电子器件的制造方法
【技术领域】
[0001 ]在此公开的技术涉及一种电子器件的制造方法。
【背景技术】
[0002]迄今为止，已知道有一种电子器件，其具备由包括多个层的基板形成的结构体。例如，在专利文献I中公开了一种MEMS (微机电系统)反射镜。该MEMS镜具备镜板、弹簧、可动梳齿、固定梳齿等，该MEMS镜由包括多个硅层的基板形成。
[0003]就专利文献I中的MEMS镜来说，首先加工SOI (Si I icon-on-1nsulator ；绝缘体上硅)基板来形成镜板、弹簧和可动梳齿等。随后，在SOI基板上接合其它基板，并加工该其它基板来形成固定梳齿。再经过其它一些工序，从而制造出MEMS镜。
[0004]专利文献I:日本公开专利公报特开2010-107628号公报
【发明内容】
[0005]—发明要解决的技术问题一
[0006]就利用包括多个层的基板来制造结构体的情况来说，该结构体的制造方法不限于专利文献I中的方法。例如，也有这样的情况:从包括多个层的基板的一面加工该基板后，再从另一面加工该基板。在这样的制造方法中，存在分别从两面加工基板来形成一个结构体的情况。在这样的情况下，一旦从一面加工的部分的位置和从另一面加工的部分的位置之间相互偏离了，就无法准确地形成该结构体。
[0007]在此公开的技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于:即使是从基板的两面分别加工该基板来形成结构体，也高精度地形成结构体。
[0008]—用以解决技术问题的技术方案一
[0009]在此公开的技术是以电子器件的制造方法为对象，在该电子器件的制造方法中，对至少包括第一层和第二层的基板进行蚀刻来形成结构体。该电子器件的制造方法是这样的:包括从所述第一层侧对所述基板进行蚀刻的第一蚀刻工序、在所述基板的所述第二层侧形成掩模的掩模形成工序、以及利用所述掩模从所述第二层侧对所述基板进行蚀刻的第二蚀刻工序，在所述第一蚀刻工序中，将所述结构体中的由所述第一层所构成的部分形成为具有比最终形状还大的形状的预结构，在所述掩模形成工序中，将与所述最终形状对应的掩模形成为布置在所述基板的所述第二层侧而且从所述基板的厚度方向看去时布置在所述预结构内，在所述第二蚀刻工序中，通过利用所述掩模对所述第二层和所述预结构进行蚀刻，从而形成所述最终形状。
[0010]在此，所述掩模形成工序不是一定要在第一蚀刻工序之后进行，也可以在第一蚀刻工序之前进行。此外，“最终形状”是指进行了第二蚀刻工序后的结构体的形状，即使在第二蚀刻工序后对该结构体进行了某种处理或加工，“最终形状”也不是指进行了该处理或加工后的形状。此外，“利用掩模进行蚀刻”不限于使用该掩模本身来进行蚀刻这样的情况，也包括使用该掩模来形成其它掩模，并使用该其它掩模来进行蚀刻这样的情况。
[0011]—发明的效果一
[0012]根据所述电子器件的制造方法，能够高精度地形成结构体
【附图说明】
[0013]图1是镜器件的俯视图。
[0014]图2是镜器件的剖视示意图。
[0015]图3是SOI基板的剖视图。
[0016]图4是示出在SOI基板上形成S12膜的工序的图。
[0017]图5(A)?(C)是示出在镜预结构上形成镜面层的工序的图，图5(A)示出使用第一抗蚀剂掩模来对S12膜的一部分进行蚀刻的工序，图5(B)示出形成Au/Ti/Pt膜的工序，图5(C)示出除去S12膜上的Au/Ti/Pt膜的工序。
[0018]图6(A)?(C)是示出第一蚀刻工序的图，图6(A)示出形成第二抗蚀剂掩模的工序，图6(B)示出对第一硅层进行蚀刻的工序，图6(C)示出从第一硅层侧对氧化膜层进行蚀刻的工序。
[0019]图7是示出在SOI基板上接合玻璃基板的工序的图。
[0020]图8是示出在第二硅层上形成S12膜的工序的图。
[0021 ]图9示出在第二硅层上形成第二对准标记的工序的图。
[0022]图10(A)、(B)是示出形成氧化膜掩模的工序的图，图10(A)示出形成第四抗蚀剂掩模的工序，图10(B)示出对S i02膜进行蚀刻的工序。
[0023]图1l(A)?(C)是示出形成第五抗蚀剂掩模的工序的图，图1l(A)示出布置光掩模的工序，图1l(B)示出形成第五抗蚀剂掩模的工序，图1l(C)示出成形氧化膜掩模的工序。
[0024]图12(A)、(B)是示出使用最终掩模进行蚀刻的工序的图，图12(A)示出对第二硅层进行蚀刻的工序，图12(B)示出对氧化膜层进行蚀刻的工序。
[0025]图13(A)、(B)示出将预结构形成为最终形状的工序的图，图13(A)示出将第四抗蚀剂掩模剥离的工序，图13(B)示出对第一硅层和第二硅层中的不需要的部分进行蚀刻的工序。
[0026]图14是示出将氧化膜层中的不需要的部分和氧化膜掩模除去的工序的图。
[0027]图15是示出进行引线键合的工序的图，并且图15示出形成电极和镜面层的工序。
[0028]图16(A)?(C)是用来说明位置偏离地形成最终掩模的状况的图，图16(A)示出偏离地布置光掩模的状态，图16(B)示出偏离地形成第四抗蚀剂掩模的状态，图16(C)示出偏离地形成最终掩模的状态。
[0029]图17(A)、(B)是示出使用偏离了的最终掩模来进行蚀刻的状况的图，图17(A)示出对第二硅层和氧化膜层进行了蚀刻的状态，图17(B)示出第一硅层和第二硅层中的不需要的部分被蚀刻后的状态。
[0030]图18是示出进行了第一变形例所涉及的制造方法中的第一蚀刻工序后的SOI基板的、沿图1中的A-A线剖开的剖视图。
[0031]图19是示出形成了最终掩模的SOI基板的剖视图。
[0032]图20是剖视图，其示出即将除去第二硅层和氧化膜层中的不需要的部分、以及预结构中的不需要的部分之前的SOI基板。
[0033]图21示出制成的镜器件的剖视图。
[0034]图22示出进行了第二变形例所涉及的制造方法中的第一蚀刻工序后的SOI基板的、沿图1中的A-A线剖开的剖视图。
[0035]图23示出形成了最终掩模的SOI基板的剖视图。
[0036]图24是剖视图，其示出即将除去第二硅层和氧化膜层中的不需要的部分、以及预结构中的不需要的部分之前的SOI基板。
【具体实施方式】
[0037]以下，根据附图详细地说明示例性实施方式。
[0038]图1示出镜器件100的俯视图，图2示出镜器件100的剖视示意图。需要说明的是，在图2中，以剖视图的方式示意地示例出镜器件100的一部分结构体。因此，在图2中，没有正确地示出结构体的形状、位置关系。
[0039][镜器件的结构]
[0040]镜器件i00具备:框状基部I;反射镜2;框体3;将反射镜2和框体3连结起来的第一铰链4、4;将框体3和基部I连结起来的第二铰链5、5;驱动框体3相对于反射镜2移动的第一内侧驱动电极6A和第二内侧驱动电极6B;驱动基部I相对于框体3移动的第一外侧驱动电极?第四外侧驱动电极7A?7D;对反射镜2的倾动进行控制的控制部(省略图示)。镜器件100使反射镜2绕着相互正交的主轴X和副轴Y倾动。镜器件100是电子器件的一个例子。
[0041 ] 如图2所示，该镜器件100是使用S0I(Silicon on Insulator)基板200制造而成的。SOI基板200是由硅形成的第一硅层210、由Si02(二氧化硅)形成的氧化膜层220、以及由硅形成的第二硅层230按第一硅层210、氧化膜层220、第二硅层230的顺序层叠起来而构成的。需要说明的是，在图1中，对由第二硅层230构成的、能够在俯视时目视辨认出来的部分标注了影线。需要说明的是，在反射镜2的上表面上设有后述镜面层22，但在图1中对反射镜2标注了影线。
[0042]基部I形成为大致长方形的框状。在基部I的大致中央处形成有大致正方形的开口。将与基部I的长边平行地延伸且通过反射镜2的重心G的轴设为X轴，将与基部I的短边平行地延伸且通过反射镜2的重心G的轴设为Y轴。大部分的基部I是由第一硅层210、氧化膜层220以及第二硅层230所形成的。
[0043]框体3形成为大致正方形的框状。框体3布置在基部I的大致中央处的开口内。在框体3的大致中央处形成有大致正方形的开口。框体3具有与X轴平行地延伸的第一边部31和第三边部33、以及与Y轴平行地延伸的第二边部32和第四边部34。第一边部31上的两端部以外的部分(以下也称为“中间部分”)和第三边部33上的两端部以外的部分(以下也称为“中间部分”)是由第一硅层210所形成的。第一边部31上的两端部和第三边部33上的两端部、以及第二边部32和第四边部34是由第一硅层210、氧化膜层220和第二硅层230所形成的。
[0044]反射镜2形成为大致圆形的板状。如图2所示，反射镜2具有:镜本体21;层叠在镜本体21的上表面上的镜面层22;层叠在镜本体21的下表面上的镜面层23。镜本体21是由第一硅层210所形成的。镜面层22、23是由Au/Ti/Pt膜所形成的。镜面层23具有使在镜本体21的上表面上产生的、由镜面层22所引起的膜应力平衡的功能。由此，能够提高镜本体21乃至镜面层22的平面度。
[0045]第一铰链4设置在夹着反射镜2的重心G相对置的位置上。具体而言，第一铰链4布置在反射镜2的周缘部上的、位于Y轴上的部位。第一铰链4的一端与反射镜2相连结，第一铰链4的另一端与框体3相连结。一个第一铰链4与框体3的第一边部31上的长度方向大致中央处相连结。另一个第一铰链4与框体3的第三边部33上的长度方向大致中央处相连结。第一铰链4在反射镜2与框体3的第一边部31之间或反射镜2与框体3的第三边部33之间弯曲着延伸。由此，第一铰链4构成为能够容易地变形。第一铰链4是由第一硅层210所形成的。
[0046]第二铰链5设置在夹着反射镜2的重心G相对置的位置上。具体而言，第二铰链5布置在框体3的周缘部上的、位于X轴上的部位。也就是说，在绕着反射镜2的重心G旋转的方向上，第一铰链4与第二铰链5每隔90度交替地布置着。第二铰链5的一端与框体3相连结，第二铰链5的另一端与基部I相连结。一个第二铰链5与框体3的第二边部32上的长度方向大致中央处相连结。另一个第二铰链5与框体3的第四边部34上的长度方向大致中央处相连结。第二铰链5在框体3的第二边部32与基部I之间或框体3的第四边部34与基部I之间弯曲着延伸。由此，第二铰链5构成为能够容易地变形。第二铰链5是由第一硅层210、氧化膜层220和第二硅层230所形成的。
[0047]在框体3的内侧上的两个位置设有第一内侧驱动电极6A和第二内侧驱动电极6B。具体而言，第一内侧驱动电极6A设在框体3的第二边部32、以及反射镜2上的与第二边部32相对置的部分上。第二内侧驱动电极6B设在框体3的第四边部34、以及反射镜2上的与第四边部34相对置的部分上。以下，在不区别各内侧驱动电极6时，单纯地称为“内侧驱动电极6”。由于第一内侧驱动电极6A和第二内侧驱动电极6B的结构相同，因此以下对第一内侧驱动电极6A的结构进行说明。
[0048]第一内侧驱动电极6A具有内侧固定梳齿电极61和内侧可动梳齿电极62。内侧固定梳齿电极61设在框体3的第二边部32上。内侧可动梳齿电极62设在反射镜2上的与第二边部32相对置的部分上。内侧固定梳齿电极61是第一梳齿电极的一个例子，内侧可动梳齿电极62是第二梳齿电极的一个例子。
[0049]内侧固定梳齿电极61具有从第二边部32向反射镜2延伸的多根电极指63。多根电极指63与X轴方向平行地延伸，并且在Y轴方向上留有规定间隔地排列着。电极指63是由第二硅层230所形成的。
[0050]内侧可动梳齿电极62具有从反射镜2向外侧延伸的多根电极指64。多根电极指64与X轴方向平行地延伸，并且在Y轴方向上留有规定间隔地排列着。一部分电极指64设在从反射镜2起与Y轴平行地延伸的延长部65上。俯视时，各电极指64进入相邻的两个电