防静电器件及其制造方法、基板的制作方法

文档序号:9843391阅读:702来源:国知局
防静电器件及其制造方法、基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种防静电器件、防静电器件的制造方法以及包括该防静电器件的基板。
【背景技术】
[0002]液晶显示器的阵列基板包括像素单元和驱动该像素单元的薄膜晶体管。通常,在生产薄膜晶体管时,由于摩擦等原因,会在薄膜晶体管的不同的导电层上产生静电,当静电积累到一定程度就会出现静电击穿现象,这会导致阵列基板上的像素电路短路而受损。
[0003]为了防止出现静电击穿现象,一般需要在制造薄膜晶体管的同时形成一个防静电器件,以避免在不同的导电层之间出现静电击穿现象。图1显示现有技术中的一种防静电器件的剖视图。如图1所示,该防静电器件主要包括第一导电层11、形成在第一导电层11上的第一绝缘层12、形成在第一绝缘层12上的第二导电层15、形成在第二导电层15上的第二绝缘层16、形成在第二绝缘层16中的过孔02、形成在第二绝缘层16和第一绝缘层12中的过孔
03、和形成在第二绝缘层16上的第三导电层17。
[0004]如图1所示,在现有技术中,该防静电器件的第二导电层15经由过孔02与第三导电层17电连接,第三导电层17经由过孔03与第一导电层11电连接。因此,在现有技术中,在形成第三导电层17之前,第二导电层15与第一导电层11之间是相互电隔离开的。因此,在形成第三导电层17之前,在第二导电层15与第一导电层11之间存在电压差(因为在制造的过程中,例如,摩擦等原因,会导致第二导电层15和第一导电层11上存在静电,当静电积累到一定程度就会出现静电击穿现象),当该电压差足够高时,就会击穿第二导电层15与第一导电层11之间的第一绝缘层12,这会导致阵列基板上的像素电路短路而受损。
[0005]因此,在现有技术中,在制造薄膜晶体管的过程中,依然会出现静电击穿现象。静电击穿会导致显示装置中的阵列基板上的像素电路受损,严重时会导致阵列基板上的像素电路短路,阵列基板无法正常工作。
[0006]此外,如图1所示,在现有技术中,电连接第三导电层17和第一导电层11的过孔03需要贯穿第一绝缘层12和第二绝缘层13,这导致过孔03的长度较大,难以制作。有时实际形成的过孔03不能完全贯穿第一绝缘层12和第二绝缘层16,这会导致第三导电层17不能电连接到第一导电层11,增加了第三导电层17与第一导电层11之间电断开(OPEN)的概率。

【发明内容】

[0007]本发明的目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面。
[0008]根据本发明的一个目的,提供一种防静电器件,其能够消除不同导电层之间的电位差,有效地防止在不同导电层之间出现静电击穿现象。
[0009]根据本发明的另一个目的,提供一种防静电器件,其能够减小跨接两个导电层的过孔的长度,有效降低了两个导电层之间出现电断开的概率。
[0010]根据本发明的一个方面,提供一种防静电器件,包括:第一导电层;第一绝缘层,形成在所述第一导电层上;有源层,形成在所述第一绝缘层上;刻蚀阻挡层,形成在所述有源层上;第二导电层,形成在所述刻蚀阻挡层上,包括相互隔开的第一部分和第二部分;第二绝缘层,形成在所述第二导电层上;和第三导电层,形成在所述第二绝缘层上,所述第二导电层的第一部分和第二部分分别通过形成在所述刻蚀阻挡层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接,并且分别通过形成在所述第二绝缘层中的第三过孔和第四过孔与所述第三导电层电连接,所述第二导电层的第一部分和第二部分中的一个通过贯穿所述刻蚀阻挡层和所述第一绝缘层的第五过孔与所述第一导电层电连接。
[0011]根据本发明的另一个方面,提供一种阵列基板,包括前述防静电器件。
[0012]根据本发明的另一个方面,提供一种制造前述防静电器件的方法,包括以下步骤:
[0013]在所述第一导电层上形成第一绝缘层;
[0014]在所述第一绝缘层上形成有源层;
[0015]在所述有源层上形成刻蚀阻挡层;
[0016]形成贯穿所述刻蚀阻挡层的第一过孔和第二过孔和形成贯穿所述刻蚀阻挡层和所述第一绝缘层的第五过孔;
[0017]在所述刻蚀阻挡层上形成第二导电层,所述第二导电层的第一部分和第二部分分别通过所述第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接,所述第二导电层的第一部分和第二部分中的一个通过所述第五过孔与所述第一导电层电连接;
[0018]在所述第二导电层上形成第二绝缘层;
[0019]形成贯穿所述第二绝缘层的第三过孔和第四过孔;和
[0020]在所述第二绝缘层上形成第三导电层,所述第三导电层分别通过所述第三过孔和第四过孔与所述第二导电层的第一部分和第二部分电连接。
[0021]在根据本发明的前述各个实施例的防静电器件中,第二导电层通过一个单独的过孔与第一导电层电连接,可以及时消除生产过程中第二导电层与第一导电层之间的电位差,有效防止了在生产过程中出现静电击穿现象。
[0022]在本发明的一个实例性的实施例中,前述防静电器件可以在制造薄膜晶体管的同时同步形成,以避免在制造薄膜晶体管的过程中在不同的导电层之间出现静电击穿。
[0023]此外,在本发明的前述各个实施例中,跨接两个导电层的过孔只需贯穿一层绝缘层,因此,减小了跨接过孔的长度,降低了两个导电层之间出现电断开的概率。
[0024]通过下文中参照附图对本发明所作的描述,本发明的其它目的和优点将显而易见,并可帮助对本发明有全面的理解。
【附图说明】
[0025]图1显示现有技术中的一种防静电器件的剖视图;
[0026]图2显示根据本发明的一个实例性的实施例的防静电器件的剖视图;和
[0027]图3a_3h显示制造图2所示的防静电器件的过程。
【具体实施方式】
[0028]下面通过实施例,并结合附图,对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中,相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释,而不应当理解为对本发明的一种限制。
[0029]另外,在下面的详细描述中,为便于解释,阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地,一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下,公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
[0030]根据本发明的一个总体技术构思,提供一种防静电器件,包括:第一导电层;第一绝缘层,形成在所述第一导电层上;有源层,形成在所述第一绝缘层上;刻蚀阻挡层,形成在所述有源层上;第二导电层,相互隔开的第一部分和第二部分,形成在所述刻蚀阻挡层上;
[0031]其中,所述第二导电层的第一部分和第二部分分别通过形成在所述刻蚀阻挡层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接;
[0032]所述第二导电层的第一部分和第二部分中的一个通过贯穿所述刻蚀阻挡层和所述第一绝缘层的第五过孔与所述第一导电层电连接。
[0033]基于上述结构,相对于现有技术,第一导电层和第二导电层在未设置第三导电层之前即可实现电连接,进而能够消除上述两个不同导电层之间的电位差,有效地防止在不同导电层之间出现静电击穿现象。
[0034]在上述提供的前程结构之上,进一步设置第二绝缘层,形成在所述第二导电层上;和第三导电层,形成在所述第二绝缘层上。所述第二导电层的第一部分和第二部分分别通过形成在所述第二绝缘层中的第三过孔和第四过孔与所述第三导电层电连接。
[0035]如此设置,结合前程结构中的第二导电层与第一导电层的电连接结构,以及第二导电层与第三导电层的电连接结构,替换将现有技术中第一导电层和第三导电层直接贯通的电连接结构,避免了形成长度较大的过孔,降低了第三导电层与第一导电层断路的概率。O
[0036]图2显示根据本发明的一个实例性的实施例的防静电器件的剖视图。
[0037]在本发明的一个实例性的实施例中,公开了一种防静电器件。如图2所示,该防静电器件主要包括第一导电层110、第一绝缘层120、有源层130、刻蚀阻挡层140、第二导电层150、第二绝缘层160和第三导电层170。
[0038]如图2所不,在图不的实施例中,第一绝缘层120形成在第一导电层110上。有源层130通过构图工艺形成在第一绝缘层120上。刻蚀阻挡层140形成在有源层130上。第二导电层150形成在刻蚀阻挡层140上,该第二导电层150包括通过单次构图工艺一次性地形成的第一部分151和第二部分152。第一部分151和第二部分152相互隔开。第二绝缘层160形成在第二导电层150上。第三导电层170形成在第二绝缘层160上。
[0039]请继续参见图2,在图示的实施例中,第二导电层150的第一部分151和第二部分152分别通过形成在刻蚀阻挡层140中的第一过孔10和第二过孔20与有源层130电连接,并且第二导电层150的第一部分151和第二部分152分别通过形成在第二绝缘层150中的第三过孔30和第四过孔40与第三导电层170电连接。
[0040]在本发明的一个实例性的实施例中,如图2所示,第二导电层150的第一部分151和第二部分152中的一个通过贯穿刻蚀阻挡层140和第一绝缘层120的第五过孔50与第一导电层110电连接。在图示的实施例中,第二导电层150的第一部分151通过贯穿刻蚀阻挡层140和第一绝缘层120的第五过孔50与第一导电层110电连接。但是,本发明不局限于图示的实施例,例如,图2中的第二导电层150的第一部分151和第二部分152的位置可以互换。
[0041]在本发明的一个实施例中,如图2所示,第三导电层170可以为由铟锡氧化物(ITO)制成的透明导电层。
[0042]在本发明的一个实施例中,如图2所示,第一绝缘层120和第二绝缘层160可以为由无机绝缘材料制成的钝化保护层。例如,第一绝缘层120和第二绝缘层160可以由二氧化硅Si02、氮化硅SiNx、氮氧化硅S1
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