通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及红外滤光敏感元件领域，尤其是一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件。
【背景技术】
[0002]红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。
[0003]红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光敏感元件，通过红外滤光敏感元件可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能)，保证红外热成像仪的成像结果。
[0004]但是，目前的红外滤光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件。
[0006]为了达到上述目的，本发明所设计的一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，包括以红外石英为原材料的基板，以Ge、S1为第一镀膜层和以Ge、S1为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有103nm厚度的Ge层、455nm厚度的S1层、66nm厚度的Ge层、265nm厚度的S1层、189nm厚度的Ge层、452nm厚度的S1层、141nm厚度的Ge层、145nm厚度的S1层、134nm厚度的Ge层、397nm厚度的S1层、180nm厚度的Ge层、463nm厚度的S1层、108nm厚度的Ge层、161nm厚度的S1层、135nm厚度的Ge层、437nm厚度的S1层、231nm厚度的Ge层、613nm厚度的S1层、339nm厚度的Ge层、494nm厚度的S1层、219nm厚度的Ge层、649nm厚度的S1层、324nm厚度的Ge层、516nm厚度的S1层、234nm厚度的Ge层、813nm厚度的S1层、219nm厚度的Ge层、400nm厚度的S1层；所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有75nm厚度的Ge层、203nm厚度的S1层、72nm厚度的Ge层、102nm厚度的S1层、90nm厚度的Ge层、191nm厚度的S1层、51nm厚度的Ge层、160nm厚度的S1层、75nm厚度的Ge层、197nm厚度的S1层、97nm厚度的Ge层、292nm厚度的S1层、79nm厚度的Ge层、256nm厚度的S1层、130nm厚度的Ge层、252nm厚度的S1层、119nm厚度的Ge层、206nm厚度的S1层、136nm厚度的Ge层、534nm厚度的S1层。
[0007]上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0008]本发明所得到的一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件 50% Cut on=3000±30nm，50% Cut on=3500±30nm，3050 ?3400nm，Tavg ^ 80%，300 ?6500nm (通带区域除外)，Tavg ( 0.1%。
【附图说明】
[0009]图1是实施例整体结构示意图。
[0010]图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
[0011]图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
【具体实施方式】
[0012]下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。
[0013]实施例1。
[0014]如图1和图2所示，本实施例描述的一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，包括以红外石英为原材料的基板2，以Ge、S1为第一镀膜层I和以Ge、S1为第二镀膜层3，且所述基板2设于第一镀膜层I与第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层I由内向外依次排列包含有103nm厚度的Ge层、455nm厚度的S1层、66nm厚度的Ge层、265nm厚度的S1层、189nm厚度的Ge层、452nm厚度的S1层、141nm厚度的Ge层、145nm厚度的S1层、134nm厚度的Ge层、397nm厚度的S1层、180nm厚度的Ge层、463nm厚度的S1层、108nm厚度的Ge层、161nm厚度的S1层、135nm厚度的Ge层、437nm厚度的S1层、231nm厚度的Ge层、613nm厚度的S1层、339nm厚度的Ge层、494nm厚度的S1层、219nm厚度的Ge层、649nm厚度的S1层、324nm厚度的Ge层、516nm厚度的S1层、234nm厚度的Ge层、813nm厚度的S1层、219nm厚度的Ge层、400nm厚度的S1层；所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有75nm厚度的Ge层、203nm厚度的S1层、72nm厚度的Ge层、102nm厚度的S1层、90nm厚度的Ge层、191nm厚度的S1层、51nm厚度的Ge层、160nm厚度的S1层、75nm厚度的Ge层、197nm厚度的S1层、97nm厚度的Ge层、292nm厚度的S1层、79nm厚度的Ge层、256nm厚度的S1层、130nm厚度的Ge层、252nm厚度的S1层、119nm厚度的Ge层、206nm厚度的S1层、136nm厚度的Ge层、534nm厚度的S1层。
【主权项】
1.一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，包括以红外石英为原材料的基板(2)，以Ge、S1为第一镀膜层(I)和以Ge、S1为第二镀膜层(3)，且所述基板(2)设于第一镀膜层(I)与第二镀膜层(3)之间，其特征是所述第一镀膜层(I)由内向外依次排列包含有103nm厚度的Ge层、455nm厚度的S1层、66nm厚度的Ge层、265nm厚度的S1层、189nm厚度的Ge层、452nm厚度的S1层、141nm厚度的Ge层、145nm厚度的S1层、134nm厚度的Ge层、397nm厚度的S1层、180nm厚度的Ge层、463nm厚度的S1层、108nm厚度的Ge层、161nm厚度的S1层、135nm厚度的Ge层、437nm厚度的S1层、231nm厚度的Ge层、613nm厚度的S1层、339nm厚度的Ge层、494nm厚度的S1层、219nm厚度的Ge层、649nm厚度的S1层、324nm厚度的Ge层、516nm厚度的S1层、234nm厚度的Ge层、813nm厚度的S1层、219nm厚度的Ge层、400nm厚度的S1层；所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有75nm厚度的Ge层、203nm厚度的S1层、72nm厚度的Ge层、102nm厚度的S1层、90nm厚度的Ge层、191nm厚度的S1层、51nm厚度的Ge层、160nm厚度的S1层、75nm厚度的Ge层、197nm厚度的S1层、97nm厚度的Ge层、292nm厚度的S1层、79nm厚度的Ge层、256nm厚度的S1层、130nm厚度的Ge层、252nm厚度的S1层、119nm厚度的Ge层、206nm厚度的S1层、136nm厚度的Ge层、534nm厚度的S1层。
【专利摘要】本发明公开了一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，包括以红外石英为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明所得到的一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50％Cut on=3000±30nm，50％Cut on=3500±30nm，3050～3400nm，Tavg≥80%，300～6500nm（通带区域除外），Tavg≤0.1%。
【IPC分类】G02B5-20
【公开号】CN104597541
【申请号】CN201410733525
【发明人】吕晶, 王继平, 刘晶
【申请人】杭州麦乐克电子科技有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月7日