应用于红外敏感元件的红外滤光片的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种红外热成像仪组件，特别是应用于红外敏感元件的红外滤光片。
【背景技术】
[0002]红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。
[0003]红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光片，通过红外滤光片可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能)，保证红外热成像仪的成像结果。
[0004]但是，目前的红外滤光片，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比，且膜系结构简单的应用于红外敏感元件的红外滤光片。
[0006]为了达到上述目的，本发明所设计的应用于红外敏感元件的红外滤光片，包括成分为Si单晶硅的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层，其特征是所述第一镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为110纳米的Ge层、厚度为319纳米的ZnS层、厚度为149纳米的Ge层、厚度为583纳米的ZnS层、厚度为1000纳米的YF3层、厚度为239纳米的ZnS层、所述第二镀膜层是厚度为1100纳米的C层。
[0007]上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0008]本发明得到的应用于红外敏感元件的红外滤光片，其Si单晶硅的基板配合表面的镀膜层，实现中心波长定位在8000到14000纳米，峰值透过率达80 %以上，同时一面膜系结构降到6层，另一面直接为单层膜系结构，大大的简化了整体结构，从而提高了生产效率，降低了生产成本。
【附图说明】
[0009]图1是实施例整体结构示意图。
[0010]图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
[0011 ]图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
【具体实施方式】
[0012]下面通过实施例结合附图对本发明作进一步的描述。
[0013]实施例1。
[0014]如图1、图2所示，本实施例描述的本发明所设计的应用于红外敏感元件的红外滤光片，包括成分为Si单晶硅的基板2以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层I和第二镀膜层3，所述第一镀膜层11包含从内向外依次排列的厚度为110纳米的Ge层、厚度为319纳米的ZnS层、厚度为149纳米的Ge层、厚度为583纳米的ZnS层、厚度为1000纳米的YF3层、厚度为239纳米的ZnS层、所述第二镀膜层12是厚度为1100纳米的C层。
【主权项】
1.一种应用于红外敏感元件的红外滤光片，包括成分为Si单晶硅的基板(2)以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层(I)和第二镀膜层(3)，其特征是所述第一镀膜层(I)包含从内向外依次排列的厚度为110纳米的Ge层、厚度为319纳米的ZnS层、厚度为149纳米的Ge层、厚度为583纳米的ZnS层、厚度为1000纳米的YF3层、厚度为239纳米的ZnS层、所述第二镀膜层(3)是厚度为1100纳米的C层。
【专利摘要】本发明所设计的应用于红外敏感元件的红外滤光片，包括成分为Si单晶硅的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层，其特征是所述第一镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为110纳米的Ge层、厚度为319纳米的ZnS层、厚度为149纳米的Ge层、厚度为583纳米的ZnS层、厚度为1000纳米的YF3层、厚度为239纳米的ZnS层、所述第二镀膜层是厚度为1100纳米的C层。本发明得到的应用于红外敏感元件的红外滤光片，其Si单晶硅的基板配合表面的镀膜层，实现中心波长定位在8000到14000纳米，峰值透过率达80％以上，同时一面膜系结构降到6层，另一面直接为单层膜系结构，大大的简化了整体结构，从而提高了生产效率，降低了生产成本。
【IPC分类】G02B5/20
【公开号】CN105589121
【申请号】CN201511024957
【发明人】王继平, 吕晶, 胡伟琴
【申请人】杭州麦乐克电子科技有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年12月30日