制造显示基板的方法、修复显示基板的方法和显示基板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明构思的示例性实施例涉及一种制造显示基板的方法、一种修复显示基板的 方法以及一种由所述的修复显示基板的方法修复的显示基板。
【背景技术】
[0002] 通常，液晶显示器（IXD)面板包括薄膜晶体管（TFT)基板、相对基板和LC层。TFT 基板包括多条栅极线、与栅极线交叉的多条数据线、与栅极线和数据线连接的多个TFT以 及与TFT连接的多个像素电极。TFT包括从栅极线延伸的栅电极、延伸到数据线的源电极和 与源电极分隔开的漏电极。
[0003] 阵列基板的信号线可具有诸如短路、短路故障等的电连接故障。当产生电连接故 障时，LCD面板的显示质量劣化。因此，需要修复具有电连接故障的信号线。
[0004] 修复信号线的传统方法是在保护层上形成修复线。将修复线电连接到信号线以修 复电连接故障。
[0005] 然而，当将滤色器与栅极线和数据线设置在同一下基板上时，滤色器覆盖数据线。 因此，修复失败的可能性会增大。另外，修复线不与数据线接触，会不能修复。
【发明内容】
[0006] 本发明构思的示例性实施例提供了一种制造能够修复的显示基板的方法。
[0007] 本发明构思的示例性实施例还提供了一种修复显示基板的方法。
[0008] 本发明构思的示例性实施例还提供了一种通过修复显示基板的方法而修复的显 不基板。
[0009] 在根据本发明构思的显示基板的示例性实施例中，所述显示基板包括：栅极金属 图案，包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极；数据金属图案，包括在 与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到数据线的源电极以及与源电极分隔 开的漏电极；有机层，设置在数据金属图案上；修复孔，穿透有机层并暴露栅极线与数据线 交叉的交叉区；以及像素电极，设置在有机层上并电连接到漏电极。
[0010] 在示例性实施例中，显示基板还可包括设置在交叉区上并电连接到数据线的修复 线。
[0011] 在示例性实施例中，显示基板还可包括覆盖修复孔的覆盖图案。
[0012] 在示例性实施例中，显示基板还可包括覆盖修复孔并且与像素电极设置在同一层 上的修复电极。
[0013] 在示例性实施例中，显示基板还可包括覆盖修复孔和修复电极的覆盖图案。
[0014] 在根据本发明构思的制造显示基板的方法的示例性实施例中，所述方法包括下述 步骤：在基体基板上形成包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极的栅 极金属图案；在栅极金属图案上形成包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、 电连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极的数据金属图案；在数据金属图案 上形成有机层；图案化有机层以形成暴露栅极线与数据线交叉的交叉区的修复孔；以及在 有机层上形成电连接到漏电极的像素电极。
[0015] 在示例性实施例中，修复孔的大小可大于栅极线与数据线交叉的交叉区的大小。
[0016] 在示例性实施例中，有机层可为滤色器。
[0017] 在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复孔的修复电极。
[0018] 在示例性实施例中，修复电极可与像素电极由同一层形成。
[0019] 在示例性实施例中，修复孔的大小可大于栅极线与数据线交叉的交叉区的大小。
[0020] 在示例性实施例中，有机层可为滤色器。
[0021] 在根据本发明构思的修复显示基板的方法的示例性实施例中，所述方法包括下述 步骤：形成第一切割槽和第二切割槽以使数据线断开，其中，电连接故障导致在栅极线和数 据线彼此交叉的位置处产生并且设置在第一切割槽和第二切割槽之间的短路故障；连接断 开的数据线。
[0022] 在示例性实施例中，连接断开的数据线的步骤可包括形成电连接断开的数据线的 修复线。修复线可包括与数据线相同的材料。
[0023] 在示例性实施例中，可通过激光化学气相沉积（CVD)法来形成修复线。
[0024] 在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复孔的覆盖图案。
[0025] 在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复孔的修复电极。连接断开的 数据线的步骤可包括连接修复电极和断开的数据线。修复电极可包括透明导电材料。
[0026] 在示例性实施例中，形成第一切割槽和第二切割槽的步骤可包括将激光束照射到 修复电极。
[0027] 在示例性实施例中，连接断开的数据线的步骤可包括将激光束照射到修复电极以 连接修复电极和数据线。
[0028] 在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复电极的覆盖图案。
[0029] 根据本示例性实施例，显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉的交叉区的修复 孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数据线。因此，可减 少显示基板的缺陷。
[0030] 另外，显示基板包括覆盖修复孔的覆盖图案。因此，可防止由于外来杂质而致的线 缺陷。另外，由于覆盖图案填充修复孔的空间，因此可减小由于修复孔而致的高度差。
【附图说明】
[0031] 通过参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其他 特征和优点将变得更明显，在附图中：
[0032] 图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示基板的平面图；
[0033] 图2是放大图1的部分"A"的平面图；
[0034] 图3是沿图2的线Ι-Γ截取的剖视图；
[0035] 图4至图8是示出制造图3的显示基板的方法的剖视图；
[0036] 图9是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的 显示基板的平面图；
[0037] 图10是放大图9的部分"A"的平面图；
[0038] 图11是沿图10的线ι-γ截取的剖视图；
[0039] 图12是示出修复图11的显示基板的方法的剖视图；
[0040] 图13是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的 显示基板的平面图；
[0041] 图14是放大图13的部分"Α"的平面图；
[0042] 图15是沿图14的线Ι-Γ截取的剖视图；
[0043] 图16是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示基板的平面图；
[0044] 图17是放大图16的部分"Β"的平面图；
[0045] 图18是沿图17的线ΙΙ-ΙΓ截取的剖视图；
[0046] 图19至图23是示出制造图18的显示基板的方法的剖视图；
[0047] 图24是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的 显示基板的平面图；
[0048] 图25是放大图24的部分"Β"的平面图；
[0049] 图26是沿图25的线ΙΙ-ΙΓ截取的剖视图；
[0050] 图27是示出修复图26的显示基板的方法的剖视图；
[0051] 图28是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的 显示基板的平面图；
[0052] 图29是放大图28的部分"Β"的平面图；
[0053] 图30是沿图29的线ΙΙ-ΙΓ截取的剖视图。
【具体实施方式】
[0054] 以下，将参照附图详细地解释本发明。
[0055] 图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示基板的平面图。图2是放大图 1的部分"Α"的平面图。图3是沿图2的线Ι-Γ截取的剖视图。
[0056] 参照图1至图3,显示基板包括栅极线GL、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一 修复孔RH1、第二修复孔RH2、第一存储线Cst 1、第二存储线Cst2、第一开关元件SW1、第二开 关元件SW2、第三开关元件SW3、高像素电极PE1和低像素电极PE2。
[0057] 栅极线GL在第一方向D1上延伸。栅极线GL可具有包括铜（Cu)、银（Ag)、铬（Cr)、 钼（Mo)、铝（A1)、钛（Ti)、锰（Μη)以及它们的混合物的单层结构。另外，栅极线GL可具有 多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，栅极线GL可包括铜层 及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。栅极线GL电连接到第一开关元件SW1的 第一栅电极GE1、第二开关元件SW2的第二栅电极GE2和第三开关元件SW3的第三栅电极 GE3。另外，栅极线GL的部分可形成第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3。
[0058] 第一数据线DL1在与第一方向D1基本上垂直的第二方向D2上延伸。第一数据线 DL1可具有包括铜（Cu)、银（Ag)、铬（Cr)、钼（Μο)、铝（Α1)、钛（Ti)、锰（Μη)以及它们的混 合物的单层结构。另外，第一数据线DL1可具有多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同 的材料的多个层。例如，第一数据线DL1可包括铜层及设置在铜层上和/或设置在铜层下 方的钛层。第一数据线DL1电连接到第一开关元件SW1的第一源电极SE1以及第二开关元 件SW2的第二源电极SE2。
[0059] 高像素电极PE1被设置为在第二方向D2上与栅极线GL相邻并且在第一数据线 DL1和第二数据线DL2之间。高像素电极PE1通过第一接触孔CNT1电连接到第一开关元件 SW1的第一漏电极DE1。
[0060] 低像素电极PE2被设置为关于栅极线GL与高像素电极PE1相对并且在第一数据 线DL1和第二数据线DL2之间。低像素电极PE2通过第二接触孔CNT2电连接到第二开关 元件SW2的第二漏电极DE2以及第三开关元件SW3的第三漏电极DE3。
[0061 ] 第一电压可被施加到高像素电极PE1。与第一电压不同的第二电压可被施加到低 像素电极PE2。例如，第一电压