评价用掩模、评价方法、曝光装置以及物品的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及在评价曝光装置的性能时使用的评价用掩模、评价方法、曝光装置以及物品的制造方法。
【背景技术】
[0002]曝光装置将掩模或者中间掩模(reticle)的图案经由投影光学系统投影(成像)到涂覆了抗蚀剂等感光剂的基板(半导体晶片、玻璃板)而将图案转印到基板上。近年来，扫描型的曝光装置、所谓步进扫描方式的曝光装置成为主流，该扫描型的曝光装置对掩模的一部分的区域进行照明，针对投影光学系统，对掩模和基板进行扫描而使基板曝光。
[0003]近年来，伴随着设备的微小化，要求曝光装置的高性能化，所以需要使用评价用掩模来以高的精度评价曝光装置的性能。在上述评价用掩模中，例如，要求用于评价曝光装置的成像性能的功能、用于评价曝光装置上的投影光学系统的成像性能的功能、用于调整用于扫描曝光的驱动系统的功能等。特别地，用于液晶曝光装置的评价用掩模大型且昂贵，所以要求具有多种功能。此处，曝光装置的成像性能包括焦点、线宽(CD:CriticalDimens1n)、失真、重叠(overlay)等。投影光学系统的成像性能包括投影光学系统的有效区域内的焦点(像面、像散、散光(astigmatism))、失真等。另外，用于扫描曝光的驱动系统的调整包括:保持掩模并移动的掩模载置台、保持基板并移动的基板载置台的调整；对掩模上的不曝光的部分进行遮光的遮光片(masking blade)的位置的调整等。
[0004]在这样的评价用掩模中，也要求提高上述功能的精度。特别地，伴随着成像性能的高精细化而投影光学系统的有效区域变窄，为了以与以往相同的分辨率评价有效区域内的成像性能，例如需要以比以往更细的间距配置用于评价失真的图案。
[0005]在评价曝光装置、投影光学系统的成像性能时，经由评价用掩模而使涂覆了抗蚀剂的基板曝光，使上述基板显影，用测量装置测量与评价用掩模的图案对应的抗蚀剂像。在评价用掩模中，为了防止受到来自用于评价曝光装置、投影光学系统的成像性能的光透射型图案以外的区域的光的影响，光透射型图案以外的区域设为遮光部。其中，在评价用掩模中，一般，配置有多个种类的图案，光透射型图案和上述图案的周围的遮光部的比例(以下称为“开口率”)针对基板上的每个区域不同。此处，例如，考虑将被照射了光的部分的抗蚀剂被去除的正抗蚀剂用于评价的情况。在该情况下，在使曝光了的基板上的正抗蚀剂显影时，开口率高的区域相比于开口率低的区域，显影的区域更宽，更多的正抗蚀剂溶解到显影液，所以该区域的显影液的显影力局部地降低。在这样的情况下，抗蚀剂像受到部分的显影力的降低所致的影响(例如CD的变化等)，所以无法正确地评价曝光装置的性能。因此，作为使基板显影的显影装置侧的应对，在日本特开2006-319350号公报中提出了抑制显影液的显影力降低的技术。
[0006]但是，在曝光装置的设置时作为检查来进行曝光装置、投影光学系统的成像性能的评价，但显影装置根据曝光装置的设置目的地而不同，有时必须使用未进行专利文献1那样的应对的显影装置。
[0007]另外，还考虑如下技术:考虑显影力的降低所致的影响来设计(制造)评价用掩模。但是，显影力的降低所致的影响根据显影装置的调整状态而不同，所以必须在曝光装置的设置时确认该影响来制造评价用掩模，所以是不现实的。
【发明内容】
[0008]本发明提供有利于以高的精度评价曝光装置的性能的评价用掩模。
[0009]作为本发明的第1方面的评价用掩模是在评价使基板曝光的曝光装置的性能时使用的评价用掩模，其特征在于，具有:第1图案及第2图案，用于评价所述曝光装置的第1性能；以及虚设图案，用于使包括所述第1图案的第1部分区域中的每单位面积的开口部和遮光部的第1比例、与包括所述第2图案的第2部分区域中的每单位面积的开口部和遮光部的第2比例的差分成为±10%以内。
[0010]作为本发明的第2方面的评价用掩模是在评价使基板曝光的曝光装置的性能时使用的评价用掩模，其特征在于，具有:第1图案及第2图案，用于评价所述曝光装置的第1性能；以及虚设图案，用于在经由所述评价用掩模而使涂覆了抗蚀剂的基板在所述曝光装置中曝光并使该基板进行了显影时，使该基板上的对应于所述第1图案的抗蚀剂像的线宽、和对应于所述第2图案的抗蚀剂像的线宽成为相同。
[0011]作为本发明的第3方面的评价用掩模是在评价使基板曝光的曝光装置的性能时使用的评价用掩模，其特征在于，具有:第1图案及第2图案，用于评价所述曝光装置的第1性能；以及虚设图案，用于使包括所述第1图案的第1部分区域中的每单位面积的开口部的面积、和包括所述第2图案的第2部分区域中的每单位面积的开口部的面积一致。
[0012]作为本发明的第4方面的评价方法是评价使基板曝光的曝光装置的性能的评价方法，其特征在于，具有:使用所述曝光装置经由评价用掩模而使涂覆了抗蚀剂的基板曝光的工序；使曝光了的所述基板显影的工序；以及根据显影了的所述基板上的抗蚀剂像来评价所述曝光装置的性能的工序，所述评价用掩模是上述评价用掩模。
[0013]作为本发明的第5方面的曝光装置是使基板曝光的曝光装置，其特征在于，具有:掩模载置台，可交换地保持具有应转印到所述基板的图案的掩模、和用于评价所述曝光装置的性能的评价用掩模；以及控制部，根据使用所述评价用掩模进行了评价的所述曝光装置的性能，控制所述曝光装置的性能的调整，所述评价用掩模是上述评价用掩模。
[0014]作为本发明的第6方面的物品的制造方法的特征在于，具有:使用上述曝光装置来使基板曝光的工序；以及使曝光了的所述基板显影的工序。
[0015]通过以下参照附图而说明的优选的实施方式，本发明的进一步的目的或者其他方面将更加明确。
【附图说明】
[0016]图1是示出作为本发明的一个方面的曝光装置的结构的概略图。
[0017]图2是示出作为评价用掩模的比较例的结构的概略图。
[0018]图3是示出与图2所示的评价用掩模的第1图案对应的抗蚀剂像的线宽差的一个例子的图。
[0019]图4是示出本实施方式中的评价用掩模的结构的概略图。
[0020]图5A至图5C是示出包括图4所示的评价用掩模的图案的部分区域的放大图。
【具体实施方式】
[0021]以下，参照附图，说明本发明的优选的实施方式。另外，在各图中，对同一部件附加同一参照编号，省略重复的说明。
[0022]图1是示出作为本发明的一个方面的曝光装置100的结构的概略图。曝光装置100是将掩模的图案转印到基板、S卩、使基板曝光的光刻装置。曝光装置100具有:掩模载置台2、照明光学系统3、投影光学系统4、基板载置台6以及控制部7。
[0023]掩模载置台2可交换地保持具有应转印到基板5的图案的掩模1、和用于评价曝光装置100的性能的评价用掩模10。照明光学系统3对保持在掩模载置台2的掩模1、评价用掩模10进行照明。投影光学系统4将通过照明光学系统3照明了的掩模1、评价用掩模10的图案投影到基板5。基板载置台6保持基板5。控制部7包括CPU、存储器等，控制曝光装置100的整体(曝光装置100的各