具有亮点缺陷的像素的修复方法、阵列基板及液晶面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于液晶显示技术领域，具体地讲，涉及一种具有亮点缺陷的像素的修复方法、阵列基板及液晶面板。
【背景技术】
[0002]液晶面板上出现的亮点指的是由于薄膜晶体管(TFT)的制程缺陷，导致液晶面板显示时某些像素点(或称像素单元)始终保持单一颜色，这种缺陷是液晶面板中非常难解决的一种瑕疯。
[0003]—般情况下，液晶面板上出现至少一个亮点就会被降低等级，而其如果出现至少二十个亮点则会被直接报废。目前，对液晶面板上出现的亮点缺陷的主要解决方法是:将亮点变成暗点。在正常显示下，液晶面板上的暗点的影响要比亮点的影响小很多，但是暗点也是液晶面板上的一种瑕疵。如何将液晶面板上出现的亮点变成正常点，这是目前亟需解决的一个问题。
【发明内容】
[0004]为了解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种能够将亮点修复为正常点的修复方法、利用该修复方法修复像素亮点的阵列基板以及具有该阵列基板的液晶面板。
[0005]根据本发明的一方面，提供了一种具有亮点缺陷的像素的修复方法，所述像素设置在开关区域及位于所述开关区域一侧的像素区域中；
[0006]所述像素包括:在所述开关区域和所述像素区域中形成的连续的公共电极；在所述开关区域中形成的且位于所述公共电极之上的薄膜晶体管；在所述开关区域和所述像素区域形成的且覆盖薄膜晶体管的钝化层以及在位于所述开关区域中的所述钝化层中形成的过孔；在所述像素区域和所述开关区域中形成的且位于所述钝化层之上的像素电极；
[0007]其中，所述修复方法包括:在所述过孔中打点熔融，使所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接接触；将所述连续的公共电极切断分离，以使位于所述开关区域的公共电极和位于所述像素区域的公共电极彼此分离；将位于所述公共电极的切断分离处之上的像素电极去除，且使位于所述开关区域的像素电极和位于所述像素区域的像素电极彼此连接。
[0008]进一步地，在所述过孔中打点熔融的具体方法为:利用激光在所述过孔中打点熔融，使所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接接触。
[0009]进一步地，所述公共电极包括:位于所述开关区域的主体部及由所述主体部延伸到所述像素区域中的多条平行的延伸部；其中，将所述连续的公共电极切断分离的具体方法为:利用激光在所述主体部与各所述延伸部的交汇处进行切割，以使所述主体部与各所述延伸部以及各所述延伸部之间相互独立。
[0010]进一步地，将位于所述公共电极的切断分离处之上的像素电极去除的具体方法为:将位于所述主体部与各所述延伸部的交汇处之上的像素电极去除。
[0011]根据本发明的另一方面，该提供了一种阵列基板，其包括阵列排布的多个像素，所述像素设置在开关区域及位于开关区域一侧的像素区域中；
[0012]当所述阵列基板上的所述像素出现亮点缺陷时，所述像素包括:在所述开关区域和所述像素区域中形成的连续的公共电极；在所述开关区域中形成的且位于所述公共电极之上的薄膜晶体管；在所述开关区域和所述像素区域形成的且覆盖薄膜晶体管的钝化层以及在位于所述开关区域中的所述钝化层中形成的过孔；在所述像素区域和所述开关区域中形成的且位于所述钝化层之上的像素电极；
[0013]其中，对所述阵列基板上出现亮点缺陷的像素进行修复的方法包括:在所述过孔中打点熔融，使所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接接触；将所述连续的公共电极切断分离，以使位于所述开关区域的公共电极和位于所述像素区域的公共电极彼此分离；
[0014]将位于所述公共电极的切断分离处之上的像素电极去除，且使位于所述开关区域的像素电极和位于所述像素区域的像素电极彼此连接。
[0015]进一步地，在对所述阵列基板上出现亮点缺陷的像素进行修复的方法中，在所述过孔中打点熔融的具体方法为:利用激光在所述过孔中打点熔融，使所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极连接接触。
[0016]进一步地，所述公共电极包括:位于所述开关区域的主体部及由所述主体部延伸到所述像素区域中的多条延伸部；其中，在对所述阵列基板上出现亮点缺陷的像素进行修复的方法中，将所述连续的公共电极切断分离的具体方法为:利用激光在所述主体部与各所述延伸部的交汇处进行切割，以使所述主体部与各所述延伸部以及各所述延伸部之间相互独立。
[0017]进一步地，所述多条延伸部平行设置。
[0018]进一步地，在对所述阵列基板上出现亮点缺陷的像素进行修复的方法中，将位于所述公共电极的切断分离处之上的像素电极去除的具体方法为:将位于所述主体部与各所述延伸部的交汇处之上的像素电极去除。
[0019]根据本发明的又一方面，又提供了一种液晶面板，包括对盒设置的彩色滤光片基板及上述的阵列基板。
[0020]本发明的有益效果:通过将位于开关区域和位于像素区域中的公共电极切断分离，以破坏像素的存储电容器，从而将该像素形成为没有存储电容器的像素，进而消除该像素的亮点缺陷；同时该像素的漏电极还与像素电极电接触，因此该没有存储电容器的像素还能正常发光，将像素的亮点缺陷正常化。
【附图说明】
[0021]通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中:
[0022]图1是根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板的平面图；
[0023]图2是根据本发明的实施例的像素的结构平面图；
[0024]图3是根据本发明的实施例的液晶面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
[0026]图1是根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板的平面图。
[0027]参照图1，根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列基板10包括:传送栅极信号的多条栅极线匕至G n、传送数据信号的多条数据线01至D ?以及阵列布置的多个像素PX。
[0028]多条栅极线匕至G n按行方向延伸并且彼此大致平行，而多条数据线D 1至D ?按列方向延伸并且彼此大致平行。每个像素PX包括:薄膜晶体管(TFT)，其连接到相应的栅极线和相应的数据线；液晶电容器，连接到该薄膜晶体管；存储电容器，其与液晶电容器并联连接。
[0029]以下将对根据本发明的实施例的每个像素PX的结构进行详细描述。图2是根据本发明的实施例的像素的结构平面图。
[0030]参照图2，每个像素PX设置在开关区域10a和位于开关区域10a —侧的像素区域10b中。具体地，在本实施例中，像素区域10b位于开关区域10a的右侧，但本发明并不限制于此，例如，像素区域10b也可位于开关区域10a的左侧。
[0031 ] 针对像素PX的制作过程，具体为:
[0032]首先，在开关区域10a和像素区域10b中形成第一金属层，并且对该第一金属层进行曝光、显影，以在开关区域10a中形成栅电极110，同时在开关区域10a和像素区域10b中形成连续一体的公共电极130。其中，该公共电极130作为存储电容器的底电极。
[0033]进一步地，在本实施例中，公共电极130包括:位于开关区域10a的主体部131以及由主体部131延伸到像素区域10b中的三条平行的延伸部132。当然，这里的描述仅仅是一种示例，本发明中的延伸部132的数量并不以三条为限制，其可根据实际情况任意设置所需数量。
[0034]此外，第一金属层采用的金属材料可例如是钽(Ta)、钼钽(MoTa)、钼钨(MoW)或铝(A1)等。需要说明的是，栅极线& (1彡i彡η)、栅电极110和公共电极130三者同时形成，并且栅电极110连接到栅极线GlD
[0035]接着，形成覆盖栅电极110、公共电极130和栅极线&的栅极绝缘层(图2中未示出)。也就是说，该栅极绝缘层形成在像素区域10b和开关区域10a中。这里，该栅极绝缘层可利用氮化硅和/或氧化硅制成，但本发明并不局限于此。
[0036]接着，在位于开关区域10a的栅极绝缘层上形成有源层111。这里，有源层111可由非晶硅等材料制成，但本发明并不局限于此。
[0037]接着，在有源层111上形成第二金属层，并且对第二金属层进行曝光、显影，以在有源层111上形成彼此独立的源电极112a和漏电极112b。其中，漏电极112b作为存储电容器的顶电极。这里，第二金属层采用的金属材料可例如是钽(Ta)、钼钽(MoTa)、钼钨(MoW)或铝(A1)等。此外，需要说明的是，数据线^丨彡j彡m)、源电极112a和漏电极112b三者同时形成，并且源电极112a连接到数据线D,。
[0038]接着，在所述栅极绝缘层上形成覆盖有源层111、源电极112a和漏电极112b的钝化层(未示出)。也就是说，该钝化层形成在像素区域1b和开关区域1a中。
[0039]接着，在位于开关区域1a的钝化层中形成过孔(未示出)，其中，该过孔将漏电极112b露出。
[0040]最后，在像素区域1b的钝化层上形成像素电极113，其中，该像素电极113延伸至开关区域1a的钝化层上并