液晶显示装置及取向膜材料的制作方法
【专利说明】
[0001] 本申请主张W于2014年9月19日提出申请的日本专利申请JP2014-191318和于 2015年6月11日提出申请的日本专利申请JP2015-118453为基础的优先权，其内容W引用 方式并入本文。
技术领域
[0002] 本发明设及显示装置，特别设及具有采用光取向的取向膜的液晶显示装置。
【背景技术】
[0003] 在液晶显示装置中配置有TFT基板及与TFT基板相对的对置基板，在TFT基板和 对置基板之间夹持有液晶，在所述TFT基板呈矩阵状地形成有像素，所述像素具有像素电 极及薄膜晶体管（TFT)。而且通过按像素控制基于液晶分子的透光率而形成图像。
[0004] 在液晶显示装置中，需要使用取向膜使液晶初始取向。作为取向膜的取向处理，W 往一直采用摩擦法（rubbing)。摩擦法会产生如下问题：由摩擦时的取向膜的切削屑导致 产生亮点，由摩擦处理时产生的静电导致布线的绝缘破坏等。另一方面，所谓的光取向（通 过使用偏振紫外线将规定方向的高分子链切断来对取向膜赋予单轴各向异性）不存在上 述那样由摩擦引起的问题，因此正在不断普及。
[0005] 另一方面，对于液晶显示装置而言，视场角特性是一个问题。视场角特性是下述现 象，即，在从正面看画面时和从倾斜方向看画面时，亮度发生变化、色度发生变化的现象。就 视场角特性而言，利用水平方向的电场使液晶分子动作的IPS(InPlaneSwitching,平面 转换）方式具有优异的特性。由于IPS方式不需要所谓的预倾角（pretiltangle),因此特 别适合于光取向。
[0006] 日本特开2009-288298号公报中记载了通过在光取向中使用W聚酷胺酸醋为前 体的取向膜来防止残像产生的结构。此外，W02011/115078号公报中记载了下述结构：针对 在光取向中W聚酷胺酸醋和聚酷胺酸为材料、将W聚酷胺酸醋为前体的取向膜和W聚酷胺 酸为前体的取向膜形成为层状而得的取向膜，通过使聚酷胺酸醋的重均分子量小于聚酷胺 酸的重均分子量来抑制表面的微小凹凸。此外，W02011/114103号公报中记载了辅助取向 膜的形成的酷亚胺化促进剂的一个例子。
【发明内容】
[0007] 液晶显示装置中使用的液晶存在正型和负型。正型液晶中的液晶分子的介电常数 各向异性Aε为正数，负型液晶中的液晶分子的介电常数各向异性Δε为负数。换言之， 正型液晶中的液晶分子的长轴朝向电场的方向，负型液晶中的液晶分子的短轴朝向电场的 方向。
[0008]WIPS方式的液晶显示装置为例，通过液晶分子按电场的方向旋转来控制各像素 的透光率，按像素控制透光率从而形成图像。但是，在显示区域内，根据像素电极或对置电 极的形状，产生在像素内发生反向旋转的区域。该区域被称为向错（disclination)，由于该 区域不透光，因此，使画面的亮度劣化，使对比度降低。在正型液晶中，尤其是在电极图案的 端部，容易产生向错。
[0009] 正型液晶的另一个问题是，在按压液晶显示屏的表面时，液晶分子容易沿基板的 法线方向立起。需要说明的是，运样的液晶分子的立起在产生向错的区域内容易发生。 在IPS方式的液晶显示装置中，若发生运样的液晶分子的立起，则容易发生画面的渗色 化leeding)。
[0010] 另一方面，负型液晶较之正型液晶不容易产生上述问题。因此，在尤其是欲要防止 向错的液晶显示装置中使用负型液晶。但是，使用负型液晶时，产生电压保持率变低的情 况。电压保持率用于评价从将信号写入像素中起、到写入下一信号为止的期间，前一信号电 压能够W何种程度保持。
[0011] 在电压保持率低的状态下，为了抑制液晶显示装置的功耗而进行低频驱动时，在 显示区域内发生闪变。此外，在画面中，若电压保持率局部降低，则在显示区域内发生画面 不均。本发明的课题在于，在使用负型液晶、对取向膜进行了光取向的液晶显示装置中，防 止由电压保持率降低产生的闪变及画面不均。
[0012] 本发明克服了上述问题，其主要的具体手段如下所述。
[001引 （1) 一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置在具有取向膜的第1基板 和具有取向膜的第2基板之间具有液晶，所述液晶的介电常数各向异性为负数，介电常数 各向异性的绝对值为5W下，所述取向膜接受利用偏振紫外线的光取向处理，所述取向膜 由存在于与所述液晶接触的一侧的第1膜和存在于所述第1基板侧或所述第2基板侧的第 2膜形成，所述第1膜通过所述光取向处理而具有取向能力，所述第2膜未被赋予由所述光 取向处理产生的取向能力，所述取向膜是通过将形成所述第1膜的第1材料和形成所述第2 膜的第2材料的混合材料涂布在所述第1基板或所述第2基板上而形成的，相对于所述第 1材料和所述第2材料的总重量而言，所述第1材料的重量大于lOwt%、且小于40wt%。
[0014] 似如（1)所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第1材料为（化1)表示的聚酷 胺酸醋，所述第2材料为聚酷胺酸。
[0015]
[0016] 化学式（1)中，Ri各自独立地为碳原子数1~8的烷基，R2各自独立地为氨原子、 氣原子、氯原子、漠原子、苯基、碳原子数1~6的烷基、碳原子数1~6的烷氧基、締控基 (-(CH2)m-CH=CH2，m= 0、1J)或烘基（-(CH2)m-C三CH，m= 0、l、2)，Ar为芳香族化合物。
[0017] (3)如（1)或（2)所述的液晶显示装置，其中，所述第1材料为聚酷胺酸醋，所述聚 酷胺酸醋是使用第1二胺作为前体形成的，所述第1二胺具有芳香环，并且不含有除存在于 2个氨基中的氮原子W外的氮原子、氣原子及氧原子。
[001引 （4)如（1)~做中任一项所述的液晶显示装置，其中，所述第2材料为聚酷胺酸， 所述聚酷胺酸是使用第2二胺作为前体形成的，所述第2二胺含有除存在于2个氨基中的 氮原子W外的氮原子、氣原子或氧原子。
[0019] (5)如（1)~（4)中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，所述混合材料包含 酷亚胺化促进剂，所述酷亚胺化促进剂为具有甲基化晚、哇嘟、异哇嘟或化晚骨架的仲胺或 叔胺类、或具有烷氧基幾基的氨基酸。
【附图说明】
[0020] 图1是本发明所适用的液晶显示装置的截面图。
[0021] 图2是表示光取向的工艺的流程图。
[0022] 图3是测定电压保持率的电路。
[0023] 图4是测定电压保持率的等效电路。
[0024] 图5是表示试验单元的一侧电极的电位的变化的图。
[0025] 图6是表示第1材料（形成接受光取向处理的第1膜）和第2材料（形成不接受 光取向处理的第2膜）的比率与电压保持率的关系的曲线图。 阳0%] 图7是双层取向膜的截面示意图。
[0027] 图8是表示实际的双层取向膜的例子的截面图。
[002引图9是表示取向膜的深度方向上的、形成接受光取向处理的第1膜的第1材料和 形成不接受光取向处理的第2膜的第2材料的比例的例子的图。
[0029] 图10是表示第1材料（形成接受光取向处理的第1膜）和第2材料（形成不接 受光取向处理的第2膜）的比率与显示不均的关系的图。
【具体实施方式】
[0030] W下，结合实施例详细地对本发明的内容进行说明。 阳0川 实施例1
[0032] 本发明能够适用于所有采用光取向的液晶显示装置。W下，WIPS方式的液晶 显示装置为例来说明本发明，但也可W为例如TN(Twisted化matic，扭曲向列）方式、 VA(Vi;rticalAlignment,垂直取向）方式的液晶显示装置。
[0033] 图1是IPS方式的液晶显示装置的截面图。图1中的TFT为所谓顶栅型的TFT， 作为所使用的半导体，使用了LTPS化OWTemperaturePol厂Silicon,低溫多晶娃）。另一 方面，在使用a-Si半导体的情况下，多使用所谓底栅方式的TFT。在下文的说明中，W使用 顶栅方式的TFT的情况为例进行说明，但对于使用底栅方式的TFT的情况，也可W适用本发 明。
[0034] 图1中，通过CVD(QiemicalVaporD巧osition，化学气相沉积）在玻璃基板100 之上形成第1基底膜101 (由SiN形成）及第2基底膜102 (由Si〇2形成）。第1基底膜 101及第2基底膜102的作用是，防止来自玻璃基板100的杂质污染半导体层103。
[0035] 在第2基底膜102之上形成有半导体层103。该半导体层103是通过CVD在第2 基底膜102之上形成a-Si膜、通过进行激光退火将该a-Si膜变换为poly-Si膜而形成的。 通过光刻法将该poly-Si膜图案化。
[0036] 在半导体膜103之上形成有栅极绝缘膜104。