅层1与显示面板9之间，而本申请实施例提供的如图8所示的显示装置，光栅层1位于显示面板9和偏转控制层2之间。

当显示面板为液晶显示面板时，可选地，所述显示装置还包括背光模组；如图9、图10所示，所述防窥模组位于所述背光模组11与所述显示面板9之间，或者，如图11、图12所示，所述显示面板9位于所述防窥模组10与所述背光模组11之间。

本申请实施例提供的如图9所示的显示装置，防窥模组10的偏转控制层2位于光栅层1与背光模组11之间。申请实施例提供的如图10所示的显示装置，防窥模组10的偏转控制层2位于光栅层1与显示面板9之间。本申请实施例提供的如图11所示的显示装置，防窥模组10的偏转控制层2位于光栅层1与显示面板9之间。本申请实施例提供的如图12所示的显示装置，防窥模组10的光栅层1位于偏转控制层2与显示面板9之间。

可选地，本申请实施例提供的显示装置，当防窥模组的光栅层划分为多个光栅组时，光栅组的中心与显示面板的中心重合。

一种本申请实施例提供的显示装置的防窥角度切换方法，如图13所示，该方法包括：

s101、确定所述防窥角度；所述防窥角度为第一防窥角度或第二防窥角度，当所述防窥角度为所述第一防窥角度时，执行步骤s102，当所述防窥角度为所述第二防窥角度时，执行步骤s103；

s102、控制所述偏转控制层产生使得所述磁致偏转光栅结构发生偏转的电场；

s103、控制所述偏转控制层不产生电场。

综上所述，本申请实施例提供的防窥模组、显示装置及其防窥角度切换方法，由于光栅层包括磁致偏转光栅结构，磁致偏转光栅结构在偏转控制层产生的磁场作用下可以发生偏转，以使所述间隙的大小发生变化，磁场撤销后这样所述间隙的大小再次恢复到未施加磁场的状态，即偏转控制层未产生磁场时使是间隙的大小与所述偏转控制层产生磁场时所述间隙的大小不同，从而，偏转控制层未产生磁场时光线从光栅层出射的角度与偏转控制层产生磁场时光线从光栅层出射的角度不同，从而可以通过偏转控制层产生磁场来实现不同防窥角度的切换。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。