一种低半波电压RTP开关的制作方法

一种低半波电压rtp开关
技术领域
1.本实用新型涉及一种rtp开关，具体为一种低半波电压rtp开关。


背景技术：

2.电光开关是激光系统的重要单元 ,利用它可以从锁模序列中选出单脉冲 ,可以对调 q脉冲进行削波 ,它也是电光隔离器中不可缺少的元件。 电光开关性能的不断改进 ,对一个激光系统提高输出的成功率、稳定性起着十分关键的作用 ,合理地选择电光材料是提高开关性能的有效途径之一。 kdp和 linbo3 是目前广泛应用于普克尔盒的电光材料 ,但它们都有缺点。linbo3晶体普克尔盒有低的半波电压 ,也不潮解 ,但由于它的光学破坏阈值低 ,限制了它在高峰值功率激光系统中的应用 ,压电效应引起的声光作用使 linbo3晶体在高重复率激光系统中的运用变得复杂。kdp晶体普克尔盒虽然也有较高的光学破坏阈值 ,但半波电压相对较高 ,还潮解 ,使用时需要密封在一个盒子内 ,在端面镀增透膜和加折射率匹配材料 ,进一步增加了器件的插入损耗。
3.rtp（磷酸钛氧铷）晶体属ktp族晶体，因其良好的电学与光学性能，包括较高的电阻率，但是由于消光比降低，严重影响了调q效率，且大量的入射光被rtp晶体吸收，致使其温度上升，大大增加了这种结构的rtp电光调q开关的不稳定性，为了降低系统的功耗，提高器件的性能，以及方便地实现与系统的其他部分集成，通常要求电光调制器具有低的半波电压，并且目前的rtp开关没有体现出低半波特性，所以急需一种低半波电压rtp开关。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种低半波电压rtp开关，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种低半波电压rtp开关，包括开关底座和电光晶体，所述开关底座内侧设置有通口，所述开关底座上方设置有所述电光晶体，所述电光晶体上方设置有波导，所述波导上方设置有相位补偿片，所述相位补偿片一侧设置有电极接口a，所述电极接口a一侧设置有电极接口b，所述电极接口a下方设置有第二反射端面，所述电极接口b下方设置有第一反射端面，所述电光晶体一侧固定有接铸件，所述接铸件一侧设置有垫片，所述电光晶体上方设置有电接口，所述电接口一侧设置有稳定座，所述电光晶体下方设置有光波导腔，所述光波导腔下方设置有相位调制波片。
6.优选的，所述电光晶体的通光口径为2mm
×
2mm到10mm
×
10mm之间，使得通光口径满足要求。
7.优选的，所述电光晶体设置在所述第一反射端面和所述第二反射端面之间，方便进行波导反馈。
8.优选的，所述电极接口a和所述电极接口b之间设置有绝缘垫片，保证了装置的安全性。
9.优选的，所述垫片固定在所述电光晶体和所述接铸件之间，实现了电性光学连接。
10.优选的，所述电光晶体的消光比不小于23db，且它的1064nm透过率大于98.5%，方便实现低半波电压，实现了选用高重复频率电光应用的优良晶体。
11.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型驱动电压低、带宽性能更优越，高重复频率电光应用的优良晶体，实现了较大的非线性光学和电光系数，无压电振荡效应，不潮解，高抗光损伤阈值，高消光比，综合了许多优点 ,如半波电压低、光学破坏阈值高，通透率良好，实现了低半波电压的rtp开关。
附图说明
12.图1为本实用新型整体结构图；
13.图2为本实用新型电光晶体结构图。
14.图中：1
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开关底座；2
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电极接口a；3
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电极接口b；4
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第一反射端面；5
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第二反射端面；6
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电光晶体；7
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电接口；8
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相位调制波片；9
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接铸件；10
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光波导腔；11
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垫片；12
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波导；13
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稳定座；14
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相位补偿片；15
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通口。
具体实施方式
15.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
16.请参阅图1
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2，本实用新型提供一种技术方案：一种低半波电压rtp开关，包括开关底座1和电光晶体6，所述开关底座1内侧设置有通口15，所述开关底座1上方设置有所述电光晶体6，所述电光晶体6上方设置有波导12，所述波导12上方设置有相位补偿片14，所述相位补偿片14一侧设置有电极接口a2，所述电极接口a2一侧设置有电极接口b3，所述电极接口a2下方设置有第二反射端面5，所述电极接口b3下方设置有第一反射端面4，所述电光晶体6一侧固定有接铸件9，所述接铸件9一侧设置有垫片11，所述电光晶体6上方设置有电接口7，所述电接口7一侧设置有稳定座13，所述电光晶体6下方设置有光波导腔10，所述光波导腔10下方设置有相位调制波片8。
17.所述电光晶体6的通光口径为2mm
×
2mm到10mm
×
10mm之间，使得通光口径满足要求。所述电光晶体6设置在所述第一反射端面4和所述第二反射端面5之间，方便进行波导反馈。所述电极接口a2和所述电极接口b3之间设置有绝缘垫片，保证了装置的安全性。所述垫片11固定在所述电光晶体6和所述接铸件9之间，实现了电性光学连接。所述电光晶体6的消光比不小于23db，且它的1064nm透过率大于98.5%，方便实现低半波电压，实现了选用高重复频率电光应用的优良晶体。
18.工作原理：本实用新型通过加长电光作用长度或者增强作用于波导12的电场强度来降低半波电压，相位调制波片8外层与所述垫片11连接，电光晶体6的沿通光方向延伸且互相平行的两个向面均镀有电极层，分别为电极接口a2和电极接口b3，相位补偿片14在通光方向上的长度为用于对目标激光产生的相位延迟进行补偿的相位补偿波片的厚度的奇数倍，插入损耗低且操作简单，保证了rtp开关固有的消光比，通过反射结构的方式也可以增加电光作用长度，反射结构的方式可以在同样长度的电极情况下，理论上比直通单程型
电光调制器的电光作用长度增加一倍，实现了低半波电压。
19.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。


技术特征：
1.一种低半波电压rtp开关，其特征在于：包括开关底座（1）和电光晶体（6），所述开关底座（1）内侧设置有通口（15），所述开关底座（1）上方设置有所述电光晶体（6），所述电光晶体（6）上方设置有波导（12），所述波导（12）上方设置有相位补偿片（14），所述相位补偿片（14）一侧设置有电极接口a（2），所述电极接口a（2）一侧设置有电极接口b（3），所述电极接口a（2）下方设置有第二反射端面（5），所述电极接口b（3）下方设置有第一反射端面（4），所述电光晶体（6）一侧固定有接铸件（9），所述接铸件（9）一侧设置有垫片（11），所述电光晶体（6）上方设置有电接口（7），所述电接口（7）一侧设置有稳定座（13），所述电光晶体（6）下方设置有光波导腔（10），所述光波导腔（10）下方设置有相位调制波片（8）。2.根据权利要求1所述的一种低半波电压rtp开关，其特征在于：所述电光晶体（6）的通光口径为2mm
×
2mm到10mm
×
10mm之间。3.根据权利要求1所述的一种低半波电压rtp开关，其特征在于：所述电光晶体（6）设置在所述第一反射端面（4）和所述第二反射端面（5）之间。4.根据权利要求1所述的一种低半波电压rtp开关，其特征在于：所述电极接口a（2）和所述电极接口b（3）之间设置有绝缘垫片。5.根据权利要求1所述的一种低半波电压rtp开关，其特征在于：所述垫片（11）固定在所述电光晶体（6）和所述接铸件（9）之间。6.根据权利要求1所述的一种低半波电压rtp开关，其特征在于：所述电光晶体（6）的消光比不小于23db，且它的1064nm透过率大于98.5%。

技术总结
本实用新型公开了一种低半波电压RTP开关，包括开关底座和电光晶体，所述开关底座内侧设置有通口，所述开关底座上方设置有所述电光晶体，所述电光晶体上方设置有波导，所述波导上方设置有相位补偿片，所述相位补偿片一侧设置有电极接口A，所述电极接口A一侧设置有电极接口B，所述电极接口A下方设置有第二反射端面，所述电极接口B下方设置有第一反射端面，所述电光晶体一侧固定有接铸件，所述接铸件一侧设置有垫片，所述电光晶体上方设置有电接口，所述电接口一侧设置有稳定座，所述电光晶体下方设置有光波导腔，所述光波导腔下方设置有相位调制波片，本实用新型驱动电压低、带宽性能更优越。更优越。更优越。


技术研发人员：赵修强 冯骥 翟娜娜 周婧
受保护的技术使用者：山东辰晶光电科技有限公司
技术研发日：2021.03.16
技术公布日：2021/9/24