一种曝光设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种曝光设备，尤其涉及一种接近式曝光设备。
【背景技术】
[0002]目前，现有的接近式曝光设备在曝光过程中，其曝光精度会受到环境温度、光罩(Mask)形变以及曝光承载平台平坦度等因素的影响。
[0003]而在现有的液晶面板的制作过程中，通常利用接近式曝光设备在玻璃基板上曝光形成预定图案。由于现有的接近式曝光设备的曝光精度受到上述因素的影响，所以利用这样的接近式曝光设备在玻璃基板上曝光形成的预定图案的周边会出现不规则的现象。这样，在之后的对盒形成液晶面板的过程中，阵列基板上的薄膜晶体管与彩色滤光片基板上的像素之间会出现偏差，当这个偏差达到3 μπι以上时，对盒形成的液晶面板就会出现漏光和对比度下降等不良现象，严重影响产品的品质。
【发明内容】
[0004]为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种曝光设备，光照射系统，用于照射出光线；光优化系统，用于接收所述光线，并对所述光线进行光线均匀化；光会聚系统，用于接收经光线均匀化后的光线，并对经光线均匀化后的光线进行会聚；微位移调整系统，用于对所述光会聚系统的边缘区域进行微位移调整，从而对处于所述光会聚系统的边缘区域的光线进行光路调整；光反射系统，用于接收经会聚后的光线，并将经会聚后的光线反射至曝光面。
[0005]进一步地，所述光会聚系统为球面聚光镜。
[0006]进一步地，所述微位移调整系统为压电陶瓷微位移驱动器；其中，在所述球面聚光镜的各角落处及各边中心位置处均设置压电陶瓷微位移驱动器。
[0007]进一步地，所述球面聚光镜的各角落处的压电陶瓷微位移驱动器驱动所述球面聚光镜的各角落在具有预定半径的圆形区域内微位移移动。
[0008]进一步地，所述预定半径不大于1.4 μ m。
[0009]进一步地，所述球面聚光镜的各边中心位置处的压电陶瓷微位移驱动器驱动所述球面聚光镜的各边在具有预定距离范围的直线区域内微位移移动。
[0010]进一步地，所述预定距离范围不小于-1.4 μπι且不大于1.4 μπι。
[0011]进一步地，所述光照射系统包括:聚光罩，其截面形状呈抛物线形；光源，设置于所述抛物线的顶点处；其中，所述聚光罩对所述光源产生的光线进行会聚；第一反射镜，用于将经所述聚光罩会聚后的光线反射至所述光优化系统。
[0012]进一步地，所述光优化系统包括:控制开关，用于根据控制指令打开或关闭；集光器，用于当所述控制开关打开时，对经由处于打开状态的所述控制开关通过的光线进行光线均匀化。
[0013]进一步地，所述光反射系统包括:第二反射镜，用于接收经所述光会聚系统会聚后的光线，并将经会聚后的光线反射至曝光面；照度计，设置于所述第二反射镜之下，用于量测照射至所述第二反射镜的光线的照度。
[0014]本发明的有益效果:在聚光镜的各角落处和各边的中心位置处设置压电陶瓷微位移驱动器，利用该压电陶瓷微位移驱动器对聚光镜的角落及边缘进行微位移调整，使得处于聚光镜的边缘区域中的光线的光路被进行微调节，优化了照射到光罩上的部分光路，实现对曝光精度的补正。利用根据本发明的实施例的曝光设备在玻璃基板上曝光形成预定图案时，可以适当修正预定图案的位置，从而在对盒形成液晶面板时，阵列基板上的薄膜晶体管与彩色滤光片基板上的像素之间出现的偏差减小或者不会出现偏差，进而使对盒形成的液晶面板不出现漏光现象，以提升产品的品质。
【附图说明】
[0015]通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中:
[0016]图1是根据本发明的实施例的曝光设备的结构示意图；
[0017]图2是根据本发明的实施例的利用压电陶瓷微位移驱动器对球面聚光镜进行微位移调整的示意图；
[0018]图3是根据本发明的实施例的曝光光线被微调整前后的对曝光图案的修正示意图。
【具体实施方式】
[0019]以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
[0020]在附图中，相同的标号在整个说明书和附图中可用来表示相同的元件。
[0021]将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开来。
[0022]图1是根据本发明的实施例的曝光设备的结构示意图。
[0023]参照图1，根据本发明的实施例的曝光设备包括:光照射系统10、光优化系统20、光会聚系统30、微位移调整系统40以及光反射系统50。
[0024]光照射系统10照射出光线L。进一步地，在本实施例中，光照射系统10照射出的光线L为紫外光线，但本发明并不限制于此。
[0025]光优化系统20接收光照射系统10照射出的光线L，并对所述光线L进行照度均匀及光线均一。光优化系统20将经照度均匀和光线均一后的光线L出射至光会聚系统30。
[0026]光会聚系统30接收光优化系统20出射的经照度均匀和光线均一后的光线L，并对经照度均匀和光线均一后的光线L进行会聚。
[0027]在光会聚系统30对经照度均匀和光线均一后的光线L进行会聚之时或之后，微位移调整系统40对光会聚系统30的边缘区域进行微位移调整，从而完成对处于光会聚系统30的边缘区域的经会聚后的光线L进行调整。应当说明的是，在这个调整过程中，微位移调整系统40不会产生对光会聚系统30的中心区域的微位移调整，从而也就不会产生对处于光会聚系统30的中心区域的经会聚后的光线L的调整，进而能够保证处于光会聚系统30的中心区域的经会聚后的光线L的光量，即能够保证中心光路的光线L的光量。光会聚系统30将经会聚后的光线L(其中包括经微位移调整系统40调整的光线L)出射至光反射系统50。
[0028]光反射系统50接收光会聚系统30出射的经会聚后的光线L，并将经会聚后的光线L反射至光罩(即曝光面)60。
[0029]具体地，在本实施例中，照射光系统10包括:聚光罩11、光源12及第一反射镜13。聚光罩11的截面形状呈抛物线形，光源12设置于抛物线的顶点处。在本实施例中，优选地，光源12采用超高压水银灯泡，但本发明并不限制于此。光源12产生的光线L经聚光罩11会聚后出射至第一反射镜13，第一反射镜13对经聚光罩11会聚后的光线L反射出射至光优化系统20。
[0030]光优化系统20包括:控制开关21及集光器22。在本实施例中，控制开关21可根据控制指令(其可由曝光设备的控制系统发出)打开或关闭；其中，当控制开关21根据打开控制指令打开时，光线L经由控制开关21通过。光线L经由处于打开状态的控制开关21通过后，照射到集光器22上，集光器22对光线L进行照度均匀和光线均一。集光器22将经照度均匀和光线均一后的光线L出射至光会聚系统30。
[0031]在本实施例中，优选地，光会聚系统30由聚光镜构成，该聚光镜可例如是球面聚光镜，但本发明并不限制于此；例如，光会聚系统30也可以是其他合适类型的能够会聚光的元器件构成。球面聚光镜30接收集光器22出射的经照度均匀和光线均一后的光线L，并对经照度均匀和光线均一后的光线L进行会聚。
[0032]在本实施例中，优选地，微位移调整系统40由压电陶瓷微位移驱动器构成，但本发明并不限制于此；例如，微位移调整系统40也可以由其他合适类型的能够对球面聚光镜30的局部进行微小位移调整的元器件。
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