量子点彩膜基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点彩膜基板的制作方法。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的不断发展，人们对显示装置的显示质量要求也越来越高。量子点(Quantum Dots，简称QDs)通常是由I1- V1、或II1- V族元素组成的球形或类球形的半导体纳米微粒，粒径一般在几纳米至数十纳米之间。由于QDs的粒径尺寸小于或者接近相应体材料的激子波尔半径，会产生量子限域效应，其能级结构从体材料的准连续变为量子点材料的离散结构，导致QDs展示出特殊的受激辐射发光的性能。随着QDs的尺寸减小，其能级带隙增加，相应的QDs受激所需要的能量以及QDs受激后回到基态放出的能量都相应的增大，表现为QDs的激发与荧光光谱的“蓝移”现象，通过控制QDs的尺寸，使其发光光谱可以覆盖整个可见光区域。如砸化镉(CdSe)的尺寸从6.6nm减小至2.0nm，其发光波长从红光区域635nm “蓝移”至蓝光区域的460nm。
[0003]量子点材料具有发光光谱集中，色纯度高、且发光颜色可通过量子点材料的尺寸、结构或成分进行简易调节等优点，利用这些优点将其应用在显示装置中可有效地提升显示装置的色域及色彩还原能力。如专利CN 102944943A、及专利US20150002788A1均提出了用具有图案结构的量子点层替代彩色滤光膜(Color Filter)以达到彩色显示目的的技术方案，但是该些专利并未对量子点层图形化的方法进行说明。
[0004]专利CN103226260A提供了一种把量子点分散于光刻胶中，通过光刻工艺图形化量子点层的方法，但量子点分散于光刻胶中，由于光刻胶中具有起始剂(initiat1n)、聚合物单体(monomer)、聚合物(polymer)、添加剂(additive)等多种高分子材料，量子点的表面化学环境复杂，对量子点的发光效率影响很大。除上述方法以外，还可以通过转印、网印等方法来制作量子点图形，但是转印的方法所得到的量子点图形分辨率不高，图形边缘呈现锯齿状，并且量子点层与基体的黏着力有待提高；而喷墨打印形成图形化量子点层的方法对喷墨打印设备要求很高，如何保证喷墨墨滴的稳定性及打印精度仍有技术壁皇，仍不能大规模生产。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种量子点彩膜基板的制作方法，借由含光催化剂的润湿性变化层经紫外光照射后其润湿性会变好的特点，形成高精细的量子点图形，制作工艺简单、量子点层图形精度高。
[0006]为实现上述目的，本发明提供了量子点彩膜基板的制作方法，包括如下步骤:
[0007]步骤1、提供彩膜基板，所述彩膜基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上的黑色矩阵、及彩色滤光层，所述彩色滤光层包括红色色阻层、绿色色阻层、及透明光阻层；
[0008]步骤2、提供润湿变化剂，所述润湿变化剂包括以下组分:光催化剂、有机聚硅氧烷、及溶剂；在所述黑色矩阵、及彩色滤光层上涂布一层润湿性变化剂，并随后对该层润湿性变化剂做真空干燥处理，以去除其中的溶剂，得到润湿变化层；
[0009]步骤3、提供光罩，利用所述光罩对所述润湿变化层做紫外光曝光处理，其中，所述光罩上对应所述红色色阻层、绿色色阻层的部分为透光的部分，所述润湿变化层对应所述红色色阻层、绿色色阻层的第一部分在该步骤中受到紫外光照射，其内发生反应，使其润湿性得到改善，所述光罩上对应所述透明光阻层的部分为不透光的部分，所述润湿变化层对应所述透明光阻层的第二部分在该步骤中未受到紫外光照射，其润湿性没有发生改变；
[0010]步骤4、在所述润湿变化层上涂布一层量子点涂布液，所述量子点涂布液包括以下组分:量子点、与量子点表面进行配位的量子点配体、溶剂、及添加剂；由于所述润湿变化层的第一部分经紫外光处理后润湿性得以提高，相对的，所述润湿变化层的第一部分比第二部分的润湿性好，量子点涂布液在所述润湿变化层的第二部分的表面具有很大的润湿角无法很好地润湿，而量子点涂布液在所述润湿变化层的第一部分的表面能够很好地润湿，在重力的综合作用下该层量子点涂布液不会停留在所述润湿变化层的第二部分上，而会分布在所述润湿变化层的第一部分上，从而形成量子点图形；
[0011]步骤5、对形成量子点图形的量子点涂布液进行加热处理，使其固化，得到图形化的量子点层；
[0012]步骤6、在所述量子点层上形成透明导电层；进而完成量子点彩膜基板的制作。
[0013]所述润湿变化剂中，所述光催化剂为Ti02、ZnO、或Sn02，所述光催化剂的粒径为10_50nm。
[0014]所述润湿变化剂中，所述有机聚硅氧烷为含氟烷基的聚硅氧烷。
[0015]所述润湿变化剂中，所述溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙二醇二甲醚、乙二醇单乙醚、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、甲苯、二甲苯中的一种或多种的组合。
[0016]所述量子点涂布液中，所述量子点为核壳结构，所述量子点的材料选自I1-VI族半导体材料、II1- V族半导体材料、和IV - VI族纳米半导体材料。
[0017]所述量子点涂布液中，所述量子点的粒径为l-10nm之间。
[0018]所述量子点涂布液中，所述量子点配体为三正辛基膦、或三正辛基氧化膦。
[0019]所述量子点涂布液中，所述溶剂为二甲苯、甲苯、环己基苯、三甲苯、吡啶、吡略、己烷、戊烷、环己烷中的一种或多种的组合。
[0020]所述量子点涂布液中，所述量子点包括分别发红光、绿光的红色量子点、与绿色量子点。
[0021]所述步骤6中所得到的量子点彩膜基板用于背光为蓝光的显示装置中
[0022]本发明的有益效果:本发明提供了一种量子点彩膜基板的制作方法，借由含光催化剂的润湿性变化层经紫外光照射后其润湿性会变好的特点，形成高精细的量子点图形，简化量子点图形制作工艺的同时提升了量子点图形的精度，制作工艺简单，且减少了量子点材料的浪费，节约成本，所制得的量子点彩膜基板可有效提升显示装置的色饱和度与色域，增强显示面板的色彩表现能力。
【附图说明】
[0023]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
[0024]附图中，
[0025]图1为本发明的量子点彩膜基板的制作方法的流程示意图；
[0026]图2为本发明的量子点彩膜基板的制作方法的步骤2的示意图；
[0027]图3为本发明的量子点彩膜基板的制作方法的步骤3的示意图；
[0028]图4为本发明的量子点彩膜基板的制作方法的步骤4的示意图；
[0029]图5为本发明的量子点彩膜基板的制作方法的步骤5的示意图；
[0030]图6为本发明的量子点彩膜基板的制作方法的步骤6的示意图；
[0031]图7为本发明制得的量子点彩膜基板用于显示装置中进行彩色显示的示意图。
【具体实施方式】
[0032]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0033]请参阅图1，本发明提供一种量子点彩膜基板的制作方法，包括如下步骤:
[0034]步骤1、提供彩膜基板，所述彩膜基板包括衬底基板11、位于所述衬底基板11上的黑色矩阵12、及彩色滤光层13，所述彩色滤光层13包括红色色阻层131、绿色色阻层132、及透明光阻层133 ;
[0035]具体的，所述衬底基板11为玻璃基板。
[0036]步骤2、提供润湿变化剂，所述润湿变化剂包括以下组分:光催化剂、有机聚硅氧烷、及溶剂；如图2所示，在所述黑色矩阵12、及彩色滤光层13上涂布一层润湿性变化剂，并随后对该层润湿性变化剂做真空干燥处理，以去除其中的溶剂，得到润湿变化层14 ;
[0037]具体的，所述润湿变化剂中，所述光催化剂选用Ti02、ZnO、Sn02、或其他等光催化剂，其粒径优选为10_50nm ;所述有机聚硅氧烷优选为含氟烷基的聚硅氧烷，此类聚硅氧烷具有很低的表面能，可有效提升润湿性变化层14的抗液性；所述溶剂可在甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙二醇二甲醚、乙二醇单乙醚、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、甲苯、二甲苯等中选择一种或多种混合使用。
[0038]步骤3、如图3所示，提供光罩50，利用所述光罩50对所述润湿变化层14做紫外光曝光处理，其中，所述光罩50上对应所述红色色阻层131、绿色色阻层132的部分为透光的部分，所述润湿变化层14对应所述红色色阻层131、绿色色阻层132的第一部分141在该步骤中受到紫外光照射，其内发生反应，使其润湿性得到改善，所述光罩50上对应所述透明光阻层133的部分52为不透光的部分，所述润湿变化层14对应所述透明光阻层133的第二部分142在该步骤中未受到紫外光照射，其润湿性没有发生改变；
[0039]具体的，所述润湿变化层14的第一部分141在该步骤中受到紫外光照射其内发生反应