电子照相感光构件、处理盒及电子照相设备和镓酞菁晶体的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子照相感光构件，各自包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照 相设备，和镓酞菁晶体。
【背景技术】
[0002] 已频繁地用作电子照相感光构件的图像曝光装置的半导体激光的振荡波长目前 为长波长如650至820nm。因此，对具有这种长波长的光具有高灵敏度的电子照相感光构件 的开发是先进的。
[0003] 酞菁颜料作为对具有这种长-波长区域的光具有高灵敏度的电荷产生物质是有 效的。特别地，氧钛酞菁和镓酞菁具有优良的灵敏度特性，且至今为止已报道了其各种晶体 形态。
[0004] 使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优良的灵敏度特性。然而，电子照相感光 构件涉及以下问题。生成的光载流子（photo-carrier)易于残存在其感光层上并且易于用 作一种存储器以引起电位变化如重影现象。
[0005] 另外，专利文献1报道了以下内容。当颜料和特定的有机电子受体进行湿式粉碎 处理时，在晶体变换的同时将有机电子受体取入晶体的表面，从而改进电子照相特性。
[0006] 另外，专利文献2和3公开了氮化的杯芳烃化合物或间苯二酚芳烃化合物用于感 光层。该化合物用于试图减轻重影现象。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] PTLl :日本专利申请特开2006-72304号公报
[0010] PTL2 :日本专利申请特开2001-66804号公报
[0011] PTL3 :日本专利申请特开2002-229228号公报
【发明内容】
[0012] 发明要解决的问题
[0013] 如上所述，对电子照相感光构件已尝试各种改进。
[0014] 然而，近年来与图像品质的额外改进相关，已期望在各种环境下的归因于重影现 象的图像品质的劣化的额外减轻。专利文献1中公开的方法仍具有改进的空间，这是因为 该方法中待获得的酞菁晶体在其内部不包含有机电子受体，并且仅仅具有混合于其中或附 着至其表面的受体。各专利文献2和3中公开的方法具有抑制归因于重影现象的图像品质 劣化的进一步改进的空间。
[0015] 考虑到前述，本发明旨在提供不仅在常温常湿环境下，而且在作为特别严厉条件 的低温低湿环境下，能够输出具有归因于重影现象的图像缺陷少的图像的电子照相感光构 件，和各自包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0016] 进一步地，本发明旨在提供其中包含特定化合物的镓酞菁晶体。
[0017] 用于解决问题的方案
[0018] 根据本发明的一个方面，提供包括支承体和形成在支承体上的感光层的电子照相 感光构件，其中感光层包括其中包含由下式（1)表示的化合物的镓酞菁晶体。
[0019]
【主权项】
1. 一种电子照相感光构件，其包括： 支承体；和 形成在所述支承体上的感光层； 其特征在于所述感光层包括镓酞菁晶体， 所述镓酞菁晶体内包含由下式（1)表示的化合物：
其中， η表示选自4至8的整数， η个R1可相同或互不同，并表示氢原子或者取代或未取代的烷基， η个R2可相同或互不同，并表示氢原子或烷基， η个R3可相同或互不同，并表示氢原子或烷基，和 η个Ar1可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环 基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取 代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团。
2. 根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中至少两个R 1表示烷基。
3. 根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中至少一个Ar 1表示具有选自由 氰基、硝基、和卤素原子组成的组中的至少一种基团的苯基。
4. 根据权利要求3所述的电子照相感光构件，其中至少一个Ar 1表示在其间位具有氰 基和硝基之一的苯基。
5. 一种电子照相感光构件，其包括： 支承体；和 形成在所述支承体上的感光层； 其特征在于所述感光层包括镓酞菁晶体， 所述镓酞菁晶体内包含由下式（2)表示的化合物：
其中， 4个R11可相同或互不同，并表示氢原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳 基，和 4个Ar11可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环 基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取 代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团。
6. 根据权利要求5所述的电子照相感光构件，其中全部4个R 11表示烷基。
7. 根据权利要求5或6所述的电子照相感光构件，其中至少一个Ar 11表示具有选自由 氰基、硝基、和卤素原子组成的组中的至少一种基团的苯基。
8. 根据权利要求7所述的电子照相感光构件，其中至少一个Ar 11表示表示在其间位具 有氰基和硝基之一的苯基。
9. 根据权利要求1至8任一项所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体包括在 其晶体内包含N，N-二甲基甲酰胺的镓酞菁晶体。
10. 根据权利要求1至9任一项所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体为羟基 嫁酿菁晶体。
11. 根据权利要求10所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体为在CuK α 的X-射线衍射中布拉格角2 Θ为7. 4° ±0.3°和28. 3° ±0.3°处具有峰的羟基镓酞菁 晶体。
12. -种可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，其特征在于所述处理盒一体 化支承： 根据权利要求1至11任一项所述的电子照相感光构件；和 选自由充电装置，显影装置，转印装置，和清洁装置组成的组中的至少一种装置。
13. -种电子照相设备，其特征在于包括： 根据权利要求1至11任一项所述的电子照相感光构件； 充电装置； 图像曝光装置； 显影装置；和 转印装置。
14. 一种镓酞菁晶体，其特征在于包含由下式（1)和下式（2)之一表示的化合物：
其中， η表示选自4至8的整数， η个R1可相同或互不同，并表示氢原子或者取代或未取代的烷基， η个R2可相同或互不同，并表示氢原子或烷基， η个R3可相同或互不同，并表示氢原子或烷基，和 η个Ar1可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环 基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取 代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团；和
其中， 4个R11可相同或互不同，并表示氢原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳 基，和 4个Ar11可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环 基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取 代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团。
【专利摘要】提供不仅在常温常湿环境下，而且在作为特别严厉条件的低温低湿环境下，能够输出具有归因于重影现象的图像缺陷少的图像的电子照相感光构件，和各自包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。所述电子照相感光构件为包括感光层的电子照相感光构件，其中所述感光层包括其中包含由下式(1)或下式(2)表示的化合物的镓酞菁晶体。
【IPC分类】G03G5-06, G03G5-00
【公开号】CN104854512
【申请号】CN201380065391
【发明人】田中正人
【申请人】佳能株式会社
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2013年12月3日
【公告号】WO2014092033A1