用于对准信号的噪声校正的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月21日提交的美国临时专利申请号62/784,010的优先权，其通过引用整体并入本文。

本公开涉及可以在例如光刻装置中被使用的量测系统。

背景技术：

光刻装置是将期望图案施加到衬底的目标部分上的机器。例如，光刻装置可以被用于制造集成电路(ic)。在这种情况下，图案化设备(备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成与ic的单个层相对应的电路图案，并且该图案可以被成像到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分上(例如包括一个或多个裸片的一部分)。通常，单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器以及所谓的扫描仪，在步进器中每个目标部分通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射，以及在扫描仪中每个目标部分通过在给定方向(“扫描”方向)上通过射束扫描图案来辐射，同时同步扫描平行或反平行于该方向的衬底。还可能的是通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化设备转移到衬底。另一光刻系统是干涉式光刻系统，其中没有图案化设备，但是射束被分割为两个射束，并且两个射束通过使用反射系统来在衬底的目标部分处进行干涉。干涉导致线被形成在衬底的目标部分上。

在光刻操作期间，不同的处理步骤可能需要不同层被按顺序形成在衬底上。因此，可能需要相对于在其上形成的先前图案来以高准确性定位衬底。通常，对准标记被放置在要被对准的衬底上，并且参照第二物体定位。光刻装置可以使用量测系统来检测对准标记的位置(例如x和y位置)，并且使用对准标记来对准衬底以确保从掩模准确曝光。量测系统可以被用于确定晶片表面在z方向上的高度。考虑来自对准标记的接收到的信号中的噪声变化可能具有挑战性。现有的噪声校正策略不够准确，并且仍会导致重叠不匹配，尤其是当在衬底上的特征大小变得越来越小时。

技术实现要素：

因此，需要改善量测系统，以通过使用更好的噪声校正方法来执行更好的晶片对准。

根据实施例，一种量测系统包括生成光的辐射源、反射器、干涉仪、检测器和控制器。反射器将光的至少一部分导向衬底。干涉仪干涉已经从衬底上的图案衍射或从衬底反射的光，并且根据干涉产生输出光。检测器接收来自干涉仪的输出光，并且基于接收到的输出光产生测量值。控制器确定对测量值的校正。该确定包括确定用于将测量值表征为数据图的正交子空间。正交子空间的第一轴线对应于来自干涉仪的相长干涉输出加上第一误差变量，并且正交子空间的第二轴线对应于来自干涉仪的相消干涉输出加上第二误差变量。控制器还确定数据图的斜率，并且基于该斜率来确定正交子空间中的数据图的拟合线。

在另一实施例中，一种光刻装置包括被设计为照射图案化设备的图案的照射系统、将图案的图像投影到衬底的目标部分上的投影系统以及量测系统。量测系统包括生成光的辐射源、反射器、干涉仪、检测器和控制器。反射器将光的至少一部分导向衬底。干涉仪干涉已经从衬底上的图案衍射或从衬底反射的光，并且根据干涉产生输出光。检测器接收来自干涉仪的输出光，并且基于接收到的输出光产生测量值。控制器确定对测量值的校正。该确定包括确定用于将测量值表征为数据图的正交子空间。正交子空间的第一轴线对应于来自干涉仪的相长干涉输出加上第一误差变量，并且正交子空间的第二轴线对应于来自干涉仪的相消干涉输出加上第二误差变量。控制器还确定数据图的斜率，并且基于该斜率来确定正交子空间中的数据图的拟合线。

在另一实施例中，一种应用测量校正的方法包括确定正交子空间，该正交子空间被用于将测量值表征为数据图。正交子空间的第一轴线对应于来自量测系统的干涉仪的相长干涉输出加上第一误差变量，并且正交子空间的第二轴线对应于来自量测系统的干涉仪的相消干涉输出加上第二误差变量。该方法还包括确定数据图的斜率，并且基于该斜率来确定正交子空间中的数据图的拟合线。

本发明的其他特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作在下面参照附图详细描述。要注意的是，本发明不被限于本文描述的具体实施例。这种实施例是仅出于说明性目的而在本文中呈现的。基于本文包含的教导，附加实施例对于(一个或多个)相关领域的技术人员将是显而易见的。

附图说明

被并入到本文中并且形成说明书的一部分的附图图示了本发明，并且连同本描述一起进一步用于解释本发明的原理，并且使(一个或多个)相关领域的技术人员能够进行和使用本发明。

图1a是根据实施例的反射性光刻装置的图示。

图1b是根据实施例的透射性光刻装置的图示。

图2是根据实施例的反射性光刻装置的更详细图示。

图3是根据实施例的光刻单元的图示。

图4是根据实施例的量测系统的图示。

图5是根据实施例的表征测量数据的图示。

图6a和图6b是根据实施例的表征测量数据并且图示测量漂移的图示。

图7是根据实施例的表征测量数据并且图示乘性噪声的影响的另一图示。

图8是根据实施例的表征测量数据并且图示测量值中的相位失真的另一图示。

图9是根据实施例的表示测量数据中的噪声校正的效果的图示。

图10根据实施例比较用于将线拟合至收集数据的不同技术。

图11是根据实施例的为了校正测量数据中的噪声而执行的操作的示例流程图。

图12是用于实施各种实施例的示例计算机系统。

当结合附图时，通过下面陈述的详细描述，本发明的特征和优点将变得更加明显，其中相同的参考字符始终标识对应的元件。在附图中，相同的参考数字通常指示相同的、功能类似和/或结构类似的元件。元件首次出现的附图由对应参考数字中的(一个或多个)最左侧数字指示。除非另有指示，否则本公开中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。

具体实施方式

本说明书公开了并入本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的(一个或多个)实施例仅例示了本发明。本发明的范围不被限于所公开的(一个或多个)实施例。本发明由所附权利要求限定。

所描述的(一个或多个)实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用指示所描述的(一个或多个)实施例可以包括特定特征、结构或特点，但是每个实施例可能不一定包括该特定特征、结构或特点。而且，这种短语不一定指的是相同实施例。进一步地，当特定特征、结构或特点结合实施例描述时，要理解的是，无论是否被明确描述，它都在本领域技术人员的知识范围内，以结合其他实施例实现这种特征、结构或特点。

然而，在更详细地描述这种实施例之前，呈现本发明的实施例可以被实施的示例环境是有益的。

示例反射和透射性光刻系统

图1a和图1b分别是本发明的实施例可以被实施在其中的光刻装置100和光刻装置100'的图示。光刻装置100和光刻装置100'各自包括以下项：照射系统(照射器)il，被配置为调节辐射束b(例如深紫外或极紫外辐射)；支撑结构(例如掩模台)mt，被配置为支撑图案化设备(例如掩模、掩模版或动态图案化设备)ma并且被连接至第一定位器pm，该第一定位器pm被配置为准确地定位图案化设备ma；以及衬底台(例如晶片台)wt，被配置为保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)w并且被连接至第二定位器pw，该第二定位器pw被配置为准确地定位衬底w。光刻装置100和100'还具有投影系统ps，其被配置为将通过图案化设备ma赋予辐射束b的图案投影到衬底w的目标部分(例如包括一个或多个裸片)c上。在光刻装置100中，图案化设备ma和投影系统ps是反射性的。在光刻装置100'中，图案化设备ma和投影系统ps是透射式的。

照射系统il可以包括各种类型的光学组件，诸如：折射、反射、反射折射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学组件或其任何组合，以用于引导、成形或控制辐射束b。

通过取决于图案化设备ma相对于参考系的定向、光刻装置100和100'中的至少一个光刻装置的设计以及其他条件(诸如图案化设备ma是否被保持在真空环境中)的方式，支撑结构mt保持图案化设备ma。支撑结构mt可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案化设备ma。支撑结构mt可以是框架或工作台，例如支撑结构mt可以根据需要被固定或可移动。通过使用传感器，支撑结构mt可以确保图案化设备ma例如相对于投影系统位于期望位置处。

术语“图案化设备”ma应该被广义地解释为指代任何设备，其可以被用于向辐射束b赋予其横截面中的图案，诸如以便在衬底w的目标部分c中创建图案。赋予辐射束b的图案可以对应于在目标部分c中被创建以形成集成电路的设备中的特定功能层。

图案化设备ma可以是透射式的(如在图1b的光刻装置100'中)或反射性的(如在图1a的光刻装置100中)。图案化设备ma的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列和可编程lcd面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替式相移掩模类型和衰减式相移掩模类型以及各种混合掩模类型等掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，小反射镜的矩阵布置的每个小反射镜都可以被单独地倾斜，以便在不同方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜在由小反射镜的阵列反射的辐射束b中赋予图案。

术语“投影系统”ps可以涵盖任何类型的投影系统，包括折射、反射、反射折射、磁性、电磁以及静电光学系统或其任何组合，如对于所使用的曝光辐射或者诸如在衬底w上使用浸液或使用真空等其他因素来说所适合的。真空环境可以被用于euv或电子束辐射，这是因为其他气体可能会吸收过多的辐射或电子。因此，利用真空壁和真空泵，真空环境可以被提供给整个射束路径。

光刻装置100和/或光刻装置100'可以是具有两个(双级)或更多个衬底台wt(和/或两个或多个掩模台)的类型。在这种“多级”机器中，附加的衬底台wt可以被并行使用，或者预备步骤可以在一个或多个工作台上执行，同时一个或多个其他衬底台wt正被用于曝光。在一些情况下，附加工作台可以不是衬底台wt。

参照图1a和图1b，照射器il接收来自辐射源so的辐射束。例如当源so是准分子激光器时，源so和光刻装置100、100'可以是单独的物理实体。在这种情况下，源so未被视为形成光刻装置100或100'的一部分，并且利用包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的射束递送系统bd(在图1b中)，辐射束b从源so传递到照射器il。在其他情况下，源so可以是光刻装置100、100'的集成部分—例如当源so是汞灯时。源so和照射器il以及(如果需要的话)射束递送系统bd一起可以被称为辐射系统。

照射器il可以包括调整器ad(在图1b中)，用于调整辐射束的角强度分布。通常，照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(一般分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)可以被调整。另外，照射器il可以包括各种其他组件(在图1b中)，诸如积分器in和聚光器co。照射器il可以被用于调节辐射束b，以便在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

参照图1a，辐射束b被入射到图案化设备(例如掩模)ma上，该图案化设备ma被保持在支撑结构(例如掩模台)mt上，并且由图案化设备ma图案化。在光刻装置100中，辐射束b从图案化设备(例如掩模)ma反射。在从图案化设备(例如掩模)ma反射之后，辐射束b穿过投影系统ps，其将辐射束b聚焦到衬底w的目标部分c上。借助于第二定位器pw和位置传感器if2(例如干涉测量设备、线性编码器或电容式传感器)，衬底台wt可以被准确移动(例如以便将不同的目标部分c定位在辐射束b的路径中)。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器if1可以被用于相对于辐射束b的路径准确地定位图案化设备(例如掩模)ma。图案化设备(例如掩模)ma和衬底w可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准。

参照图1b，辐射束b被入射到图案化设备(例如掩模ma)上，该图案化设备ma被保持在支撑结构(例如掩模台mt)上，并且由图案化设备图案化。遍历掩模ma后，辐射束b穿过投影系统ps，其将射束聚焦到衬底w的目标部分c上。投影系统具有与照射系统光瞳ipu共轭的光瞳ppu。部分辐射从照射系统光瞳ipu处的强度分布发出，并且遍历掩模图案而不受掩模图案处的衍射影响，并且在照射系统光瞳ipu处创建强度分布的图像。

借助于第二定位器pw和位置传感器if(例如干涉测量设备、线性编码器或电容式传感器)，衬底台wt可以被准确移动(例如以便将不同的目标部分c定位在辐射束b的路径中)。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器(未在图1b中示出)可以被用于相对于辐射束b的路径准确地定位掩模ma(例如在从掩模库机械取回之后，或在扫描期间)。

通常，掩模台mt的移动可以借助于形成第一定位器pm的一部分的长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(精定位)来实现。类似地，衬底台wt的移动可以使用形成第二定位器pw的一部分的长冲程模块和短冲程模块来实现。在步进器(与扫描仪相对)的情况下，掩模台mt可以仅被连接至短冲程致动器，或者可以是固定的。掩模ma和衬底w可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准。尽管衬底对准标记(如所图示的)占用了专用目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中(称为划线对准标记)。类似地，在多于一个裸片被设置在掩模ma上的情况下，掩模对准标记可以位于裸片之间。

掩模台mt和图案化设备ma可以在真空室中，其中真空中机器人ivr可以被用于将诸如掩模等图案化设备移入和移出真空室。备选地，当掩模台mt和图案化设备ma在真空室外部时，真空外机器人可以被用于各种运输操作，类似于真空中机器人ivr。真空中机器人和真空外机器人二者都需要校准，以便将任何有效载荷(例如掩模)平滑地转移到转移站的固定运动底座。

光刻装置100和100'可以在以下模式中的至少一种下使用：

1.在步进模式下，支撑结构(例如掩模台)mt和衬底台wt基本上保持静止，同时赋予辐射束b的整个图案被一次投影到目标部分c上(即，单次静态曝光)。然后，衬底台wt在x和/或y方向上被偏移，使得不同的目标部分c可以被曝光。

2.在扫描模式下，支撑结构(例如掩模台)mt和衬底台wt被同步地扫描，同时赋予辐射束b的图案被投影到目标部分c上(即，单次动态曝光)。衬底台wt相对于支撑结构(例如掩码台)mt的速度和方向可以通过投影系统ps的放大率(缩小率)和图像反转特点来确定。

3.在另一模式下，支撑结构(例如掩模台)mt基本上保持静止地保持可编程图案化设备，并且衬底台wt被移动或扫描，同时赋予辐射束b的图案被投影到目标部分c上。脉冲式辐射源so可以被采用，并且在衬底台wt的每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间，可编程图案化设备根据需要来更新。这种操作模式可以容易地被应用于无掩模光刻(诸如可编程反射镜阵列)，其利用可编程图案化设备。

所描述的使用模式的组合和/或变型或者完全不同的使用模式也可以被采用。

在又一实施例中，光刻装置100包括极紫外(euv)源，其被配置为生成用于euv光刻的euv辐射束。通常，euv源被配置在辐射系统中，并且对应的照射系统被配置为调节euv源的euv辐射束。

图2更详细地示出了光刻装置100，包括源收集器装置so、照射系统il和投影系统ps。源收集器装置so被构造和布置为使得真空环境可以在源收集器装置so的封闭结构220中维持。euv辐射发射等离子体210可以由放电产生的等离子体源形成。euv辐射可以由气体或蒸汽产生，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽，其中非常热的等离子体210被创建，以发射在电磁谱的euv范围内的辐射。非常热的等离子体210是由例如放电创建的，该放电引起至少部分地电离的等离子体。为了有效地生成辐射，可能需要例如10pa的xe、li、sn蒸汽或任何其他合适的气体或蒸汽的分压。在实施例中，激发锡(sn)的等离子体被提供，以产生euv辐射。

经由被定位在源室211中的开口中或后面的可选气体阻挡部或污染物陷阱230(在一些情况下也被称为污染物阻挡部或污染物陷阱)，由热等离子体210发射的辐射被从源室211传递进入收集器室212。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230还可以包括气体阻挡部或者气体阻挡部和通道结构的组合。如本领域已知的，本文进一步指示的污染物陷阱或污染物阻挡部230至少包括通道结构。

收集器室212可以包括辐射收集器co，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器co具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。遍历收集器co的辐射可以从光栅光谱滤波器240反射出来，以在虚拟源点if中聚焦。虚拟源点if一般被称为中间焦点，并且源收集器装置被布置为使得中间焦点if位于封闭结构220中的开口219处或附近。虚拟源点if是辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤波器240被具体用于抑制红外(ir)辐射。

随后，辐射遍历照射系统il，该照射系统il可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，其被布置为在图案化设备ma处提供辐射束221的期望角分布以及在图案化设备ma处提供辐射强度的期望均匀性。在由支撑结构mt保持的图案化设备ma处反射辐射束221时，图案化射束226被形成，并且图案化射束226由投影系统ps经由反射元件228、230成像到衬底w上，该衬底w由晶片载物台或衬底台wt保持。

比所示更多的元件通常可以存在于照射光学单元il和投影系统ps中。取决于光刻装置的类型，光栅光谱滤波器240可以可选地存在。进一步地，可能存在比附图中所示的更多的反射镜，例如与图2所示的相比，投影系统ps中可能存在1至6个附加反射元件。

如图2所图示的，收集器光学器件co被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的嵌套收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光学轴线o轴向对称地设置，并且这种类型的收集器光学器件co可以优选地与通常称为dpp源的放电产生的等离子体源组合使用。

示例光刻单元

图3示出了光刻单元300，有时也称为光刻单元或集群。光刻装置100或100'可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括对衬底执行曝光前和曝光后工艺的装置。通常这些装置包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂机sc、用于显影曝光后的抗蚀剂的显影剂de、冷却板ch和烘烤板bk。衬底处置器或机器人ro从输入/输出端口i/o1、i/o2拾取衬底，使它们在不同的工艺装置之间移动，然后递送给光刻装置的装载机架lb。通常被统称为轨道的这些设备受轨道控制单元tcu的控制，该轨道控制单元tcu本身由监控系统scs控制，该监控系统scs也经由光刻控制单元lacu控制光刻装置。因此，不同的装置可以被操作，以最大化吞吐量和处理效率。

示例量测系统

根据实施例，图4图示了可以被实施为光刻装置100或100'的一部分的量测系统400。在该实施例的示例中，量测系统400可以被配置为相对于图案化设备(例如图案化设备ma)对准衬底(例如衬底w)。量测系统400还可以被配置为检测衬底上的对准标记的位置，并且使用检测到的对准标记的位置来将衬底相对于光刻装置100或100'的图案化设备或其他组件对准。衬底的这种对准可以确保一个或多个图案在衬底上的准确曝光。

根据实施例，量测系统400可以包括照射系统402、分束器404、干涉仪406、检测器408和控制器410。量测系统400还可以包括支撑件412，其被配置为支撑可以包括目标416的衬底414。在一些实施例中，支撑件412可以在箭头430的任一方向上移动。

在一个实施例中，照射系统402可以被配置为提供射束420。射束420可以具有一个或多个通带。在示例中，一个或多个通带可以在大约500nm到大约900nm之间。在一些示例中，一个或多个通带包括近红外波长。在一些示例中，一个或多个通带包括近红外和远红外波长二者。一个或多个通带可以在大约500nm到大约15μm之间。照射系统402还可以被配置为在很长一段时间内(例如在照射系统402的整个生命周期内)提供具有基本恒定的中心波长(cwl)值的一个或多个通带。照射系统402的这种配置可以帮助防止如上面讨论的、在现有量测系统中实际cwl值从期望cwl值的偏移。并且，因此，与现有的量测系统相比，使用恒定的cwl值可以改善量测系统(例如量测系统400)的长期稳定性和准确性。

在一个实施例中，分束器404可以被配置为接收辐射束420。分束器404将射束420的至少一部分(此后称为射束421)导向衬底414和/或对准标记或目标416(在下文中为目标416)。分束器404还可以将射束420的另一部分导向干涉仪406，以充当参考射束。在该示例中，衬底414或目标416任一者可以在射束421的光路中。在一个实施例中，射束421可以从衬底414和/或目标416反射或衍射，从而形成反射或衍射射束422。在该实施例中，射束422穿过分束器404，以由干涉仪406接收。

在一个实施例中，目标416可以具有一百八十度对称。即，当目标416围绕垂直于目标416平面的对称轴线旋转一百八十度时，经旋转的目标416可以与未旋转的目标416基本相同。

在一个实施例中，干涉仪406包括光学元件，例如棱镜的组合，其可以被配置为基于接收到的辐射束422和来自分束器404的参考射束形成目标416的两个图像。应该了解的是，良好质量的图像不需要被形成，但是目标416的特征应该被解析。干涉仪406还可以被配置为将两个图像中的一个图像相对于两个图像中的另一图像旋转一百八十度，并且干涉测量地重新组合这两个图像。

在实施例中，当量测系统400的对准轴线440穿过目标416的对称中心(未示出)时，检测器408可以被配置为接收重新组合的图像，并且检测作为重新组合的图像的结果的干涉。根据示例实施例，这种干涉可以是由于目标416是一百八十度对称而产生的，并且重新组合的图像相长地或相消地干涉。基于检测到的干涉，检测器408还可以被配置为确定目标416的对称中心的位置，并且因此检测衬底414的位置。根据示例，对准轴线440可以与射束对准，该射束垂直于衬底并且穿过图像旋转干涉仪406的中心。在另一示例中，检测器408被配置为接收重新组合的图像，并且检测从衬底414的表面反射出来的光的干涉。

在一个实施例中，控制器410可以被配置为接收信号450，该信号450包括所确定的对称中心的信息。控制器410还可以被配置为确定支撑件412的位置，并且使支撑件412的位置与目标416的对称中心的位置相关。因此，目标416的位置以及因此衬底414的位置可以是参照支撑件412准确已知的。

在一个实施例中，控制器410可以被配置为确定量测系统400或任何其他参考元件的位置，使得对准标记或目标416的对称中心可以是参照量测系统400或任何其他参考元件已知的。基于所确定的量测系统400或目标416的位置，控制器410可以向一个或多个致动器(未示出)提供启动信号460，该一个或多个致动器被设计为如箭头430所指示地移动支撑件412。支撑件412可以以这种方式移动，以将目标416与量测系统400的对准轴线440对准，或将目标416移动到任何其他期望位置。

在一个实施例中，控制器410被配置为对从检测器408接收到的测量值应用校正，以考虑可能存在于对准标记或目标416中的不对称。不对称可能由于标记本身的结构中的缺陷而存在(侧壁角度、临界尺寸间距等)，或由于基于被导向对准标记或目标416的光的波长的非线性光学效应而存在。控制器410还可以校正接收信号450中的任何噪声。

应该注意的是，尽管分束器404被示出为将射束420导向对准标记或目标416，但本公开不被限于此。对于相关领域的技术人员显而易见的是，其他光学布置可以被用于获得照射衬底414上的对准标记或目标416的类似结果，并且检测对准标记或目标416的图像。分束器414可以在正交于衬底414表面的方向上或以一定角度引导照射。

噪声校正实施例

如上面提到的，校正可以被应用于从量测系统400求取的测量值，以考虑接收信号450中的噪声。在一些噪声校正技术中，来自干涉仪输出的相长(sum)通道和相消(diff)通道的信号值被绘制为散布数据点。最佳拟合线是使用最小二乘回归(lsr)技术针对散布的数据点计算的，以最小化两个通道之间的相互噪声。然而，lsr假设两个通道中的一个通道没有任何噪声，而只有另一通道包括任何噪声变化。由于这种假设很少(如果有的话)是正确的，因此针对使用这种技术，噪声不被完全考虑。

根据实施例，一种噪声校正技术被提供，该噪声校正技术使用来自干涉仪的sum通道和diff通道两者都包括噪声变化的假设。新的噪声校正技术包括真实的物理假设以用于开发数学公式，该数学公式应用对准强度通道之间的误差变化的正确选择，其有效地最小化干涉仪的sum通道和diff通道中的相互噪声。数学公式基于数据的物理上下文应用要被最小化的正确距离，并且这种数据驱动的方法能够对在时间上向前移动的信号变化进行建模。

首先假设来自干涉仪输出的sum(ys)和diff(yd)通道中的每个通道分别具有与其相关联的不同随机误差，如下面的等式1所示，

其中e1和e2是独立的均值零随机误差变量，方差σ1²和σ2²分别被应用于sum(ys)和diff(yd)通道。变量x和y通过等式2中描述的理论线性回归模型相关，

y＝gacx+β(2)

其中gac和β是直线的斜率和截距。给定n个测量数据点的集合(ysi，ydi)，方差sxx、syy和协方差cov(ys,yd)可以用矩阵形式表达，

其中均值和被定义为

并且也遵循等式2中表达的关系，使得

基于最小化从线到测量数据点的统计距离，统计方法可以被用于确定斜率gac和截距β的估计。根据本公开的实施例，线性回归方法包括考虑来自变量ys和yd二者的随机变化的一般分析以及考虑光刻对准的噪声变化的特殊应用。

在一些实施例中，一般分析技术(例如主成分分析(pca))可以被用于找到斜率gac和截距β的数学估计。pca算法可以被概括如下。首先，测量数据点(ysi，ydi)可以被组织为矩阵z。在一些实施例中，矩阵z可以以均值零和标准偏差1居中和标准化。接下来，z^tz(z的协方差矩阵)可以通过将矩阵z与其转置矩阵z^t相乘来计算。因此，协方差矩阵z^tz的每个元素包括来自测量数据点(ysi，ydi)的信息。通过计算特征向量v及其对应的特征值ωi(i＝1、2、…n)，矩阵z^tz可以被分解为vdv^-1，其中矩阵d是对角矩阵，特征值ωi在对角线上，并且其他任何地方的值为零。类似的计算可以被重复，以找到矩阵zz^t(z的另一协方差矩阵)的特征向量u及其对应特征值γi。

根据奇异值分解(svd)定理，矩阵z＝usv^t，其中矩阵s是对角线的并包括ωiγi的平方根的奇异值，并且特征向量u和v是正交的。使用svd，正交子空间(坐标系)可以被生成，以将测量数据点(ysi，ydi)转换为不相关的正交值集合(ysi^*，ydi^*)。矩阵s可以用奇异值以及特征向量u和v^t按降序重新布置。降维然后可以根据奇异值的幅度执行，其中具有最大奇异值的分量的子集(即，最大的可能方差)可以在斜率gac和截距β的后续回归计算中选择。

基于变换值(ysi^*，ydi^*)中的每个变换值可以是所有测量数据点(ysi，ydi)的加权组合的情况，pca和svd方法可以是有效的统计工具。因此，在降维时，最不重要的变换值子集(ysi^*，ydi^*)可以被清除，而不会丢失测量数据点(ysi，ydi)的特点。pca和svd方法还包括特征值和特征向量的重要性质，其中特征向量表示“方向”，并且特征值表示“幅度”或“重要性”。因此，较大的特征值指向更重要的方向。在用于光刻对准系统的噪声表征的本公开中，pca和svd方法还包括以下假设：较大的特征值对应于更多的测量数据点(ysi，ydi)的行为信息，例如较大的可能方差。

pca和svd方法可以是用于任何一般应用的统计分析工具。在具有大量数据集并且需要快速计算结果的情况下，简化方法可以被用于利用分析表达式提供斜率gac的合理估计。

在另一示例中，最大似然(ml)方法被用于使用在从sum通道和diff通道接收的数据之间的相似度、并且最小化它们之间的误差函数来确定最优信号，其中误差函数可以与线性回归分析中的统计距离进行比较。假设测量数据点(ysi，ydi)可以根据等式1中描述的二元正态分布独立分布，则概率密度函数f可以被描述为

其中概率密度函数可以使用等式5中的关系以gac和β的参数来进一步表达。似然函数l可以通过反转概率密度函数f中的变量相关性来定义，即，似然函数l表示给定测量数据点和概率密度函数模型的参数的似然性。ml方法确定可以使似然函数l最大化的参数集合。换言之，ml估计是一种寻求使测量数据点最可能发生的概率分布的方法。出于计算目的，对数似然函数可以被最大化，因为对数似然函数和似然函数是单调相关的。通过求解称为似然等式的偏微分方程，

下面从最大似然估计生成的斜率(gac)的一般形式在等式8中示出。

在该示例中，假设sum通道和diff通道的两个方差的比率可以被称为

在等式8中，另一假设是sum通道和diff通道的两个方差σ1²和σ2²是独立的。

在sum通道和diff通道的两个方差σ1²和σ2²相同的特殊情况下，即，λ＝1，线性回归线的斜率可以被表达为

等式10中的斜率gac也指正交回归的斜率，并且可以通过最小化从测量数据点到线的正交距离d来推导。示例性模型在图5中图示。在该示例中，统计距离相当于正交距离d，而与普通最小二乘估计中的竖直距离h相对。从测量数据点到线的正交距离d可以被表示为

其中(ysi，ydi)是测量数据点，并且(xi，yi)是回归线上对应的最近点(等式2)。等式10中的斜率gac可以使用偏微分等式来推导，并且该技术是本领域技术人员已知的。

等式8中的斜率gac可以被简化为yd在ys上的普通最小二乘估计，其中竖直距离h可以被最小化。在该示例中，

λ＝∞并且等式8中的斜率gac也可以被简化为ys在yd上的普通最小二乘估计，其中水平距离l可以被最小化。在该示例中，

λ＝0并且

为了计算散布数据图的最佳拟合线，针对每个数据点，存在需要在拟合模型中被最小化的两个竖直和水平残差。ml估计技术选择最佳拟合线(等式8)，在已知两个方差的比率λ的条件下，最小化x和y方向上的残差。

存在来自sumys和diffyd通道的变化具有不同随机性的情况，并且该随机性仅由每个通道中的随机误差引起(来自等式1的e1和e2)。而且，没有基础来区分自变量和因变量，诸如yd和ys。在该示例中，几何均值估计可以被用于回归分析。等式14取求sum通道ys在diff通道yd回归线上的斜率的几何均值(等式13)以及diff通道yd在sum通道ys回归线上的斜率的倒数(等式12)。然后计算出的斜率可以被应用，以使用等式15为正交子空间中的绘制数据生成最佳拟合线。

其中sign(sxy)是符号函数，由协方差sxy确定。由于与干涉仪的物理关系，sum通道ys和diff通道yd的sign(sxy)通常为负。代入来自等式3的方差sxx和sxy，等式14中的gac可以被重写为

当且仅当以下条件时，几何均值估计也可以被视为等式8中的ml估计的特殊场景，

一旦正交子空间中的绘制数据的最佳拟合线被确定(如图5所图示的)，它可以由控制器430用于确定(一个或多个)对准标记在衬底上的对准。

一旦数据在所生成的正交子空间中被绘制为散布图，不同的噪声源就可以被确定和量化。表征信号中的不同噪声贡献的能力会产生校正模型或无噪声信号，从而可以最小化准确性误差。可以从测量数据中标识的噪声贡献的示例包括加性噪声、乘性噪声和局部相位变化。

图6a图示了在加性噪声校正(a)之前和(c)之后的来自diff和sum通道的信号强度(也称为信号值)。在该示例中，来自diff(yd)和sum(ys)通道的信号在再现实验期间被多次扫描，其中每个通道的信号强度或幅度示出了来自加性噪声变化的影响。加性噪声的特点是每个通道的均值信号的变化，参见曲线图(a)。不可预测的加性噪声会导致再现性能低下。每个通道的均值信号可以被提取，并且如曲线图(b)所示。在减去曲线图(b)中的均值信号后，每个通道的信号强度如曲线图(c)所示，其中每个通道的信号具有恒定的均值并且以随机噪声变化为主。

图6b示出了根据来自sum通道的信号强度的来自diff通道的信号强度的散布数据点(开口圆)。拟合线(实线圆)可以通过本公开中描述的模型计算。在该示例中，加性噪声可以直接通过拟合线表征，而不是使用图6a中的实验数据来表征。加性噪声可以通过从散布数据点到拟合线的正交距离来标识。因此，加性变化也被称为漂移变化，在图6b中用虚线箭头指示。

从散布数据点到拟合线的正交距离可以使用总最小二乘确定系数r²来定量计算。总最小二乘确定系数r²确定数据点与最佳拟合线的偏离(sum通道和diff通道中的漂移)。数据点的正交距离与拟合模型的比例量化了加性噪声变化。

经调整的其中经调整的r²是正交方向上经调整的总最小二乘确定系数，并且tlsres和tlstot被定义为

其中d(p1，p2)是在两个数据点p1与p2之间的距离。数据点(ys，yd)是测量值。数据点(ys^*，yd^*)对应于拟合线上的点，而代表均值。在理想情况下，经调整的r²＝1。

图7图示了示出乘性噪声变化特点的数据图。乘性噪声被定义为再现实验期间的在多次扫描中diff和sum通道的信号幅度变化。扫描中的信号幅度变化导致沿着拟合模型的数据范围变化(正交于漂移距离)。例如，图7示出了两个数据范围ra和rb。这种变化沿着拟合线量化，以获得作为每个通道在扫描中的关键性能指标(kpi)的幅度变化。取决于乘性噪声变化的幅度，置信区间(ci)沿着拟合线发生变化，其中置信区间(ci)可以通过数据范围(例如ra和rb)之间的差异确定。

图8图示了原始数据(形成椭圆图案)以及沿着椭圆的最长轴线使用当前模型生成的拟合线(a)的图。由于在sum通道与diff通道之间的相位差，数据的椭圆图案被形成。相位失真水平由双端黑色箭头示出为从拟合线到沿着椭圆的另一主轴线的数据的正交距离。还图示了使用旧模型生成的拟合线(b)。相位失真无法使用旧技术准确确定，这是因为拟合线未沿着数据点的椭圆的最长轴线对准。

图9图示了噪声消除的示例性应用，其中测量数据被绘制在散布的三角形中并且期望的目标值以虚线绘制。用作照射系统412的示例的白源激光器具有高噪声水平，尤其是对于绿光。图9示出了信号强度(沿着x轴线)方面的信号再现性(沿着y轴线)。相同的实验被执行多次，以记录变化。虽然较高的信号强力对应于较低的变化，但分布相对较高，如针对绿光的顶部图(a)所示。在对测量数据点使用回归分析后，加性和乘性噪声可以从拟合线中标识出，并可以被对应地校正。如底部图(b)所示，在数据分析和噪声消除后，绿光的变化得到了极大改善。数据的散布被减小，并且总变化被减小。

图10图示了与来自先前拟合方法(旧模型)的拟合线(b)相比，使用本文描述的改善方法(当前模型)对原始数据(圆点)进行的最佳拟合线(a)。可以看出，与使用先前误差校正技术生成的拟合线相比，当前模型的拟合线更接近地表示数据的一般形状。

根据一些实施例，图11是通过对准标记的接收测量值校正误差的示例性方法1100的流程图。应该理解的是，方法1100所示的操作不是详尽的，并且其他操作也可以在任何所图示的操作之前、之后或之间执行。在本公开的各种实施例中，方法1100的操作可以以不同顺序执行和/或变化。

在操作1102中，光学测量值是使用干涉仪从衬底上的对准目标收集的。对准目标可以是具有给定宽度和厚度的线的光栅结构。目标上的对准标记可以使用光来照射，该光具有在500nm与900nm之间的波长范围。

在操作1104中，控制器被用于确定正交子空间，以表征从对准目标收集的光学测量值。在一个示例中，正交子空间是使用从sum通道和diff通道接收的数据的奇异值分解(svd)来生成的。在另一示例中，最大似然(ml)方法被用于使用从sum通道和diff通道接收的数据之间的相似度、并且最小化它们之间的误差函数，来确定最优信号。当生成正交子空间时，正交子空间的第一轴线对应于来自干涉仪的相长干涉输出加上第一误差变量，并且正交子空间的第二轴线对应于来自干涉仪的相消干涉输出加上第二误差变量。

在操作1106中，在正交子空间中绘制的数据的斜率被确定。在确定校正后的斜率值时，diff通道回归线上的sum通道的斜率的几何均值以及sum通道回归线上的diff通道的斜率的倒数可以分别被使用。

在操作1108中，拟合线被生成，以拟合正交子空间中的数据的散布图。该拟合线使用在操作1106中计算的斜率，并且可以由上述等式8表示。一旦正交子空间中的绘制数据的最佳拟合线已经被确定，它就可以由控制器使用以确定(一个或多个)对准标记在衬底上的对准。

示例硬件环境

例如，本文描述的校正对准覆盖测量值的各种实施例可以使用一个或多个众所周知的计算机系统(诸如图12所示的计算机系统1200)来实施。计算机系统1200可以是能够执行本文描述的功能的任何众所周知的计算机，诸如可从国际商业机器、苹果、昇阳、hp、戴尔、索尼、东芝等获得的计算机。在一个示例中，计算机系统1200表示控制器430。在另一示例中，控制器430由计算机系统1200的处理器1204表示。根据一些实施例，计算机系统1200可以被配置为执行方法1100的任何操作1102至1108。

计算机系统1200包括一个或多个处理器(也称为中央处理单元或cpu)，诸如处理器1204。处理器1204被连接至通信基础设施或总线1206。

一个或多个处理器1204可以分别为图形处理单元(gpu)。在实施例中，gpu是处理器，该处理器是被设计为快速处理电子设备上的数学密集型应用的专用电子电路。gpu可以具有高度并行结构，该结构对于大型数据块(诸如计算机图形应用、图像和视频共有的数学密集型数据)的并行处理是高效的。

计算机系统1200还包括(一个或多个)用户输入/输出设备1203，诸如监测器、键盘、指向设备等，其通过(一个或多个)用户输入/输出接口1202与通信基础设施1206通信。

计算机系统1200还包括主存储器或初级存储器1208，诸如随机存取存储器(ram)。主存储器1208可以包括一个或多个级别的缓存。主存储器1208可以在其中存储有控制逻辑(即，计算机软件)和/或数据。在实施例中，至少主存储器1208可以如本文描述的那样被实施和/或运作。

计算机系统1200还可以包括一个或多个次级存储设备或存储器1210。次级存储器1210可以包括例如硬盘驱动器1212和/或可移除存储设备或驱动器1214。可移除存储驱动器1214可以是软盘驱动器、磁带驱动器、压缩盘驱动器、光学存储设备、磁带备份设备和/或任何其他存储设备/驱动器。

可移除存储驱动器1214可以与可移除存储单元1218交互。可移除存储单元1218包括在其上存储有计算机软件(控制逻辑)和/或数据的计算机可用或可读存储设备。可移除存储单元1218可以是软盘、磁带、压缩盘、dvd、光学存储盘和/或任何其他计算机数据存储设备。可移除存储驱动器1214以众所周知的方式从可移除存储单元1218读取和/或写入可移除存储单元1218。

根据示例性实施例，次级存储器1210可以包括其他部件、机构或其他方法，用于允许计算机程序和/或其他指令和/或数据由计算机系统1200访问。这种部件、机构或其他方法可以包括例如可移除存储单元1222和接口1220。可移除存储单元1222和接口1220的示例可以包括程序卡盒和卡盒接口(诸如在视频游戏设备中发现的)、可移除存储器芯片(诸如eprom或prom)和关联插座、记忆棒和usb端口、存储卡和关联的存储卡插槽和/或任何其他可移除存储单元和关联接口。

计算机系统1200还可以包括通信或网络接口1224。通信接口1224使计算机系统1200能够与远程设备、远程网络、远程实体等的任何组合(由参考数字1228单独和共同引用)通信和交互。例如，通信接口1224可以允许计算机系统1200通过通信路径1226与远程设备1228通信，该通信路径1226可以是有线和/或无线的，并且可以包括lan、wan、互联网等的任何组合。控制逻辑和/或数据可以经由通信路径1226在计算机系统1200之间发送。

在实施例中，有形装置或制品在本文中也被称为计算机程序产品或程序存储设备，该有形装置或制品包括在其上存储有控制逻辑(软件)的有形计算机可用或可读介质。这包括但不限于计算机系统1200、主存储器1208、次级存储器1210和可移除存储单元1218和1222以及实施前述的任何组合的有形制品。在由一个或多个数据处理设备(诸如计算机系统1200)执行时，这种控制逻辑使这种数据处理设备如本文描述的那样操作。

基于本公开中所包含的教导，(一个或多个)相关领域中的技术人员将清楚如何使用数据处理设备、计算机系统和/或计算机架构(不同于图12所示的)进行和使用本发明。具体地，实施例可以用软件、硬件和/或操作系统实施方式(不同于本文描述的)进行操作。

实施例还可以使用以下条款来描述：

1.一种量测系统，包括：

辐射源，被配置为生成光；

反射器，被配置为将光的至少一部分导向衬底；

干涉仪，被配置为接收从衬底上的图案衍射的光或者从衬底反射的光，并且根据基于衍射的光或反射的光生成的干涉产生输出光；

检测器，被配置为接收输出光并且产生测量值；以及

控制器，被配置为通过以下操作确定对测量值的校正：

确定用于将测量值表征为数据图的正交子空间，其中正交子空间的第一轴线对应于来自干涉仪的相长干涉输出加上第一误差变量，并且正交子空间的第二轴线对应于来自干涉仪的相消干涉输出加上第二误差变量，

确定数据图的斜率，以及

基于斜率来确定正交子空间中的数据图的拟合线。

2.根据条款1的量测系统，其中控制器使用相长干涉输出和相消干涉输出的奇异值分解(svd)来确定正交子空间。

3.根据条款1的量测系统，其中控制器使用最大似然(ml)方法来确定正交子空间，以最小化在相长干涉输出与相消干涉输出之间的误差函数。

4.根据条款1的量测系统，其中由辐射源生成的光具有在500nm与900nm之间的波长范围。

5.根据条款1的量测系统，其中控制器还被配置为基于拟合线在正交子空间中随着时间的漂移，确定测量值中的加性噪声的幅度。

6.根据条款1的量测系统，其中控制器还被配置为基于斜率随着时间的变化，确定测量值中的乘性噪声的幅度。

7.根据条款1的量测系统，其中控制器被配置为基于在正交于正交子空间中的拟合线的方向上到数据图的距离，确定测量值中的相位失真。

8.一种光刻装置，包括：

照射系统，被配置为照射图案化设备的图案；

投影系统，被配置为将图案的图像投影到衬底的目标部分上；以及

量测系统，包括：

辐射源，被配置为生成光；

反射器，被配置为将光的至少一部分导向衬底；

干涉仪，被配置为接收已经从衬底上的图案衍射的光或者从衬底反射的光，并且根据基于衍射的光或反射的光生成的干涉产生输出光；

检测器，被配置为接收输出光并且产生测量值；以及

控制器，被配置为通过以下操作确定对测量值的校正：

确定用于将测量值表征为数据图的正交子空间，其中正交子空间的第一轴线对应于来自干涉仪的相长干涉输出加上第一误差变量，并且正交子空间的第二轴线对应于来自干涉仪的相消干涉输出加上第二误差变量，

确定数据图的斜率，以及

基于斜率，确定正交子空间中的数据图的拟合线。

9.根据条款8的光刻装置，其中控制器使用相长干涉输出和相消干涉输出的奇异值分解(svd)来确定正交子空间。

10.根据条款8的光刻装置，其中控制器使用最大似然(ml)方法来确定正交子空间，以最小化在相长干涉输出与相消干涉输出之间的误差函数。

11.根据条款8的光刻装置，其中由辐射源生成的光具有在500nm与900nm之间的波长范围。

12.根据条款8的光刻装置，其中控制器还被配置为基于拟合线在正交子空间中随着时间的漂移，确定测量值中的加性噪声的幅度。

13.根据条款8的光刻装置，其中控制器还被配置为基于斜率随着时间的变化，确定测量值中的乘性噪声的幅度。

14.根据条款8的光刻装置，其中控制器被配置为基于在正交于正交子空间中的拟合线的方向上到数据图的距离，确定测量值中的相位失真。

15.一种对由量测系统确定的测量值应用校正以考虑多个噪声源的方法，该方法包括：

确定用于将测量值表征为数据图的正交子空间，其中正交子空间的第一轴线对应于来自量测系统的干涉仪的相长干涉输出加上第一误差变量，并且正交子空间的第二轴线对应于来自量测系统的干涉仪的相消干涉输出加上第二误差变量；

确定数据图的斜率；以及

基于斜率，确定正交子空间中的数据图的拟合线。

16.根据条款15的方法，其中确定正交子空间包括：使用相长干涉输出和相消干涉输出的奇异值分解(svd)。

17.根据条款15的方法，其中确定正交子空间包括：使用最大似然(ml)方法，以最小化在相长干涉输出与相消干涉输出之间的误差函数。

18.根据条款15的方法，还包括：基于拟合线在正交子空间中随着时间的漂移，确定测量值中的加性噪声的幅度。

19.根据条款15的方法，还包括：基于斜率随着时间的变化，确定测量值中的乘性噪声的幅度。

20.根据条款15的方法，还包括：基于在正交于正交子空间中的拟合线的方向上到数据图的距离，确定测量值中的相位失真。

最后备注

尽管在本文中可以对光刻装置在ic的制造中的使用进行具体引用，但是应该理解，本文描述的光刻装置可以具有其他应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的指导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头等。本领域技术人员将会认识到，在这种替代应用的上下文中，本文中的术语“晶片”或“裸片”的任何使用都可以被认为是分别与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文所引用的衬底可以是在曝光之前或之后处理的，例如在轨道(典型地将抗蚀剂层施加到衬底并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在适用情况下，本文的公开内容可以被应用于这种和其他衬底处理工具。进一步地，衬底可以被处理多于一次，例如以创建多层ic，使得本文使用的术语衬底也可以指已经包含多个已处理层的衬底。

尽管上面可能已经在光学光刻的上下文中具体引用了本发明的实施例的使用，但是要了解，本发明可以在其他应用中使用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，不被限于光学光刻。在压印光刻中，图案化设备中的形貌限定在衬底上创建的图案。图案化设备的形貌可以被压入供应给衬底的抗蚀剂层，接着抗蚀剂通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来固化。在抗蚀剂被固化之后，图案化设备被移出抗蚀剂，从而在其中留下图案。

要理解的是，本文中的措辞和术语是出于描述而非限制的目的，使得本说明书的措辞或术语是由(一个或多个)相关领域中的工作人员鉴于本文中的教导而解释的。

在本文描述的实施例中，在上下文允许的情况下，术语“透镜”和“透镜元件”可以指各种类型的光学组件的任何一种或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学组件。

进一步地，本文使用的术语“辐射”、“射束”和“光”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外(uv)辐射(例如具有365、248、193、157或126nm的波长λ)、极紫外(euv或软x射线)辐射(例如具有5至20nm范围内的波长，诸如例如13.5nm)或以小于5nm工作的硬x射线以及粒子束(诸如离子束或电子束)。通常，波长在大约400至大约700nm之间的辐射被认为是可见辐射；波长在大约780至3000nm(或更长)之间的辐射被认为是ir辐射。uv是指波长近似100至400nm的辐射。在光刻内，术语“uv”也适用于可以由汞放电灯产生的波长：g线436nm；h线405nm；和/或i线365nm。真空uv或vuv(即，被气体吸收的uv)是指波长近似100至200nm的辐射。深uv(duv)通常是指波长范围从126nm到428nm的辐射，并且在实施例中，准分子激光器可以生成在光刻装置内使用的duv辐射。应该了解，波长在例如5至20nm范围内的辐射涉及具有一定波段的辐射，其中至少一部分在5至20nm的范围内。

如本文使用的，术语“衬底”通常描述了后续材料层被添加的材料。在实施例中，衬底本身可以被图案化，并且在其上方添加的材料也可以被图案化，或者可以保持没有图案化。

尽管本发明的具体实施例已经在上面描述，但是要了解，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。本描述并不旨在限制本发明。

要了解的是，详细描述部分而非发明内容和摘要部分旨在被用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以陈述(一个或多个)本发明人所设想的本发明的一个或多个但非所有示例性实施例，因此，并不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。

借助于图示了指定功能及其关系的实施方式的功能构建块，本发明已经在上面描述。为了方便描述，这些功能构建块的边界在本文中被任意地定义。交替边界可以被定义为只要指定功能及其关系被适当地执行即可。

具体实施例的前述描述将充分展现本发明的一般性，通过应用技术领域内的知识，在未过度实验，未偏离本发明的一般概念的情况下，其他人可以容易地修改和/或适应这种具体实施例的各种应用。因此，基于本文呈现的教学和指导，这种适应和修改旨在与所公开的实施例等效的意义和范围内。

本发明的广度和范围不应该受到任何上述的示例性实施例的限制，而应该只根据以下权利要求及其等效物来定义。