一种有效去除led芯片光刻胶的剥离液及其剥离方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种相关电子化学试剂，具体涉及一种有效去除LED芯片光刻胶的剥离液及其剥离方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light-Emitting D1de，简称LED)是一种能进电能高效转化为光能的半导体电子元件。自1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明，与此同时，发光二极管的价格也不断降低，给照明等行业带来革命性的改变。随着国内芯片制造业的蓬勃发展，越来越多的芯片制造商期待具有低廉配套的国产化相关电子化学试剂能为其制造成本带来新的优势。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种有效去除LED芯片光刻胶的剥离液及其剥离方法，其具有进行正、负胶光阻剥离时不攻击金属层(铝电极，铜电极，银电极，金电极)、使用工艺温度低、对人体健康和环境污染小、去胶速度快和适合大规模使用等特点。
[0004]本发明的技术解决方案是:
一种有效去除LED芯片光刻胶的剥离液，其特殊之处在于，该剥离液有以下重量配比的成份组成:N-甲基吡咯烷酮(NMP) 55%?56%，乙醇胺12%?14%，二甲基亚砜5?6%，乙二醇13?14%，二苯醚4?5%，水性助溶剂5?7%及稳定添加剂3%?3.5%。
[0005]上述有效去除LED芯片光刻胶的剥离液，其特殊之处在于，该剥离液有以下重量配比的成份组成:N-甲基吡咯烷酮(NMP) 55.5%，乙醇胺13%，二甲基亚砜5.5%，乙二醇13.5%，二苯醚4.5%，水性助溶剂5%及稳定添加剂3%。
[0006]上述水性助溶剂具体是TX-20，所述稳定添加剂具体是十二烷基磺酸钠。
[0007]上述剥离液的Ph=9-ll，相对密度(水=1):1.03，沸点(°C) 176°C、101.325KPa ;燃烧热(kj/mol) 719，闪点(V ):92.8 [闭杯(199 °F)]，引燃温度(V ):346 ;所述剥离液与水完全互溶。
[0008]一种利用上述剥离液进行去除LED芯片光刻胶的剥离方法，其特殊之处在于，该方法包括:
1)将剥离液混合均匀后加热至70-85°C，待用；
2)将待去胶的LED芯片置于上述剥离液中，恒温3-7min，中途不断搅动至光刻胶完全溶解剥离；
3)取出LED芯片，并清洗至充分去除附着在LED芯片上的剥离剂。
[0009]上述步骤2)中，还包括搅拌时配合超声波洗涤；所述超声波洗涤的条件是250赫兹的超声波洗涤10分钟。
[0010]上述步骤3)之后还包括步骤4)，所述步骤4)是:将粘附在LED芯片上的水膜吹干。
[0011]上述吹干使用惰性气体吹干。
[0012]上述惰性气体为氮气或氦气。
[0013]上述清洗使用去离子水或纯净水。
[0014]本发明的优点在于:本发明提供的剥离液工作温度为70°C -85°C之间，对市场上大多数LCD光刻胶能在3-7min内快速剥离彻底；本发明具有进行正、负胶光阻剥离时不攻击金属层(销电极，铜电极，银电极，金电极)、使用工艺温度低、对人体健康和环境污染小、去胶速度快和适合大规模使用等特点。
【具体实施方式】
[0015]—种有效去除LED芯片光刻胶的剥离液有以下重量配比的成份组成:N-甲基吡咯烷酮(NMP)55%?56%，乙醇胺12%?14%，二甲基亚砜5?6%，乙二醇13?14%，二苯醚4?5%，水性助溶剂5?7%及稳定添加剂3%?3.5%。
[0016]该剥离液一个较佳的重量配比的成份组成:N-甲基吡咯烷酮(NMP) 55.5%，乙醇胺13%，二甲基亚砜5.5%，乙二醇13.5%，二苯醚4.5%，水性助溶剂5%及稳定添加剂3%。
[0017]其中水性助溶剂具体是TX-20，所述稳定添加剂具体是十二烷基磺酸钠。
[0018]该剥离液的Ph=9-ll，相对密度(水=1):1.03，沸点(°C) 176。。、101.325KPa ;燃烧热(kj/mol) 719，闪点(°C):92.8[闭杯(199°F)]，引燃温度(°C):346 ;所述剥离液与水完全互溶。
[0019]一种利用上述剥离液进行去除LED芯片光刻胶的剥离方法，包括:
1)将剥离液混合均匀后加热至70-85°C，待用；
2)将待去胶的LED芯片置于上述剥离液中，恒温3-7min，中途不断搅动至光刻胶完全溶解剥离；
3)取出LED芯片，并使用去离子水清洗至充分去除附着在LED芯片上的剥离剂；
4)将粘附在LED芯片上的水膜用氮气吹干。
[0020]其中步骤2)中，还包括搅拌时配合超声波洗涤；所述超声波洗涤的条件是250赫兹的超声波洗涤10分钟，这样效果更佳。
[0021]吹干时，考虑到经济因素一般选择氮气，但不排除其它特殊环境要求使用的其它惰性气体。
[0022]目前通用的去胶生产工序所使用的温度在80_90°C之间，而本发明提供的剥离液工作温度为70°C -85°C之间。
[0023]现在去胶过程为了保证尽可能彻底一般是去一次胶得连续用3个去胶洗涤槽依次去除。具体方法是:有A、B、C三个去胶洗涤槽，里面都加入去胶液，升到所需的去胶温度，然后将待去胶的芯片依次在A中洗涤若干分钟，然后再将芯片放入B中洗涤，最后再到C中再加洗涤一次。每次洗涤的时间一般一致，大多都在5-8分钟(综合考虑到生产效率)之间，整个去胶液洗涤的时间基本都控制在15min-25min。连续生产时，当A去胶液饱和老化后弃去，把还相对洁净的B槽重新作为A槽，C槽作为B槽，新补充的去胶液注入C槽继续下一个循环。而本发明对市场上大多数LCD光刻胶能在3-7min内快速剥离彻底，速度快。
[0024]本发明具有进行正、负胶光阻剥离时不攻击金属层(铝电极，铜电极，银电极，金电极)。不腐蚀金属原因:
1、去胶液未使用无机的强酸碱，PH接近中性，对活泼金属不太敏感；
2 、该配方所示原材料配比比例有效阻止了组分中作为单一成分时他们对某些特定金属构成的腐蚀特性，换言之就是配方比例是有效的实现了组分之间物理化学性质的相互依赖和相互制约的平衡。
[0025]本发明成本低廉。主要因为:
1、原材料普通易得，没有稀奇的成分，可以自行配制；
2、去胶液成分一贯是行业保密的，对进口的依赖较大，是降低LED行业成本的包袱。
【主权项】
1.一种有效去除LED芯片光刻胶的剥离液，其特征在于，该剥离液有以下重量配比的成份组成:N-甲基吡咯烷酮(NMP) 55%?56%，乙醇胺12%?14%，二甲基亚砜5?6%，乙二醇13?14%，二苯醚4?5%，水性助溶剂5?7%及稳定添加剂3%?3.5%。
2.根据权利要求1所述有效去除LED芯片光刻胶的剥离液，其特征在于，该剥离液有以下重量配比的成份组成:N-甲基吡咯烷酮(NMP) 55.5%，乙醇胺13%，二甲基亚砜5.5%，乙二醇13.5%，二苯醚4.5%，水性助溶剂5%及稳定添加剂3%。
3.根据权利要求1或2所述有效去除LED芯片光刻胶的剥离液，其特征在于:所述水性助溶剂具体是TX-20，所述稳定添加剂具体是十二烷基磺酸钠。
4.根据权利要求3所述有效去除LED芯片光刻胶的剥离液，其特征在于:所述剥离液的 Ph=9-11，相对密度(水=1): 1.03，沸点(°C ) 176°C、101.325KPa ;燃烧热(kj/mol) 719，闪点(°C ):92.8 [闭杯(199 °F)]，引燃温度(°C ):346 ;所述剥离液与水完全互溶。
5.一种利用权利要求1所述剥离液进行去除LED芯片光刻胶的剥离方法，其特征在于，该方法包括: 1)将剥离液混合均匀后加热至70-85°C，待用； 2)将待去胶的LED芯片置于上述剥离液中，恒温3-7min，中途不断搅动至光刻胶完全溶解剥离； 3)取出LED芯片，并清洗至充分去除附着在LED芯片上的剥离剂。
6.根据权利要求5所述去除LED芯片光刻胶的剥离方法，其特征在于，所述步骤2)中，还包括搅拌时配合超声波洗涤；所述超声波洗涤的条件是250赫兹的超声波洗涤10分钟。
7.根据权利要求6所述去除LED芯片光刻胶的剥离方法，其特征在于，所述步骤3)之后还包括步骤4)，所述步骤4)是:将粘附在LED芯片上的水膜吹干。
8.根据权利要求7所述去除LED芯片光刻胶的剥离方法，其特征在于:所述吹干使用惰性气体吹干。
9.根据权利要求8所述去除LED芯片光刻胶的剥离方法，其特征在于:所述惰性气体为氮气或氦气。
10.根据权利要求9所述去除LED芯片光刻胶的剥离方法，其特征在于:所述清洗使用去离子水或纯净水。
【专利摘要】一种有效去除LED芯片光刻胶的剥离液，该剥离液有以下重量配比的成份组成：N-甲基吡咯烷酮（NMP）55%～56%，乙醇胺12%～14%，二甲基亚砜5～6%，乙二醇13～14%，二苯醚4～5%，水性助溶剂5～7%及稳定添加剂3%～3.5%；其方法是用该剥离液在70-85℃恒温，3-7min内搅拌至光刻胶完全溶解剥离。本发明具有进行正、负胶光阻剥离时不攻击金属层、使用工艺温度低、对人体健康和环境污染小、去胶速度快和适合大规模使用等特点。
【IPC分类】G03F7-42
【公开号】CN104656382
【申请号】CN201510074538
【发明人】王亚龙
【申请人】陕西莱特光电材料股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年2月12日