光调制器的制造方法

文档序号:8287781阅读:532来源:国知局
光调制器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光调制器,尤其是涉及具有对从马赫-曾德尔型波导的合波部放出的放射光进行监视的监视单元的光调制器。
【背景技术】
[0002]在光通信等技术领域中,使用具有马赫-曾德尔型波导的光调制器。近年来,为了改善光调制器的调制特性,基板的厚度为20 μm以下的薄板型的光调制器被实用化。
[0003]在相当于光波导的包覆层的基板的厚度为20 μπι以下的薄板型的光调制器中,在光波导附近,高次模作为无用光而进行传播。因此,在马赫-曾德尔(MZ)型波导的合波部放射的反相干涉光(放射光)与基板的厚度厚的结构时不同,不容易从主输出波导分离,以光波导的高次模那样的行为进行传播。
[0004]因此,如专利文献I那样,通过使用使合波部的结构在输出侧具有用于反相干涉光导波的波导的三分支结构的方法、如专利文献2那样在分支波导的周边使用了用于反相干涉光的引导部的方法等,使反相干涉光(放射光)从输出波导分离。并且,检测该反相干涉光,并作为光调制器的DC偏置监视而使用。
[0005]在DQPSK (Differential Quadrature Phase Shift Keying)方式等的多值调制格式用的光调制器中,要求更精密的偏置控制,因此要求光调制器输出和监视输出的电压-输出特性相对于偏置电压不发生偏移。因此,在专利文献3中示出通过将从MZ型波导的合波部放射的2个放射光合成来补偿监视输出的品质的结构。
[0006]即使在如专利文献I等那样在合波部使用了三分支结构等的情况下,微小的反相干涉光也会作为高次模而残留在输出波导的附近。该光与光纤输出进行耦合,由此来自光纤的主输出成为将同相干涉的输出光与反相干涉光合成而成的光。
[0007]尤其是在同相干涉光和反相干涉光混入的情况下,偏置相位不同的光混入,与没有混入的情况相比,偏置点发生偏移。而且,该偏移量与混入光的混合比率、光相位相关。因此,在主输出特性与监视特性之间容易产生波长依赖性、环境温度的变化等的光纤位置错动等引起的温度依赖性。并且,产生以监视输出为基础进行了控制设定的偏置点相对于主输出不适当,而调制信号的品质劣化这样的问题。该现象相对于输出光产生,因此在现有技术的结构中无法解决。
[0008]另一方面,在专利文献4中公开了如下技术:为了将在马赫-曾德尔型波导的合波部产生的放射光除去,而在合波部设置放射光用波导,并在输出用波导的附近形成高次模光吸收区域。然而,在专利文献4中,关于用于将使用了反相干涉光(放射光)的监视特性与主输出特性维持成适当的关系的结构,没有任何公开。即,当放射光向主输出光混入时,不仅给On/Off (通/断)特性造成影响,而且给相位差特性也造成影响。尤其是即使向主输出光混入少许的放射光,相位差特性也会较大地变动。因此,由光纤位置错动等引起的、微小的放射光向主输出光的混入也无法忽视。例如,即使混入的功率比为40dB,相位差也会变动约0.6%。另一方面,光调制器要求的相位差量在需要高品质的监视的情况下,需要设为相位差1%以下,要求使放射光向主输出光的混入非常小。
[0009]现有技术文献
[0010]专利文献
[0011]专利文献1:日本特开2006-301612号公报
[0012]专利文献2:国际公开TO2006-090863号
[0013]专利文献3:日本特愿2011-037718号(申请日:平成23年2月23日)
[0014]专利文献4:日本特开2011-75906号公报

【发明内容】

[0015]本发明要解决的课题在于提供一种光调制器,其解决上述那样的问题,将主输出特性与监视特性维持成适当的关系,使以监视输出来判定的偏置点与主输出的最优偏置点一致,能够进行高精度的偏置控制。
[0016]为了解决上述课题,本发明的光调制器具有以下的技术特征。
[0017](I) 一种光调制器,在厚度20 μπι以下的基板上形成光波导,具有该光波导和监视单元,所述光波导具有马赫-曾德尔型波导和用于从该马赫-曾德尔型波导的合波部引导信号光并向该基板之外输出的输出波导,所述监视单元对该信号光或放射光进行监视,所述光调制器的特征在于,所述光调制器具备漏泄光除去单元,所述漏泄光除去单元用于将在该输出波导中传播的放射光的一部分从该输出波导除去并向该基板之外放出。
[0018](2)在上述(I)记载的光调制器中,其特征在于,利用与该基板的端面相对配置的光纤引导从该输出波导出射的信号光。
[0019](3)在上述(I)或(2)记载的光调制器中,其特征在于,该放射光是在该信号光为切断(Off)状态时从该合波部输出的放射光。
[0020](4)在上述(I)至⑶中任一项记载的光调制器中,其特征在于,该漏泄光除去单元是配置在该输出波导的附近且连续形成至该基板的端部附近的平板波导。
[0021](5)在上述(I)至⑶中任一项记载的光调制器中,其特征在于,该漏泄光除去单元是配置在该输出波导的附近的光吸收材料。
[0022](6)在上述(3)至(5)中任一项记载的光调制器中,其特征在于,该监视单元具有从该合波部分支的放射光用光波导。
[0023](7)在上述(I)至(6)中任一项记载的光调制器中,其特征在于,该漏泄光除去单元的沿该输出波导的长度为Imm以下。
[0024]发明效果
[0025]本发明的光调制器在厚度20 μπι以下的基板上形成光波导,具有该光波导和监视单元,所述光波导具有马赫-曾德尔型波导和用于从该马赫-曾德尔型波导的合波部引导信号光并向该基板之外输出的输出波导,所述监视单元对在该信号光为Off状态时从该合波部输出的放射光进行监视,在所述光调制器中,具备漏泄光除去单元,该漏泄光除去单元用于将在该输出波导中传播的放射光的一部分从该输出波导除去并向该基板之外放出,因此,能够提供能够使利用监视输出来判定的偏置点与主输出的最优偏置点一致且能够进行高精度的偏置控制的光调制器。
【附图说明】
[0026]图1是表示本发明的光调制器的一例的概略图。
[0027]图2是说明从图1的光调制器中的马赫-曾德尔型波导的合波部到漏泄光除去单元进行传播的光波的状态的图。
[0028]图3是本发明的光调制器的一例,是包含监视单元的概略图。
[0029]图4是表示本发明的光调制器所使用的漏泄光除去单元的俯视图。
[0030]图5是表示相对于温度变化的偏置点偏移的情况的坐标图。
[0031]图6是说明漏泄光除去单元的其他形状的图。
【具体实施方式】
[0032]以下,关于本发明的光调制器,使用优选例详细地进行说明。
[0033]如图1所示,本发明的光调制器在厚度20 μπι以下的基板上形成光波导,具有该光波导和监视单元,所述光波导具有马赫-曾德尔(MZ)型波导和用于从该马赫-曾德尔型波导的合波部引导信号光并向该基板之外输出的输出波导,所述监视单元对该信号光或放射光进行监视,所述光调制器的特征在于,所述光调制器具备漏泄光除去单元,所述漏泄光除去单元用于将在该输出波导中传播的放射光的一部分从该输出波导中除去并向该基板之外放出。
[0034]基板可以利用铌酸锂或钽酸锂等的具有电光学效果的基板。作为光波导的形成方法,例如,通过在铌酸锂基板(LN基板)上对钛(Ti)等高折射率物质进行热扩散而形成。而且,也可以如脊型波导那样在基板上形成凹凸而形成。在脊型波导的情况下,也可以利用聚合物来形成基板及光波导。例如,在芯部配置具有凸部的高折射率聚合物,以夹持该高折射率聚合物的方式在上下配置低折射率聚合物作为包覆,由此制作具备光波导的平板状的基板。
[0035]本发明的光调制器使用基板的厚度为20 μπ
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