光阻脱除剂和电子元件及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种光阻脱除剂，且特别是有关于一种含有仲或叔醇胺、含有极 性溶剂更含有醇醚类化合物的光阻脱除剂。
[0002] 先前技术
[0003] -般来说，半导体积体电路的制程基本上是通过以下步骤进行：在基板上形成材 料层；将光阻涂布在该材料层上；选择性地对光阻进行曝光及显影，以形成图案；以光阻图 案作为遮罩，对该材料层进行蚀刻，进而将微电路图案转移至光阻下层；最后，使用光阻剥 除剂，将不必要的光阻层移除。
[0004] 对光阻剥除剂来说，其高剥除能力和低腐蚀性是两样基本的要求。高剥除能力确 保在冲洗之后没有光阻材料残留在基板上；而低腐蚀性则是避免光阻下层的金属或介电材 料受损。此外，光阻剥除剂还可能额外要求高温稳定性、低挥发性、储存稳定性、低毒性等特 性。
【发明内容】
[0005] 本发明提供一种光阻脱除剂，可以在去除光阻的同时对光阻下层材料保持良好抗 腐蚀效果。本发明另外提供使用此种光阻脱除剂移除基板上的光阻的电子元件的制造方 法，以及由此制造方法制作的电子元件。
[0006] 本发明的光阻脱除剂包括由式1表示的醇醚类化合物、选自式2表示的化合物、式 3表示的化合物及其混合物的极性溶剂以及由式4表示的至少一种仲醇胺或至少一种叔醇
【主权项】
1. 一种光阻脱除剂，包括： 醇醚类化合物，由式1表示； 极性溶剂，选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物；以及 至少一种仲醇胺或至少一种叔醇胺，由式4表示； 其中
η为1~3的整数， R1为C1-C4烷基， R2各自独立为氢或甲基， X1和X2分别为C1-C4亚烷基X2-C 4亚烯基、>Rx-COOH或>RyOH，其中Rx为C 1-C3连结基， Ry为C1-C4连结基， R3为H、C1-C4烷基或-RzOH,其中R z为C1-C4连结基， R4和R5分别为C1-C4亚烷基，且Y 1和Y2分别为H或-OH，且R3J1和Y2中的至少一者含 有-OH。
2. 如权利要求1所述的光阻脱除剂，其中水的含量小于10重量％。
3. 如权利要求1所述的光阻脱除剂，其包括该叔醇胺、该醇醚类化合物和该极性溶剂， 且该光阻脱除剂中水的含量小于10重量％。
4. 如权利要求1所述的光阻脱除剂，其中以该光阻脱除剂的总量计，该仲醇胺或该叔 醇胺占1重量％~20重量％，该醇醚类化合物占25重量％~50重量％，该极性溶剂占30 重量％~70重量％。
5. 如权利要求1至4中任一项所述的光阻脱除剂，其中该极性溶剂为碳酸丙烯酯、丙二 醇或其混合物。
6. 如权利要求1所述的光阻脱除剂，其中该仲醇胺为N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺或 其混合物。
7. 如权利要求1所述的光阻脱除剂，其中该叔醇胺为三乙醇胺、二甲基乙醇胺或 1-(2-羟乙基）哌嗪或其混合物。
8. 如权利要求1所述的光阻脱除剂，其中该醇醚类化合物为二乙二醇丁醚或二丙二醇 甲醚。
9. 一种电子元件的制造方法，包括使用权利要求1的光阻脱除剂移除形成在基板上的 光阻，其中该基板上形成有包括铝、铜、钥或含铟氧化物的结构。
10. -种电子元件，由权利要求9所述的电子元件的制造方法制成。
【专利摘要】一种光阻脱除剂，包括由式1表示的醇醚类化合物、选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物的极性溶剂以及至少一种由式4表示的仲醇胺或叔醇胺，其中n为1～3的整数；R1为C1-C4烷基；R2各自独立为氢或甲基；X1和X2可分别为C1-C4亚烷基、C2-C4亚烯基、>Rx-COOH或>RyOH，其中Rx为C1-C3连结基，Ry为C1-C4连结基；R3为H、C1-C4烷基或-RzOH，其中Rz为C1-C4连结基；R4和R5分别为C1-C4亚烷基，且Y1和Y2可分别为H或-OH，且R3、Y1和Y2中的至少一者含有-OH。
【IPC分类】G03F7-42
【公开号】CN104656381
【申请号】CN201410625929
【发明人】朱翊祯, 卢厚德
【申请人】达兴材料股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年11月7日