抗反射结构及电子装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种光学结构，且特别是涉及一种抗反射结构，其适用于如显示器及太阳能电池等多种电子装置的应用，用于提供抗反射(ant1-reflect1n)与抗污(ant1-smudge)等功能。
【背景技术】
[0002]当于明亮的环境光环境下使用如移动电话的电子装置时，在屏幕的环境光的反射情形具有极大的破坏性，进而使得使用者难以阅读屏幕上的内容。除了上述情形外，环境光的反射可以发生在许多其它的电子装置的受光表面，例如是电视、显示器或太阳能电池等其它电子装置的表面处，进而造成了使用者的不方便阅读情形或更为劣化电子装置的电性操作表现。
[0003]因此,在传统技术中，一般采用了抗反射涂层(ant1-reflect1n coating)技术以解决上述的环境光的反射问题。抗反射涂层技术通常于一真空腔室之内涂布一层或一层以上的抗反射薄膜涂层于一透光基板的表面上，以用于减少光反射的破坏性干扰情形。然而，由于抗反射涂层通常形成于接触外界环境的一基板表面上，因此抗反射涂层通常具有较差的机械特性，故于长时间的使用后，容易受到环境中的脏污以及使用者的操作的影响，而造成抗反射涂层的毁损与污损等不良情形而影响了整体装置的使用寿命。因此，便需要机械强度较强且抗脏污的一种抗反射结构。
【发明内容】
[0004]为解决上述问题，本发明提供了一种抗反射结构，包括:一基板，包括一平坦部以及设置于该平坦部上的一凸出部，其中该凸出部与该平坦部为一体成形的；以及一涂层，设置于该基板上，顺应地覆盖该凸出部与该平坦部。
[0005]依据又一实施例，本发明提供了一种电子装置，包括:一第一基板；一第二基板，设置于该第一基板上；以及一液晶层、一触碰感测层或一光电转换组件，设置于该第一基板与该第二基板之间，其中该第二基板包括前述的该抗反射结构。
[0006]为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。
【附图说明】
[0007]图1-图4为一系列剖面7K意图，显7K了依据本发明的一实施例的一种抗反射结构的制造方法；
[0008]图5为一剖面7K意图，显7K了依据本发明的另一实施例的一种抗反射结构；
[0009]图6为一剖面7K意图，显7K了依据本发明的又一实施例的一种抗反射结构；
[0010]图7为一剖面示意图，显示了依据本发明的一实施例的一种电子装置，其应用了如图4内所示的抗反射结构；
[0011]图8为一剖面示意图，显示了依据本发明的另一实施例的一种电子装置，其应用了如图4内所示的抗反射结构；
[0012]图9为一剖面意图，显了依据本发明的又一实施例的一种电子装置，其应用了如图4内所示的抗反射结构；以及
[0013]图10为一剖面意图，显了依据本发明的另一实施例的一种电子装置,其应用了如图4内所示的抗反射结构。
[0014]符号说明
[0015]100?基板
[0016]100，?基板
[0017]100a?平坦部
[0018]100b?凸出部
[0019]101a?第一凸出部
[0020]101b?第二凸出部
[0021]101c?第三凸出部
[0022]102?球体
[0023]104?蚀刻制作工艺
[0024]106?涂层
[0025]200、300、400、500 ?电子装置
[0026]210?第一基板
[0027]220?液晶层
[0028]230?彩色滤光层
[0029]240?第二基板
[0030]310?第一基板
[0031]320?液晶层
[0032]330?触控组件
[0033]340?彩色滤光层
[0034]350?第三基板
[0035]360?第二基板
[0036]380?空间
[0037]402?第二基板
[0038]404?透明导电层
[0039]406?p型非晶硅层
[0040]408?本征非晶硅层
[0041]410?η型非晶硅层
[0042]412?电极层
[0043]414?第一基板
[0044]450?光电转换组件
[0045]502?第一基板
[0046]504?触碰感测层
[0047]506?第二基板
[0048]D1?直径/宽度
[0049]D2?直径/宽度
[0050]D3?直径/宽度
[0051]H1?高度
[0052]H2?高度
[0053]H3?高度
【具体实施方式】
[0054]请参照图1-图4的一系列剖面示意图，以显示了依据本发明的一实施例的一种抗反射结构的制造方法。
[0055]请参照图1，首先提供一基板100，其可包括如玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,PET)、聚酰亚胺(Polyimide, PI)等透光材料。接着采用LB涂布(Langmuir-Blodgettcoating, LB coating)、LS 涂布(Langmuir-Schaefer coating, LS coating)、浸沾式涂布(Dip Coating)、自组装单层膜(self-assembly monolayers, SAMs)等的方法，本发明方法不在此限，于基板100的表面上设置具有相同直径D1的数个球体102。如图1所示，此些球体102的直径D1可介于如200纳米-400纳米,且可包括如聚苯乙烯(polystyrene, PS)、聚乙烯(polyethylene, PE)、聚氯乙烯(polyvinylchloride, PVC)、二氧化石圭(Si02)等材质，而形成于基板100上的此些球体102之间紧密地相邻，故于此些球体102之间并不具有任何间距。
[0056]接着，请参照图2，针对图1所示结构施行一蚀刻制作工艺104。蚀刻制作工艺104例如为等离子体蚀刻的一干蚀刻制作工艺，且蚀刻制作工艺104内所使用的蚀刻化学品(未显示)可视所采用的球体102的材质而调整。在一实施例中，当球体102的材质为聚苯乙烯时，蚀刻制作工艺104可为采用如氟甲烷(CHF3)或四氟化碳(CF4)的一蚀刻化学品。在蚀刻制作工艺104的施行过程中，蚀刻化学品除了可穿透此些球体102之间的缝隙而各向异性地蚀刻了位于球体102下方的基板100的数个部分外，也同时各向异性地蚀刻去除了球体102的部分。
[0057]请参照图3，在图2所示蚀刻制作工艺104之后，施行另一蚀刻制作工艺(未显示)，例如为一湿蚀刻制作工艺，以去除于蚀刻制作工艺104施行后残留基板100上的球体102的部分(未显示)并洁净基板100。在一实施例中，当球体102的材质为聚苯乙烯时，可采用如硫酸与双氧水等蚀刻化学品以去除残留基板100上的球体102的部分(未显示)并洁净基板100。
[0058]如图3所示，基板100于经历上述蚀刻制作工艺之后形成一基板100’，在其表面上便形成有一凸出部100b以及位于此些凸出部100b下方的一平坦部100a，其中凸出部100b包含多个第一凸出部101a，凸出部100b以及位于凸出部100b下方的平坦部100a由相同的透光材料所形成且为一体成型的。而此些第一凸出部101a可具有大体相似于球体102的部分表面的半球状或类半球状的剖面轮廓，且具有相似于球体102的直径D1介于195?400纳米的一宽度(也显示为D1)以及介于50?250纳米的一高度H1。值得注意的是，此些第一凸出部101a为紧密且相邻地排列，且此些第一凸出部101a之间并未形成有任何间距。
[0059]请参照图4，接着于如图3所示结构上形成一涂层106，其中此涂层106为一抗污层(ant1-smudge layer)。在一实施例中，涂层106可包括如全氟聚醚(Per-FluorinatedPoly Ethers, PFPE)、氟烧、卤化烧等材质，且可采用如浸沾式涂布(Dip Coating)、喷射涂布(Spray Coating)、蒸气法(Evaporat1n)的成膜方法而顺应地形成于图3所示的基板100’的凸出部100b与平坦部100a的露出表面之上。另外，涂层106可具有介于1纳米?100纳米的一厚度。
[0060]因此，如图1-图4所示，依据本案的一实施例的抗反射结构的制作便大体完成了。图4显示了依据本发明的一实施例的抗反射结构，其中形成于包括透光材质的基板100’上的相邻多个第一凸出部101a组成并形成了相似于一蛾眼结构(moth-eye structure)的抗反射结构，因而可使其具有于可见光波段中的抑制反射光的光学表现，且其于可见光波长范围(400nm-800nm)内可具有不大于0.65%的反射率(reflectivity)的表现。
[0061]另外，在图4所示的抗反射结构中，通过涂层106的设置，其表面对于水与正己烷(n-hexane)等液体可分别表现出大于110°及大于55°的接触角(contact angle)表现，因而具有符合抗污与自洁等特性。
[0062]再者，由于图4显示的抗反射结构中，基板100’的凸出部100b与平坦部100a由相同材质所一体成型的，因此凸出部100b与平坦部100a之间的结合情形与机械特性极为良好，且优于由透光基板与形成于透光基板上的不同材质的抗反射涂层所组成的传统抗反射结构的机械特性，因而具有抗磨损及耐磨耗等特性。
[0063]请参照图5的一剖面示意图，显示了依据本发明的另一实施例的一抗反射结构。而图5所示的抗反射结构由修改如图4所示抗反射结构所得到，且基于简化目的，在下文中仅解说图4-图5所示抗反射结构之间的差异处。
[0064]如图5所示，抗反射结构内的基板100’的平坦部100a上设置抗反射结构内的凸出部100b，其中凸出部100b包含多个第一凸出部101a以及多个第二凸出部101b，其中此些第二凸出部101b具有大于此些第一凸出部101a —高度H2与一宽度D2。而此些第二凸出部101b的制作于如图1-图4的制造方法中，采用混合有两种不同尺寸的数个球体102所达成，且此些球体102内包括数个介于195-400纳米的直径D1的第一种球体(未显示)，以及数个介于280-400纳米的直径D2的第二种球体(未显示)，并通过重复图2-图4的制造方法而得到图5所示的抗反射结构。此些第一凸出部101a可具有大体相似于第一种球体(未显示)的部分表面的半球状或类半球状的剖面轮廓，且具有相似于第一种球体(未显示)的介于195?400纳米的一宽度(也显示为D1)以及介于50?250纳米的一高度H1，而此些第二凸出部