光学邻近校正方法及双重图形曝光方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种光学邻近校正方法及双重图形曝光方法。
【背景技术】
[0002]在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，它的结果就是最终对设计图形产生的光学影像退化，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为光学邻近效应(OPE:Optical Proximity Effect)。
[0003]为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(0PC:0ptical ProximityCorrect1n)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
[0004]然而，对于半导体制造中的双重图形曝光(DPL:Double Patterning LithoProcess)技术而言，最终形成的图形与目标图形之间仍存在较大的偏差，最终形成的图形的质量有待提闻。
【发明内容】
[0005]本发明解决的问题是提供一种光学邻近校正方法及双重图形曝光方法，避免最终形成的图形与目标图形之间仍存在较大的差异，提高最终形成图形的质量。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近校正方法，包括:提供目标图形，所述目标图形包括多个子目标图形，且子目标图形分为若干片段；对所述子目标图形进行模拟曝光，获取子目标图形各片段的光强参数；基于获取的子目标图形各片段的光强参数的分布情况，获取子目标图形各片段中的标记片段；移除目标图形中具有标记片段的子目标图形，将目标图形分解为第一子图形和第二子图形，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合。
[0007]可选的，提供标准光学邻近校正模型，所述标准光学邻近校正模型包括掩模图形，所述掩模图形包括与所述子目标图形相对应的子掩膜图形，且与子目标图形相对应的子掩膜图形相应的分为若干片段。
[0008]可选的，基于获取的子目标图形各片段的光强参数的分布情况，获取子目标图形各片段中的标记片段的方法为:对所述子目标图形进行模拟曝光，获取子目标图形各片段的第一光强参数；对所述标准光学邻近校正模型进行模拟曝光，获取子掩膜图形各片段的第二光强参数；基于所述第一光强参数和第二光强参数之间的区别值，获取子目标图形各片段中的标记片段。可选的，所述第一光强参数包括:第一最大光强、第一最小光强以及第一斜率；所述第二光强参数包括:第二最大光强、第二最小光强以及第二斜率。
[0009]可选的，获取目标图形各片段中的标记片段的方法为:获取子目标图形片段的第一光强参数和与之对应的子掩膜图形片段的第二光强参数之间的区别值；当所述区别值大于预定值时，标记所述第一光强参数对应的子目标图形的片段，所述子目标图形的片段为标记片段。
[0010]可选的，获取所述区别值的方法为:根据子目标图形片段的第一光强参数和与之对应的子掩膜图形片段的第二光强参数，获得两者差值的绝对值，然后获得所述差值的绝对值与所述第二光强参数之间的比值。
[0011]可选的，所述预定值为6%至10%。
[0012]可选的，获取子目标图形各片段中的标记片段的方法为:选取第一光强参数中的至少两个参数建立坐标系；将与上述参数相对应的第二光强参数的参数置于上述坐标系中；根据子目标图形各片段的第一光强参数和与之对应的第二光强参数在坐标系中的位置分布，获取子目标图形各片段中的标记片段。
[0013]可选的，基于第一光强参数在所述坐标系内建立多个单兀格，若第一光强参数和与之对应的第二光强参数处于坐标系的不同单元格内，则所述第一光强参数对应的片段为标记片段。
[0014]可选的，选取第一光强参数中的三个参数建立坐标系，基于第一最大光强、第一最小光强以及第一斜率，在所述坐标系内建立10 X 10 X 10至30 X 30 X 30个单元格。
[0015]可选的，在所述坐标系内建立20X20X20个单元格时，建立单元格的方法为:获获取第一最大光强的最大值和最小值之间的差值为第一差值，获取第一最小光强的最大值和最小值之间的差值为第二差值，获取第一斜率的最大值和最小值之间的差值为第三差值；将所述第一差值、第二差值和第三差值20等分，获取20等分的第一差值、第二差值以及第三差值；依据所述第一最大光强的最大值和最小值、第一最小光强的最大值和最小值、第一斜率的最大值和最小值、20等分的第一差值、20等分的第二差值和20等分的第三差值，在所述坐标系内建立20 X 20 X 20的立方体，所述立方体具有20 X 20 X 20个单元格。
[0016]可选的，所述标准光学邻近校正模型为光学模型。
[0017]可选的，提供光学曝光系统。
[0018]可选的，获取所述光学曝光系统参数，根据获取的光学曝光系统参数对所述子目标图形进行模拟曝光；根据获取的光学曝光系统参数对所述标准光学邻近校正模型进行模拟曝光。
[0019]可选的，所述子目标图形为线状图形或孔状图形。
[0020]本发明还提供一种双重图形曝光方法，包括:提供目标图形以及待形成目标图形的晶圆，所述子目标图形包括多个子目标图形；采用上述光学邻近校正方法，将所述目标图形分解为第一子图形和第二子图形，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合；将所述第一子图形写入第一掩膜版，将所述第二子图形写入第二掩膜版；分别以所述第一掩膜版和第二掩膜版为掩膜，进行曝光显影处理，在所述晶圆上形成最终图形。
[0021 ] 可选的，提供标准光学邻近校正模型。
[0022]可选的，在将所述第一子图形写入第一掩膜板之前，还包括步骤:依据所述标准光学邻近校正模型，对第一子图形进行光学邻近校正。
[0023]可选的，在将所述第二子图形写入第二掩膜版之前，还包括步骤:依据所述标准光学邻近校正模型，对所述第二子图形进行光学临近校正。
[0024]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0025]本发明实施例提供一种光学邻近校正方法，提供目标图形，目标图形包括分为若干片段的多个子目标图形；获取子目标图形各片段的光强参数；基于获取的子目标图形各片段的光强参数，获取子目标图形各片段中的标记片段，所述具有标记片段的子目标图形的曝光能力可能存在问题；移除具有标记片段的子目标图形后形成第一子图形，使得具有标记片段的子目标图形的曝光能力得到改善，从而使以第一子图形和第二子图形为掩膜进行曝光显影处理后，在晶圆上形成的图形与目标图形之间的差别减小，使得在晶圆上形成的图形准确性高且质量良好。
[0026]进一步，本发明实施例提供标准光学邻近校正模型，所述标准光学邻近校正模型包括掩膜图形，其中，掩模图形包括与子目标图形相对应的子掩膜图形，且与子目标图形相对应的子掩膜图形相应的分为若干片段；获取子目标图形各片段的第一光强参数；获取子掩膜图形各片段的第二光强参数；基于所述第一光强参数和第二光强参数之间的区别，获取子目标图形各片段中的标记片段，所述具有标记片段的子目标图形在标准光学邻近校正模型作用范围外，所述具有标记片段的子目标图形在经过光学邻近校正后，其曝光能力仍然可能存在不足。本发明采用标准光学临近校正模型与目标图形的光强参数进行逐一比对的方法，获取标记片段的方法简单可行；将目标图形分解为第一子图形和第二子图形，使以第一子图形和第二子图形为掩膜进行曝光显影处理后，在晶圆上形成的图形与目标图形之间的差别减小，提高在晶圆上最终形成图形的准确性。
[0027]更进一步，本发明实施例中，选取第一光强参数中的至少两个参数建立坐标系，将与所述参数相对应的第二光强参数置于坐标系中；基于第一光强参数在坐标系内建立多个单元格，若子目标图形一片段的第一光强参数以及与之对应的第二光强参数处于不同单元格中，则所述片段为标记片段。本发明实施例通过建立坐标系以及单元格的方式，减小了获取标记片段所耗费的时间，提高了获取标记片段的效率，有利于提高半导体生产效率。。
[0028]本发明实施例还提供一种双重图形曝光方法，采用上述的提供的光学临近校正方法，将目标图形分解为第一子图形和第二子图形，使得第一子图形中的子目标图形的曝光能力得到提高，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合；将分解后的第一子图形和第二子图形写入不同的掩膜版中，由于在将目标图形进行分解后第一子图形中子目标图形的曝光能力得到了提高，使得第一子图形中的子目标图形在标准光学邻近校正模型的作用范围内；在分别采用第一掩膜版和第二掩膜版为掩膜，经过曝光、显影处理后，在晶圆上形成的图形精确度闻，提闻了双重图形曝光