量子点偏光片的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点偏光片的制作方法。
【背景技术】
[0002]为了满足人们对显示器宽色域、色彩高饱和度的需求，通过在背光结构中加入光致发光的量子点器件成为各大显示器厂商的有效选择。
[0003]量子点作为纳米级别材料，由于其较窄的尺寸(〈10纳米)，量子限域效应明显，当受到光激发时，激发能级超过带隙时，电子从价带跃迀至导带，并以光能的形式转化出来，从而形成不同的颜色；并且可以通过控制量子点本身尺寸的大小来调节出不同的颜色。利用背光LED (light emitting d1de，发光二极管)灯的蓝光激发量子点，就可以有效地提高显示器色域。
[0004]但是光线经过量子点后，出射方向是随机的。而LCD(Liquid Crystal Display)显示器件的工作原理是利用液晶的旋光性和双折射，通过电压控制液晶的转动，使经过上偏光片后的线偏振光随之发生旋转，从下偏光片(与上偏光片的偏振方向垂直)射出，从而上、下偏光片加上液晶盒起到光开关的作用。显然，这种光学开关对量子点发出的光线无法完全起到作用，当经过量子点后的发散光线穿过液晶时，不再能很好的控制相应像素点位的所有光线，LCD就会发生漏光现象。
[0005]如图1所示，普通的偏光片是由多层膜组合而成的，一般包含以下几层，从上到下分别为:表面保护膜110，第一保护层120，偏光层130，第二保护层140，黏着层150，剥离保护膜160。其中，在偏光片贴覆时，剥离保护膜160会被撕掉以露出黏着层150，在偏光片贴覆后，表面保护膜110会被撕掉；该偏光片结构中最核心的部分是偏光层130，通常为含有具有偏光作用的碘分子的聚乙烯醇(PVA)层；而第一保护层120、第二保护层140为透明的三醋酸纤维素(TAC)层，主要是为了维持偏光层130中偏光子的被拉伸状态，避免偏光子水分的流失，保护其不受外界影响。
[0006]为了避免将量子点置于液晶盒中而发生光偏振消除的现象，提出了一种量子点偏光片的技术方案，即将量子点置于偏光片中。可是，我们知道现在的偏光材料的耐热稳定性是较差的，如果希望在偏光材料的基础上制备量子点，则量子点的制备方法就必须是低温的，这样其实也是限制了量子点材料的选择和制备范围。
[0007]因此，有必要提出一种量子点偏光片的制作方法，以解决上述问题。
【发明内容】
[0008]本发明的目的在于提供一种量子点偏光片的制作方法，量子点层、偏光层分别形成于不同的基材上，使得量子点层通过高低温制程均可制备，从而扩大量子点材料的选择和制备范围。
[0009]为实现上述目的，本发明提供一种量子点偏光片的制作方法，包括如下步骤:
[0010]步骤1、提供第一基材，在所述第一基材上制备量子点层、第一保护层、及第一黏着层，得到量子点膜片；
[0011]步骤2、提供第二基材，在所第二基材上制备偏光层、第二保护层、第二黏着层、及剥离保护膜，得到偏光膜片；
[0012]步骤3、通过第一黏着层将所述量子点膜片与所述偏光膜片进行贴合，得到量子点偏光片。
[0013]所述步骤I中，所述量子点层内包含的量子点包括I1-VI族元素组成的半导体、II1- V族元素组成的半导体、及碳量子点中的一种或多种，所述量子点为稳定直径在O?20nm的纳米粒子。
[0014]所述步骤2中形成的偏光膜片为碘系偏光片、或染料系偏光片。
[0015]所述步骤I中，通过蒸镀法在所述第一基材上形成量子点薄膜，得到量子点层。
[0016]所述蒸镀法为分子束外延法、或有机金属化学气相沉积法。
[0017]所述步骤I中，在所述第一基材上制备量子点层的具体方法为:提供量子点材料及溶解介质，将所述量子点材料溶解分散到所述溶解介质中，混合均匀，制得量子点胶，将所述量子点胶在所述第一基材上制作成膜，干燥固化后，得到量子点层。
[0018]所述量子点材料由量子点经过表面接枝法、或表面包覆法进行表面修饰后得到，所述量子点材料为油溶性、或水溶性；所述量子点的形态为球状、或棒状、或纤维状。
[0019]所述步骤I中通过喷涂、旋涂、打印、或狭缝涂布的方式将所述量子点胶在所述第一基材上制作成膜。
[0020]所述步骤3得到的量子点偏光片用作液晶显示面板的上偏光片、或者下偏光片。
[0021]所述步骤I中得到的量子点膜片内由上至下依次为第一基材、第一保护层、量子点层、及第一黏着层；所述步骤2中得到的偏光膜片内由上至下依次为偏光层、第二保护层、第二基材、第二黏着层、及剥离保护膜；所述步骤3中，所述量子点偏光片由第一黏着层粘附在所述偏光膜片的偏光层上得到；所述量子点偏光片在使用时，将剥离保护膜撕掉，通过第二黏着层将所述量子点偏光片贴附在待贴附的基板上。
[0022]本发明的有益效果:本发明提供一种量子点偏光片的制作方法。本发明的量子点偏光片的制作方法，将量子点层、偏光层分别形成于不同的基材上而分别得到量子点膜片、偏光膜片，然后将量子点膜片、偏光膜片相贴合后得到量子点偏光片，量子点偏光片并非在同一基材上依次成膜得到，从而使得量子点偏光片中的量子点层通过高低温制程均可制备，扩大了量子点材料的选择和制备范围，由该方法得到的量子点偏光片，在增加显示面板色域覆盖率的同时，不会发生光偏振消除的现象。
【附图说明】
[0023]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
[0024]附图中，
[0025]图1为现有偏光片的剖面结构示意图；
[0026]图2为本发明量子点偏光片的制作方法的流程示意图；
[0027]图3为本发明量子点偏光片的制作方法的步骤3的示意图。
【具体实施方式】
[0028]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0029]请参阅图2-3，本发明提供一种量子点偏光片的制作方法，包括如下步骤:
[0030]步骤1、提供第一基材11，在所述第一基材11上制备量子点层12、第一保护层13、及第一黏着层14，得到量子点膜片I ;
[0031]步骤2、提供第二基材21，在所第二基材21上制备偏光层22、第二保护层23、第二黏着层24、及剥离保护膜25，得到偏光膜片2 ;
[0032]步骤3、通过第一黏着层14将所述量子点膜片I与所述偏光膜片2进行贴合，得到量子点偏光片；
[0033]所述步骤I和步骤2中各膜层的制备可以按照任意顺序进行。
[0034]具体的，所述步骤I中，所述量子点层12内包含的量子点包括I1-VI族元素组成的半导体(例如:硫化镉(CdS)、砸化镉(CdSe)、碲化汞(HgTe)、硫化锌(ZnS)、砸化锌(ZnSe)、碲化锌(ZnTe)、硫化汞(HgS)等)、II1- V族元素组成的半导体(例如:磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)、磷化镓(GaP)、砷化