发光元件、投影型显示装置和平面发光装置的制作方法

文档序号:26007625发布日期:2021-07-23 21:26阅读:98来源:国知局
发光元件、投影型显示装置和平面发光装置的制作方法
本公开涉及发光元件以及形成有这种发光元件的投影型显示装置和平面发光装置,并且更具体地,涉及自发光型发光元件以及形成有这种自发光型发光元件的投影型显示装置和平面发光装置。
背景技术
:近年来,使用有机电致发光元件(在下文中,简单地缩写为有机el元件)作为发光元件的照明装置和有机电致发光显示装置(在下文中,简单地缩写为有机el显示装置)变得普及。此外,对从有机el显示装置有效提取光的方法的发展有很强的需求。这是因为在光提取效率低的情况下,无法有效地利用从有机el元件发射的实际光量,这导致功耗等方面大的损耗。已经尝试控制在发光层中生成的光,诸如通过在有机el元件中引入共振器结构来改善发射颜色的颜色纯度并增大发光效率(参见,例如,wo2001/039554)。此外,例如,jp2009-049135a公开了可以通过增强在共振器结构中生成的光与在每个反射端处反射和返回的光彼此之间的关系来最大化发射强度。另外,传统的投影型显示装置包括例如发射光的光源、将来自该光源的光调制以形成图像的空间调制器、以及将来自空间调制器的图像投影在例如屏幕上的投影光学系统。引文列表专利文献专利文献1:wo2001/039554专利文献2:jp2009-049135a技术实现要素:技术问题然而,就本发明人进行的研究已经示出,其中发射光的光源和形成图像的空间调制器被集成的投影型显示装置,即,可以通过自发光型发光元件代替光源和空间调制器形成图像的投影型显示装置和平面发光装置是未知的。因此,本公开的目的是提供能够通过自发光型发光元件形成图像的投影型显示装置、配置有自发光型发光元件的平面发光装置、以及适合于在这种投影型显示装置或平面发光装置中使用的发光元件。问题的解决方案用于实现上述目的的根据本公开的第一方面的发光元件包括第一电极;有机层,形成在所述第一电极上并且包括由有机发光材料构成的发光层;和第二电极,形成在所述有机层上,其中所述发光层是通过将发射相同颜色的光的多个发光层进行层叠来构成的。用于实现上述目的的根据本公开的第二方面的发光元件包括:第一电极;有机层,形成在所述第一电极上并且包括由有机发光材料构成的发光层;和第二电极,形成在所述有机层上,并且所述发光元件还包括光反射层,设置在所述第一电极下方,其中使在所述发光层中发射的光在所述第二电极和所述有机层的界面与所述光反射层之间共振,并且使所述光的一部分从所述第二电极输出。也就是说,共振器结构形成在所述第二电极和所述有机层的界面与所述光反射层之间。用于实现上述目的的根据本公开的第一方面的投影型显示装置配置有面板,包括:第一基板;第二基板;和夹在所述第一基板与所述第二基板之间的多个发光元件,其中每个发光元件包括第一电极;有机层,形成在所述第一电极上并且包括由有机发光材料构成的发光层;和第二电极,形成在所述有机层上,所述发光层是通过将发射相同颜色的光的多个发光层进行层叠来构成的。用于实现上述目的的根据本公开的第二方面的投影型显示装置配置有面板,包括:第一基板;第二基板;和夹在所述第一基板与所述第二基板之间的多个发光元件,其中每个发光元件包括第一电极;有机层,形成在所述第一电极上并且包括由有机发光材料构成的发光层;和第二电极,形成在所述有机层上,以及每个发光元件还包括设置在所述第一电极下方的光反射层,以及使在所述发光层中发射的光在所述第二电极和所述有机层的界面与所述光反射层之间共振,并且使所述光的一部分从所述第二电极输出。也就是说,共振器结构形成在所述第二电极和所述有机层的界面与所述光反射层之间。用于实现上述目的的根据本公开的第三方面的投影型显示装置配置有面板,包括:第一基板;第二基板;和夹在所述第一基板与所述第二基板之间的多个发光元件,其中每个发光元件由根据上述本公开的第一或第二方面所述的发光元件来构成。用于实现上述目的的本公开的平面发光装置配置有面板,包括:第一基板;第二基板;和夹在所述第一基板与所述第二基板之间的多个发光元件,其中每个发光元件由根据上述本公开的第一或第二方面所述的发光元件来构成。附图说明[图1]图1是示例1的发光元件和示例1的构成投影型显示装置的面板的示意性局部截面图。[图2]图2a和图2b是示出示例1的构成投影型显示装置的四个面板的示意性布置的图。[图3]图3是示意性地示出图2a中所示的示例1的构成投影型显示装置的四个面板的图像投影状态的图。[图4]图4是示意性地示出图2b中所示的示例1的构成投影型显示装置的四个面板的图像投影状态的图。[图5]图5是示例1的发光元件和示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例1的示意性局部截面图。[图6]图6是示例1的发光元件和示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例2的示意性局部截面图。[图7]图7是示例1的发光元件和示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例3的示意性局部截面图。[图8]图8是示意性地示出图7中所示的示例1的发光元件和示例1的构成投影型显示装置的面板中的金属薄膜滤光层的平面图。[图9]图9是示例1的发光元件和示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例4的示意性局部截面图。[图10]图10是示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例5的概念图。[图11]图11a和图11b是示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例6的概念图。[图12]图12是示意性地示出来自发光元件的光的发射状态的图。[图13]图13a和图13b分别是示例1和示例2的发光元件的示意性局部截面图。[图14]图14是示例2的发光元件和示例2的构成投影型显示装置的面板的示意性局部截面图。[图15]图15是示例1的发光元件和示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例7的示意性局部截面图。[图16]图16是示例1的发光元件和示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例8的示意性局部截面图。[图17]图17是示出示例1、2和3的发光元件以及传统的有机电致发光元件的发射光谱的曲线图。[图18]图18a是示出示例2和传统的有机电致发光元件的发射光谱的曲线图,并且图18b是示出从通过发光元件的发光单元的中心的中心线的光发射角与光强度之间的关系的曲线图。[图19]图19a是构成传统的有机电致发光显示装置的一个像素的三个有机电致发光元件的示意性布置图,并且图19b是发光区域的示意性布置图。具体实施方式在下文中,将基于参考附图的示例描述本公开,但是本公开不限于这些示例,并且示例中的各种数值和材料仅是说明性的。将按以下顺序给出描述。1.根据本公开的第一和第二方面的发光元件、根据本公开的第一至第三方面的投影型显示装置以及本公开的平面发光装置的一般解释2.示例1(根据本公开的第二方面的发光元件以及根据本公开的第二方面和本公开的第三方面的投影型显示装置)3.示例2(根据本公开的第一方面的发光元件以及根据本公开的第一方面和本公开的第三方面的投影型显示装置)4.示例3(示例1和示例2的组合)5.其它<根据本公开的第一和第二方面的发光元件、根据本公开的第一至第三方面的投影型显示装置以及本公开的平面发光装置的一般解释>在根据本公开的第一方面的发光元件的可能的实施例中,在发光层和发光层之间形成有中间层(电荷生成层)。这里,构成中间层的材料可以举例说明为选自包括以下项的组的至少一种材料:锂(li)、钙(ca)、钠(na)、铯(cs)、钼氧化物(moo3)、钒氧化物(v2o5)和钨氧化物(wo3),以及广泛地为导电金属材料、合金材料和金属化合物。需要防止由于中间层的成膜而损坏发光层。中间层例如通过溅射方法形成在由有机材料构成的发光层上,但如果中间层的成膜温度超过例如100℃,则可能损坏发光层。因此,当基于溅射方法形成中间层时,需要从成膜温度可以为100℃以下的材料中选择构成中间层的材料。中间层的厚度可以是但不限于2nm至10nm。此外,在包括上述优选实施例的根据本公开的第一方面的发光元件的可能的实施例中,多个发光层具有相同的构成。此外,在可能的实施例中,包括上述优选实施例的根据本公开的第一方面的发光元件还包括光反射层,其中使在发光层中发射的光在第二电极和有机层的第二界面与光反射层之间共振,并且使光的一部分从第二电极输出。这里,在可能的实施例中,光反射层布置在第一电极下方,或者被配置为布置在第一电极上方且在发光层下方。根据本公开的第一方面的发光元件的这种优选配置可以包括根据本公开的第二方面的各种下面描述的发光元件的优选形式。在这种情况下,通过层叠发射相同颜色的多个发光层而形成的发光层中发光层的最大发光位置是指多个发光层的厚度方向上的平均位置。具体地,将以下位置设为最大发光位置,该位置和第一电极和有机层之间的界面(为了方便起见被称为“第一界面”)与每个发光层的厚度方向上的中心之间的距离的平均值相对应。在光反射层布置在第一电极上方且在发光层下方的配置中,第一电极不一定需要是透明的。此外,在一些情况下,其中光反射层的形成被省略以使得第一电极还用作光反射层的实施例是可能的。在这种情况下,将从发光层的最大发光位置到第一电极的距离设为l1,将光学距离设为ol1,并且将在第一电极处生成的反射光(由光反射层反射的光)的相移量设为φ1。将在下面详细描述以上内容。在根据本公开的第一方面的发光元件中,发光层的数量(n)是2以上,但该数量不是限制性的,并且“4”可以举例说明作为上限值。中间层中的层数是(n-1)。通常,随着发光层的数量n增加,用于驱动发光元件的电压增加。因此,发光层的数量n受到用于驱动发光元件的电压的限制,并且还受到发光元件驱动单元的耐压的限制。在根据本公开的第二方面的发光元件中,在第二电极和有机层之间的界面(为了方便起见被称为“第二界面”)与光反射层在第一电极侧的表面(为了方便起见该表面被称为“第一界面”)之间形成有共振结构,但是可以使用以下配置,使得假定从发光层的最大发光位置到第一界面的光学距离是ol1,从发光层的最大发光位置到第二界面的光学距离是ol2,并且m1和m2是整数,则满足以下公式(1-1)和(1-2)。0.7{-φ1/(2π)+m1}≤2×ol1/λ≤1.2{-φ1/(2π)+m1}(1-1)0.7{-φ2/(2π)+m2}≤2×ol2/λ≤1.2{-φ2/(2π)+m2}(1-2)这里,λ:在发光层中生成的光谱的最大峰值波长(或在发光层中生成的光中的期望波长);φ1:在第一界面处生成的反射光(在第一界面处反射的光)的相移量(单位:弧度)。其中,-2π<φ1≤0;和φ2:在第二界面处生成的反射光(在第二界面处反射的光)的相移量(单位:弧度)。其中,-2π<φ2≤0。这里,m1的值为0以上,并且m2的值为0以上且独立于m1的值,但从有机层中的电位设计的观点来看,也就是说从优化有机层中的电位的观点来看,优选的是,m1≥1和m2≥1。结果,如下文将详细描述的,可以使从发光元件发射的光的半高全宽(fwhm)的值变小。从发光层的最大发光位置到第一界面的距离l1是指从发光层的最大发光位置到第一界面的实际距离(物理距离),并且从发光层的最大发光位置到第二界面的距离l2是指从发光层的最大发光位置到第二界面的实际距离(物理距离)。光学距离也被称为光学路径长度,并且当光线通过折射率为n的介质达距离l时,光学距离通常是指n×l。这同样适用于下文。因此,假定平均折射率是nave,则以下关系是有效的。ol1=l1×naveol2=l2×nave这里,通过将构成有机层(或有机层、第一电极和层间绝缘层)的每层的折射率和厚度的乘积相加,并将总和除以有机层(或有机层、第一电极和层间绝缘层)的厚度来获得平均折射率nave。可以通过确定在发光层中生成的光的期望波长λ(具体地,红色波长、绿色波长和蓝色波长)并在公式(1-1)和(1-2)的基础上获得发光元件中的诸如ol1和ol2之类的各种参数,来设计发光元件。光反射层和第二电极吸收入射光的一部分并反射其余部分。因此,在反射光中发生相移。可以通过例如用椭圆仪测量构成光反射层和第二电极的材料的复折射率的实部和虚部的值,并在这些值的基础上进行计算,来确定相移量φ1和φ2(参见,例如,“principlesofoptic”,maxborn和emilwolf,1974(pergamonpress))。也可以通过用椭圆仪测量来获得有机层、层间绝缘层等的折射率以及第一电极的折射率,或者在第一电极吸收入射光的一部分并反射其余部分的情况下获得第一电极的折射率。构成光反射层的材料的示例包括铝、铝合金(例如,al-nd或al-cu)、al/ti层叠结构、al-cu/ti层叠结构、铬(cr)、银(ag)和银合金(例如,ag-cu、ag-pd-cu和ag-sm-cu)。光反射层可以通过以下方式形成:例如包括电子束气相沉积方法、热丝气相沉积方法和真空气相沉积方法的气相沉积方法,溅射方法,cvd方法或离子镀敷方法;镀敷方法(电镀方法或无电镀方法);剥离方法;激光烧蚀方法;溶胶-凝胶方法等等。取决于构成光反射层的材料,优选形成由例如tin构成的基膜,以控制要形成的光反射层的晶体状态。根据本公开的第一方面和第二方面的发光元件可以被配置为使得从发光元件发射的光的半高全宽(fwhm)的值为30nm以下。从下文所述的传统的有机el元件发射的光的半高全宽(fwhm)的值通常为60nm至100nm,并且根据本公开的第一方面和第二方面的发光元件具有比传统的有机el元件更尖锐的发射光谱。此外,在根据本公开的第一方面和第二方面的发光元件的可能的实施例中,在将通过发光元件的发光单元的中心的中心线处的光强度(从发光单元发射的光的光强度)设为100%的情况下,定向半值角为25度以下,定向半值角为由中心线与相对于中心线具有50%光强度(从发光单元发射的光的光强度)的方向形成的角度。lambersian辐射的定向半值角约为70度。也就是说,从根据本公开的第一方面和第二方面的发光元件发射的光具有比稍后描述的传统的有机el元件更高的方向性,或者接近于平行光。因此,不需要在传统的投影型显示装置(投影仪)的光源和空间调制器之间通常需要的远心光学系统,并且可以简化投影型显示装置。此外,从根据本公开的第一方面和第二方面的发光元件发射的光是高度定向的光或接近于平行光的光。因此,可以防止发生以下现象:在发光层中生成的光在第一基板和第二基板之间重复经历全反射,以从第一基板和第二基板的结合部分(面板的端面)发射,并且在从面板发射的光中发生损耗。此外,在包括上述优选配置的根据本公开的第二方面的发光元件的可能的实施例中,透镜构件(片上透镜)布置在有机层的光发射侧。通过采用这样的实施例,从发光元件发射的光可以处于期望状态,诸如平行光。透镜构件(片上微透镜)可以例如由诸如丙烯酸树脂之类的透明树脂材料构成,并且可以通过熔融流动或通过回蚀该透明树脂材料而获得,并且还可以通过诸如在纳米印刷方法的基础上将透明树脂材料形成为透镜形状之类的方法来获得。在可能的实施例中,透镜构件(片上透镜)具有例如正屈光力,并且在可能的但非限制性的实施例中,具有平凸透镜形状。以下实施例也是可能的:凸面位于第二基板侧或第一基板侧,并且该凸面可以是球形或非球形,并且平面形状可以是适合于发光区域的平面形状的形状,这将在下面描述,诸如是圆形、椭圆形或带有圆角的矩形。在可能的实施例中,还包括控制从透镜构件发射的光的行进方向的第二透镜构件。在可能的实施例中,在相邻发光元件的透镜构件之间形成有光吸收层(黑矩阵层)。通过在相邻发光元件的透镜构件之间形成光吸收层(黑矩阵层),可以可靠地抑制相邻发光元件之间的微小图像的重复的发生。也就是说,可以可靠地抑制以下现象:其中由特定发光元件形成的单位图像以及由与特定发光元件相邻或位于特定发光元件附近的发光元件形成的单位图像部分重叠(在下文中,为了方便起见被称为“单位像素的部分重复”)。光吸收层由例如与黑色着色剂混合的具有1以上的光密度的黑树脂膜(具体地,例如,黑色聚酰亚胺树脂)构成,或者光吸收层由使用薄膜干涉的薄膜滤光片来构成。薄膜滤光片通过将由例如金属、金属氮化物或金属氧化物制成的两个或更多个薄膜进行层叠来形成,并通过利用薄膜的干涉来衰减光。薄膜滤光片的具体示例包括其中cr和铬(iii)氧化物(cr2o3)交替层叠的示例。此外,在包括上述优选配置和实施例的根据本公开的第二方面的发光装置的可能的实施例中,在第一电极和光反射层之间进一步形成有金属薄膜滤光层。金属薄膜滤光层由例如金(au)、银(ag)、铂(pt)、铝(al)、铜(cu)、钨(w)或包括这些材料的合金构成。在金属薄膜滤光层中,例如,具有圆形、椭圆形、矩形、字母“u”、十字形等的平面形状且尺寸为约200nm的大量孔二维地形成和排列(例如,布置在网格点上或以交错的图案布置),或者形成大量的狭缝。在例如jp2015-232599a中公开了金属薄膜滤光层。在金属薄膜滤光层中,仅具有特定波长的光借助于表面等离子体激元(spr)透射,其中在金属表面上的自由电子与电磁波耦合。经过这种周期性微制造的金属薄膜滤光层也被称为等离子体滤光片(孔阵列滤光片)。尽管在图像捕获装置的领域中,金属薄膜滤光层是广泛已知的,但是到本发明人已经进行研究为止,在形成有自发光型发光元件的投影型显示装置中的用途是未知的。取决于由发光元件发射的光的波长(例如,当发光元件发射红外线时),也可以形成上述金属薄膜滤光层而不是光反射层,并通过金属薄膜滤光层反射光。此外,在包括上述优选配置和实施例的根据本公开的第一和第二方面的发光元件的可能的实施例中,当由i0表示通过发光元件的发光单元的中心的中心线处的光强度(从发光元件发射的光的光强度)并且由iconv表示通过没有光反射层的发光元件的发光单元的中心的中心线处的光强度(从发光元件发射的光的光强度)时,满足i0/iconv≥5。此外,在包括上述优选配置和实施例的根据本公开的第二方面的发光元件的可能的实施例中,第一电极和光反射层被遮光部或光反射部(反射器部)围绕。也就是说,遮光部可以形成在发光元件和发光元件之间,或者可以形成光反射部。通过采用这样的实施例,可以可靠地防止单位像素的部分重复的发生。构成遮光部的遮光材料的具体示例包括能够遮光的材料,诸如钛(ti)、铬(cr)、钨(w)、钽(ta)、铝(al)和mosi2。可以通过以下方式形成遮光部:包括电子束气相沉积方法、热丝气相沉积方法和真空气相沉积方法的气相沉积方法,溅射方法,cvd方法,离子镀敷方法等。构成光反射部(反射器部)的材料的示例包括铝(al)层、铝合金层(例如,al-nd层)、铬(cr)层、银(ag)层和银合金层(例如,ag-cu层、ag-pd-cu层、ag-sm-cu层),并且该部分可以例如通过以下方式形成:包括电子束气相沉积方法、热丝气相沉积方法和真空气相沉积方法的气相沉积方法,溅射方法,cvd方法或离子镀敷方法;镀敷方法(电镀方法或无电镀方法);剥离方法;激光烧蚀方法;溶胶-凝胶方法等。此外,在包括上述优选配置和实施例的根据本公开的第二方面的发光装置的可能的实施例中,第一电极由透光材料构成,并且第二电极由半透光材料构成。这里,在可能的实施例中,第一电极由ito或izo构成,并且第二电极由选自包括以下项的组的至少一种材料构成:ag、ag-mg、ag-nd-cu、au、ag-cu、al和al-cu。第二电极的平均光透射率期望是50%至90%,并且优选是60%至90%。在根据本公开的第一至第三方面的投影型显示装置中,或在本公开的平面发光装置中,面板发射单色光(例如,红光(在波长为620nm至750nm的红光范围内具有发射光谱峰值)、绿光(在波长为495nm至570nm的绿光范围内具有发射光谱峰值)和蓝光(在波长为450nm至495nm的绿光范围内具有发射光谱峰值))。在可能的实施例中,根据本公开的第一至第三方面的投影型显示装置配置有三个面板,所述三个面板为一个发射红光的红光发射面板,一个发射绿光的绿光发射面板,和一个发射蓝光的蓝光发射面板。在另一个可能的实施例中,在这种情况下,投影型显示装置还具有一个用于发射蓝光的蓝光发射面板或一个用于发射绿光的绿光发射面板,因此配置有四个面板。在这种情况下,四个面板可以布置成阵列(1×4状态),或者四个面板可以布置成2×2状态。可以实施包括以上优选实施例和配置的根据本公开的第一至第三方面的投影型显示装置,以进一步包括在光发射侧的投影透镜系统。可替代地,以下实施例是可能的:其中设置了用于将从多个面板发射的图像合成到一个图像中的图像合成部件(例如,非偏振二向色棱镜或飞利浦棱镜)以及在图像合成部件的光发射侧的投影透镜系统(例如,非偏振二向色棱镜或飞利浦棱镜),并且在这种情况下,构成投影型显示装置的三个面板或四个面板可以布置在图像合成部件中的最佳位置处。具有高f数和高景深(dof)的透镜优选地用作构成投影透镜系统的透镜。此外,入射在投影透镜系统或图像合成部件上的光优选地是相对于透镜的傍轴区域中的透镜的光轴的平行光。当使用具有高f数的透镜时,需要减小从发光元件发射的光的发散角(定向半值角)。为此目的,可以在发光元件的光发射侧设置片上微透镜,或者可以优化共振器结构。此外,在包括上述优选实施例和配置的根据本公开的第一至第三方面的投影型显示装置中,面板不仅可以被实施为平坦的,而且还可以被实施为弯曲的。当包括上述优选配置和实施例的根据本公开的第一至第三方面的投影型显示装置不包括用于将从多个面板发射的图像合成到一个图像中的部件时,可以使用软件与正确地对准多个面板同时来进行要形成在屏幕上的图像的各种校正,诸如梯形校正、失真校正和放大校正,例如,以便在屏幕上正确地显示(合成)来自多个面板的图像。例如,为了在屏幕上正确地显示(合成)来自多个面板的图像,可以部分地重叠来自多个面板的图像的像素,而不是完全重叠。即使像素被位移,只要位移低于观察者眼睛的分辨率限制,就没有问题。在包括上述优选配置和实施例的根据本公开的第一和第二方面的发光元件以及构成包括上述优选配置和实施例的根据本公开的第一至第三方面的投影型显示装置或平面发光装置的包括上述优选配置和实施例的根据本公开的第一和第二方面的发光元件(在下文中,这些发光元件被统称为“本公开的发光元件”)的可能的实施例中,构成发光元件的发光单元包括有机电致发光层。也就是说,包括上述各种优选实施例和配置的根据本公开的第一至第三方面的平面发光装置或构成投影型显示装置的面板可以被实施为由有机电致发光面板(有机el面板)构成,发光元件可以被实施为由有机电致发光元件(有机el元件)构成,并且有机层可以被实施为由有机电致发光层构成。此外,有机el面板可以被配置为从第二基板发射光的顶部发射型(上表面发射型)有机el面板(上表面发射型有机el面板),其中来自有机层的光通过第二基板发射。在下文中,将描述其中构成发光元件的发光单元包括有机电致发光层的实施例以及其中面板由顶部发射型有机el面板构成的实施例。发光元件中的发光单元由第一电极、有机层和第二电极构成。第一电极可以被配置为与有机层的一部分接触,或者有机层可以被配置为与第一电极的一部分接触。具体地,配置可以使得第一电极的尺寸小于有机层的尺寸,或者配置可以使得第一电极的尺寸与有机层的尺寸相同,但是绝缘层形成在第一电极和有机层之间的一部分中,或者配置可以使得第一电极的尺寸大于有机层的尺寸。第一电极和有机层接触的区域是发光区域。发光区域的面积重心对应于上述发光单元的中心。为每个发光元件设置第一电极。为每个发光元件设置有机层,或者将有机层设置为由发光元件共享。第二电极可以是用于多个发光元件的公共电极。也就是说,第二电极可以是所谓的固体电极。第一基板布置在基体下方或下面,并且第二基板布置在第二电极上方。发光区域设置在基体上。发光元件形成在第一基板侧。构成基体的材料可以举例说明为诸如sio2、sin和sion之类的绝缘材料。基体通过适合于构成基体的材料的形成方法来形成,具体地,可以通过众所周知的方法形成,方法例如是各种cvd方法、各种涂布方法、包括溅射方法和真空蒸气沉积方法的各种pvd方法、诸如丝网印刷方法之类的各种印刷方法、镀敷方法、电沉积方法、浸渍方法和溶胶-凝胶方法。发光元件驱动单元设置在基体下面或下方,但是这种配置不是限制性的。发光元件驱动单元由例如形成在构成第一基板的硅半导体基板上的晶体管(具体地,例如mosfet)或者设置在构成第一基板的各种基板上的薄膜晶体管(tft)构成。在可能的实施例中,构成发光元件驱动单元的晶体管或tft与第一电极可以被配置为经由形成在基体等中的接触孔(接触插塞)彼此连接。发光元件驱动单元可以具有众所周知的电路配置。第二电极在有机el面板的外周部上经由形成在基体等中的接触孔(接触插塞)连接到发光元件驱动单元。第一基板或第二基板可以由以下各种基板构成:硅半导体基板、高变形点玻璃基板、苏打玻璃(na2o·cao·sio2)基板、硼硅酸盐玻璃(na2o·b2o3·sio2)基板、镁橄榄石(2mgo·sio2)基板、铅玻璃(na2o·pbo·sio2)基板、在表面上形成有绝缘材料层的各种玻璃基板、石英基板、在表面上形成有绝缘材料层的石英基板以及有机聚合物(具有聚合物材料的形式,诸如柔性塑料膜、塑料片材或由聚合物材料构成的塑料基板),有机聚合物举例说明为聚甲基丙烯酸甲酯(聚(甲基丙烯酸甲酯),pmma)、聚乙烯醇(pva)、聚乙烯基苯酚(pvp)、聚醚砜(pes)、聚酰亚胺、聚碳酸酯和聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)。构成第一基板和第二基板的材料可以是相同或不同的。然而,需要透射来自发光元件的光的基板要对来自发光元件的光是透明的。在根据本公开的第一方面的发光装置中,基本上如上所述,第一电极不一定需要透明性。在这种情况下,当第一电极用作阳极电极时,构成第一电极的材料的示例包括具有高功函数的金属或合金,诸如铂(pt)、金(au)、银(ag)、铬(cr)、钨(w)、镍(ni)、铜(cu)、铁(fe)、钴(co)和钽(ta)(例如,包括银作为主要成分以及0.3质量%至1质量%的钯(pd)和0.3质量%至1质量%的铜(cu)的ag-pd-cu合金、al-nd合金、al-cu合金和al-cu-ni合金)。此外,当使用诸如铝(al)和包括铝的合金之类的具有小功函数值并且具有高光反射率的导电材料时,通过设置适当的空穴注入层等,通过改善空穴注入特性,可以使该材料适合于阳极电极。第一电极的厚度可以举例说明为0.1μm至1μm。可替代地,可以获得以下结构:其中诸如铟和锡氧化物(ito)或铟和锌氧化物(izo)之类的具有优异的空穴注入特性的透明导电材料在诸如电介质多层膜或铝(al)或其合金(例如,al-cu-ni合金)之类的具有高光反射性的反射材料膜上层叠。在根据本公开的第一方面的发光元件中,或在一些情况下,在根据本公开的第二方面的发光元件中,第一电极需要透明性。在这种情况下,除了上述铟锡氧化物(包括ito、氧化铟锡、掺sn的in2o3、结晶ito和无定形ito)和铟锌氧化物(izo、氧化铟锌)之外,构成第一电极的材料的示例包括各种透明导电材料,诸如具有以下材料作为基层的透明导电材料:铟氧化物、铟镓氧化物(igo)、掺铟的镓锌氧化物(igzo、in-gazno4)、ifo(掺f的in2o3)、itio(掺ti的in2o3)、insn、insnzno、锡氧化物(sno2)、ato(掺sb的sno2)、fto(掺f的sno2)、锌氧化物(zno)、掺铝氧化物的锌氧化物(azo)、掺镓的锌氧化物(gzo)、掺b的zno、almgzno(掺铝氧化物和镁氧化物的锌氧化物)、锑氧化物、钛氧化物、nio、尖晶石型氧化物、具有ybfe2o4结构的氧化物、镓氧化物、钛氧化物、铌氧化物、镍氧化物等。当要使第一电极用作阴极电极时,期望的是,第一电极由具有小功函数值和高光反射率的导电材料构成,但是也可以通过设置适当的电子注入层,通过改善其电子注入特性,来使具有高光反射率并且适合作为阳极电极的导电材料适合于阴极电极。当要使第二电极用作阴极电极时,期望的是,第二电极由具有小功函数值的导电材料构成,使得构成第二电极的材料(半透光材料或透光材料)可以透射发射光并且可以有效地将电子注入有机层(发光层)中,并且在可能的实施例中,如上所述,第二电极可以由选自包括以下项的组中的至少一种材料构成:ag、ag-mg、ag-nd-cu、ag-cu、au、al和al-cu。可替代地,例如,具有小功函数的金属和合金诸如是铝(al)、银(ag)、镁(mg)、钙(ca)、钠(na)、锶(sr)、碱金属或碱土金属与银(ag)的合金(例如,镁(mg)与银(ag)的合金(mg-ag合金))、镁-钙合金(mg-ca合金)、铝(al)与锂(li)的合金(al-li合金)等,并且其中mg-ag合金是优选的,并且这种合金可以举例说明为mg:ag的镁和银的体积比=5:1至30:1。可替代地,可以举例说明体积比mg:ca=2:1至10:1的镁与钙的合金。第二电极的厚度可以举例说明为4nm至50nm,优选地为4nm至20nm,并且更优选地为6nm至12nm。可替代地,第二电极可以被配置为具有上述材料层和有机层侧的由例如ito或izo(例如,厚度为3×10-8m至1×10-6m)构成的所谓的透明电极的层叠结构。可以为第二电极提供由诸如铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、金或金合金之类的低电阻材料构成的总线电极(辅助电极),以减小第二电极整体的电阻。期望的是,第二电极的平均光透射率为50%至90%,优选地为60%至90%。同时,当要使第二电极用作阳极电极时,期望的是,第二电极由透射发射光并且具有大的功函数值的导电材料来构成。用于形成第一电极和第二电极的方法的示例包括:包括电子束气相沉积方法、热丝气相沉积方法和真空气相沉积方法的气相沉积方法,溅射方法,化学气相沉积方法(cvd方法),mocvd方法,镀敷方法及蚀刻方法的组合;各种印刷方法,诸如丝网印刷方法、喷墨印刷方法、金属掩模印刷方法;镀敷方法(电镀方法和无电镀方法);剥离方法;激光烧蚀方法;溶胶-凝胶方法等。利用各种印刷方法和镀敷方法,可以直接形成具有期望形状(图案)的第一电极和第二电极。由于在形成有机层之后形成第二电极,从防止发生对有机层的损坏的观点出发,优选的是,第二电极在特别是具有小的成膜颗粒能量的成膜方法的基础上来形成,方法诸如是真空气相沉积方法或诸如mocvd之类的成膜方法。在有机层被损坏的情况下,由于生成泄漏电流,可能生成称为“死点”的非发射像素(或非发射子像素)。有机层包括由有机发光材料构成的发光层,并且具体地可以例如由以下结构构成:空穴传输层、发光层和电子传输层的层叠结构,空穴传输层和还用作电子传输层的发光层的层叠结构,空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的层叠结构等。用于形成有机层的方法可以举例说明为:物理气相沉积方法(pvd方法),诸如真空气相沉积方法;印刷方法,诸如丝网印刷方法和喷墨印刷方法;激光转移方法,其中用激光辐射照射形成在转移基板上的有机层和激光吸收层的层叠结构,以将激光吸收层上的有机层分离并转移有机层,以及各种涂布方法。在基于真空气相沉积方法形成有机层的情况下,例如,所谓的金属掩模可以用于沉积通过设置在金属掩模中的开口的材料,从而获得有机层。优选的是,保护层(平坦化层)被形成为覆盖第二电极或在第二电极与第二基板之间。构成保护层的材料可以举例说明为丙烯酸树脂,并且也可以举例说明为sin、sion、sic、非晶硅(α-si)、al2o3和tio2。保护层可以基于已知的方法形成,已知的方法诸如是各种cvd方法、各种涂布方法、包括溅射方法和真空气相沉积方法的各种pvd方法、以及诸如丝网印刷方法之类的各种印刷方法。此外,还可以采用ald(原子层沉积)方法作为用于形成保护层的方法。保护层可以由多个发光元件共享,或者可以在每个发光元件中单独地设置。保护层和第二基板,或当结构(例如,透镜构件)设置在第二基板的面向第一基板的内表面上时,保护层和包括保护层的第二基板通过例如树脂层(密封树脂层)结合。构成树脂层(密封树脂层)的材料可以举例说明为诸如丙烯酸粘合剂、环氧粘合剂、氨基甲酸酯粘合剂、有机硅粘合剂和氰基丙烯酸酯粘合剂之类的可热固化粘合剂,以及紫外线可固化粘合剂。可以形成紫外线吸收层、污染防护层、硬涂层和抗静电层,并且可以在发射有机el面板的光的最外表面(具体地,第二基板的外表面)上布置保护构件(例如,盖玻璃)。在有机el面板中,形成基体、绝缘层和层间绝缘层,并且构成基体、绝缘层和层间绝缘层的绝缘材料可以举例说明为:基于siox的材料(构成硅氧化物膜的材料),诸如sio2、nsg(非掺杂硅酸盐玻璃)、bpsg(硼磷硅酸盐玻璃)、psg、bsg、assg、sbsg、pbsg、sog(旋涂玻璃)、lto(低温氧化物、低温cvd-sio2)、低熔点玻璃和玻璃浆料;基于sin的材料,包括基于sion的材料;sioc;siof;和sicn。可替代的示例包括:无机绝缘材料,诸如钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铝氧化物(al2o3)、镁氧化物(mgo)、铬氧化物(crox)、锆氧化物(zro2)、铌氧化物(nb2o5)、锡氧化物(sno2)和钒氧化物(vox)。其它示例包括:各种树脂,诸如聚酰亚胺树脂、环氧树脂和丙烯酸树脂;具有低介电常数的绝缘材料,诸如sioch、有机sog;和氟基树脂(例如,具有例如3.5以下的介电常数k(=ε/ε0)的材料,具体地,例如,碳氟化合物、环全氟化碳聚合物、苯并环丁烯、环状氟树脂、聚四氟乙烯、无定形四氟乙烯、聚芳基醚、氟芳基醚、氟化聚酰亚胺、无定形碳、聚对二甲苯(聚对萘烯)以及氟化富勒烯);并且还有silk(thedowchemicalco.的商标,涂层型低介电常数层间绝缘薄膜材料),flare(honeywellelectronicmaterialsco.的商标,基于聚氯乙烯醚(pae)的材料)。这些可以适当地单独使用或组合使用。绝缘层、层间绝缘层和基体可以通过众所周知的方法形成,众所周知的方法诸如是:各种cvd方法、各种涂布方法、包括溅射方法和真空气相沉积方法的各种pvd方法、诸如丝网印刷方法之类的各种印刷方法、镀敷方法、电沉积方法、浸渍方法和溶胶-凝胶方法。在有机el面板中,期望的是,空穴传输层(空穴供应层)的厚度和电子传输层(电子供给层)的厚度近似相等。可替代地,电子传输层(电子供应层)可以比空穴传输层(空穴供应层)厚,这对于低驱动电压下的高效率是必要的并且能够充分向发光层供应电子。也就是说,可以通过在对应于阳极电极的第一电极与发光层之间布置空穴传输层并形成膜厚度小于电子传输层的膜厚度的空穴传输层来增加空穴供应。结果,可以获得不存在空穴和电子的过量或缺乏的载流子平衡,并且载流子供应量足够大,从而可以获得高发光效率。此外,由于不存在空穴和电子的过量或缺乏,因此载流子平衡不太可能丢失,因此抑制了驱动劣化,并且可以延长发光寿命。示例1示例1涉及根据本公开的第二方面的发光元件以及根据本公开的第二方面和第三方面的投影型显示装置(投影仪)。图1示出了示例1的发光元件和示例1的构成投影型显示装置的面板的示意性局部截面图,图2a和图2b示出了示例1的构成投影型显示装置的四个面板的示意性布置,并且图3和图4示意性地示出了图2a和图2b中所示的示例1的构成投影型显示装置的四个面板的图像投影状态。图13a示出了示例1的发光元件的示意性局部截面图。示例1的发光元件10包括第一电极31,有机层33,形成在第一电极31上并且包括由有机发光材料构成的发光层33a,以及第二电极32,形成在有机层33上,并且还包括设置在第一电极31下方的光反射层50,其中使在发光层33a中发射的光在第二电极32和有机层33的界面(第二界面)与光反射层50之间共振,并且使光的一部分从第二电极32输出。此外,示例1的投影型显示装置配置有面板,包括:第一基板11;第二基板41;和夹在第一基板11和第二基板41之间的多个发光元件10,其中每个发光元件10包括第一电极31,有机层33,形成在第一电极31上并且包括由有机发光材料构成的发光层33a,以及第二电极32,形成在有机层33上,并且每个发光元件10还包括设置在第一电极31下方的光反射层50,其中使在发光层33a中发射的光在第二电极32和有机层33的界面(第二界面)与光反射层50之间共振,并且使光的一部分从第二电极32输出。可替代地,示例1的投影型显示装置配置有面板,包括:第一基板11;第二基板41;和夹在第一基板11和第二基板41之间的多个发光元件,其中每个发光元件由示例1的发光元件10来构成。在下文中描述的示例1或示例2和3的投影型显示装置配置有一个发射红光的红光发射面板(第一面板1r),一个发射绿光的绿光发射面板(第二面板1g),以及一个发射蓝光的蓝光发射面板(第三面板1b1),并进一步包括一个发射蓝光的蓝光发射面板(第四面板1b2),由此配置有四个面板1r、1g、1b1、1b2。投影透镜系统70设置在投影型显示装置的光发射侧。四个面板可以如图2a和图3中所示地布置成阵列(1×4状态),或者四个面板可以如图2b和图4中所示地布置成2×2状态。在图3和图4中,从面板发射的光线由点线和点划线指示。面板的像素数例如是1920×1080,并且一个发光元件10构成一个像素。面板的尺寸例如为10mm×10mm。优选地使用具有高f数和高景深(dof)的透镜作为构成投影透镜系统70的透镜。此外,入射在投影透镜系统70或图像合成部件上的光优选地相对于透镜的傍轴区域中的透镜的光轴是平行光。当在投影透镜系统70中使用具有高f数的透镜时,需要减小从发光元件发射的光的发散角(定向半值角)。为此目的,可以在发光元件的光发射侧设置片上微透镜,或者可以优化共振器结构。特别地,由于从面板的周边部发射的光入射在透镜的周边部上,因此优选地设置片上微透镜,以便优化透镜上这种光的入射。在下文中描述的示例1或示例2至3中,构成投影型显示装置的面板由有机el面板构成,发光元件10由有机el元件构成,并且有机层33由有机电致发光层构成。此外,有机el面板是从第二基板41发射光的顶部发射型有机el面板,并且来自有机层33的光经由第二基板41发射到外部。每个面板发射单色光。构成第一面板1r的发光元件中的发光层由发射红光的红色发光层构成,并且从第一面板1r发射的光是红光(在波长为620nm至750nm的红光范围内具有发射光谱峰值)。具体地,峰值波长λr如下表1中所示。此外,构成第二面板1g的发光元件中的发光层由发射绿光的绿色发光层构成,并且从第二面板1g发射的光是绿光(在波长为495nm至570nm的绿光范围内具有发射光谱峰值)。具体地,峰值波长λg如下表1中所示。此外,构成第三面板1b1和第四面板1b2的发光元件中的发光层由发射蓝光的蓝色发光层构成,从第三面板1b1和第四面板1b2发射的光是蓝光(在波长为450nm至495nm的蓝光范围内具有发射光谱峰值),并且峰值波长λb如下表1中所示。这里,示例1的发光元件10满足上述公式(1-1)和(1-2)。具体地,m1=m2=1。然而,这些值不是限制的,并且例如,可以设定m1=m2=0。从公式(1-1)和(1-2)获得的光学距离(ol1+ol2)的值在下表1中示出。[表1]m1m2峰值波长,λol1+ol2第一面板11530nm280nm第二面板11630nm230nm第三面板/第四面板11440nm170nm第二电极32覆盖有由丙烯酸树脂制成的保护层(平坦化层)34。透镜构件(片上透镜)60布置在有机层33的光发射侧。也就是说,由众所周知的材料构成的透镜构件(片上微透镜)60通过众所周知的方法形成在保护层34上。从透镜构件(片上透镜)60发射的光被转换成平行光。保护层34和透镜构件60通过密封树脂层35附着到第二基板41。构成密封树脂层35的材料的示例包括:热固性粘合剂,诸如丙烯酸粘合剂、环氧粘合剂、氨基甲酸酯粘合剂、有机硅粘合剂和氰基丙烯酸酯粘合剂;以及紫外线可固化粘合剂。在可能但非限制性的实施例中,透镜构件(片上透镜)60具有平凸透镜形状,并且在所示的示例中,凸面位于第二基板侧。此外,凸面可以是球形的或非球形的,并且可以使透镜构件(片上透镜)60的平面形状具有适合于发光区域的平面形状的形状,诸如圆形、椭圆形或带圆角的矩形(拐角部)。在由基于cvd方法形成的sio2构成的基体(层间绝缘层)26内部形成由al-cu、ag或ag-cu制成的光反射层50。也就是说,基体(层间绝缘层)26由下层间绝缘层26a和上层间绝缘层26b这两层构成,并且光反射层50位于下层间绝缘层26a和上层间绝缘层26b之间。当光反射层50由银(ag)构成时,例如,优选地在下层间绝缘层26a上形成由tin构成的基膜,以便控制要形成的光反射层50的晶体状态。不需要在光反射层50上形成tin层。此外,下层间绝缘层和上层间绝缘层可以由相同的材料构成,或者可以由不同的材料构成,以便将ol1设定为适当的值。此外,发光元件驱动单元设置在基体(层间绝缘层)26下方。发光元件驱动单元可以具有众所周知的电路配置。发光元件驱动单元由形成在与第一基板11对应的硅半导体基板上的晶体管(具体地,mosfet)构成。由mosfet构成的晶体管20包括形成在第一基板11上的栅极绝缘层22、形成在栅极绝缘层22上的栅极电极21、形成在第一基板11上的源极/漏极区域24、形成在源极/漏极区域24内的沟道形成区域23以及围绕沟道形成区域23和源极/漏极区域24的元件分离区域25。晶体管20和第一电极31经由设置在基体26中的接触插塞27彼此电连接。在附图中,为每个发光元件驱动单元示出了一个晶体管20。第二电极32在有机el面板的外周部上经由形成在基体(层间绝缘层)26中的接触孔(接触插塞)(未示出)连接到发光元件驱动单元。在有机el面板的外周部上,连接到第二电极32的辅助电极可以设置在第二电极32下方,并且辅助电极可以连接到发光元件驱动单元。第一电极31用作阳极电极,并且第二电极32用作阴极电极。第一电极31由透光材料构成,并且第二电极32由半透光材料构成。具体地,第一电极31由透明导电材料层构成,更具体地,ito或izo,并且第二电极32由银(ag)构成。基于真空气相沉积方法和蚀刻方法的组合在基体(层间绝缘层)26上形成第一电极31。此外,通过特别是诸如真空气相沉积方法之类的其中成膜颗粒的能量小的成膜方法并且不图案化来形成第二电极32。有机层33也没有被图案化。然而,本发明不限于此,并且可以图案化有机层33。在示例1中,有机层33具有例如空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发光层33a、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)的层叠结构。在图13a中,通过附图标记33c共同示出了空穴注入层和空穴传输层,并且通过附图标记33e共同示出了电子传输层和电子注入层。空穴注入层是增强空穴注入效率的层,并且还用作防止泄漏的缓冲层,并且具有例如约2nm至10nm的厚度。空穴注入层由例如由下式(a)或式(b)表示的三亚吡嗪(hexaazatriphenylene)衍生物构成。当空穴注入层的端面与第二电极接触时,它变为像素之间的亮度变化的主要原因,并且导致显示图像质量的劣化。这里,r1至r6独立地是氢、卤素、羟基、氨基、芳基氨基、具有20以下的碳原子的取代或未取代的羰基、具有20以下的碳原子的取代或未取代的羰基酯基、具有20以下的碳原子的取代或未取代的烷基、具有20以下的碳原子的取代或未取代的烯基、具有20以下的碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有30以下的碳原子的取代或未取代的芳基、具有30以下的碳原子的取代或未取代的杂环基、腈基、氰基、硝基或甲硅烷基,并且相邻的rm(m=1至6)可以经由环状结构彼此键合。此外,x1至x6分别是独立的碳或氮原子。空穴传输层是增强发光层33a的空穴传输效率的层。在施加电场的发光层33a中,发生电子和空穴的重新组合以生成光。电子传输层是增强发光层33a的电子传输效率的层,并且电子注入层是增强到发光层33a中的电子注入效率的层。空穴传输层由例如4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-mtdata)或α-萘基苯基二胺(αnpd)构成,其厚度为约40nm。在红色发光层中,当施加电场时,从第一电极31注入的一些空穴和从第二电极32注入的一些电子重新组合,并且生成红光。这种红色发光层包括例如红色发光材料、空穴传输材料、电子传输材料和两性电荷传输材料中的至少一种材料。红色发光材料可以是荧光材料或磷光材料。厚度为约5nm的红色发光层由例如与30质量%的2,6-双[(4'-甲氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-1,5-二氰基萘(bsn)混合的4,4-双(2,2-二苯基乙烯基)联苯基(dpvbi)构成。在绿色发光层中,当施加电场时,从第一电极31注入的一些空穴和从第二电极32注入的一些电子重新组合,并且生成绿光。这种绿色发光层包括例如绿色发光材料、空穴传输材料、电子传输材料和两性电荷传输材料中的至少一种材料。绿色发光材料可以是荧光材料或磷光材料。厚度为约10nm的绿色发光层由例如与5质量%的香豆素6混合的dpvbi构成。在蓝色发光层中,当施加电场时,从第一电极31注入的一些空穴和从第二电极32注入的一些电子重新组合,并且生成蓝光。这种蓝色发光层包括例如蓝色发光材料、空穴传输材料、电子传输材料和两性电荷传输材料中的至少一种材料。蓝色发光材料可以是荧光材料或磷光材料。厚度为约30nm的蓝色发光层由例如与2.5质量%的4,4'-双[2-{4-(n,n-二苯氨基)苯基}乙烯基]联苯(dpavbi)混合的dpvbi构成。厚度为约20nm的电子传输层由例如8-羟基喹啉铝(alq3)构成。厚度为约0.3nm的电子注入层由例如lif或li2o构成。然而,构成每个层的材料是示例性的,并且不是限制性的。在发光层33a由磷光材料构成的情况下,与发光层33a由荧光材料构成的情况相比,可以将亮度增加约2.5至3倍。发光层33a也可以由热活化的延迟荧光(tadf)材料制成。将在下文中描述图1中所示的示例1的发光元件10的制造方法的概要。[步骤-100]首先,在已知的mosfet制造过程的基础上,在硅半导体基板(第一基板11)上形成发光元件驱动单元。[步骤-110]接下来,在整个表面上形成基体(层间绝缘层)26。具体地,首先,基于cvd方法形成下层间绝缘层26a,在溅射方法的基础上在下层间绝缘层26a上形成光反射层50,在蚀刻方法的基础上图案化光反射层50,并且在cvd方法的基础上在下层间绝缘层26a和光反射层50上形成上层间绝缘层26b。所示的层间绝缘层26由下层间绝缘层26a和上层间绝缘层26b构成。[步骤-120]然后,在光刻技术和蚀刻技术的基础上在基体26(包括光反射层50)的位于晶体管20的源极/漏极区域上方的部分中形成连接孔。然后,可以通过在例如溅射方法的基础上在包括连接孔的基体26上形成金属层并且然后在光刻技术和蚀刻技术的基础上图案化金属层,来在基体26的一部分上形成第一电极31。为每个发光元件分离第一电极31。同时,可以在连接孔中形成用于电连接第一电极31和晶体管20的接触孔(接触插塞)27。接触孔(接触插塞)27由例如钨(w)制成。光反射层50连接到接触孔(接触插塞)27。[步骤-130]接下来,例如,在cvd方法的基础上在整个表面上形成绝缘层28之后,在光刻技术和蚀刻技术的基础上,使绝缘层28留在第一电极31和第一电极31之间的基体26上。[步骤-140]之后,例如通过诸如真空沉积方法或溅射方法之类的pvd方法、诸如旋涂方法或模涂方法之类的涂布方法等,在第一电极31和绝缘层28上形成有机层33。在一些情况下,有机层33可以被图案化为期望形状。[步骤-150]接下来,在例如真空气相沉积方法的基础上,在整个表面上形成第二电极32。在一些情况下,第二电极32可以被图案化为期望形状。以这种方式,可以在第一电极31上形成有机层33和第二电极32。[步骤-160]然后,在涂布方法的基础上在整个表面上形成保护层34,然后平坦化保护层34的顶表面。由于可以基于涂布方法形成保护层34,因此对处理过程的限制少,并且材料选择范围宽。然后,通过众所周知的方法在保护层34上形成透镜构件60。[步骤-170]然后,保护层34、透镜构件60和第二基板41通过由丙烯酸粘合剂构成的密封树脂层35接合在一起。以这种方式,可以获得图1中所示的发光元件(有机el元件)10和示例1的有机el面板。来自发光元件10的光的发射状态示意性地示出在图12中,其中由箭头指示光束,并且由“θhalf”指示定向半值角。这里,在传统的有机el元件中,构成有机el元件的发光层通过例如将红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层进行层叠而构成,导致白光发射,设置红色滤色层以获得红光有机el元件100r,设置绿色滤色层以获得绿光有机el元件100g,并且设置蓝色滤色层以获得蓝光有机el元件100b。为了方便起见,可以在下文中将红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的这种层叠结构称为“rgb层叠结构”。另外,采用共振器结构,并且通常,公式(1-1)和(1-2)中的m1和m2的值分别被设定为“0”或“1”,但这些值不是限制性的。在示例1的发光元件10中,当由i0表示通过发光元件10的发光单元的中心的中心线处的光强度(从发光元件10发射的光的光强度)并且由iconv表示通过没有光反射层50的发光元件10的发光单元的中心的中心线处的光强度(从发光元件10发射的光的光强度)时,满足i0/iconv≥5。在图17中,在图17的曲线图中示出了示例1的发光元件的发射光谱、在下文中描述的示例2和3的发光元件以及传统的有机el元件。在图17中,“a”指示示例3的发光元件的发射光谱,“b”指示示例2的发光元件的发射光谱,“c”指示示例1的发光元件的发射光谱,并且“d”指示传统的有机el元件的发射光谱。根据图17,在示例1的发光装置中,i0/iconv=20另外,在下文中描述的示例2的发光元件中,i0/iconv=40,并且在下文中描述的第三实施例的发光装置中,i0/iconv=80。图19a和图19b示出了传统的有机el元件中的滤色层的示意性布置图和发光区域的示意性布置图。让“a”是具有方形平面形状的一个像素的一边的长度。由红光有机el元件100r、绿光有机el元件100g和蓝光有机el元件100b占据的表面积是(1/3)a2。此外,由于红光有机el元件100r、绿光有机el元件100g和蓝光有机el元件100b设置成彼此分开,因此发光区域例如是(1/3)×0.75=0.25a2。当将用于红光有机el元件100r、绿光有机el元件100g和蓝光有机el元件100b的发光的流过这些有机el元件的电流设为“1.00”时,例如,流过绿光有机el元件100g的电流的比率例如是“0.38”。此外,红光有机el元件100r、绿光有机el元件100g和蓝光有机el元件100b中的每一个设置有滤色层,并且在有机el元件的发光层中发射的光的约10%被滤色层吸收。因此,传统的绿光有机el元件100g的发光效率是(流过绿光有机el元件100g的电流的比率)×(滤色层的光透射率)×(在一个像素中由绿光有机el元件100g的发光区域占据的比率)是=0.38×0.9×0.25a2=0.0855×a2。同时,在示例1的发光元件10中,流过发光元件10的电流的比率为1.00,不设置滤色层,并且在一个像素中由发光元件10占据的面积是a2。因此,示例1的发光元件10的发光效率是传统的绿光有机el元件g的发光效率的1/0.0855=12倍。实际上,在图17的“c”和“d”中示出。因此,与传统的有机el元件相比,示例1的发光元件10可以实现非常高的发光效率。此外,在传统的有机el元件中,难以设计发光层中的最大发光位置,并在制造发光层时控制最大发光位置。此外,构成蓝色发光层的材料通常比构成红色发光层和绿色发光层的材料具有较短的寿命。因此,当蓝色发光层的发光状态劣化时,白色色度点从期望色度点移动,并且面板变得不可用。也就是说,具有rgb层叠结构的发光元件的寿命由构成蓝色发光层的材料限定。另外,当配置rgb层叠结构时,可能发生意外干扰。同时,在示例1的投影型显示装置由四个面板构成、即一个发射红光的红光发射面板、一个发射绿光的绿光发射面板以及两个发射蓝光的蓝光发射面板的情况下,可以减小蓝光发射面板中的驱动电流,结果,可以延长蓝光发射面板的寿命。此外,由于可以延长蓝光发射面板的寿命,因此构成配置红光发射面板和绿光发射面板的发光元件的发光层的材料的选择范围和选择自由度增加。如上所述,在示例1中,可以提供能够通过自发光型发光元件形成图像的投影型显示装置,并且还提供适合于在这种投影型显示装置或平面发光装置中使用的发光元件。此外,由于与传统的有机el元件相比可以减小构成有机层的层数,所以可以减小发光元件的驱动电压。图5示出了示例1的发光元件和示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例1的示意性局部截面图。在图1中所示的示例1的发光元件10中,光反射层50连接到接触孔(接触插塞)27,但是在修改示例1的发光元件10中,光反射层50未连接到接触孔(接触插塞)27。图6示出了示例1的发光元件10和示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例2的示意性局部截面图。在修改示例2中,第一电极31和光反射层50被遮光部或光反射部(反射器部)围绕。遮光部51设置在发光元件10和发光元件10之间,或者设置光反射部51。遮光部51或光反射部51连接到光反射层50和第一电极31。图7是示例1的发光元件10和示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例3的示意性局部截面图,并且图8是示意性地示出示例1的发光元件10和示例1的构成投影型显示装置的面板中的金属薄膜滤光层的平面图。在该修改示例3中,在第一电极31和光反射层50之间进一步形成有金属薄膜滤光层52。金属薄膜滤光层52由例如金(au)薄膜或银(ag)薄膜构成,并且大量尺寸为约200nm的孔53在这些薄膜中形成并且二维地布置。图9是示例1的发光元件10和示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例4的示意性局部截面图。在修改示例4中,在相邻的发光元件10的透镜构件(片上微透镜)60之间形成有吸光层(黑矩阵层)54。结果,可以可靠地抑制单位像素的部分重复的发生。图10是示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例5的概念图。在修改示例5中,设置了用于将从多个(具体地,三个)面板1r、1g和1b发射的图像合成到一个图像中的图像合成部件71(具体地,非偏振二向色棱镜72)以及在图像合成部件71的光发射侧的投影透镜系统70。可替代地,图11a和图11b是示例1的构成投影型显示装置的面板的修改示例6的概念图,并且在修改示例6中,设置了用于将从多个(具体地,三个或四个)面板1r、1g和1b(参见图11a)或面板1r、1g、1b1和1b2(参见图11b)发射的图像合成到一个图像中的图像合成部件71(具体地,飞利浦棱镜73)以及在图像合成部件71的光发射侧的投影透镜系统70。飞利浦棱镜73在两个棱镜之间具有气隙,但是在没有气隙的情况下也可以是无间隙的。这里,入射在图像合成部件71上的光优选地是平行光,由此可以使明亮的光入射在图像合成部件71上,并且可以将三个或四个面板组合成一个模块。示例2示例2涉及根据本公开的第一方面的发光元件以及根据本公开的第一方面和第三方面的投影型显示装置(投影仪)。示例2的发光元件的示意性局部截面图在图13b中示出,并且示例2的构成发光元件的面板和示例2的投影型显示装置的示意性局部截面图在图14中示出。示例2的发光元件10'包括:第一电极31;有机层33,形成在第一电极31上并且包括由有机发光材料构成的发光层;和第二电极32,形成在有机层33上,其中发光层是通过将发射相同颜色的光的多个(具体地,在示例2中为两层)发光层33a和33b进行层叠而构成的。此外,示例2的投影型显示装置配置有面板,包括:第一基板11;第二基板41;和夹在第一基板11与第二基板41之间的多个发光元件10',其中每个发光元件10'包括第一电极31;有机层33,形成在第一电极31上并且包括由有机发光材料构成的发光层;和第二电极32,形成在有机层33上,发光层是通过将发射相同颜色的光的多个发光层33a和33b进行层叠而构成的。可替代地,示例2的投影型显示装置配置有面板,包括:第一基板11;第二基板41;和夹在第一基板11与第二基板41之间的多个发光元件,其中每个发光元件由示例2的发光元件10'来构成。这里,例如,在溅射方法的基础上在发光层33a和发光层33b之间形成由li构成的中间层(电荷生成层)33d。中间层33d的厚度例如是2nm至10nm。多个发光层33a和33b具有相同的组成。图18a示出了示例2的发光元件的发射光谱(参见图18a中的“a”)和传统的有机el元件的发射光谱(参见图18a中的“b”)。此外,图18b示出了从通过发光元件的发光单元的中心的中心线的光发射角ψ与光强度(亮度)之间的关系。根据图18b,可以看出传统的有机el元件(参见图18b中的“b”)发射lambersian辐射。同时,在示例2的发光元件10中(参见图18b中的“a”),定向半值角θhalf为25度以下(还参见图12)。传统的有机el元件的lambersian辐射的定向半值角约为70度。也就是说,从示例2的发光元件发射的光具有比传统的有机el元件更高的方向性,或者接近于平行光。如图18b中所示,在示例2的发光元件中,可以使θ的值小于传统的有机el元件的值。因此,可以增加从第二电极32发射的光的电场强度值et。也就是说,可以增加来自发光元件的光强度。如图18a中所示,在示例2的发光元件10中,从发光元件发射的光的半高全宽(fwhm)的值为30nm以下。也就是说,示例2的发光元件具有比传统的有机el元件更尖锐的发光光谱。在图18a中,示例2的发光元件10的半高全宽(fwhm)由黑色箭头指示,并且传统的有机el元件的半高全宽(fwhm)由灰色箭头指示。在示例2中,通过将发射相同颜色的光的多个发光层进行层叠来形成发光层。因此,在由包括通过将发射相同颜色的光的多个发光层进行层叠而形成的发光层的发光元件构成的示例2的面板中,如图17的“b”中所示,与由设置有一个发光层的发光元件构成的示例1的面板(参见图17中的“c”)相比,光强度可以基本上加倍。也就是说,与传统的绿光有机el元件的发光效率相比,示例2的发光元件的发光效率约为24倍(=2×12倍),并且实际上诸如在图17中的“b”和“d”中示出。由于示例2的发光元件和投影型显示装置的配置和结构可以与示例1的发光元件和投影型显示装置的配置和结构基本上相同,因此除了上述点以外,将省略详细描述。示例3第三实施例的投影型显示装置中的面板是示例1的投影型显示装置中的面板和示例2的投影型显示装置中的面板的组合。也就是说,在第三实施例的投影型显示装置(投影仪)中,通过将发射相同颜色的光的多个发光层33a和33b进行层叠来形成构成面板的发光元件中的发光层。当如示例1中所述地在光反射层50和第二界面之间形成共振器结构时,在fabryperot的光学共振器中,假定光反射层50的光反射率为rf并且光透射率为tf,第二电极32的光反射率为rb并且光透射率为tb,发光层33a中发射的光的电场强度为ei,并且从第二电极32发射的光的电场强度为et,|et/ei|2=tf2/{1+(a·rf)2+2a·rf·cos(δ)}(2)然而,假定a为光强度的绝对值,在发光层33a中生成的光谱的最大峰值波长为λ,腔长为l,并且当在腔中共振的光与第二界面碰撞时第二界面上的光的入射角为θ,δ=2π(2nl/λ)cos(θ)(3)这里,n为正整数,并且l为光学距离(ol1+ol2)的值。此外,从发光元件发射的光的半高全宽(fwhm)的值可以由下式来表示。fwhm=c(1-rf)/{2πl(rf)1/2}(4)其中c为光速。在示例2中,m1和m2的每个值被设定为“1”。也就是说,共振器长度l被设定为大的值。因此,可以使由公式(4)表示的fwhm的值小于传统的有机el元件的fwhm的值。此外,示例3的发光元件还包括光反射层50,使在发光层中发射的光在第二电极32和有机层33的第二界面与光反射层50之间共振,并且使光的一部分从第二电极32输出。如示例1中那样,光反射层50可以布置在第一电极31下方,或者可以布置在第一电极31上方且在发光层33a下方。可替代地,可以省略光反射层50的形成,并且第一电极31还可以用作光反射层50。这种共振器结构可以与示例1中描述的共振器结构基本上相同。亮度的增加实际上如图17中的“a”和“d”中所示。示例3的发光元件还满足以上提及的公式(1-1)和(1-2)。具体地,m1=m2=1。然而,这些值不是限制性的,并且例如,可以设定mi=m2=0。下表2示出了当m1=m2=0时从公式(1-1)和(1-2)获得的光学距离(ol1+ol2)的值。峰值波长λ如表1中所示。[表2]此外,下表3中示出了获得第一面板、第二面板和第三面板/第四面板的xy色度坐标的结果,并且可以表达bt.2020标准的红色。[表3]驱动电压效率(cd/a)xy第一面板5.123.20.7000.300第二面板6.3114.40.3180.634第三面板/第四面板6.24.40.1560.093由于示例3的发光元件和投影型显示装置的配置和结构可以与示例1和示例2的发光元件和投影型显示装置的配置和结构基本上相同,因此除了以上点以外,将省略详细描述。尽管上面已经基于优选示例描述了本公开,但是本公开不限于这些示例。示例中描述的发光元件、投影型显示装置和面板的配置和结构配置仅是示例性的,并且可以适当地改变,并且发光元件的制造方法也仅是示例性的并且可以适当地改变。面板不仅可以实施为平坦的,而且还可以实施为弯曲的。此外,投影型显示装置可以由设置有发射可见光以外的例如红外光的光的发光元件的面板构成,或者可以由这种面板和设置有发射可见光的发光元件的面板的组合构成。在示例的发光元件中,绝缘层28留在第一电极31和第一电极31之间的基体26上,但是不是一定形成绝缘层28,并且在这种情况下,有机层33可以形成在基体26和第一电极31上。由于在第一电极31上生成的台阶部,可能在构成形成在第一电极31上的有机层33的一部分和形成在基体26上的有机层33的一部分的层(例如,中间层)之间形成切口部,但这不是问题。在示例中,透镜构件(片上透镜)60是具有平凸透镜形状的实施例,并且凸面被实施为位于第二基板侧,但是凸面也可以被实施为位于第一基板侧,如图15中所示的示例1的修改示例7中那样。具有这样的配置的发光元件可以通过以下步骤获得:例如,在第二基板41的面向第一基板11的内表面41a上形成由丙烯酸树脂构成的基层36,在基层36上(在基层36的面向保护层34的表面上)形成透镜构件(片上透镜)60,然后通过树脂层35(密封树脂层)将保护层34结合到透镜构件60和基层36(对应于该结构)。此外,光导路径37可以形成透镜构件(片上透镜)60(光发射侧)上方,如图16中所示的示例1的修改示例8中那样。具体地,基层36形成在第二基板41的内表面41a上,并且开口(孔)38形成在基层36的要形成透镜构件(片上透镜)60的区域中,并且光反射膜39a形成在开口38的侧表面上。然后,例如,由丙烯酸树脂制成的透明材料39b嵌入在开口38中,然后透镜构件(片上透镜)60形成在透明材料39b上(在透明材料39b的面向保护层34的表面上)。接下来,保护层34通过树脂层(密封树脂层)35结合到透镜构件60和基层36(对应于该结构),从而可以获得具有这种配置的发光元件。这里,通过选择材料使得构成光反射膜39a的材料的折射率的值小于构成透明材料39b的材料的折射率的值,增加了与光反射膜39a碰撞的来自透明材料39b的光被光反射膜39a全反射的可能性,并且从透镜构件60发射的光可以被更可靠地引导到位于透镜构件60上方的空间。此外,优选的是,开口(孔)38的侧表面具有朝向第二基板41变窄的形状(在图16中所示的状态下的所谓的倒锥形状)。可以在示例1和其它示例的其它修改示例中采用图15和图16中所示的示例1的修改示例7和8。此外,包括上述各种优选实施例的根据本公开的第一至第三方面的投影型显示装置也可以被结合在例如个人计算机、移动电话、pda(个人数字助理)、游戏装备、手表、手镯、环等中。平面发光装置也可以由示例中描述的发光元件和面板构成。也就是说,平面发光装置配置有面板,包括:第一基板11;第二基板41;和夹在第一基板11与第二基板41之间的多个发光元件,其中每个发光元件由示例1至示例3的发光元件10、10'构成。利用这样的平面发光装置,例如,可以配置诸如标志板、海报和黑板之类的公告板以及电子广告和电子pop,并且可以配置包括各种背光装置和平面光源装置的各种照明装置。可以在发光元件和发光元件之间设置遮光区域,以防止从特定发光元件发射的光渗透到与该特定发光元件相邻的发光元件中并引起光学串扰。也就是说,可以在发光元件和发光元件之间形成沟槽,并且可以在沟槽中嵌入遮光材料以形成遮光区域。通过以这种方式设置遮光区域,可以减小从特定发光元件发射的光渗透到相邻的发光元件中的速率,并且可以可靠地抑制单位像素的部分重复的发生。示例1至3的投影型显示装置可以应用于各种
技术领域
。例如,当在构成头戴式显示器(hmd)的显示装置中采用时,该显示装置包括附着到观察者的头部的框架,和附着到框架的图像显示装置,其中所述图像显示装置包括图像形成设备,设置有示例1至3的投影型显示装置,以及光学装置,接收和发射从图像形成设备发射的光,以及所述光学装置配置有导光板,在从图像形成设备入射的光通过全反射在内部传播之后向观察者发射光;第一偏转部件,用于使入射在导光板上的光偏转,使得入射在导光板上的光在导光板内全反射,和第二偏转部件,通过多次全反射使在导光板内传播的光偏转,以便从导光板发射通过全反射在导光板内传播的光。可替代地,还可以在基于麦克斯韦视觉的视网膜投影型显示器中的图像形成设备中采用示例1至3的投影型显示装置,其中通过将图像(光束)直接投影到观察者的视网膜上来显示图像,具体地,在视网膜投影型头戴式显示器中显示图像。可替代地,它也可以在用于结构光的光源(投影仪)中采用,并且在这种情况下,3d传感装置包括图像形成设备,设置有示例1至3的投影型显示装置,和图像捕获装置,捕获由投影型显示装置投影到物体上的图像。可替代地,例如,诸如手表、手镯或环之类的可穿戴装置可以被配置为包括示例1至3的投影显示装置。本公开还可以采用以下配置。[a01]<<发光元件:第一方面>>一种发光元件,包括第一电极;有机层,形成在第一电极上并且包括由有机发光材料构成的发光层;和第二电极,形成在有机层上,其中发光层是通过将发射相同颜色的光的多个发光层进行层叠而构成的。[a02]根据[a01]的发光元件,其中,在发光层与发光层之间形成有中间层。[a03]根据[a02]的发光元件,其中,中间层由选自包括以下项的组的至少一种材料来构成:锂(li)、钙(ca)、钠(na)、铯(cs)、钼氧化物(moo3)、钒氧化物(v2o5)和钨氧化物(wo3)。[a04]根据[a01]至[a03]中的任一项的发光元件,其中,多个发光层具有相同的组成。[a05]根据[a01]至[a04]中的任一项的发光元件,还包括光反射层,其中使在发光层中发射的光在第二电极和有机层的界面与光反射层之间共振,并且使光的一部分从第二电极输出。[a06]根据[a05]的发光元件,其中,光反射层布置在第一电极下方。[a07]根据[a05]的发光元件,其中,光反射层布置在第一电极上方。[a08]根据[a05]至[a07]中的任一项的发光元件,其中在由ol1表示从发光层的最大发光位置到发光层的光学距离、由ol2表示从发光层的最大发光位置到界面的光学距离并且m1和m2是整数的情况下,满足以下公式(1-1)和(1-2)。0.7{-φ1/(2π)+m1}≤2×ol1/λ≤1.2{-φ1/(2π)+m1}(1-1)0.7{-φ2/(2π)+m2}≤2×ol2/λ≤1.2{-φ2/(2π)+m2}(1-2)这里,λ:在发光层中生成的光谱的最大峰值波长(或在发光层中生成的光中的期望波长);φ1:在光反射层处生成的反射光(在光反射层处反射的光)的相移量(单位:弧度)。其中,-2π<φ1≤0;和φ2:在界面处生成的反射光(在界面处反射的光)的相移量(单位:弧度)。其中,-2π<φ2≤0。[a09]根据[a07]的发光元件,其中,满足m1≥1和m2≥1。[a10]根据[a08]或[a09]的发光元件,其中,从发光元件发射的光的半高全宽的值为30nm以下。[a11]根据[a08]至[a10]中的任一项的发光元件,其中在将通过发光元件的发光单元的中心的中心线处的光强度设为100%的情况下,定向半值角为25度以下,定向半值角为由中心线与相对于中心线具有50%光强度的方向形成的角度。[a12]根据[a01]至[a11]中的任一项的发光元件,其中,在有机层的光发射侧布置有透镜构件。[a13]根据[a01]至[a12]中的任一项的发光元件,其中,在第一电极与光反射层之间还形成有金属薄膜滤光层。[a14]根据[a01]至[a13]中的任一项的发光元件,其中当由i0表示通过发光元件的发光单元的中心的中心线处的光强度并且由iconv表示通过没有光反射层的发光元件的发光单元的中心的中心线处的光强度时,满足i0/iconv≥5。[a15]根据[a01]至[a14]中的任一项的发光元件,其中第一电极和光反射层被遮光部或光反射部围绕。[a16]根据[a01]至[a15]中的任一项的发光元件,其中第一电极由透光材料构成,并且第二电极由半透光材料构成。[a17]根据[a16]的发光元件,其中第一电极由ito或izo构成,并且第二电极由选自包括以下项的组的至少一种材料构成:ag、ag-mg、ag-nd-cu、au、ag-cu、al和al-cu。[b01]<<发光元件:第二方面>>一种发光元件,包括第一电极;有机层,形成在第一电极上并且包括由有机发光材料构成的发光层;和第二电极,形成在有机层上,并且还包括光反射层,在第一电极下方,其中使在发光层中发射的光在第二电极和有机层的界面与光反射层之间共振,并且使光的一部分从第二电极输出。[b02]根据[b01]的发光元件,其中在由ol1表示从发光层的最大发光位置到发光层的光学距离、由ol2表示从发光层的最大发光位置到界面的光学距离并且m1和m2是整数的情况下,满足以下公式(1-1)和(1-2)。0.7{-φ1/(2π)+m1}≤2×ol1/λ≤1.2{-φ1/(2π)+m1}(1-1)0.7{-φ2/(2π)+m2}≤2×ol2/λ≤1.2{-φ2/(2π)+m2}(1-2)这里,λ:在发光层中生成的光谱的最大峰值波长(或在发光层中生成的光中的期望波长);φ1:在光反射层处生成的反射光(在光反射层处反射的光)的相移量(单位:弧度)。其中,-2π<φ1≤0;和φ2:在界面处生成的反射光(在界面处反射的光)的相移量(单位:弧度)。其中,-2π<φ2≤0。[b03]根据[b02]的发光元件,其中,满足m1≥1和m2≥1。[b04]根据[b02]或[b03]的发光元件,其中,从发光元件发射的光的半高全宽的值为30nm以下。[b05]根据[b02]至[b04]中的任一项的发光元件,其中在将通过发光元件的发光单元的中心的中心线处的光强度设为100%的情况下,定向半值角为25度以下,定向半值角为由中心线与相对于中心线具有50%光强度的方向形成的角度。[b06]根据[b01]至[b05]中的任一项的发光元件,其中,在有机层的光发射侧布置有透镜构件。[b07]根据[b01]至[b06]中的任一项的发光元件,其中,在第一电极与光反射层之间还形成有金属薄膜滤光层。[b08]根据[b01]至[b07]中的任一项的发光元件,其中当由i0表示通过发光元件的发光单元的中心的中心线处的光强度并且由iconv表示通过没有光反射层的发光元件的发光单元的中心的中心线处的光强度时,满足i0/iconv≥5。[b09]根据[b01]至[b08]中的任一项的发光元件,其中第一电极和光反射层被遮光部或光反射部围绕。[b10]根据[b01]至[b09]中的任一项的发光元件,其中第一电极由透光材料构成,并且第二电极由半透光材料构成。[b11]根据[b10]的发光元件,其中第一电极由ito或izo构成,并且第二电极由选自包括以下项的组的至少一种材料构成:ag、ag-mg、ag-nd-cu、au、ag-cu、al和al-cu。[c01]<<投影型显示装置:第一方面>>一种投影型显示装置,配置有面板,包括:第一基板;第二基板;和夹在第一基板与第二基板之间的多个发光元件,其中每个发光元件包括第一电极;有机层,形成在第一电极上并且包括由有机发光材料构成的发光层;和第二电极,形成在有机层上,发光层是通过将发射相同颜色的光的多个发光层进行层叠而构成的。[c02]<<投影型显示装置:第二方面>>一种投影型显示装置,配置有面板,包括:第一基板;第二基板;和夹在第一基板与第二基板之间的多个发光元件,其中每个发光元件包括第一电极;有机层,形成在第一电极上并且包括由有机发光材料构成的发光层;和第二电极,形成在有机层上,以及每个发光元件还包括设置在第一电极下方的光反射层,以及使在发光层中发射的光在第二电极和有机层的界面与光反射层之间共振,并且使光的一部分从第二电极输出。[c03]<<投影型显示装置:第三方面>>一种投影型显示装置,配置有面板,包括:第一基板;第二基板;和夹在第一基板与第二基板之间的多个发光元件,其中每个发光元件由根据[a01]至[b11]中的任一项的发光元件来构成。[c04]根据[c01]至[c03]中的任一项的投影型显示装置,所述投影型显示装置配置有三个面板,所述三个面板为一个发射红光的红光发射面板,一个发射绿光的绿光发射面板,和一个发射蓝光的蓝光发射面板。[c05]根据[c04]的投影型显示装置,所述投影型显示装置配置有四个面板,其中还包括一个发射蓝光的蓝光发射面板。[c06]根据[c05]的投影型显示装置,其中,四个面板布置在阵列中。[c07]根据[c05]的投影型显示装置,其中,四个面板以2×2状态布置。[c08]根据[c01]至[c07]中的任一项的投影型显示装置,还包括在光发射侧的投影透镜系统。[c09]根据[c01]至[c07]中的任一项的投影型显示装置,包括:图像合成部件,用于将从多个面板发射的图像合成到一个图像中,以及投影透镜系统,在图像合成部件的光发射侧。[c10]根据[c09]的投影型显示装置,其中图像合成部件由非偏振二向色棱镜构成。[c11]根据[c09]的投影型显示装置,其中图像合成部件由飞利浦棱镜构成。[c12]根据[c08]至[c11]中的任一项的投影型显示装置,其中入射在投影透镜系统上的光是平行光。[c13]根据[c01]至[c12]中的任一项的投影型显示装置,其中,面板是弯曲的。[d01]<<平面发光装置>>一种平面发光装置,配置有面板,包括:第一基板;第二基板;和夹在第一基板与第二基板之间的多个发光元件,其中每个发光元件由根据[a01]至[b11]中的任一项的发光元件来构成。[e01]<<显示装置(hmd)>>一种显示装置,包括附着到观察者的头部的框架,和附着到框架的图像显示装置,其中所述图像显示装置包括图像形成设备,设置有根据[c01]至[c13]中的任一项的投影型显示装置,以及光学装置,接收和发射从图像形成设备发射的光,以及所述光学装置配置有导光板,在从图像形成设备入射的光通过全反射在内部传播之后向观察者发射光;第一偏转部件,用于使入射在导光板上的光偏转,使得入射在导光板上的光在导光板内全反射,以及第二偏转部件,通过多次全反射使在导光板内传播的光偏转,以便从导光板发射通过全反射在导光板内传播的光。[e02]<<三维传感装置>>一种三维传感装置,包括图像形成设备,设置有根据[c01]至[c13]中的任一项的投影型显示装置,和图像捕获装置,捕获由投影型显示装置投影在物体上的图像。[e03]<<可穿戴装置>>一种可穿戴装置,包括图像形成设备,所述图像形成设备设置有根据[c01]至[c13]中的任一项的投影型显示装置。附图标记1r红光发射面板(第一面板)1g绿光发射面板(第二面板)1b1、1b2蓝光发射面板(第三面板、第四面板)10、10'发光元件11第一基板20晶体管21栅极电极22栅极绝缘层23沟道形成区域24源极/漏极区域25元件分离区域26基体(层间绝缘层)26a下层间绝缘层26b上层间绝缘层27接触插塞28绝缘层31第一电极32第二电极33有机层33a、33b发光层33c空穴注入层和空穴传输层33d中间层(电荷生成层)33e电子传输层和电子注入层34保护层(平坦化层)35密封树脂层36基层37光导路径38开口39a光反射膜39b透明材料41第二基板50光反射层51遮光部或光反射部52金属薄膜滤光层53在金属薄膜滤光层中设置的孔54光吸收层(黑矩阵层)60透镜构件(片上微透镜)70投影透镜系统71图像合成部件72非偏振二向色棱镜73飞利浦棱镜当前第1页12
当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1