液晶显示面板的制作方法

液晶显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明提出一种显示面板，包括第一基板、与第一基板相对设置的第二基板以及位于第一、第二基板之间的液晶层。第一基板包括一第一基材、多条扫描线和多条数据线交错设置于该第一基材上，且任两相邻的该多条扫描线和任两相邻的该多条数据线定义出一像素区域，像素区域中具有一第一透明导电层位于该第一基材上方，一绝缘层位于该第一透明导电层上，和一第二透明导电层位于绝缘层上。第二基板包括一第二基材和一第三透明导电层设置于第二基材上。
【专利说明】
液晶显示面板
技术领域
[0001] 本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种液晶显示面板。
【背景技术】
[0002] 具有显示面板的电子产品已是现代人不论在工作处理学习上、或是个人休闲娱乐 上，不可或缺的必需品，包括智能手机（Smadphone)、平板电脑（Pad)、笔记本电脑 (Notebook)、显示器(Monitor)到电视(TV)等许多相关产品。其中又W液晶显示面板最为普 遍。
[0003] 液晶显示面板化CD)是利用电压驱动液晶化C)转动进而调整亮度灰度而可构成一 种平面显示器、电子视觉显示器，及影像显示器。由于液晶显示面板在绝大多数应用上具有 更简洁、更轻盈、可携带、更低价、更高可靠度、W及让眼睛更舒适的功能，已经广泛地取代 了阴极射线管显示器(CRT),成为最广泛使用的显示器，同时提供多样性包括尺寸、形状、解 析度等多种选择。然而，显示装置在制作时可能由于制程上的轻微变异却影响到显示装置 的显示品质。因此在制作时需注意制程上的细节，并考虑到制得的显示装置是否都能具有 稳定良好的电子特性和符合产品要求的各项规格，例如符合高穿透率、高良率、良好可靠度 和显示品质稳定等要求，然而运些特性可能由于受到制程变异的影响而无法达到。

【发明内容】

[0004] 本发明的目的是提出一种显示面板，不但可W增加穿透率，且可使得显示装置不 易受到制程变异的影响，使显示品质稳定，进而提高生产良率。
[0005] 根据本发明一实施例，提出一种显示面板，包括一第一基板、与第一基板相对设置 的一第二基板W及位于第一基板与第二基板之间的一液晶层。第一基板包括一第一基材、 多条扫描线和多条数据线交错设置于该第一基材上，且任两相邻的运些扫描线和任两相邻 的运些数据线定义出一像素区域，像素区域中具有一第一透明导电层位于该第一基材上 方，一绝缘层位于该第一透明导电层上，和一第二透明导电层位于绝缘层上。第二基板包括 一第二基材和一第Ξ透明导电层设置于第二基材上。
【附图说明】
[0006] 为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，W下结合附图对本发明的具 体实施方式作详细说明，其中：
[0007] 图1为本发明第一实施例的一 PSVA模式的液晶显示面板的简单示意图。
[000引图2A-2C绘示第一实施例的显示面板中可应用的Ξ种ΜΙΤΟ与TITO配置的剖面简示 图。
[0009] 图3为第一实施例的一种显示面板单一像素区域中ΜΙΤΟ图案与TITO图案的上视 图。
[0010] 图4A、4B分别绘示一实施例中应用单一绝缘层和多层绝缘层堆叠于第一透明导电 层和第二透明导电层之间的示意图。
[0011] 图5A简示一种传统低色偏模式显示的液晶显示面板的单一像素的简示图。
[0012] 图5B、5C图分别为本发明第二实施例的一 LCS显示的液晶显示面板的单一像素的 简单示意图。
[001引图6为第二实施例的一种显示面板中单一像素区域中的ΜΙΤΟ图案与ΤΙΤΟ图案的上 视图。
[0014]图7为第二实施例的另一种显示面板中单一像素区域中的ΜΙΤΟ图案与TITO图案的 上视图。
[001引图8为第二实施例的再一种显示面板中单一像素区域中的ΜΙΤΟ图案与TITO图案的 上视图。
[0016]图9为实施例中显示面板的整面ΜΙΤΟ和上方的图案化TITO其中两种模拟条件的电 压-穿透率曲线(V-T curve)图。
[0017]图10为Ξ实施例的一种显示面板中单一像素区域中的ΜΙΤΟ图案与TITO图案的上 视图。
[001引图中元件标号说明如下：
[0019] S1:第一基板
[0020] 11:第一基材
[0021] 13、13'：第一透明导电层
[0022] 131:第一整面部分
[0023] 132:第二整面部分
[0024] 13S:第一狭缝 [00巧]14:绝缘层
[00%] 141:有机材料绝缘层
[0027] 142:无机材料绝缘层
[002引 15、15'：第二透明导电层
[0029] 15S:第二狭缝
[0030] 16:接触孔
[0031] Ml:第一金属层
[003^ M2:第二金属层
[0033] TFT:晶体管
[0034] TFT1:第一晶体管
[0035] TFT2:第二晶体管
[0036] S2:第二基板
[0037] 21:第二基材
[0038] 23:第Ξ透明导电层
[0039] PX:像素区域
[0040] LC:液晶层 [OOW SL扫描线
[0042] DL、DL1、DL2:数据线
[0043] Com:提供共同电压的走线
[0044] El:第一垂直电场
[0045] E2:第二垂直电场
[0046] A:亮区
[0047] B:暗区
[004引 3E:电极重叠区
[0049] 阳:像素电极区
【具体实施方式】
[0050] 本发明的实施例提出一种显示面板，通过特殊的电极设计，使显示装置可W具有 更高的穿透率，且达到稳定且不易受到制程变异影响的显示品质，进而提高产品良率。再 者，应用实施例的电极设计的显示面板仍然符合一般应用产品的需求，例如具有良好开口 率。且与现有制程相容性高，因此实施例所提出的设计不但可W使制得的显示面板具有稳 定优异的显示品质，也十分适合量产。
[0051] W下参照附图详细叙述本发明的其中几组实施态样。本发明的实施例例如是应用 于高分子稳定垂直配向（Polymer Sl:abilization Ve;rtical-Alignment，PSVA)模式的液晶 显示面板。需注意的是，实施例所提出的多组实施态样的结构和内容仅为举例说明之用，本 发明欲保护的范围并非仅限于所述的运些态样。需注意的是，本发明并非显示出所有可能 的实施例，相关领域者可在不脱离本发明的精神和范围内对实施例的结构加 W变化与修 饰，W符合实际应用所需。因此，未于本发明提出的其他实施态样也可能可W应用。再者，附 图是已简化W利清楚说明实施例之内容，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘 审IJ。因此，说明书和图示内容仅作叙述实施例之用，而非作为限缩本发明保护范围之用。再 者，实施例中相同或类似的标号是用W标示相同或类似的部分。
[0052] 另外，说明书与权利要求中所使用的序数例如"第一 V'第二V'第三'等的用词， W修饰权利要求的元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表 某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，运些序数的使用仅用来使 具有某命名的一请求元件得W和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
[0053] <第一实施例〉
[0054] 图1为本发明第一实施例的一PSVA模式的液晶显示面板的简单示意图。一显示面 板包括一第一基板S1、与第一基板S1相对设置一第二基板S2和设置于第一基板S1与第二基 板S2之间的一液晶层LC。第一基板S1和第二基板S2例如分别是一薄膜晶体管基板（TFT subs化ate)和一彩色滤光片基板（CF substrate)，W下W此作实施例的相关结构说明。但 本发明并不W此种形态及绘示的细部结构为限。
[0055] 如图1所示，一实施例中的第一基板S1包括一第一基材11、一第一透明导电层13位 于第一基材上方11、一绝缘层14位于第一透明导电层13上和一第二透明导电层15位于绝缘 层14上。其中，第一基材11上更包括多条图案化走线（如栅极线和数据线等）与多个晶体管 依照像素设计而形成于第一基材11上。第二透明导电层15例如是一图案化的氧化铜锡 (IT0)层(例如有多个狭缝），用W做为像素电极。而本发明的实施例中是配置一第一透明导 电层13于第二透明导电层15下方，并通过绝缘层14与第二透明导电层15相隔开。于第一实 施例中，第一透明导电层13可为一整面的口ο层(化11 ΙΤΟ)，例如TN mode液晶使用无 fine si it的IT0图案。因此，对于第一基板S1而言，第一透明导电层13又可称为一中间IT0(简称 ΜΙΤΟ),而第二透明导电层15又可称为一上方IT0(简称ΤΙΤΟ)。
[0056] 再者，与第一基板S1相对设置的第二基板S2可包括一第二基材21与一第Ξ透明导 电层23设置于第二基材21上。于一实施例中，第Ξ透明导电层23为一整面的ΙΤ0层（full IT0)。当然，第二基材21上还有许多未绘示的其他结构例如遮光层(或称黑色矩阵）、彩色光 阻层、其他保护层W及间隔物等等。W间隔物为例，第二基板S2与第一基板S1之间是借由间 隔物的设置而维持实质上等距的间隔山611 gap),而令液晶层LC的液晶分子填充于第二基 板S2与第一基板S1之间。其他层与结构的配置与作用为本技术领域人员所周知，在此不多 寶述。
[0057] 于第一实施例中，第一透明导电层13可与第二透明导电层15电性连接。当进行显 示面板操作时，第一透明导电层13与第二透明导电层15可获得相同电压，此时第一透明导 电层13和第Ξ透明导电层23之间产生一第一垂直电场E1，第二透明导电层15和第Ξ透明导 电层23之间产生一第二垂直电场E2。由于PSVA模式的液晶显示面板中，液晶分子的倾倒是 靠第二透明导电层15的图案，利用电场的力的方向性去引导液晶分子作排列。而本发明提 出的设计可使垂直电场的强度增加，增强垂直方向的配向力，使液晶分子倾倒时方向性会 更强，除了响应速度良好，更提高了穿透率。
[0058] 第一透明导电层13与第二透明导电层15的连接方式有许多种，W下举其中巧中态 样做说明。请参照图2A-2C，其绘示第一实施例的显示面板中可应用的Ξ种ΜΙΤΟ与TITO配置 的剖面简示图。绝缘层14上方的图案化的第二透明导电层15可通过接触孔16与下方的图案 化的第二金属层M2(例如是定义出源极/漏极区域)连接，而绝缘层14上方的第一透明导电 层13可W通过与接触孔16连接(如图2A、2B所示）、或是与图案化的第二金属层M2连接(如图 2C所示），而完成与图案化的第二透明导电层15的电性连接。当然，图案化的第二金属层M2 到基材之间有许多未绘示的其他结构例如图案化的第一金属层、栅极绝缘层、有源层W及 其他保护层等等，运些层结构（包括TFT)与配置为本技术领域人员所周知，故在此不多寶 述。
[0059] 图3为第一实施例的一种显示面板单一像素区域中ΜΙΤΟ图案与TITO图案的上视 图。于第一基板S1中具有多条扫描线（scan line)化和多条数据线(data line)化交错设置 于第一基材11上，且任两相邻的扫描线和任两相邻的数据线定义出一像素区域PX。而薄膜 晶体管TFT设置于邻近于扫描线化与数据线化的交错处，是用W控制像素区域PX且与数据 线化电性连接的一开关元件。像素区域PX中例如更包括了可提供共同电压的走线Com,对于 较大尺寸的面板可W维持或提高共同电压施加的均匀性。然而，像素中是否具有走线Com都 属本发明可应用的实施态样。
[0060] 如图3所示，Μ 口0(i.e.第一透明导电层13)图案是一整面口0，TIT0(i.e.第二透明 导电层15)图案为具有多个狭缝的一图案化口 0,而电性连接的ΜΙΤΟ与ΤΙΤΟ皆受此颗薄膜晶 体管TFT的控制。再者，第一实施例中，MITOa.e.第一透明导电层13)的覆盖面积实质上等 于TITOa.e.第二透明导电层15)的覆盖面积;MITOa.e.第一透明导电层13)的覆盖面积接 近或等于像素区域PX的面积。
[0061] 另外，本发明的实施例的绝缘层14可W是单一绝缘层或是一复合绝缘层。而复合 绝缘层例如是包括多层无机材料绝缘层、或是包括有机材料绝缘层和无机材料绝缘层的堆 叠。图4A、4B分别绘示一实施例中应用单一绝缘层和多层绝缘层堆叠于第一透明导电层和 第二透明导电层之间的示意图。如图4A所示，位于整面MITOa.e.第一透明导电层13)和图 案化TITOa.e.第二透明导电层15)之间的绝缘层14例如是无机材料绝缘层，其厚度于一实 施例中例如是1000A~40觸A，于另一实施例中例如是15 00A~2 500A，但本发明并不限 制于运些范围，可依照实际应用的条件和需求做适当厚度的选择和调整，使第一透明导电 层13和第二透明导电层15之间相距的距离不会过大而影响第一透明导电层13的表现，但又 不会过小而影响第二透明导电层15的表现。而位于整面mTOa.e.第一透明导电层13)下方 的另一绝缘层12,其厚度例如是2000A~5000A，但本发明并不限制于此，可依照实际应 用的条件所需做选择。而绝缘层14和12可选用相同或不同的无机材料，例如是SiOx或是 Si化或是其他可应用的材料。
[0062] 另外，位于整面MITOQ.e.第一透明导电层13)和图案化TITOQ.e.第二透明导电 层15)之间的绝缘层14可W是复合绝缘层，如图4B所示，绝缘层14包括至少一有机材料绝缘 层141和一无机材料绝缘层142。有机材料绝缘层141可W是单一或多层有机材料层。于一实 施例中，无机材料绝缘层142的厚度可为1 qoqA~4Q0QA或是1500A~巧001，有机材料 绝缘层141的厚度可为3000A~8000A.，当然本发明并不仅限于上述提出的材料和厚度范 围，亦可选用其他有机材料或是无机材料或其组合并在适当厚度下来制作绝缘层14。再者， 于一应用例中，第二基板S2与第一基板S1之间可填充液晶分子的间隔（cell gap)例如是 260皿~360皿，图案化TITO的间距(pitch)例如是扣m~11皿，图案化TITO的狭缝宽度例如 是"间距-2"~"间距/4"。上述提出的各种数值仅为举例说明，非限制之用。
[0063] 根据上述，本发明提出的设计除了可使垂直电场的强度增加，增强垂直方向的配 向力，提高了像素穿透率之外，Ξ电极(i.e.第一透明导电层13/第二透明导电层15/第Ξ透 明导电层23)的设置更可使显示面板的显示品质更稳定，而不容易受到制程变异的影响，进 而提局广品良率。
[0064] W下提出几组模拟试验，对电极设计做变化，包括设置或不设置第一透明导电层 13、改变基板之间的间隔(cell gap)、调整第二透明导电层15的枝状电极(jag)宽度和狭缝 (slit)宽度等条件参数，并观察和量测像素区域的穿透率。模拟结果列于下方表一。
[00化]表1
[0066]
[0067] *CF/TFT电压:第二基板电压/第一基板电压
[006引 *穿透率增加百分比（T gain%) = [(S电极穿透率/对照组穿透率)-1]*100% (附件为表1中加入各模拟试验结构的像素区域电子显微镜图片）。
[0069] 根据表1的模拟结果可看出，实施例的Ξ电极设计中所测得的穿透率（由左至右依 序为 19.79%、19.87%、19.87%、19.89%、20.06%、20.15%)，运些穿透率结果都高于非Ξ 电极设计的对照组（即没有设置第一透明导电层13,仅有第二透明导电层15和第Ξ透明导 电层23)中具有相同其他模拟参数所测得的穿透率（由左至右依序为18.60%、17.78%、 16.59%、19.35%、18.93%、18.09%)。而应用实施例的Ξ电极设计对穿透率的提升十分显 著，甚至可高达19.780%。
[0070] 再者，观察实施例的Ξ电极设计中所测得的穿透率结果，不论是改变基板之间的 间隔（cell gap,从3.5皿缩小至3.25皿）、或是调整第二透明导电层15的枝状电极（jag)宽 度和狭缝(slit)宽度等条件参数，所测得的穿透率都高过19%，且数值差异不大。相较于对 照组其穿透率的变化，实施例的Ξ电极设计的穿透率结果表现都相对稳定得多。因此，可W 证明实施例的Ξ电极设计的确可W提高像素穿透率，而且穿透率的表现亦不受制程变异的 影响。
[0071] 除了上述优点，由于应用实施例的电极设计的显示面板仍然符合一般应用产品的 需求，例如具有良好开口率，且与现有制程相容性高，因此实施例所提出的Ξ电极设计也可 提高产品良率。
[0072] 第二实施例
[0073] 本发明亦可应用于一低色偏（low color shift、LCS)模式显示的液晶显示面板 中。请参照图5A，其简示一种传统低色偏模式显示的液晶显示面板的单一像素的简示图。其 于单一像素区域内具有亮区A和暗区B，侧看显示面板时通过此两区可W产生相互补偿的效 果，而达到降低色偏的目的。而第二实施例中，是利用上下电极在空间上部分重叠的方式来 产生LCS模式显示的亮区和暗区。请参照图5B、5B，其分别为本发明第二实施例的一 LCS显示 的液晶显示面板的单一像素的简单示意图。可参考上述如图1所示的Ξ电极（i.e.第一透明 导电层13/第二透明导电层15/第Ξ透明导电层23)的剖面设置与相关说明。图5B、5C中整面 Μ 口 0(i.e.第一透明导电层13)和图案化TITOa.e.第二透明导电层15,做为像素电极)具有 不同图案，例如整面ΜΙΤΟ的覆盖面积小于图案化ΤΙΤΟ的覆盖面积，可W将像素区域PX内第 一透明导电层与第二透明导电层的电极重叠区3Ε(即，像素区域ΡΧ内具有Ξ电极的位置)设 置于对应像素区域ΡΧ的中段(middle section)。而图5B、5C的区别在于：图5Β中电极重叠区 3E与像素电极区PE电性连接至同一条数据线化，图5C中电极重叠区3E与像素电极区PE则分 别电性连接至不同条的数据线化1和化2。
[0074] 图6为第二实施例的一种显示面板中单一像素区域中的ΜΙΤΟ图案与ΤΙΤΟ图案的上 视图。其中，是W两条数据线(第一数据线化1和第二数据线化2)控制此像素区域。如图6所 示，整面MITOa.e.第一透明导电层13)是位于像素区域ΡΧ的中段，面积小于图案化TITO (i.e.第二透明导电层15)，且电性连接至第一晶体管TFT1。而具狭缝的图案化TITOa.e.第 二透明导电层15)则电性连接至第二晶体管TFT2。另外，整面ΜΙΤΟ的形状没有特别限制，除 了图6中所示的拟蝴蝶形状(butterfly-1化e shape,且斜边延伸方向可与TITO狭缝的延伸 方向相同），也可W是六边形、长方形或是其他形状。本发明对此并不多做限制。
[0075] 图7为第二实施例的另一种显示面板中单一像素区域中的ΜΙΤΟ图案与TITO图案的 上视图。图7中，仍W两条数据线(第一数据线DL1和第二数据线化2)控制此像素区域，但是 不同于图6，MIT0(i.e.第一透明导电层13)包括相互隔绝的一第一整面部分(first full section)131和一第二整面部分132,其中第二整面部分132是围绕于第一整面部分131之外 侧，且第一整面部分131和第二整面部分132是分别电性连接至像素区域的第一晶体管TFT1 和第二晶体管TFT2。一实施例中，第一整面部分131和第二整面部分13巧日起来的面积可W 是接近像素区域PX的面积。至于具狭缝的图案化TITOa.e.第二透明导电层15)亦是电性连 接至第二晶体管TFT2。因此，Μ 口0的第二整面部分132和具狭缝的图案化TITO同时连接至第 二晶体管TFT2，而ΜΙΤΟ的第一整面部分131和第二整面部分132是独立控制的。
[0076] 图8为第二实施例的再一种显示面板中单一像素区域中的ΜΙΤΟ图案与TITO图案的 上视图。不同于图6、7使用两条数据线控制此像素区域，图8中是W单一条数据线进行像素 区域控制，但是可W通过如图中所示的走线和相关导通孔的设计配置而达到整面ΜΙΤΟ和上 方的图案化TITO可分别给予不同的操作电压。
[0077] 另外，进行显示面板的操作时，整面MITOa.e.第一透明导电层13)和图案化ΤΙΤΟ (i.e.第二透明导电层15,做为像素电极)可W分别施加不同电压，W形成亮暗区。整面ΜΙΤΟ 和图案化ΤΙΤΟ也可分别施加相同电压，通过第一、第二透明导电层的电极重叠区3Ε于像素 区域ΡΧ中面积比例的调整，亦可形成亮暗区。一实施例中，进行操作时，该第一透明导电层 施加电压Vmito,第二透明导电层施加电压Vtito,其中两者压差例如是:0引Vmito-Vtito I含4。
[0078] 如第二实施例所提出的电极结构，相较于传统LCS显示模式的液晶显示面板，除了 可扩大有源区域面积(active area)和提局穿透率，W及增加广品良率和稳定显不品质等 多项优点，其利用整面ΜΙΤΟ和上方的图案化ΤΙΤΟ电性独立可W分开控制的电极设计，可W 应用于LCS显示模式的液晶显示面板中，使单一像素区域可形成暗区及亮区，改善侧看时可 能产生的色偏现象。
[0079] 图9为实施例中显示面板的整面ΜΙΤΟ和上方的图案化TITO其中两种模拟条件的电 压-穿透率曲线(V-T curve)图。其中曲线（I)为整面ΜΙΤΟ和上方的图案化TITO施加相同电 压的V-T曲线，曲线（II)为整面ΜΙΤΟ的施加电压等于上方的图案化TITO施加电压-2V的V-T 曲线。曲线（I)不同于曲线（II)。在第一实施例中，电性连接的整面ΜΙΤΟ和上方的图案化 TITO是获得相同电压，可得到高穿透率。而第二实施例中，独立控制的整面ΜΙΤΟ和上方的图 案化ΤΙΤΟ,随着施加电压的压差增加，两者之间的水平电场可能会使得穿透率下降。实际应 用时，可W利用如图9所示的电压-穿透率曲线来观察像素穿透率随着ΜΙΤΟ施加电压改变的 变化，进而控制像素穿透率。
[0080] 第Ξ实施例
[0081] 在前述第一、二实施例中，都是W整面ΜΙΤΟ做说明，然而本发明并不W此为限。设 置于图案化TITOa.e.第二透明导电层15,做为像素电极)下方的ΜΙΤΟ也可W是具有狭缝的 图案化ΙΤ0。图10为Ξ实施例的一种显示面板中单一像素区域中的ΜΙΤΟ图案与TITO图案的 上视图。如图10所示，第一透明导电层13'具有多个第一狭缝13S，第二透明导电层15'具有 多个第二狭缝15S，且第一狭缝13S和第二狭缝15S的位置在上下空间中是相互错开的。其中 运些第一狭缝13S的延伸方向是与运些第二狭缝15S的延伸方向相同。
[0082] 根据上述，本发明提出的Ξ电极设计（i.e.第一透明导电层13/第二透明导电层 15/第Ξ透明导电层23)，相较于传统的PSVA或是搭配LCS模式显示的液晶显示面板，本发明 除了可W增加垂直电场的强度，使垂直方向的配向力增强，有效地达到提高像素穿透率的 效果，而且Ξ电极的设置更可使显示面板的显示品质明显地不容易受到制程变异的影响， 显示品质稳定，进而提高产品良率。再者，由于应用实施例的电极设计的显示面板仍然符合 一般应用产品的需求，例如具有良好开口率，且与现有制程相容性高，十分适合量产。
[0083] 虽然本发明已W较佳实施例掲示如上，然其并非用W限定本发明，任何本领域技 术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范 围当W权利要求书所界定的为准。
【主权项】
1. 一种显不面板，包括： 一第一基板，包括； 一第一基材； 多条扫描线和多条数据线，设置于该第一基材上，且任两相邻的该多条扫描线和任两 相邻的该多条数据线定义出一像素区域，该像素区域中具有： 一第一透明导电层，位于该第一基材上； 一绝缘层，位于该第一透明导电层上;和 一第二透明导电层，位于该绝缘层上； 一第二基板，与该第一基板相对设置，该第二基板包括一第二基材和一第三透明导电 层，该第三透明导电层设置于该第二基材上;和 一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间。2. 如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，操作该显示面板时，该第一透明导电层 和该第三透明导电层之间产生一第一垂直电场，该第二透明导电层和该第三透明导电层之 间产生一第二垂直电场。3. 如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一透明导电层为一整面膜层，该第 二透明导电层为一图案化膜层。4. 如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，该第一透明导电层的覆盖面积实质上等 于该第二透明导电层的覆盖面积。5. 如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一透明导电层和该第二透明导电层 具有不同图案。6. 如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，该第一透明导电层的覆盖面积小于该第 二透明导电层的覆盖面积。7. 如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，该第一透明导电层包括相互隔绝的一第 一整面部分和一第二整面部分，该第一整面部分和该第二整面部分是分别电性连接至该像 素区域的一第一晶体管和一第二晶体管。8. 如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，该第二透明导电层是电性连接至该第二 晶体管。9. 如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，该第一透明导电层具有多个第一狭缝， 该第二透明导电层具有多个第二狭缝，且该多个第一狭缝和该多个第二狭缝的位置是相互 错开。10. 如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，该多个第一狭缝的延伸方向与该多个 第二狭缝的延伸方向相同。11. 如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一透明导电层与该第二透明导电 层电性连接。12. 如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一透明导电层与该第二透明导电 层是独立控制。13. 如权利要求12所述的显示面板，其特征在于，进行操作时，该第一透明导电层施加 电压Vmitq，该第二透明导电层施加电压Vtitq，其中0< |Vmitq-Vtitq|《4。14. 如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，位于该第一透明导电层和该第二透明 导电层的该绝缘层为一复合绝缘层，该复合绝缘层包括多层无机材料绝缘层、或包括至少 一有机材料绝缘层和一无机材料绝缘层。
【文档编号】G02F1/1343GK105824157SQ201510859260
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年11月30日
【发明人】李欣育, 杨清喆, 高振宽
【申请人】群创光电股份有限公司