液晶显示装置的制造方法

液晶显示装置的制造方法
【专利摘要】在本发明的液晶显示装置中，在一面上具有电极及光配向膜的两张基板的各自一面是相对的；在光配向膜之间具有包括垂直配向型的液晶材料的液晶层；在基板的面方向上形成有多个矩阵状的像素区域，各个像素区域具有根据两个光配向膜规定的基准配向方向各自不同的至少两个液晶象限。一侧的电极(2)具有在和各液晶象限对应的区域内，以和各自的基准配向方向平行的方式延伸的倾斜狭缝(21)。而且，在行方向排列的液晶象限的边界部分，设置有在列方向延伸的纵狭缝(22)，在列方向排列的液晶象限的边界部分设置有在行方向延伸的横狭缝(23)。纵狭缝(22)及横狭缝(23)和倾斜狭缝(21)不连续，从倾斜狭缝(21)独立出来。
【专利说明】
液晶显示装置
技术领域
[0001] 本发明涉及电视接收机、个人计算机等具有的液晶显示装置。
【背景技术】
[0002] 在显示装置中，液晶显示装置具有薄型、耗电量低的特征。液晶显示装置的显示面 板，其具有彩色滤光片(CF :Col〇r Filter)基板、液晶层、有源矩阵基板(TFT(薄膜晶体管） 基板）、2张偏光板。CF基板和有源矩阵基板通过夹住密封材料而互相贴合在一起，在所述CF 基板和有源矩阵基板中间注入液晶来形成液晶层。有源矩阵基板在液晶层侧具有像素电 极，CF基板在液晶层侧具有共用电极。2张偏光板配置在CF基板及有源矩阵基板的各自的和 液晶层侧相反一侧的面上。
[0003] 使用了作为液晶材料的垂直配向型的材料的液晶显示装置，称为V A (V e r t i c a 1 Alignment:垂直配向）模式的液晶显示装置。为了在这样的液晶显示装置中提高透过率及 响应速度，采用在一个像素上形成有多个液晶象限(domain)的配向分割结构。作为形成这 样的配向分割结构的方法，例如有MVA(Multi_domain Vertical Alignment:多象限垂直配 向）模式。在MVA模式中，通过在夹着液晶层的基板的液晶层侧设置线状突起，在像素电极设 置开口部(狭缝)来获得限制配向结构;根据这样的限制配向结构形成多个液晶象限（例如 专利文献1)。通过使狭缝微细化，能够良好地控制液晶分子的配向，提高透过率及响应速 度。
[0004] 在夹着液晶层的相对的两基板的液晶层侧，以预倾(preti 11)方向（配向处理方 向）互相正交的方式，分别设置光配向膜等的配向膜，在施加电压时液晶分子呈扭曲配向状 态，以这样方式构成的VA模式称为VATN(Vertical Alignment Twisted Nematic:垂直配向 扭曲向列)模式(例如专利文献2)。其中，在一个像素区域中，通过以两个配向膜来规定预倾 方向，在施加电压时将形成有以两行两列的方式分割的四个液晶象限的结构称为4D结构。
[0005] 图19是对具有这样的4D结构的VATN模式的液晶显示装置的像素区域进行表示的 俯视图。
[0006] 在图19中，虚线箭头表示根据在源矩阵基板上设置的光配向膜而规定的预倾方 向，实线箭头表示根据在在CF基板上设置的光配向膜而规定的预倾方向。而且，将在向液晶 层施加电压的情况下，各液晶象限的倾斜方向（基准配向方向）用大头针的朝向来表示。以 大头针的圆盘部靠近观看液晶显示装置的观看者的方式，表示出液晶分子呈倾斜的状态。 即，基准配向方向是斜45度。
[0007] 在该液晶显示装置的像素电极上未形成狭缝。
[0008] 图20是对图19的像素区域的光透过状态进行表示的俯视图，图21是在配置有配线 及接触孔的情况下，对所述像素区域的光透过状态进行表示的俯视图。
[0009] 根据图20及图21可知，在液晶象限的边界部分产生了宽度较宽的暗线。暗线是因 为液晶分子在液晶象限的边界部分，在和偏光轴（纵向及横向的轴）垂直或平行的方向配 向，导致光无法透过而产生的。
[0010] 暗线导致光的透过率低下。特别是在像素较小的高精细显示器中，因暗线导致的 光的透过率低下的影响更大。
[0011] 在具有4D结构的VATN模式中，还对上述的MVA模式进行了组合（多象限的VATN模 式，例如专利文献3等）。
[0012] 图22是对多象限的VATN模式的液晶显示装置的像素区域中的有源矩阵基板的像 素电极52进行表示的俯视图。
[0013] 在像素电极52上，同时在4个液晶象限的斜45度的各个倾斜方向上形成有多个倾 斜的狭缝21。通过这些倾斜的狭缝21来减少在上述的VATN模式的液晶象限的边界部分产生 的暗线，从而提高光的透过率。在像素区域的中央部形成有接触孔12。
[0014] 图23是表示图22的像素区域的光透过状态的俯视图，图24是在配置有配线孔及接 触孔的情况下，对所述像素区域的光透过状态进行表示的俯视图。
[0015] 可知即使在这样的结构中，边界部分也会产生一定宽度的暗线，无法充分获得提 高光透过率的效果。另外，沿着倾斜的狭缝21也会产生暗线。
[0016] 图25是图24的部分放大图。
[0017]在图25中，用针(pin)来表不液晶分子的配向。
[0018] 如图25所不，多个液晶分子61在边界部分以和偏光轴垂直的方式配向，另外也有 以和偏光轴大致平行的方式配向的液晶分子61，导致产生了一定宽度的光无法透过的部 分，透过率较低。
[0019] 图26是对另一液晶显示装置的像素区域中的有源矩阵基板的像素电极52进行表 示的俯视图。
[0020] 像素电极52上，除了设置有多个倾斜的狭缝21，还设置有狭缝28、28及狭缝29、29。 狭缝28，将3个倾斜的狭缝的偏光轴侧端部，分别连接到在与纵的该偏光轴平行的狭缝上。 狭缝29,将2个倾斜的狭缝的偏光轴侧端部，分别连接到与横的该偏光轴平行的狭缝上。
[0021] 图27是对图26的像素区域的光透过状态进行表示的俯视图。
[0022] 如图27所示，可知在和各个偏光轴平行的狭缝上，在对倾斜的狭缝的该偏光轴侧 端部进行连接的部分上，会产生具有较宽宽度的暗线。
[0023]现有技术文献 [0024]专利文献
[0025] 专利文献1:日本特开2003-149647号公报
[0026] 专利文献2:国际公开第2006/132369号
[0027] 专利文献3:国际公开第2013/054828号

【发明内容】

[0028]发明要解决的课题
[0029] 本发明是鉴于以上情况而提出的，其目的在于提供一种液晶显示装置，在像素区 域，在光透过时产生暗线的面积小、光的透过率良好、画质良好。
[0030] 用于解决课题的方法
[0031] 本发明的液晶显示装置，在两张基板的各自一面上按顺序形成有电极及光配向 膜，所述两张基板的所述各自一面是相对的，在两光配向膜之间存在液晶层，所述液晶层包 含垂直配向型的液晶材料;在所述基板上，在该基板的面方向形成有矩阵状的多个像素区 域;各像素区域至少具有两个液晶象限，所述两个液晶象限的由两光配向膜规定的基准配 向方向各不相同；一侧的电极具有多个开口部，所述多个开口部在和各液晶象限对应的区 域中分别与各个基准配向方向平行地延伸;所述液晶显示装置的特征在于，所述一侧的电 极具有第二开口部，所述第二开口部在沿一个方向排列的两个液晶象限间，以和所述开口 部不连续的状态，在和所述一个方向正交的另一方向上延伸。
[0032] 在本发明中，通过第二开口部，使得位于液晶象限的边界部分的液晶分子随着边 界的延伸方向进行配向。因此，在和偏光轴垂直或平行的方向上配向的液晶分子减少，该液 晶分子存在的部分的宽度变窄，所以和以往的液晶显示装置的像素区域相比暗线的宽度变 窄，透过率上升。
[0033] -般的RGB(红绿蓝)条纹结构的像素是纵长状的，因为列方向的液晶象限边界的 长度比行方向的液晶象限边界的长度长，所以在第二开口部的延伸方向是列方向的情况 下，透过率的提高效果更大。
[0034] 本发明的液晶显示装置，在两张基板的各自一面上按顺序形成有电极及光配向 膜，所述两张基板的所述各自一面是相对的，在两光配向膜之间存在液晶层，所述液晶层包 含垂直配向型的液晶材料;在所述基板上，在该基板的面方向形成有矩阵状的多个像素区 域;各像素区域至少具有两个液晶象限，所述两个液晶象限的由两光配向膜规定的基准配 向方向各不相同；一侧的电极具有多个开口部，所述多个开口部在和各液晶象限对应的区 域中分别与各个基准配向方向平行地延伸;所述液晶显示装置的特征在于，所述一侧的电 极其具有第二开口部，所述第二开口部在沿一个方向排列的两个液晶象限间，以在与所述 一个方向正交的另一方向的一端部侧与所述开口部连续的状态，在所述另一方向上延伸。
[0035] 在本发明中，通过第二开口部，位于液晶象限的边界部分的液晶分子随着边界的 延伸方向进行配向。因此，因为在和偏光轴垂直或平行的方向上配向的液晶分子减少，该液 晶分子存在的部分的宽度变窄，所以暗线的宽度变窄，透过率变得良好。
[0036]本发明的液晶显示装置，其特征在于，所述一侧的电极具有第三开口部，所述第三 开口部在沿所述另一方向排列的两个液晶象限间，以与所述开口部不连续的状态，在所述 一个方向上延伸。
[0037]在本发明中，因为在液晶象限的双方的边界部分形成有第二开口部及第三开口 部，所以透过率变得更加良好。
[0038]本发明的液晶显示装置，其特征在于，所述一侧的电极具有第三开口部，所述第三 开口部在沿所述另一方向排列的两个液晶象限间，以在所述一个方向的一端部侧与所述开 口部连续的状态，在所述一个方向上延伸。
[0039]在本发明中，因为在液晶象限的双方的边界部分上形成有第二开口部及第三开口 部，所以透过率变得更加良好。
[0040] 本发明的液晶显示装置，其特征在于，所述第二开口部的位置或所述第三开口部 的位置，与在一侧的基板上形成的配线的位置对齐。
[0041] 在本发明中，通过使在液晶象限边界产生的暗线和有源矩阵基板等的基板的配线 相匹配(对齐），能够良好地抑制光的透过损失。
[0042]本发明的液晶显示装置，其特征在于，一侧的基板，在所述像素区域的端部附近具 有接触孔。
[0043] 在本发明中，因为像素区域的中央部未形成接触孔，不需要确保使像素电极和漏 极电极的连接区域位于像素区域的中央部分，所以能够将第二开口部或第三开口部的中央 侧端部配置在靠近中央部的位置，能够使开口部的长度变长。或者，能够使第二开口部或第 三开口部在中央部分以不间断的方式连续或交叉。因此，透过率变得更加良好。
[0044] 发明的效果
[0045] 根据本发明，因为电极具有第二开口部，所述第二开口部在两个液晶象限间，以和 在基准配向方向平行延伸的开口部不连续的状态，在该液晶象限的边界方向上延伸，因此， 位于液晶象限的边界部分的液晶分子随着边界的延伸方向进行配向。因此，在和偏光轴垂 直或平行的方向配向的液晶分子减少，该液晶分子存在的部分的宽度变窄，和以往的液晶 显示装置的像素区域相比，暗线的宽度变窄，透过率良好。在像素较小的高精细液晶显示装 置中，透过率提高效果更高，液晶显示装置的画质变得良好。
【附图说明】
[0046] 图1是本发明的第一实施方式的液晶显示装置的外观立体图。
[0047]图2是对本发明的第一实施方式的液晶显示装置的显示面板的一像素区域中的像 素电极进行表示的俯视图。
[0048]图3是图2的III 一 III线上的显示模块的剖面图。
[0049] 图4是对有源矩阵基板的配线进行表示的俯视图。
[0050] 图5是对CF基板的黑矩阵进行表示的俯视图。
[0051] 图6是对图2的像素区域中的光透过状态进行表示的俯视图。
[0052]图7是图6的部分放大图。
[0053]图8是对本发明的第二实施方式的显示面板的一像素区域中的像素电极进行表示 的俯视图。
[0054]图9是对图8的像素区域中的光透过状态进行表示的俯视图。
[0055] 图10是对本发明的第三实施方式的显示面板的一像素区域中的像素电极进行表 示的俯视图。
[0056] 图11是对图10的像素区域中的光透过状态进行表示的俯视图。
[0057] 图12是对本发明的第四实施方式的显示面板的一像素区域中的像素电极进行表 示的俯视图。
[0058]图13是对图12的像素区域中的光透过状态进行表示的俯视图。
[0059] 图14是对本发明的第五实施方式的显示面板的一像素区域中的像素电极进行表 示的俯视图。
[0060] 图15是在第一及第二实施方式的液晶显示装置中，对倾斜的狭缝的宽度改变时的 间距和透过率之间的关系进行表示的图表。
[0061] 图16是在第一及第二实施方式的液晶显示装置中，对倾斜的狭缝的宽度改变时的 间距和透过率比之间的关系进行表示的图表。
[0062]图17是在第三及第四实施方式的液晶显示装置中，对倾斜的狭缝的宽度改变时的 间距和透过率之间的关系进行表示的图表。
[0063]图18是在第三及第四实施方式的液晶显示装置中，对倾斜的狭缝的宽度改变时的 间距和透过率比之间的关系进行表示的图表。
[0064]图19是对具有4D结构的VATN模式的液晶显示装置的像素区域进行表示的俯视图。 [0065]图20是对图19的像素区域的光透过状态进行表示的俯视图。
[0066] 图21是对在配置有配线及接触孔的情况下的所述像素区域的光透过状态进行表 示的俯视图。
[0067] 图22是对在多象限的VATN模式的液晶显示装置的像素区域中的有源矩阵基板的 像素电极进行表示的俯视图。
[0068] 图23是对图22的像素区域的光透过状态进行表示的俯视图。
[0069] 图24是对在配置有配线及接触孔的情况下的所述像素区域的光透过状态进行表 示的俯视图。
[0070] 图25是图24的部分放大图。
[0071] 图26是对在另一液晶显示装置的像素区域中的有源矩阵基板的像素电极进行表 示的俯视图。
[0072] 图27是对图26的像素区域的光透过状态进行表示的俯视图。
【具体实施方式】
[0073] 以下，基于表示本发明的实施方式的附图进行具体的说明。
[0074]第一实施方式
[0075]图1是本发明的第一实施方式的液晶显示装置100的外观立体图，图2是对液晶显 示装置100的显示面板102的一像素区域中的像素电极2进行表示的俯视图，图3是图2的 III一III线上的显示模块101的剖面图，图4是对有源矩阵基板1的配线进行表示的俯视图， 图5是对CF基板7的黑矩阵进行表示的俯视图。
[0076] 液晶显示装置100具有：显示模块101，其包括显示面板102及背光单元103;合成树 脂制的前壳104及后壳105、支架106,以夹住该显示模块101的方式收纳该显示模块101。显 示模块101，其整体呈横向较长的大致长方体状，以垂直姿态收纳在前壳104及后壳105内。 [0077]本发明的第一实施方式的显示面板102,其具有在面方向以矩阵状配置的多个像 素区域。
[0078]显示面板102是多象限的VATN模式的显示面板，在有源矩阵基板1的像素电极2上， 和4个液晶象限的斜45度的各倾斜方向对应，形成有多个倾斜的狭缝21。
[0079] 而且，在像素电极2上，在行方向排列的液晶象限的边界部分上，设置有在列方向 上延伸的纵狭缝22、22;在列方向排列的液晶象限的边界部分，设置有在行方向延伸的横狭 缝23、23。纵狭缝22及横狭缝23，都与倾斜的狭缝21不连续，从倾斜的狭缝21中独立出来。列 方向和纵狭缝22的轴心成的角度在±5°的范围内，行方向和横狭缝23的轴心成的角度在± 5°的范围内。
[0080] 像素电极2,例如是通过溅射法形成ΙΤ0(氧化铟锡)膜后，通过图案化，以具有倾斜 的狭缝21、纵狭缝22及横狭缝23的状态来形成的。像素区域的中央部形成有接触孔12，接触 孔12上也形成有像素电极2。
[0081 ]如图3所示，显示模块101的显示面板102具有:有源矩阵基板1、CF基板7、液晶层6、 两张偏光板4、11 <XF基板7和有源矩阵基板1以夹住密封材料的方式互相贴合在一起，在该 CF基板7和有源矩阵基板1之间注入垂直配向型的液晶材料来形成液晶层6。两张偏光板11、 4配置在CF基板7、有源矩阵基板1各自的与液晶层6侧相反一侧的面上。
[0082]有源矩阵基板1的基板部3,例如在玻璃制的绝缘性基板上形成有如下构件：后述 的TFT(薄膜晶体管）36(参照图4);多个栅极配线（扫描配线）31，用于向TFT36提供扫描信 号;多个源极配线(信号配线)33,用于向TFT36提供图像信号。
[0083]如图4所示，栅极配线31及Cs配线32以互相平行的方式延伸；源极33,以互相平行 的方式延伸，和栅极配线31及Cs配线32交叉。
[0084] Cs配线32,其在中央部具有呈矩形状的漏极对向部321。
[0085]在图4中左侧的源极配线33的下端部，以朝向右侧的源极配线33的方式，设置有呈 矩形状的源极电极331。
[0086] 漏极电极35具有:Cs对向部351，其呈比漏极对向部321小的矩形状;源极电极对向 部352,其和源极电极331在面方向相对。Cs配线32的漏极对向部321和漏极电极35的Cs对向 部351，以栅极绝缘膜(未图示)介于这两者之间的状态相对，在该区域形成有辅助容量（电 容)(Cs) 〇
[0087] 下侧的栅极配线31的靠左的部分形成有栅极电极，由该栅极电极、源极电极331及 源极电极对向部352构成了 TFT36。
[0088] 如图3所示，基板部3的液晶层6侧形成有像素电极2,所述像素电极2具有上述的倾 斜的狭缝21、纵狭缝22及横狭缝23;像素电极2被光配向膜5覆盖。漏极电极35和像素电极2 通过接触孔12来电连接。
[0089] CF基板7的基板部10,例如由在玻璃制的绝缘性基板上排列黑矩阵(BM)及R(红）、G (绿）、B(蓝)等的彩色滤光片(未图示)来组成。图5是示出BMlOa的俯视图。
[0090] 在基板10的液晶层6侧，例如形成有由氧化铟锡等组成的共用电极9。共用电极9被 光配向膜8覆盖。
[0091 ] 偏光板4及11以分别和偏光轴互相正交的方式配置。
[0092] 背光单元103配置在显示面板102的背面侧。背光单元103也可以是边缘照明方式 (侧面照明方式、导光板方式)及直下型方式中的任一种。在边缘照明方式的情况下，背光单 元103是通过将光学板、导光板及发光二极管基板等的光源收纳在机壳来形成的。
[0093]图6是对图2的像素区域的光透过状态进行表示的俯视图。
[0094] 根据图6,通过和上述的以往的液晶显示装置比较可知:在各液晶象限的边界部分 产生的暗线的宽度变窄。
[0095]图7是图6的部分放大图。
[0096]在图7中，通过大头针来表示液晶分子61的配向。
[0097] 如图7所示，通过纵狭缝22,位于液晶象限的边界部分的液晶分子随着边界的延伸 方向进行配向。在横狭缝23中，同样位于液晶象限的边界部分的液晶分子61也随着边界的 延伸方向进行配向。因此，因为在和偏光轴垂直或平行的方向上配向的液晶分子61减少，该 液晶分子61存在的部分的宽度变窄，所以暗线的宽度变窄，透过率提高。
[0098] 在本实施方式中，通过使在液晶象限边界产生的暗线和有源矩阵基板1的金属配 线(Cs配线32、栅极配线31、漏极电极35)对齐，来抑制光的透过损失。即，将有源矩阵基板1 的光配向膜5的紫外线的照射方向设为纵条纹，使液晶分子在纵方向配向，通过使纵狭缝22 及横狭缝23和金属配线对齐，来获得良好的透过率。
[0099]因为一般的红绿蓝条纹结构的像素是纵长的，所以列方向的液晶象限边界的长度 比行方向的液晶象限边界的长度长。因此，通过设置纵狭缝22,能够获得更高的透过率提高 效果;进而，通过将纵狭缝和金属配线对齐，透过率提高效果进一步提高。
[0100]第二实施方式
[0101] 图8是对本发明的第二实施方式的显示面板的一像素区域中的像素电极2进行表 示的俯视图。
[0102] 就本实施方式的像素电极2而言，与第一实施方式的像素电极2同样地，在行方向 排列的液晶象限的边界部分设置有在列方向延伸的纵狭缝22、22;在列方向排列的液晶象 限的边界部分设置有在行方向延伸的横狭缝23、23。纵狭缝22及横狭缝23从倾斜狭缝21中 独立出来。
[0103] 在本实施方式中，倾斜的狭缝21之间的宽度（间隔），和第一实施方式的像素电极2 的倾斜的狭缝21之间的宽度不同。
[0104] 图9是对图8的像素区域的光透过状态进行表示的俯视图。
[0105] 根据图9可知液晶象限的边界部分产生的暗线的宽度变窄。
[0106] 第三实施方式
[0107] 图10是对本发明的第三实施方式的显示面板的一像素区域中的像素电极进行表 示的俯视图。
[0108] 在本实施方式中和第一及第二实施方式不同，接触孔12未在像素区域的中央部形 成，而是形成在像素区域的靠近端部的构成有TFT36的部分。
[0109] 就像素电极2而言，和第一及第二实施方式的像素电极2同样地，在行方向排列的 液晶象限的边界部分设置有在列方向延伸的纵狭缝22、22;在列方向排列的液晶象限的边 界部分设置有在行方向延伸的横狭缝23、23。纵狭缝22及横狭缝23从倾斜狭缝21中独立出 来。
[0110] 在本实施方式中，像素区域的中央部未形成接触孔12,不需要确保漏极电极35在 像素区域的中央部分，即，不需要确保与TFT36连接的区域在像素区域的中央部分，因此，能 够将纵狭缝22及横狭缝23各自的中央侧端部以靠近中央部的方式配置，能够使各狭缝的长 度变长。
[0111] 因此，能够提高光的透过率。
[0112] 图11是对图10的像素区域的光透过状态进行表示的俯视图。
[0113] 根据图11可知液晶象限的边界部分产生的暗线的宽度变窄。
[0114] 第四实施方式
[0115] 图12是对本发明的第四实施方式的显示面板的一像素区域中的像素电极进行表 示的俯视图。
[0116] 本实施方式中，和第一及第二实施方式不同，接触孔12未在像素区域的中央部形 成，而是形成在像素区域的靠近端部的构成有TFT36的部分。
[0117]就像素电极2而言，在行方向排列的液晶象限的边界部分设置有在列方向延伸的 纵狭缝24;在列方向排列的液晶象限的边界部分设置有在行方向延伸的横狭缝25。纵狭缝 24及横狭缝25从倾斜狭缝21中独立出来。而且，纵狭缝24及横狭缝25分别在中央部分以未 间断的方式连续交叉。
[0118] 在本实施方式中，像素区域的中央部未形成接触孔12,不需要确保和漏极电极35 (TFT36)的连接区域在像素区域的中央部分，所以能够使纵狭缝24及横狭缝25以在中央部 分以未间断的方式连续交叉。
[0119] 在能够使光的透过率进一步提高的同时，像素电极2的图案化较容易，能够防止发 生不良。
[0120] 图13是对图12的像素区域的光透过状态进行表示的俯视图。
[0121] 根据图13可知在液晶象限的边界部分产生的暗线的宽度变窄。
[0122] 第五实施方式
[0123] 图14是对本发明的第五实施方式的显示面板的一像素区域中的像素电极2进行表 示的俯视图。
[0124] 在本实施方式中，虽然狭缝26是在列方向延伸的狭缝，但是在该狭缝的一端部具 有和倾斜狭缝连续的形状。而且，虽然狭缝27是在行方向延伸的狭缝，但是在该狭缝的一端 部具有和倾斜狭缝连续的形状。
[0125] 在本实施方式中，通过狭缝26及27在列方向延伸的部分，液晶分子也是随着边界 的延伸方向配向。因此，在和偏光轴垂直或平行的方向上配向的液晶分子减少，该液晶分子 存在的部分的宽度变窄，所以暗线的宽度变窄，光透过率提高。
[0126] 实施例
[0127] 以下，虽然对本发明的实施例及比较例进行具体的说明，但是本发明并不限定于 这些实施例。
[0128] (1)第一及第二实施方式的像素电极
[0129] [第一至十四实施例]
[0130]对于倾斜的狭缝21之间的宽度（间隔）α:μπι)、倾斜的狭缝21的宽度（S:ym)、间距 (L+S)、纵狭缝22及横狭缝23的宽度(μπι)，分别以下列的表1所示的数值的方式进行图案化， 形成第一至十四实施例的像素电极2。
[0131]表1
[0132]
[0133] [第一比较例]
[0134] 第一比较例的像素电极是不具有倾斜的狭缝21、纵狭缝22及横狭缝23的像素电 极。
[0135] [第二比较例]
[0136] 第二比较例的像素电极是如图22所示的仅具有倾斜的狭缝21的像素电极。
[0137] 对上述实施例和第一及第二比较例，求出了光的透过率，将结果通过所述表1及图 15来表不。
[0138] 另外，在将第一比较例的像素电极的透过率设为1的情况下，将各实施例及第二比 较例的透过率比用所述表1及图16来表示。
[0139] 根据所述表一、图15及图16可知:和第一及第二比较例的像素电极相比，具有纵狭 缝22及横狭缝23的实施例的像素电极2的透过率大幅提高。
[0140]而且，可知在倾斜的狭缝21的S宽度较小、间距较小的情况下，透过率进一步提高。
[0141] (2)第三及第四实施方式的像素电极
[0142] [第十五及十六实施例]
[0143] 对于倾斜的狭缝21之间的宽度（间隔）α:μπι)、倾斜的狭缝21的宽度（S:ym)、间距 (L+S)、纵狭缝22及横狭缝23的宽度(μπι)，分别以下列的表2所示的数值的方式进行图案化， 形成与第三实施方式对应的第十五及十六实施例的像素电极2。
[0144] 表2
[0145]
[0146] [第十七及十八实施例]
[0147] 对于倾斜的狭缝21之间的宽度（间隔）α:μπι)、倾斜的狭缝21的宽度（S:ym)、间距 (L+S)、纵狭缝24及横狭缝25的宽度(μπι)，分别以所述表2所示的数值的方式进行图案化，形 成与第四实施方式对应的第十七及十八实施例的像素电极2。
[0148] 比较例和上述的第一及第二比较例相同。
[0149] 对上述实施例和第一及第二比较例，求出了光的透过率，将结果通过所述表2及图 17来表示。
[0150] 另外，在将第一比较例的像素电极的透过率设为1的情况下，将各实施例及第二比 较例的透过率用所述表2及图18来表示。
[0151 ]根据所述表2、图17及图18可知：和第一及第二比较例的像素电极相比，具有纵狭 缝22及横狭缝23的第十五及十六实施例的像素电极2,以及具有纵狭缝24及横狭缝25的第 十七及十八实施例的像素电极2的透过率提高。
[0152]而且，可知在倾斜的狭缝21的S宽度较小、间距较小的情况下，透过率进一步提高。 [0153]进而，在S宽度及间距相同的情况下，可知第三及第四实施方式的像素电极2比上 述第一及第二实施方式的像素电极2的透过率高。
[0154] 根据以上内容可知:通过将倾斜的狭缝21的L宽度、S宽度以及纵狭缝22、24、横狭 缝23、25的形状及长度等设计成合适的值，能够控制透过率。
[0155] 并且，本发明并非限定于上述的第一至五实施方式的内容，而是在权利要求项所 示的范围内可以进行各种变更。即，在权利要求项所示的范围内，通过对经过合适的变更的 技术方法进行组合来获得的实施方式也包括在本发明的技术范围内。
[0156] 例如，不限定于将纵狭缝22或横狭缝23连续设置的情况，也可以将它们间断地设 置，也可以平行地设置多个狭缝。虽然未将纵狭缝22或横狭缝23的宽度也限定成均等的长 度的情况，但是为了更容易地决定液晶分子的位置，优选所述纵狭缝22或横狭缝23的宽度 是均等的。
[0157] 附图标记的说明
[0158] 1 有源矩阵基板
[0159] 2 像素电极
[0160] 21 倾斜的狭缝
[0161] 22、24、26 纵狭缝
[0162] 23、25、27 横狭缝
[0163] 3,10 基板部
[0164] 31 栅极配线
[0165] 32 Cs 配线
[0166] 33 源极配线
[0167] 35 漏极电极
[0168] 36 TFT(薄膜晶体管）
[0169] 4、11 偏光板
[0170] 5、8 光配向膜
[0171] 6 液晶层
[0172] 61 液晶分子
[0173] 7 CF(彩色滤光片)基板
[0174] 9 共用电极
[0175] 12 接触孔
[0176] 1〇〇 液晶显示装置
[0177] 1〇1 显示模块
[0178] 102 显示面板
[0179] 103 背光单元
【主权项】
1. 一种液晶显示装置， 在两张基板的各自一面上按顺序形成有电极及光配向膜，所述两张基板的所述各自一 面彼此相对，在两光配向膜之间存在液晶层，所述液晶层包含垂直配向型的液晶材料， 在所述基板上，在该基板的面方向形成有矩阵状的多个像素区域， 各像素区域至少具有两个液晶象限，所述两个液晶象限的由两光配向膜规定的基准配 向方向各不相同， 一侧的电极具有多个开口部，所述多个开口部在和各液晶象限对应的区域中分别与各 个基准配向方向平行地延伸， 所述液晶显示装置的特征在于， 所述一侧的电极具有第二开口部，所述第二开口部在沿一个方向排列的两个液晶象限 之间，以和所述开口部不连续的状态，在和所述一个方向正交的另一方向上延伸。2. -种液晶显示装置， 在两张基板的各自一面上按顺序形成有电极及光配向膜，所述两张基板的所述各自一 面彼此相对，在两光配向膜之间存在液晶层，所述液晶层包含垂直配向型的液晶材料， 在所述基板上，在该基板的面方向形成有矩阵状的多个像素区域， 各像素区域至少具有两个液晶象限，所述两个液晶象限的由两光配向膜规定的基准配 向方向各不相同， 一侧的电极具有多个开口部，所述多个开口部在和各液晶象限对应的区域中分别与各 个基准配向方向平行地延伸， 所述液晶显示装置的特征在于， 所述一侧的电极其具有第二开口部，所述第二开口部在沿一个方向排列的两个液晶象 限之间，以在与所述一个方向正交的另一方向的一端部侧与所述开口部连续的状态，在所 述另一方向上延伸。3. 如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述一侧的电极具有第三开口部，所述第三开口部在沿所述另一方向排列的两个液晶 象限之间，以与所述开口部不连续的状态，在所述一个方向上延伸。4. 如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述一侧的电极具有第三开口部，所述第三开口部在沿所述另一方向排列的两个液晶 象限之间，以在所述一个方向的一端部侧与所述开口部连续的状态，在所述一个方向上延 伸。5. 如权利要求1至4任一项所述的液晶显示装置，其特征在于， 所述第二开口部的位置或所述第三开口部的位置，与在一侧的基板上形成的配线的位 置对齐。6. 如权利要求1至5任一项所述的液晶显示装置，其特征在于， 一侧的基板，在所述像素区域的端部附近具有接触孔。
【文档编号】G02F1/1343GK105874381SQ201480002587
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2014年8月19日
【发明人】平田贡祥
【申请人】堺显示器制品株式会社