薄膜装置和制造

薄膜装置和制造
【专利摘要】描述了薄膜装置例如用于窗的电致变色装置以及制造方法。尤其关注图案化光学装置的方法。执行各种边缘去除和隔离划线，例如以确保所述光学装置具有离任何边缘缺陷的适当隔离。本文所述方法适用于在两个薄膜电导体层之间夹置一个或多个材料层的任何薄膜装置。所述方法创建新颖光学装置配置。
【专利说明】
薄膜装置和制造
[0001 ]本申请主张2014年1 月2 日提交的题为 "THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION" 的 美国临时专利申请61/923,171号的优先权，且是2014年6月4日提交的题为"THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION"的美国专利申请14/362，863号的部分接续申请，美国专利申请 14/362,863号主张2012年 12月 10 日提交的题为 "THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION" 的 PCT/US12/68817的优先权，PCT/US12/68817主张2011 年 12月 12 日提交的题为 "THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION"的美国临时专利申请61/569,716号、2012年6月26日提交的题 为 "THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION" 的美国临时专利申请61/664,638号以及2012年 10月2日提交的题为"THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION"的美国临时专利申请61/709， 046号的优先权。所有这些相关申请其全文以引用的方式且出于所有目的并入本文。
技术领域
[0002] 本文公开的实施方案大致涉及光学装置，且更特定而言涉及制造光学装置的方 法。
【背景技术】
[0003] 电致变色是一种当材料通常通过经受电压变化而被放置在不同电子状态时在光 学属性上展现出可逆电化学介导变化的现象。光学属性通常是颜色、透射率、吸收率和反射 率中的一个或多个。例如，一种熟知的电致变色材料是氧化钨(W0 3)。氧化钨是一种由于电 化学还原而发生漂白（非着色)至蓝色的着色过渡的阴极着色电致变色材料。当电化学氧化 发生时，氧化钨从蓝色过渡成漂白状态。
[0004] 电致变色材料可以并入例如家用、商用和其它用途的窗。此类窗的颜色、透射率、 吸收率和/或反射率可通过引发电致变色材料的变化而改变，g卩，电致变色窗是可以经由施 加电荷而可逆地变暗和变亮的窗。施加到窗的电致变色装置的小电压将导致其变暗;逆转 电压导致其变亮。这种能力允许控制行经窗的光的量，并且为电致变色窗用作节能装置提 供机会。
[0005] 虽然在1960年已发现电致变色，但是电致变色装置且尤其是电致变色窗仍不幸遭 遇各种问题，且尽管在电致变色技术、设备以及制造和/或使用电致变色装置的相关方法上 有许多新近进步，但是还未开始实现其所有商业潜力。

【发明内容】

[0006] 描述了薄膜装置例如用于窗的电致变色装置以及制造方法。尤其关注图案化和制 造光学装置的方法。执行各种边缘去除和隔离划线例如以确保光学装置与任何边缘缺陷具 有适当隔离，而且还解决装置区域中的不希望的着色和电荷积累。在制造期间对光学装置 的一个或多个层施加边缘处理。本文所述方法适用于在两个薄膜电导体层之间夹置一个或 多个材料层的任何薄膜装置。所述方法创建新颖光学装置配置。
[0007] -个实施方案是光学装置，其包括：（i )在基板上的第一导体层，第一导体层包括 小于基板的面积的面积，第一导体层被基本上没有第一导体层的基板的周边区域围绕； (ii)包括至少一个可光学切换材料的一个或多个材料层，所述一个或多个材料层被配置在 基板的周边区域内且与第一导体层共延伸，除了第一导体层的至少一个暴露区域之外，第 一导体层的至少一个暴露区域没有一个或多个材料层;和（iii)在一个或多个材料层上的 第二导体层，所述第二导体层是透明的且与一个或多个材料层共延伸，其中一个或多个材 料层和第二导体层悬于第一导体层上，除了第一导体层的至少一个暴露区域之外。所述光 学装置还可包括与第二导体层共延伸的蒸汽阻挡层。所述光学装置可包括在第一导体层与 基板之间的扩散阻挡。在某些实施方案中，光学装置被制造在低钠玻璃上，例如市售低钠退 火薄玻璃。在一些实施方案中，光学装置不包括隔离划线，即，所述装置不存在被划线隔离 的非作用部分。
[0008] 在某些实施方案中，至少一个可光学切换材料是电致变色材料。第一导体层和第 二导体层均可为透明，但是至少一个是透明的。在某些实施方案中，光学装置是全固态且无 机的。基板可以是回火或非回火的浮法玻璃。
[0009] 某些实施方案包括绝缘玻璃单元(IGU)，其包括本文所述光学装置。在某些实施方 案中，第一导电层的任何暴露区域被配置在IGU的主要密封件内。在某些实施方案中，任何 母线还被配置在ICTJ的主要密封件内。在某些实施方案中，任何隔离或其它划线也在ICTJ的 主要密封件内。本文所述光学装置可以是任何形状，例如正多边形，诸如矩形、圆形或椭圆 形、三角形、梯形等，或不规则形。
[0010] -些实施方案是如本文所述制作光学装置的方法。一个实施方案是制造包括夹置 在第一导电层与第二导电层之间的一个或多个材料层的光学装置的方法，所述方法包括： (i)接收在其工作表面上方包括第一导电层的基板(例如，具有或不具有扩散阻挡的下伏玻 璃层从基板的周边的约10%与约90%之间移除第一导电层的第一宽度；（iii)沉积 光学装置的一个或多个材料层和第二导电层使得其覆盖第一导电层，且在可行之处(除了 基板中未移除第一导电层的部分之处)在其周边附近延伸超过第一导电层；（iv)移除基本 上在基板的整个周边附近的所有层的第二宽度，所述第二宽度比第一宽度更窄，其中移除 的深度至少足以移除第一导电层；（v)移除第二透明导电层和其下方的光学装置的一个或 多个层的至少一部分从而显露第一导电层的至少一个暴露部分;和(vi)将电气连接例如母 线施加到第一透明导电层的至少一个暴露部分;其中第一导电层和第二导电层中的至少一 个是透明的。
[0011] 在一个实施方案中，（ii)包括从在基板周边周围的约50%与约75%之间移除第一 导电层的第一宽度。在一个实施方案中，沿光学装置接近基板中未在（ii)中移除第一导电 层的侧或多个侧的周边部分制造所暴露的第一导电层的至少一个暴露部分。方法还可包括 将至少一个额外电气连接(例如，第二母线)施加到第二导电层。本文所述方法的方面可在 全真空整合沉积设备中执行。方法还可包括使用如本文所述的光学装置制造 IGU。
[0012] 某些实施方案包括具有创建更稳健且更好的执行装置的特定边缘处理的制造方 法和所得装置。例如，（多个）电致变色装置层的边缘可变细以便避免装置构造的上覆层中 的应力和裂纹。在另一实例中，进行母线施加的下导体暴露以确保电致变色装置正面中有 良好电气接触和均匀着色。在某些实施方案中，使用可变深度激光划线执行装置边缘处理、 隔离划线和下导体层暴露。
[0013] 下文将参考相关联图示进一步详细描述这些和其它特征以及优点。
[0014] 附图简述
[0015] 当结合图示考虑时可更充分理解以下详细描述，其中：
[0016] 图1A、图1B和图1C分别是在玻璃基板上制造的电致变色装置的横截面图、端视图 和俯视图。
[0017] 图1D是图1A所示的横截面的详细部分。
[0018] 图2A是根据所公开实施方案的基板上的改进电致变色装置架构的部分横截面。
[0019] 图2B-2C分别是类似于关于图2A所述装置架构的改进装置架构的横截面图和端视 图。
[0020] 图2D-2E分别是具有类似于关于图2A-C所述的架构的架构的装置的部分横截面图 和俯视图。
[0021] 图3是示出将扩散阻挡和下导电层一起移除的改进装置架构的部分横截面。
[0022] 图4A是描述根据实施方案的制造电致变色装置的方法的方面的工艺流程的流程 图。
[0023]图4B是描绘关于图4A所述工艺流程中的步骤的俯视图。
[0024]图4C描绘关于图4B所述电致变色片的横截面。
[0025]图4D是描绘圆形基板上的制造期间的步骤的俯视示意图。
[0026]图4E是描绘电致变色装置的制造期间的步骤的俯视示意图。
[0027]图4F是以透视图描绘具有光学装置的ICTJ的制造的示意图。
[0028]图4G是类似于关于图4B所述装置的装置的俯视图的示意图。
[0029]图4H和图41是描绘类似于关于图4A所述工艺流程且在如适用于涂布然后切割方 法的大面积基板上进行的工艺流程的步骤的示意图。
[0030] 图4J是描绘辊到辊加工的图，其形成层压物使用柔性匹配片的电致变色装置层压 物。
[0031] 图4K是描述制造光学装置的方法的方面的工艺流程的流程图，其中首先制造层压 基板，其后接着在其上制造光学装置。
[0032]图4L描绘层压设备的俯视图。
[0033]图4M和图4N分别描绘层压物的加工以及由此形成的层压物。
[0034]图40和图4P是示出如本文所述的各种边缘类型和处理的横截面。
[0035] 图4Q描绘IGU制造组装线。
[0036]图4R描绘工艺流程。
[0037] 图5A是描述制造光学装置的方法的方面的工艺流程的流程图，所述光学装置在第 一导体层和第二导体层中的每个上具有相对母线。
[0038] 图5B是描绘关于图5A所述工艺流程的步骤的俯视图的示意图。
[0039] 图5C示出关于图5B所述的电致变色片的横截面。
[0040] 图ro和图5E是电致变色装置的俯视示意图。
[0041]图5F和图5G是描绘根据实施方案的关于图5A所述的工艺流程且在如适用于涂布 然后切割方法的大面积基板上进行的工艺流程中的步骤的示意图。
[0042]图6A是描绘电致变色装置在柔性基板上的辊到辊制造以及与刚性基板的任选层 压的示意图。
[0043] 图6B是描绘电致变色装置在柔性玻璃基板上的层压以及与柔性基板的层压的示 意图。
[0044] 图7包括类似于关于图4C所述装置的电致变色装置的横截面图，详述被本文所述 某些实施方案克服的难题。
[0045]图8A和图8B分别是电致变色装置的横截面和俯视图，其描述使下导体层的边缘变 细以便避免后续沉积上覆层中的应力。
[0046]图9A和图9B是描绘关于母线施加的下导体的暴露的难题的图。
[0047] 图10A到图10F是描绘改进的母线垫暴露的实施方案的图。
【具体实施方式】
[0048] 为了简洁的目的，在电致变色装置方面上来描述实施方案;然而，本公开的范围并 不限于此。所属领域技术人员应明白，所述方法可用于制造一个或多个层夹置在两个薄膜 导体层之间的几乎任何薄膜装置。某些实施方案涉及光学装置，即，具有至少一个透明导体 层的薄膜装置。在最简单形式中，光学装置包括基板和夹置在两个导体层之间的一个或多 个材料层，其中之一是透明的。在一个实施方案中，光学装置包括透明基板和两个透明导体 层。在另一实施方案中，光学装置包括透明基板，其上沉积透明导体层（下导体层）且另一 (上)导体层是不透明的。在另一实施方案中，基板是不透明的，且导体层中的一个或两个是 透明的。光学装置的一些实例包括电致变色装置、平板显示器、光生伏打装置、悬浮颗粒装 置(sro)、液晶装置(LCD)等等。为了上下文，下文呈现电致变色装置的描述。出于便利，描述 全固态和无机电致变色装置;然而，实施方案并不以这种方式限制。
[0049] 参考图1A-1D描述电致变色片的特定实例以便说明本文所述的实施方案。电致变 色片包括在基板上制造的电致变色装置。图1A是以玻璃板105开始制造的电致变色片100的 横截面表示（见图1C的切线X-X'）。图1B示出电致变色片100的端视图（见图1C的透视线Y-Y'），且图1C示出电致变色片100的自上而下图。
[0050] 图1A示出在制造于玻璃板105上且已经去除边缘以在片周边周围产生区域140之 后的电致变色片100。边缘去除指的是在基板的某一周边部分附近从装置移除一个或多个 材料层。通常(但非必需），边缘去除向下到下导体层(例如，图1A-1D中所描绘的实例中的层 115)且包括所述下导体层移除材料，并且可以包括向下到基板本身移除任何扩散阻挡层。 在图1A-1B中，电致变色片100还经激光划线且母线已被附接。玻璃片105具有扩散阻挡110 和在扩散阻挡上的第一透明导电氧化物(TC0)115。
[00511在这个实例中，边缘去除工艺移除TC0 115和扩散阻挡110两者，但是在其它实施 方案中，仅移除TC0,使扩散阻挡完好。TC0层115是用于形成在玻璃板上制造的电致变色装 置的电极的两个导电层中的第一个。在一些实例中，玻璃板可以以形成于下伏玻璃上方的 扩散阻挡预制。因此，形成扩散阻挡，且然后形成第一 TCO 115、EC堆叠125(例如，具有电致 变色、离子导体和对电极层的堆叠）以及第二TC0130。在其它实例中，玻璃板可以以形成于 下伏玻璃上方的扩散阻挡和第一TC0 115预制。
[0052]在某些实施方案中，可以在整合沉积系统中在基板(例如玻璃板)上形成一个或多 个层，其中在制造所述层期间所述基板在任何时候不会离开整合沉积系统。在一个实施方 案中，包括EC堆叠和第二TCO的电致变色装置可以在整合沉积系统中制造，其中在制造所述 层期间玻璃板在任何时候不会离开整合沉积系统。在一个情况中，还可使用整合沉积系统 形成第一 TC0层，其中在沉积EC堆叠和TC0层期间玻璃板不会离开整合沉积系统。在一个实 施方案中，所有的层(例如，扩散阻挡、第一TCO、EC堆叠和第二TC0)在整合沉积系统中沉积， 其中在沉积期间玻璃板不会离开整合沉积系统。在这个实例中，在沉积EC堆叠125之前，隔 离沟槽120可切割穿过第一 TC0 115和扩散阻挡110。预期电隔离第一 TC0 115中在制造完成 之后将驻留在母线1下方的区域之后制得沟槽120(见图1A)。沟槽120有时被称为"L1"划线， 因为其在某些工艺中是第一激光划线。这样做是为了避免EC装置在母线下方的可能是不期 望的电荷积累和着色。这种不期望的结果将在下文予以更详细地解释并且是本文所述某些 实施方案的动力。即，某些实施方案涉及消除隔离沟槽诸如沟槽120的需要，例如以避免母 线下方的电荷积累，而且还通过减少或甚至消除激光隔离划线步骤简化装置的制造。
[0053]在形成EC装置之后，执行边缘去除工艺和额外的激光划线。图1A和图1B描绘已（在 这个实例中）从围绕激光划线沟槽150、155、160和165的周边区中移除EC装置的区域140。激 光划线150、160和165有时被称为"L2"划线，因为其在某些工艺中是第二划线。激光划线155 有时被称为"L3"划线，因为其在某些工艺中是第三划线。L3划线行经第二TC0130，以及这个 实例（但非必需）中的EC堆叠125,而不是第一TC0 115。制作激光划线沟槽150、155、160和 165以隔离EC装置的部分135、145、170和175,其在边缘去除工艺期间受到来自可操作EC装 置的潜在损害。在一个实施方案中，激光划线沟槽150、160和165行经第一TC0以辅助装置的 隔离(激光划线沟槽155不会行经第一 TC0,否则其将切断母线2与第一 TC0且因此EC堆叠的 电气连通）。在一些实施方案中，诸如在图1A-1D所描绘的那些，激光划线沟槽150、160和165 还可行经扩散阻挡。
[0054]用于激光划线工艺的一个或多个激光通常(但非必需）为脉冲型激光，例如，二极 管栗浦固态激光。例如，可使用适当激光执行激光划线工艺。可以提供适当激光的供应商的 一些实例包括：IPG Photonics Corp. (Oxf ord, Massachusetts )、Ekspla (Vilnius, Lithuania)、TRUMPF Inc?(Farmington，Connecticut)、SPI Lasers LLC(Santa Clara, California)、Spectra_Physics Corp . (Santa Clara ,California) nIiLIGHT Inc . (Vancouver,Washington)和Fianium Inc ? (Eugene,Oregon)。还可例如由顶端带金刚石划 线机械地执行某些划线步骤;然而，某些实施方案描述在划线或其它材料移除加工期间用 激光良好控制的深度控制。例如，在一个实施方案中，边缘去除执行到第一TC0的深度，在另 一实施方案中，边缘去除执行到扩散阻挡的深度(第一TC0被移除），在又另一实施方案中， 边缘去除执行到基板的深度（向下到基板的所有材料层被移除）。在某些实施方案中，描述 可变深度划线。
[0055]在激光划线完成之后，附接母线。非穿透母线（1)被施加到第二TC0。非穿透母线 (2)被施加到包括EC堆叠和第二TC0的装置未经沉积(例如，从保护第一 TC0免遭装置沉积的 掩模)的区域，或在这个实例中，其中边缘去除工艺(例如，使用例如具有XY或XYZ电流计的 设备的激光烧蚀）用来向下到第一TC0移除材料。在这个实例中，母线1和母线2两者是非穿 透母线。穿透母线是通常被按压(或焊接)到且通过一个或多个层中以与下导体(例如位于 EC堆叠的一个或多个层的底部处或在其下面的TC0)接触的母线。非穿透母线是不穿透到层 中但是在导电层例如TC0的表面上进行电气和物理接触的母线。非穿透母线的典型实例是 施加到适当导电表面的导电墨水，例如银基墨水。
[0056] 可以使用非传统母线例如用筛网和光刻图案化方法制造的母线电气连接TC0层。 在一个实施方案中，用装置的透明导电层经由丝印（或使用另一图案化方法)导电墨水之后 接着热固化或烧结墨水而建立电气连通。使用上述装置配置的优点包括例如比使用穿透母 线的常规技术更简单的制造和更少的激光划线。
[0057] 在母线被制造或另外施加到一个或多个导电层之后，电致变色片可以被整合到绝 缘玻璃单元（IGU)上，其包括例如用于母线等的布线。在一些实施方案中，一个或两个母线 在已加工ICTJ内部。在特定实施方案中，两个母线被配置在间隔件与IGU的玻璃之间(通常称 为ICTJ的主要密封件）；即，母线与用来分离ICTJ的片的间隔件配准。至少部分使用区域140以 进行与用来形成IGU的间隔件的一面密封。因此，至母线的布线或其它连接在间隔件与玻璃 之间延伸。由于许多间隔件由导电的金属例如不锈钢制成，所以期望采取避免由于母线与 其连接件和金属间隔件之间的电气连通的短路的步骤。在2011年12月6日提交且题为 "Improved Spacers for Insulated Glass Units"的美国专利申请系列号 13/312,057中 描述用于实现这个目标的特定方法和设备，该案全文以引用的方式并入本文。在本文所述 某些实施方案中，方法和所得I⑶包括使EC装置的周边边缘、母线和任何隔离划线全在IGU 的主要密封件内。
[0058] 图1D描绘图1A中的横截面的一部分，其中描绘的一部分被放大以说明本文公开的 某些实施方案可以克服的问题。在TC0 115上制造 EC堆叠125之前，形成通过TC0 115和扩散 阻挡110的隔离沟槽120以便隔离115/110堆叠的一部分与较大区。这个隔离沟槽旨在切断 下TC0 115的电气连通，最终切断与母线2、TC0 115中直接铺置在母线1下面的区段的电气 连通，所述母线1铺置在TC0 130上且对其供应电能。例如，在EC装置的着色期间，激励母线1 和母线2以便跨越EC装置施加电势;例如，TC0 115具有负电荷且TC0 130具有正电荷或反之 亦然。
[0059] 出于众多原因，隔离沟槽120是期望的。有时期望在母线1下方不具有EC装置颜色， 因为这个区域对终端用户是可不见的（窗框通常延伸超过母线和隔离沟槽和/或这些特征 在如上所述的间隔件下方）。此外，有时区域140包括下TC0和扩散阻挡，且在这些情形中，不 期望下TC0将电荷载送到玻璃的边缘，因为可能在终端用户看不见的区域中存在短路问题 和不想要的电荷损耗。此外，因为直接在母线下方的EC装置的部分经历最多电荷通量，所以 装置的这个区倾向于形成缺陷，例如分层、颗粒脱离(溢出缺陷)等等，所述缺陷可能造成异 常或没有在可见区中变得可见的着色区和/或不利影响装置性能。设计隔离沟槽120来解决 这些问题。不管这些期望的结果如何，已经发现仍会发生第一母线下方的着色。关于图1D的 下部中的装置100的放大截面阐述这个现象
[0060] 当EC堆叠125沉积在第一TC0 115上时，包括EC堆叠125的电致变色材料填充隔离 沟槽120。虽然第一TC0 115的电气路径被沟槽120切断，但是沟槽变得由虽然未如TC0般导 电但是可载送电荷且可渗透离子的材料填充。在EC片100的操作期间，例如当第一TC0 115 具有负电荷(如图1D所描绘)时，少量电荷穿过沟槽120且进入第一TC0 115的隔离部分。这 个电荷积累可发生在着色和漂白EC片100的数个循环内。一旦TC0 115的隔离区域积累电 荷，就允许EC堆叠125在母线1下方在区域180中着色。此外，例如当相反电荷被施加到母线2 时，第一 TC0 115的这个部分中的电荷(一旦积累）不会如TC0 115的剩余部分中的电荷通常 所为般有效耗尽。隔离沟槽120的另一问题是扩散阻挡可能在沟槽的基部受损。这可允许钠 离子从玻璃基板扩散到EC堆叠125中。这些钠离子可用作电荷载子且强化第一TCO 115的隔 离部分上的电荷积累。又另一问题是母线下方的电荷积累可能对材料层施予过量应力且促 成这个区域中的缺陷形成。最终，在基板上的导体层中制造隔离划线对加工步骤增加了进 一步的复杂度。本文所述实施方案可以克服这些问题和其它问题。
[0061] 图2A是示出EC装置200的改进架构的部分横截面。在这个说明实施方案中，在制造 EC堆叠125之前移除第一TC0 115中将在母线1下面延伸的部分。在这个实施方案中，扩散阻 挡110延伸到母线1的下方且延伸到EC装置的边缘。在一些实施方案中，扩散阻挡延伸到玻 璃105的边缘，即其覆盖区域140。在其它实施方案中，在母线1下方还可移除扩散阻挡的一 部分。在前述实施方案中，在制造 EC堆叠125之前执行母线1下方的选择性TC0移除。可在装 置制造之前或之后执行形成区域140(例如，其中间隔件与玻璃形成密封的玻璃的周边周 围）的边缘去除工艺。在某些实施方案中，如果形成140的边缘去除工艺由于例如短路问题 而创建粗糙边缘或另外不可接受的边缘，那么形成隔离划线沟槽150a，因此隔离材料的一 部分135a与EC装置的剩余部分。如图2A中描绘的EC装置200的放大部分所示例，由于母线1 下方不存在TC0 115的部分，可避免诸如非希望着色和电荷积累的前述问题。此外，由于扩 散阻挡110保持完好、与EC堆叠125至少共延伸，得以防止钠离子扩散到EC堆叠125中且造成 非希望的传导或其它问题。
[0062] 在某些实施方案中，一旦完成制造，母线1就将在其下方驻留的区中选择性移除 TC0 115的带。即，扩散阻挡110和第一TC0 115可以保留在区域140上，但是在母线1下方选 择性移除第一 TC0 115的宽度。在一个实施方案中，TC0115已移除的带的宽度可比一旦完成 装置制造就驻留在TC0的已移除带的上面的母线1的宽度更大。本文所述实施方案包括具有 如关于图2A描绘且描述具有TC0 115的选择性移除带的配置的EC装置。在一个实施方案中， 关于图1A-C描绘且描述装置的剩余部分。
[0063]在图2B和图2C中描绘类似于装置200的装置，示出包括激光隔离沟槽等的装置架 构。图2B和图2C是所公开实施方案的改进装置架构的图。在某些实施方案中，在制造装置期 间存在更少或不存在激光隔离沟槽进行制作。下文更详细讨论这些实施方案。
[0064]图2D和图2E描绘电致变色装置205,其具有极类似于装置200的架构，但是其不具 有该装置的非功能的激光隔离划线150a也不具有隔离区135a。某些激光边缘去除工艺留下 充分清洁的装置边缘，使得激光划线如150a是非必需的。一个实施方案是如图2D和图2E所 描绘但是不具有隔离划线160和165也不具有隔离部分170和175的光学装置。一个实施方案 是如图2D和图2E所描绘但是不具有隔离划线155也不具有隔离部分145的光学装置。一个实 施方案是如图图2D和图2E所描绘但是不具有隔离划线160、165或155也不具有隔离部分 145、170、和175的光学装置。在某些实施方案中，制造方法不包括任何激光隔离划线且因此 产生不具有装置的物理隔离非功能部分的光学装置。
[0065] 如下文更详细描述，某些实施方案包括装置的一个或多个材料层和第二(上)导体 层不与第一（下）导体层共延伸的装置;具体而言，这些部分在第一导体的区域的周边的某 一部分附近悬于第一导体层上。这些悬垂部分可以包括或可不包括母线。作为实例，关于图 2A或图3所述的悬垂部分在第二导体层上确实具有母线。
[0066] 图3是示出所公开实施方案的改进电致变色装置架构300的部分横截面。在这个说 明实施方案中，在制造 EC堆叠125之前移除将在母线1下面延伸的TCO 115和扩散阻挡110的 部分。即，在制造 EC堆叠125之前执行母线1下方的第一 TC0和扩散阻挡移除。可在装置制造 之前(例如，移除扩散阻挡和之后使用掩模)或在装置制造之后（向下到玻璃移除所有材料） 执行形成区域140(例如，在玻璃中间隔件与玻璃形成密封的周边周围）的边缘去除工艺。在 某些实施方案中，如果形成140的边缘去除工艺创建粗糙边缘，那么形成类似于图2A中的 150a的隔离划线沟槽，因此将材料的一部分135a(见图2A)与EC装置的剩余部分隔离。
[0067]再次参考图3,如装置300的放大部分中所示例，由于母线1下方不存在TC0 115的 部分，因此可避免诸如不希望的着色和电荷积累的前述问题。在这个实例中，由于也移除了 扩散阻挡110,钠离子可以扩散到EC堆叠中母线1下方的区中；然而，由于TC0 115不存在获 得且保持电荷的对应部分，着色和其它问题不那么为难。在某些实施方案中，在母线1将在 其下方驻留的区中选择性移除TC0 115和扩散阻挡110的带；即，在区域140上，扩散阻挡和 TC0可以保留，但是在母线1下方选择性移除TC0 115和扩散阻挡110的宽度且至少与母线1 共延伸。在一个实施方案中，一旦装置制造完成，TC0和扩散阻挡的已移除带的宽度会大于 驻留在已移除带上的母线的宽度。本文所述实施方案包括具有如关于图3所描绘且描述的 配置的EC装置。在一个实施方案中，如关于图1A-C描绘且描述装置的剩余部分。在某些实施 方案中，在制造装置期间，存在较少、或不存在制作的激光隔离沟槽。
[0068]实施方案包括关于图3所述的光学装置，其中剩余部分作为如关于图2D和图2E所 述的装置205。一个实施方案是如图3所描绘但是不具有如图2D和图2E所描绘的隔离划线 160和165也不具有隔离部分170和175的光学装置。一个实施方案是如图3所描绘但是不具 有如图2D和图2E所描绘的隔离划线155也不具有隔离部分145的光学装置。一个实施方案是 如图3所描绘但是不具有如图2D和图2E所描绘的隔离划线160、165、或155也不具有隔离部 分145、170、和175的光学装置。前述实施方案中的任一个还可包括类似于关于图1A-D所描 绘的划线150的隔离划线，但是不包括类似于划线120的隔离划线。本文所述的所有实施方 案消除了类似于如关于图1A-D所述的划线120的激光隔离划线的需要。此外，目标是减少所 需激光隔离划线的量，但是取决于装置材料或所使用的激光，例如，除了划线120之外的划 线可能是或可能不是必需的。
[0069] 如上所述，在某些实施方案中，在不使用激光隔离划线的情况下制造装置，即，最 终装置不具有非功能隔离部分。下文根据不具有隔离划线描述示例性制造方法;然而，应理 解，一个实施方案是如下文所述的任何装置，其中所述装置具有如关于图1A-D所述的隔离 划线(但非隔离划线120)的功能等效物(取决于其几何形状）。更明确而言，一个实施方案是 如下文所述但是不具有如图2D和图2E所描绘的隔离划线160和165的光学装置。一个实施方 案是如下文所述但是不具有如图2D和图2E所描绘的隔离划线155的光学装置。一个实施方 案是如下文所述但是不具有如图2D和图2E所描绘的隔离划线160、165或155的光学装置。前 述实施方案中的任一个还可包括类似于如关于图1A-D所描绘的划线150的隔离划线。
[0070] 一个实施方案是制造包括夹置在第一导电层（例如，第一TC0 115)与第二导电层 (例如，第二TC0 130)之间的一个或多个材料层的光学装置的方法。所述方法包括：（i)接收 在其工作表面上方包括第一导电层的基板；（ii)从在基板的周边的约10%与约90%之间移 除第一导电层的第一宽度；（iii)沉积光学装置的一个或多个材料层和第二导电层使得其 覆盖第一导电层，且在可行时在其周边附近延伸超过第一导电层；（iv)移除基本上在基板 的整个周边附近的所有层的第二宽度，所述第二宽度比第一宽度更窄，其中移除的深度至 少足以移除第一导电层；（V)移除第二透明导电层和其下方的光学装置的一个或多个层的 至少一个部分从而显露第一导电层的至少一个暴露部分;和(vi)将母线施加到第一透明导 电层的至少一个暴露部分;其中第一导电层和第二导电层中的至少一个是透明的。在一个 实施方案中，（ii)包括从在基板周边周围的约50%与约75%之间移除第一导电层的第一宽 度。
[0071] 在一个实施方案中，（ii)之后剩余的第一导电层的边缘的一部分如下文更详细描 述般变细。如果在（ii)之后，透明导体为多边形形状，那么边缘的变细部分可包括一个、两 个或更多个侧。在一些情况中，在（ii)之前抛光第一导电层，且然后任选使边缘变细。在其 它情况中，在(ii)之后在边缘变细或未变细的情况下抛光第一导电层。在后个情况中，变细 可以在抛光之前或在抛光之后。
[0072] 在一个实施方案中，沿光学装置接近基板中未在（ii)中移除第一导电层的侧或多 个侧的周边部分制造所暴露的第一导电层的至少一个暴露部分。在某些实施方案中，第一 导电层的暴露部分并非是通过一个或多个材料层和第二导电层的孔隙、或通孔，而实际上 所述暴露部分是从功能装置堆叠层的边缘部分伸出的区域。下文参考特定实例更详细阐述 此。
[0073]所述方法还可以包括将至少一个第二母线施加到第二导电层，尤其是施加到不覆 盖第一导电层的一部分上。在一个实施方案中，光学装置是电致变色装置且可以是全固态 且无机的。基板可以是浮法玻璃且第一导电层可以包括氧化锡，例如氟化氧化锡。在一个实 施方案中，在全真空整合沉积设备中执行（iii)。在某些实施方案中，所述方法还包括在 (iv)之前在第二导电层上沉积蒸汽阻挡层。
[0074]在一个实施方案中，沿光学装置的一侧的长度制造第一导电层的至少一个暴露部 分，在一个实施方案中，沿光学装置接近基板中未在（ii)中移除第一导电层的侧的侧的长 度制造。在一个实施方案中，接近光学装置的相对第一导电层的至少一个暴露部分的侧将 至少一个第二母线施加到第二导电层。如果施加蒸汽阻挡，那么一部分被移除以便暴露第 二导体层用于施加至少一个第二母线。下文关于参考图4A-D的具体实施方案描述这些方 法。
[0075]图4A是工艺流程400,其描述制造具有相对母线的电致变色装置或其它光学装置 的方法的方面，所述母线每个被施加到光学装置的导体层中的一个。点线指示工艺流程中 的任选步骤。如关于图4B-C所述的示例性装置440用来说明工艺流程。图4B提供描绘装置 440的制造的俯视图，包括如关于图4A所描述的工艺流程400的数字指示符。图4C示出包括 关于图4B所述的装置440的片的横截面。装置440是矩形装置，但是工艺流程400适用于具有 相对母线的任何形状的光学装置，每个母线位于导体层中的一个上。下文例如关于图图4D (其将工艺流程400说明为其关于制造圆形电致变色装置)更详细描述这个方面。
[0076]参考图4A和图4B，在接收其上具有第一导体层的基板之后，工艺流程400以任选抛 光第一导体层开始，见401。在某些实施方案中，已发现抛光下透明导体层会加强制造于其 上的EC装置的光学属性和性能。在20 12年9月27日提交的题为"Optica 1 Device Fabrication"的专利申请PCT/US12/57606中描述在透明导体层上制造电致变色装置之前 对其进行抛光，所述专利申请其全文以引用的方式并入本文。如果执行，则可以在边缘去除 (见405)之前或在工艺流程中的边缘去除之后进行抛光。在某些实施方案中，可以在边缘去 除之前和之后抛光下导体层。通常，仅抛光一次下导体层。
[0077]再次参考图4A，如果未执行抛光401，那么工艺400以在基板的周边的一部分附近 边缘去除第一宽度开始，见405。边缘去除可以仅移除第一导体层或还可移除扩散阻挡(如 果存在）。在一个实施方案中，基板是玻璃且在其上包括钠扩散阻挡和透明导电层，例如氧 化锡基透明金属氧化物导电层。基板可以是矩形的（例如，见图4B中描绘的正方形基板）。图 4B中的点划区域指示第一导体层。因此，在根据工艺405的边缘去除之后，从基板430的周边 的三侧移除宽度A。这个宽度通常(但非必需）是均匀的宽度。下文描述第二宽度B。其中，宽 度A和/或宽度B是不均匀的，而其相对于彼此的相对幅值是根据其平均宽度。
[0078]由于在405处移除第一宽度A，所以下导体层存在新暴露的边缘。在某些实施方案 中，可使第一导电层这个边缘的至少一部分任选变细，见407和409。下伏扩散阻挡层也可变 细。发明人已经发现，在一个或多个装置层上制造后续层之前使其边缘变细在装置结构和 性能上具有意料之外的优点。关于图8A和8B更详细描述边缘变细工艺。
[0079] 在某些实施方案中，在边缘变细之后任选抛光下导体层，见408。已发现，利用某些 装置材料，在边缘变细之后抛光下导体层可是有利的，因为抛光对边缘细锥和块体导体表 面可具有可改善装置性能的意料之外的有益优点（如上文所述）。在某些实施方案中，在抛 光408之后执行边缘变细，见409。虽然在图4A的407和409两者处示出边缘变细(如果执行）， 但是边缘变细通常将执行一次(例如，在407或409处）。
[0080] 在移除第一宽度A和上文所述任选抛光和/或任选边缘之后，在基板430的表面上 方沉积EC装置，见410。这个沉积包括光学装置的一个或多个材料层和第二导电层，例如透 明导电层，诸如氧化铟锡（IT0)。所描绘的覆盖是整个基板，但是归因于必须将玻璃固定在 适当处的载体，可能存在某一掩模。在一个实施方案中，第一导体层的剩余部分的整个区域 被覆盖，包括以先前移除的第一宽度A重叠第一导体。这允许如下文更详细解释在最终装置 架构中重叠多个区。
[0081] 在特定实施方案中，电磁辐射取决于工艺步骤而用来执行边缘去除并且提供基板 的周边区，例如以移除透明导体层或更多层(至多且包括顶部导体层和对其施加的任何蒸 汽阻挡）。在一个实施方案中，至少执行边缘去除以移除包括基板上的透明导体层的材料， 且任选还移除扩散阻挡（如果存在）。在某些实施方案中，边缘去除用来移除基板的表面部 分，例如浮法玻璃，且可前往不超过压缩区的厚度的深度。执行边缘去除例如以创建用于被 IGU的主要密封件和次要密封件的至少一部分密封的良好表面。例如，当导体层横跨基板的 整个区域且因此具有暴露边缘时，透明导体层有时可能失去粘着性，而不管次要密封件存 在与否。此外，据信当金属氧化物和其它功能层具有这些暴露边缘时，其可充当湿气进入块 体装置的路径且因此损及主要密封件和次要密封件。
[0082] 本文将边缘去除描述为在已经按大小切割的基板上执行。然而，在其它公开的实 施方案中，可以在从块体玻璃板切割基板之前进行边缘去除。例如，非回火浮法玻璃可在其 上图案化EC装置之后被切成个别片。可以在块体板上执行本文所述方法且然后将板切成个 别EC片。在某些实施方案中，可在切割EC片之前且再次在从块体板切割所述EC片之后在一 些边缘区域中执行边缘去除。在某些实施方案中，在从块体板切出片之前执行所有边缘去 除。在切割窗格之前采用"边缘去除"的实施方案中，可在预期新形成的EC片将为切口（且因 此边缘)之处移除玻璃板上的涂层的部分。换句话说，尚不存在实际基板边缘，仅存在将制 作切口以形成边缘之处的限定区域。因此，"边缘去除"指的是包括在其中预期基板边缘存 在的区域中移除一个或多个材料层。在2010年11月8日提交的美国专利申请系列号12/941， 882(现为美国专利号8,164,818)以及2012年4月25日提交的美国专利申请系列号13/456， 056(每个题为 "Electrochromic Window Fabrication Methods"）中描述通过在块体板上 制造 EC装置之后从所述块体板中切割而制造 EC片的方法，该二案中的每个其全文以引用的 方式并入本文。所属领域技术人员应明白，如果将对块体玻璃板进行本文所述方法且然后 从其中切割个别片，那么在某些实施方案，可能必须使用掩模，而在所期望最终大小的片上 执行时，掩模是任选的。
[0083]示例性电致变色辐射包括UV、激光等等。例如，可利用波长为248nm、355nm(UV)、 1030nm(IR，例如盘形激光）、1064nm(例如，Nd: YAG激光）和532nm(例如，绿激光）的一个经导 向和聚焦的能量移除材料。例如使用光纤或开口光束路径将激光辐射输送到基板。可取决 于基板处置设备和配置参数的选择从基板侧或EC膜侧执行烧蚀。通过使激光光束行经光学 透镜实现烧蚀膜厚度所需要的能量密度。透镜将激光光束聚焦成所期望的形状和大小。在 一个实施方案中，使用例如具有约〇.〇〇5_ 2与约2_2之间的聚焦面积的"顶帽"光束配置。在 一个实施方案中，光束的聚焦级别用来实现烧蚀EC膜堆叠所需的能量密度。在一个实施方 案中，烧蚀中使用的能量密度在约2J/cm 2与约6J/cm2之间。
[0084]在激光边缘去除工艺期间，在EC装置的表面上沿周边扫描激光斑点。在一个实施 方案中，使用扫描F0透镜扫描激光斑点。例如通过在扫描期间重叠斑点区域而实现EC膜的 均匀移除。在一个实施方案中，重叠在约5%与约100%之间，在另一实施方案中，在约10% 与约90%之间，在又另一实施方案中，在约10%与约80%之间。可使用各个扫描图案，例如 以直线、曲线扫描，且可扫描各个图案，例如扫描统一创建周边边缘去除区域的矩形或其它 形状部分。在一个实施方案中，以上文所述用于斑点重叠的级别重叠扫描线（或"笔"，即由 邻近或重叠激光斑点创建的线，例如正方形、圆形等）。即，由先前扫描的线的路径界定的烧 蚀材料的区域与后来的扫描线重叠，使得存在重叠。即，由重叠或邻近激光斑点烧蚀的图案 区域与后续烧蚀图案的区域重叠。对于使用重叠的实施方案，可使用斑点、线或图案，例如 范围在约1 lKHz与约500KHz之间的较高频率激光。为了在暴露边缘(热影响区或"HAZ"）处最 小化EC装置的热相关损害，使用更短的脉冲持续时间激光。在一个实例中，脉冲持续时间在 约100fs(飞秒)与约100ns (纳秒)之间，在另一实施方案中，脉冲持续时间在约lps(皮秒)与 约50ns之间，在又另一实施方案中，脉冲持续时间在约20ps与约30ns之间。在其它实施方案 中，可使用其它范围的脉冲持续时间。
[0085] 再次参考图4A和图4B，工艺流程400以在基本上基板的整个周边附近移除比第一 宽度A更窄的第二宽度B继续，见415。这可包括沿玻璃或沿扩散阻挡(如果存在)移除材料。 在工艺流程400在例如如图4B所描绘的矩形基板上完成直到415之后，存在具有至少宽度B 的周边区域，在其中不存在第一透明导体、装置的一个或多个材料层或第二导电层一移除 宽度B暴露扩散阻挡或基板。装置堆叠在这个周边区域内，包括通过重叠一个或多个材料层 和第二导体层而围绕在三侧上的第一透明导体。在剩余侧(例如，图4B中的底侧)上不存在 一个或多个材料层和第二导体层的重叠部分。其接近这个剩余侧(例如图4B中的底侧）中一 个或多个材料层和第二导体层被移除以便暴露第一导体层的一部分(母线垫暴露或"BPE"） 435,见420 APE435无需在该侧的整个长度延伸，其仅需足够长来适配母线且在母线与第二 导体层之间留下一些空间以便不致在第二导体层上短路。在一个实施方案中，BPE 435横跨 该侧上的第一导体层的长度。
[0086]如上文所述，在各个实施方案中，BPE是材料层中向下移除到下部电极或其它导电 层(例如，透明导电氧化物层）的一部分之处，以便为要施加的母线创建表面且因此与电极 进行电气接触。所施加的母线可以是焊接的母线和墨水母线等等。BPE通常具有矩形区域， 但是这是非必需的；BPE可以是任何几何形状或非常规形状。例如，取决于需要，BPE可以是 圆形、三角形、椭圆形、梯形和其它多边形形状。形状可以取决于EC装置的配置、承载EC装置 的基板(例如，非常规形状窗），或甚至例如用来创建形状的更有效(例如，在材料移除、时间 等上）的激光烧蚀图案。在一个实施方案中，BPE横跨EC装置一侧的至少约50 %的长度。在一 个实施方案中，BPE横跨EC装置一侧的至少约80%的长度。通常(但非必需），BPE足够宽以适 配母线，但是应允许至少在有源EC装置堆叠与母线之间有一些空间。在一个实施方案中， BPE基本上是矩形，接近EC装置的一侧的长度和宽度在约5mm与约15mm之间，在另一实施方 案中，在约5mm与约10mm之间，且在又另一实施方案中，在约7mm与约9mm之间。如所述，母线 可在约1mm与约5mm宽之间，通常约3mm宽。
[0087]如所述，BPE被制造得足够宽以适配母线的宽度且还在母线与EC装置之间留下空 间（因为仅假定母线触摸下导电层）。母线宽度可超过BPE的宽度(且因此存在在区域140上 触摸下导体和玻璃（和/或扩散阻挡)两者的母线材料），只要母线与EC装置之间存在空间 (在存在L3隔离划线的实施方案中，母线可以接触例如见图1A中的145的无效部分）。在母线 宽度完全适配BPE的实施方案中，即，母线完全在下导体的顶部，母线沿长度的外边缘可以 与BPE的外边缘对准，或插入约1 mm到约3mm。同样地，母线与EC装置之间的空间在约1 mm与约 3mm之间，在另一实施方案中，在约1mm与约2mm之间，且在另一实施方案中，约1.5mm。下文相 对于具有为TC0的下部电极的EC装置更详细描述BPE的形成。这仅是出于便利，电极可以是 用于光学装置的任何适当透明或不透明电极。
[0088]为了制作BPE，清洁底部TC0(例如，第一TC0)的区域的沉积材料使得可在TC0上制 造母线。在一个实施方案中，这是通过选择性移除沉积膜层同时使底部TC0暴露在界定区域 中的界定位置处的激光加工来实现。在一个实施方案中，开发底部电极和沉积层的吸收特 性以便在激光烧蚀期间实现选择性，即，使得TC0上的EC材料被选择性移除同时使TC0材料 完好。在某些实施方案中，还例如通过移除在沉积期间可能发生的TC0和EC材料的任何混合 而移除TC0层的上部(深度），以便确保母线的良好电气接触。在某些实施方案中，当激光加 工BPE边缘以便最小化这些边缘处的损坏时，可避免需要L3隔离划线来限制漏电流-这消除 了工艺步骤，同时实现期望的装置性能结果。
[0089]在某些实施方案中，用来制造 BPE的电磁辐射与上文所述用于执行边缘去除的电 磁辐射是相同的。使用光纤或开口光束路径将(激光)辐射输送到基板。可取决于电磁辐射 波长的选择而从玻璃侧或膜侧执行烧蚀。通过使激光光束行经光学透镜实现烧蚀膜厚度所 需要的能量密度。在一个实施方案中，透镜将激光光束聚焦成所期望的具有上述尺寸的形 状和大小(例如"顶帽"），激光光束具有在约〇.5J/cm 2与约4J/cm2之间的能量密度。在一个实 施方案中，如上文所述进行用于激光边缘去除的BPE的激光扫描重叠。在某些实施方案中， 不同深度烧蚀用于BPE制造。下文更详细描述此。
[0090] 在某些实施方案中，例如由于EC膜中的吸收的选择性特性，焦平面处的激光加工 导致某一量(约l〇nm与约100nm之间）的残余(例如二氧化钨)保留在下导体的暴露区域上。 由于许多EC材料不如下伏导体层导电，在这个残余上制造的母线并未与下伏导体进行完全 接触，导致跨母线与下导体界面的电压降。电压降影响装置的着色并且影响母线到下导体 层的粘着。克服这个问题的一个方法是增加用于膜移除的能量的量，然而，这个做法导致在 斑点重叠处形成沟槽，不可接受地耗尽下导体。为了克服这个问题，执行焦平面上面的激光 烧蚀，即，激光光束被散焦。在一个实施方案中，激光光束的散焦分布是经修改顶帽或"类顶 帽"。通过使用散焦激光分布，可增加输送到表面的通量而不损坏斑点重叠区处的下伏TC0。 这个方法最小化留在暴露下导体层上的残余量且因此允许母线更好接触下导体层。
[0091] 再次参考图4A和图4B，在形成BPE之后，母线被施加到装置，一个在第一导体层(例 如，第一TC0)的暴露区域435上，且一个在装置的相对侧上，在第二导体层（例如第二TC0) 上，在第二导体层未在第一导体层上面的一部分上，见425。母线1在第二导体层上的这种放 置避免了母线下方(类似于图2A或图3的母线1)的着色以及在此母线下方具有功能装置的 其它相关联问题。在这个实例中，制造装置时不需要激光隔离划线-这在根本上脱离常规制 造方法，其中一个或多个隔离划线使非功能装置部分保留在最终构造中。
[0092] 图4B指示装置440的横截面切线Z-Z'和W-W'。在图4C中示出装置440在Z-Z'和W-W' 下的横截面图。所描绘的层和尺寸不一定按比例绘制，而是意指在功能上表示配置。在这个 实例中，当制造宽度A和宽度B时移除扩散阻挡。明确而言，周边区域140没有第一导体层和 扩散阻挡;然而在一个实施方案中，扩散阻挡在一个或多个侧上的周边附近对基板的边缘 保持完好。在另一实施方案中，扩散阻挡与一个或多个材料层和第二导体层共延伸（因此， 以到扩散阻挡的深度制造宽度A，且到足以移除扩散阻挡的深度制造宽度B)。在这个实例 中，在功能装置的三侧附近存在一个或多个材料层的重叠部分445。在这些重叠部分中的一 个上，在第二TC0上制造母线1。在一个实施方案中，将蒸汽阻挡层制造成与第二导体层共延 伸。蒸汽阻挡通常是高度透明的，例如氧化铝锌、氧化锡、二氧化硅及其混合物、非结晶、结 晶或混合非结晶-结晶。在这个实施方案中，移除蒸汽阻挡的一部分以便为母线1暴露第二 导体层。这个暴露的部分类似于区域435,用于母线2的BPE。在某些实施方案中，蒸汽阻挡层 也是导电的，且无需执行第二导体层的暴露，即，母线可以制造在蒸汽阻挡层上。例如，蒸汽 阻挡层可以是IT0,例如非晶IT0,且因此为此目的是充分导电的。蒸汽阻挡的非晶形态可以 比结晶形态提供更大的气密性。
[0093]图4C描绘上覆第一 TC0的装置层，尤其是重叠部分445。虽然未按比例绘制，但是例 如横截面Z-Z '描绘遵循第一 TC0的形状和轮廓包括重叠部分445的EC堆叠和第二TC0的层的 保形特性。出于说明目的在图7中重现且修改横截面Z-Z'以示出这些重叠配置有时遭遇的 问题的细节。参考图7,到重叠部分445的过渡，其中上装置层上覆第一 TC0的边缘，例如取决 于装置材料和层厚，可形成如放大部分(左)所描绘的裂缝700。据信这些裂缝是由于与必须 遵循第一 TC0(在这个实例中）的边缘上方的陡峭过渡的上装置层相关的应力。裂缝700可以 沿装置的边缘形成，其中上覆层覆盖这些陡峭边缘。这些裂缝可以造成电短路，因为第一 TC0与第二TC0之间存在暴露路径，且离子可在裂缝处因为离子传导层(或功能等效物)突破 而使装置短路。这些短路造成电致变色装置的着色异常和不良性能。本文实施方案通过使 下装置层在其边缘的至少一部分附近尤其是下透明导电层变细(倾斜或以其它方式修改）， 使得上覆层将不再遭遇这种应力而克服这个问题。这在本文中被称为"边缘变细"。虽然在 某些实施方案中描述边缘变细，但是可使用其它应力减轻拓扑，诸如边缘修圆、分级和斜 切。此外，可使用应力减轻拓扑的组合。
[0094]参考图8A，例如通过激光烧蚀使第一 TC0的边缘部分800 (未描绘扩散阻挡）变细。 因此，800是边缘变细的实例。在这个实例中，通过散焦激光（supra)形成变细拓扑，使得形 成平滑轮廓而非陡峭边缘。在这个实例中，该变细是分级轮廓，但这是非必需的。在典型但 非限制实例中，第一TC0可以在约0.25mi与约lMi厚之间。具有变细分布的边缘部分800可在 约0.25mi与约1000 mi宽之间，在另一实施方案中，在约0.5圓与约IOOmi宽之间，在另一实施 方案中在约lMi与约l〇Mi宽之间。如关于图4A和图4B所述，可在抛光下导体之前或之后在下 导体层中形成边缘变细。
[0095]再次参考图8A且还参考图8B，在装置制造（如指向下箭头所指示）之后，如上文所 述的所得电致变色装置在三侧周围具有一个或多个材料层和顶部导体层的重叠部分。上层 的部分805重叠边缘部分800。由于边缘部分800的倾斜特性，据信部分805中的上覆装置层 不再经历在陡峭边缘部分在其下方时另外遭遇的应力级别。部分805逐渐过渡到铺置在玻 璃基板上的部分810(或未示出的扩散阻挡，部分810类似于图4C中的部分445)。在这个实例 中，根据本文所述制造方法在第一TC0的三侧上制造边缘变细800,然而其可沿在边缘去除 之后保留的TC0的周边的任何部分进行(包括TC0沿基板边缘即未被边缘去除移除的边缘部 分）。在一个实施方案中，仅在由边缘去除形成的TC0的周边边缘附近执行边缘变细。在一个 实施方案中，仅沿由边缘去除形成且装置的与BPE的相对侧的TC0的周边边缘的所述部分执 行边缘变细。
[0096] 虽然图8A将下导体层描绘为变细，但是这无需如此。例如在下导体层上沉积一个 或多个其它层之后可进行边缘变细，只要整体结果降低后续沉积层的应力。一个实施方案 是最上层下方的一个或多个层在其周边边缘的至少某一部分上具有边缘变细的电致变色 装置。一个实施方案是最上层下方的一个或多个层在其周边边缘的至少某一部分上具有应 力减轻拓扑的电致变色装置。应力减轻拓扑可以包括边缘变细、边缘修圆、分级和/或斜切。
[0097] -个实施方案是制造光学装置的方法，所述方法包括在于下伏材料层上制造重叠 层之前使下伏材料层的一个或多个边缘变细。在一个实施方案中，下伏材料层是下导体层。 在一个实施方案中，使下导体层的一个或多个边缘变细包括激光烧蚀。在一个实施方案中， 激光被散焦以便在变细边缘部分中创建平滑轮廓。在一个实施方案中，在边缘变细之前抛 光下导体层。在一个实施方案中，在边缘变细之后抛光下导体层。
[0098] 如所述，可取决于设计容差、材料选择等而需要一个或多个激光隔离划线。图4G描 绘三个装置440a、440b和440c的俯视图，其每个是如图4B和图4C所描绘的装置440的变体。 装置440a类似于装置440,但是包括沿正交于具有母线的侧的侧隔离EC装置的第一部分的 L2划线(见上文）。装置440b类似于装置440,但是包括隔离装置在第一(下）导体与所述装置 的作用区之间的第二部分且使其无作用的L3划线。装置440c类似于装置440,但是包括L2划 线和L3划线两者。虽然参考装置440a、440b和440c描述图4G中的划线变体，但是这些变体可 用于本文所述实施方案的任何光学装置和片。取决于装置材料、工艺条件、制造之后发现的 异常缺陷等，可添加这些划线中的一个或多个以确保电极的适当电气隔离且因此确保装置 功能。在这些划线中的一个或全部之前或之后，任何这些装置可以施加蒸汽阻挡。如果之后 施加，那么蒸汽阻挡基本上是不导电的；否则其将在填充激光划线沟槽时使装置电极短路。 上述边缘变细可以消除这些划线的需要。
[0099] 再次往回参考图7,图7的右侧包括说明BPE形成有时遭遇的问题的横截面Z-Z'的 详细部分。明确而言，在激光烧蚀在这个图中母线2驻留在其上的母线垫暴露区域期间，激 光可能未均匀地烧蚀掉顶层或烧蚀下导体层(在这个情形中为第一 CT0)。因此，在区域705 中母线与下导体层之间的适当电气连接可存在难题。参考图9A和图9B更详细描述这些问 题。
[0100] 参考图9A，电致变色装置900的横截面具有顶部透明导体层905、装置堆叠910和下 透明导体层915。例如银墨水母线的母线920在下导体层915的BPE上。在图9A的下部中详细 示出层915的BPE部分的问题。取决于装置材料、激光设置、装置状态等，BPE可以不是均匀的 厚度。在这个实例中，激光烧蚀是不均一的，留下其中完全移除导体层915的区域930,和其 中层915保留的区域925。区域930由于切断下TC0中的电连接而防止装置堆叠的导电。区域 930通常横跨BPE的某一部分(如果并非全部），且因此可能成为问题。图9B示出可能发生的 另一问题。如果激光在这个实例中没有烧蚀足够深通过装置堆叠，那么下导体915与母线 920之间可能存在不良电连接。在这个实例中，区域935中母线920与导体层915之间存在电 气连接，其中在BPE期间激光穿透装置堆叠，但是在区域940处，装置堆叠的大面积部分保留 在母线920与导体层915之间。因此，如图9A所示，激光可烧蚀过深，且如图9B所示，在BPE的 整个区域上方激光可能烧蚀不足。这例如由于激光烧蚀期间的装置内和装置间的膜吸收漂 移而可能发生。本文所述的方法通过在BPE制造期间例如沿个别划线施加不同激光烧蚀级 别而克服了这些问题。关于图10A-F更详细描述此。
[0101] 图10A描绘电致变色装置1000的横截面部分。沿一侧在区域1005中烧蚀下TC0以形 成BPE 435。在这个实例中，用散焦激光烧蚀三个区域1005中的每个使得得以描绘凹的横截 面。在这个实例中，以相同激光通量级别制作划线中的每个。此外，不使用激光烧蚀重叠，使 得邻近烧蚀线之间保留的TC0材料存在凸起的区（在这个情况中为脊部）。这是沿多个个别 划线使用各种激光烧蚀级别使用向下到下伏导体层的上覆材料的激光烧蚀的一个实例。本 质上存在用于实现可变烧蚀深度的三个"旋钮"：激光斑点和/或图案(通过定位个别斑点形 成的线、形状)的脉冲持续时间、通量级别和重叠。在某些实施方案中，使用100%重叠，例如 单个斑点位置或横跨相同区域的多个线有多次射击。本文用于实现不同烧蚀深度的实施方 案使用这些旋钮或其任何组合中的任一个。
[0102] 一个实施方案是制造 BPE的方法，所述方法包括在制造 BPE期间沿多个个别划线使 用不同激光烧蚀级别向下到下伏TC0层激光烧蚀上覆材料。在一个实施方案中，以相同通量 级别使用类顶帽划线多个划线的个别划线中的每个。只要存在不同烧蚀深度，就可使用除 了线之外的其它图案。例如，可以在重叠或不重叠邻近斑点的情况下以棋盘图案施加激光 斑点，其中个别斑点施加不同脉冲时间以实现不同烧蚀深度。在某些实施方案中，针对每个 线使用不同通量级别划线多个划线中的至少两个个别划线。下文更详细描述这些实施方 案。
[0103] 图10B描绘实施方案的电致变色装置1010的横截面部分。电致变色装置1010具有 经由沿装置的一个边缘使用不同烧蚀深度沿多个激光烧蚀线1015、1020和1025激光烧蚀下 TC0而形成的BPE 435。在这个实例中，通过沿每个线重叠激光斑点而形成所述线，但是其中 每个线使用个别斑点的不同重叠百分比。在这个实例中，还存在线重叠;然而，在一些实施 方案中，一个或多个线之间不存在重叠。图10C示出由三个线1015、1020和1025制成的BPE 435(本文所述任何装置可具有如关于图10A-F所述的BPE)的俯视图。这些线相对于其它线 每个具有到TCO中的不同烧蚀深度，但是在任何给定线内具有基本上相同的烧蚀深度。通过 使用不同烧蚀深度，例如使用不同通量级别的激光斑点、斑点或线的重叠、脉冲持续时间及 其组合，BPE具有多个深度分布且造成与激光烧蚀期间的膜吸收的变动相关联的问题。即， 如果激光并未烧蚀足够深，或烧蚀过深，那么仍存在足够量的暴露TCO以便在装置操作期间 沿装置边缘与母线进行良好的电气接触且因此有良好的性能和正面着色。在这个实例中， 随着激光从每个线移动到下个线逐渐更深地烧蚀TCO,使得在外边缘处BPE逐渐更薄且靠近 装置堆叠的最内表面处更厚。图10B中描绘的BPE示出指示激光烧蚀路径部分重叠的线之间 的缓慢倾斜过渡。最终BPE是如所描绘的三级构造。通过使用不同烧蚀深度，确保母线与BPE 之间的良好电气接触，因为即使存在烧蚀变动，仍将存在通过烧蚀线中的至少一个到下TCO 的完全穿透。
[0104]在一个实施方案中，激光烧蚀用来以不同烧蚀深度沿每个线沿EC装置的边缘从至 少两个线移除材料。在一个实施方案中，从至少上限10%的下TC0、至少上限25%的下TC0、 至少上限50 %的下TC0和至少上限75 %的下TC0选择烧蚀深度。
[0105]图10D描绘实施方案的电致变色装置1030的横截面部分。参考图10D，即使底部TC0 上面的材料在吸收时不同于计算值，例如激光烧蚀由于出于某一原因的吸收损耗而不会如 计算般挖掘深入堆叠中（由于不同深度存在多个线），BPE工艺仍成功，即实现与母线920的 良好电气连接。在图10D所描绘的实例中，激光不会烧蚀到如计算般深，例如线1015保留会 干扰BPE与母线之间的电气接触的某一 EC堆叠材料。但是，线1020和1025向下穿透到TC0且 因此母线920与下TC0进行良好的电接触。图10E描绘实施方案的电致变色装置1040的横截 面部分。图10E描绘激光比计算的穿透更深的案例，例如当材料层的吸收比期望的漂移到更 多的增加状态。在这个实例中，线1025具有不足够TC0厚度来适当地传导电，但是剩余线 1015和1020允许与母线920的良好电气连接。
[0106] 图10F描绘实施方案的电致变色装置1050的横截面部分。图10F说明在激光线从 BPE的内部移动到BPE的外部时，激光线的不同深度无需从较小深度变为较多深度。在这个 实例中，配置激光烧蚀深度使得BPE在离EC装置最远处更厚且最接近装置边缘处最薄。当例 如期望绝对确认在BPE上制造母线处与装置堆叠之间没有堆叠材料时，这个图案可具有优 点。通过在接近EC装置的线（1015)上穿透更深入TC0中，得以实现此。在一个实施方案中，激 光被配置来逐渐移除多个划线中的每个中的下伏导体层中的多数，每个划线的烧蚀区域至 少部分与先前划线的烧蚀区域重叠，且在最多移除最接近于装置堆叠的下伏导体层且最少 移除离装置堆叠最远的下伏导电层的情况下制造多个划线。在一个实施方案中，激光被配 置来逐渐移除多个划线中的每个中的下伏导体层中的多数，所述至少两个划线的烧蚀区域 至少部分与烧蚀区域重叠，且在最少移除最接近于装置堆叠的下伏导体层且最多移除离装 置堆叠最远的下伏导电层的情况下制造多个划线。
[0107] 虽然参考BPE制造描述用来改变烧蚀深度的激光烧蚀斑点、线或图案的不同能量 和/或重叠和/或脉冲持续时间，但是其还可用来创建如本文所述的边缘变细。这些方法不 限于这些实施方案，例如其还可用来创建隔离沟槽，例如其中在不同深度处烧蚀两个或多 个线以确保EC装置的一个区段与另一个的适当电气（且任选离子）隔离。在一个实施方案 中，制造 L3划线，其中两个或多个划线用来制造 L3划线且至少两个划线在线重叠或不重叠 的情况下每个具有不同烧蚀深度。
[0108]在矩形光学装置例如矩形EC装置方面描述上述制造方法。这是非必需的，因为其 还适用于常规或非常规的其它形状。此外，重叠装置层以及BPE和其它特征的布置可取决于 需要沿着装置的一个或多个侧。为了更充分描述实施方案的范围，下文相对于其它形状和 配置更详细描述这些特征。如关于图4A和图4B所述，下文所述制造还可包括其它特征，诸如 抛光下透明导体层、边缘变细、多深度烧蚀BPE等等。未给定这些特征的描述以免重复，但是 一个实施方案是下文所述具有关于图4A和图4B所述的特征中的一个或多个的装置配置中 的任一个。
[0109]图4D是描绘根据实施方案类似于关于图4B的矩形基板所述制造步骤但是在圆形 基板上的制造步骤的俯视示意图。基板还可以是椭圆形。因此，如先前所述，移除第一宽度 A，见405。在基板上面施加一个或多个材料层和第二导体层（以及任选蒸汽阻挡），见410。从 基板的整个周边移除第二宽度B，见415( 140a类似于140)。如本文所述制造 BPE 435a，见 420。施加母线以制作装置440d(因此，例如根据上述方法，至少一个第二母线被施加到接近 光学装置中与第一导电层的至少一个暴露部分相对的侧的第二导电层），见425。
[0110] 图4E是描绘类似于关于图4B的矩形基板所述的制造但是针对实施方案的成角母 线施加的制造的俯视示意图。因此，如先前所述，在这个实例中从两个正交侧(下TC0的所得 边缘的一个或两个可具有边缘变细)移除第一宽度A，见405。在基板上面施加一个或多个材 料层和第二导体层（以及任选蒸汽阻挡），见410。从基板的整个周边移除第二宽度B，见415。 如本文所述制造 BPE 435b;见420,在这个实例中，沿从其中与移除宽度A的侧相对的正交 侦U。施加母线以制作装置440e (因此，例如根据上述方法，至少一个第二母线被施加到接近 光学装置中与第一导电层的至少一个暴露部分相对的侧的第二导电层），见425。在2012年4 月20日提交的且题为"AngledBus Bar"的美国专利申请系列号13/452,032中描述成角总 线，该案其全文以引用的方式并入本文。成角母线具有减小在装置中的切换速度和局部化 的当前"热斑点"以及更均匀过渡的优点。
[0111] 无论装置形状如何，其可被并入绝缘玻璃单元中。优选地，装置被配置在IGU内部 以便保护其免遭湿气和环境的损害。图4F描绘IGU制造，其中例如电致变色装置的光学装置 被密封在IGU内。I⑶460包括第一基本透明基板445、间隔件450和第二基本透明基板455。 基板445在其上制造有电致变色装置(母线被示出为基板445上的暗的垂直线）。当组合三个 部件时得以形成IGU 460，其中间隔件450被夹置在基板445与455中间且与其配准。IGU具有 由基板的面界定的相关联内部空间，所述面与基板与间隔件的内部表面之间的粘着密封剂 接触，以便密闭地密封内部区且因此保护内部免遭湿气和环境的损害。这通常称为IGU的主 要密封件。次要密封件包括在间隔件周围且在玻璃窗格之间施加的粘着密封剂（间隔件具 有比基板更小的长度和宽度以便在玻璃基板与间隔件的外边缘之间留下某一空间;这个空 间填充密封剂以形成次要密封件）。在某些实施方案中，第一导电层的任何暴露区域被配置 在ICTJ的主要密封件内。在一个实施方案中，任何母线还被配置在ICTJ的主要密封件内。在一 个实施方案中，未在第一导体层上方的第二导体层的区域还被配置在KU的主要密封件内。 常规电致变色IGU将母线配置在间隔件的外部(在次要密封件中）或在IGU的可视区域中配 置在间隔件的内部(在IGU的内容积中）（有时一个在次要密封件中，另一个在可视区域中）。 常规电致变色I⑶还将EC装置边缘配置成延伸到基板边缘或间隔件的内部(在I⑶的内容积 内）。发明人已发现将母线、激光划线等配置在间隔件下方以便保持其在可视区域之外且例 如腾出次要密封件使得其中的电气部件不干扰前述特征是有利的。在2012年4月25日提交 的题为"Electrochromic Window Fabrication Methods"的美国专利申请系列号 13/456， 056中描述这种IGU配置，该案其全文以引用的方式并入本文。在2011年3月16日提交的题为 "Onboard Controllers for Multistate Windows"的美国专利号8,213,074中描述配合次 要密封件的控制器，该案全文以引用的方式并入本文。本文描述的方法包括在IGU的主要密 封中密封第一导体层的任何暴露区域、装置的边缘或一个或多个材料层的重叠区以及第二 导体层。在具有或不具有蒸汽阻挡层的情况下，诸如氧化硅、氧化硅铝、氮氧化硅等等，这个 密封协议提供极佳防潮以在最大化可视区域时保护电致变色装置。
[0112]在某些实施方案中，使用大面积浮法玻璃基板执行本文所述的制造方法，其中在 单个单炔基板上制造多个EC片且然后将基板切割成个别EC片。类似地，在2010年11月8日提 交的且题为"Electrochromic Window Fabrication Methods"的美国专利号8,164,818中 描述"涂布然后切割"方法，该案其全文以引用的方式并入本文。在一些实施方案中，这些制 造原理被应用于本文例如关于图4A-4G所述的方法。
[0113]图4H和图41描绘根据实施方案的类似于关于图4A描述的制造工艺流程但是在如 适用于涂布然后切割方法的大面积基板上进行的EC片制造工艺流程。这些制造方法可用来 制作例如如本文所述的各种形状的EC片，但是在这个实例中，描述了矩形EC片。在这个实例 中，基板430(例如，关于图4A所述涂布由透明导电氧化物层)是大面积基板，诸如浮法玻璃， 例如5英尺乘10英尺的玻璃板。类似于如关于图4A所述的操作405,执行第一宽度A下的边缘 去除。还可执行边缘变细和/或抛光。在这个实例中，由于在大基板上制造多个EC装置(在这 个实例中为12个装置），第一宽度A可以具有一个或多个分量。在这个实例中，宽度A存在两 个分量AjPA 2。首先，沿基板的垂直(如所描绘)边缘存在宽度Ai。由于存在邻近EC装置，宽度 M反映在涂布移除中为宽度心的两倍。换句话说，当从块体板中切割个别装置时，沿垂直(如 所描绘)维度的邻近装置之间的切割将使在其中移除涂层的区域均匀分叉。因此，这些区域 中的"边缘去除"考虑在切割玻璃之后(见例如图41)最终将存在玻璃边缘之处。其次，沿水 平维度使用第二A宽度分量A 2。应注意，在某些实施方案中，在基板的整个周边附近使用宽 度八:，然而，在这个实例中，提供更多宽度以适配将制造在顶部透明导体层上的母线(例如， 见图4C的母线1)。在这个实例中，宽度A 2在基板的顶部边缘和底部边缘以及在邻近EC装置 之间均是相同的。这是因为所述制造类似于关于图4B所述的制造，即其中沿每个装置的透 明导体区域的边缘的底部从基板中切割EC装置(见图4G)。
[0114] 接着，在操作410中，EC装置的剩余层被沉积在整个基板表面上方(例如，节省其中 夹钳可在载体中固定玻璃的任何区域）。可以在操作410之前清洁基板例如以移除来自边缘 去除的污染物。此外，可执行TC0区域的每个上的边缘变细。EC装置的剩余层在基板上囊封 透明导体的隔离区，因为其围绕透明导体的这些区域(除了驻留靠着基板的背面或介入离 子阻挡层之外）。在一个实施方案中，以环境受控全PVD工艺执行操作410,其中基板不会离 开涂布设备或打破真空，直至沉积所有层。
[0115] 在操作415中，以比第一宽度A更窄的第二宽度B执行边缘去除。在这个实例中，第 二宽度B是均匀的。在邻近装置之间，使第二宽度B加倍考虑沿均匀在两个装置之间的线切 割基板，使得最终装置在其附近具有均匀边缘去除以在从每个EC装置制造 IGU时用于间隔 件与玻璃的密封。如图4H所示，这个第二边缘去除隔离基板上的个别EC片。在某些实施方案 中，第二宽度B可比适配用于IGU制造的间隔件所需的宽度小得多。即，EC片可以被层压到另 一基板且因此仅需要宽度B下的小边缘去除，或在一些实施方案中，不需要第二宽度B下的 边缘去除。
[0116] 参考图图41，操作420包括制造 BPE 435,其中EC装置层的一部分被移除以暴露接 近基板的下导体层。在这个实例中，沿每个EC装置的底(如所描绘)边缘移除该部分。接着， 在操作425期间，母线被添加到每个装置。在某些实施方案中，在母线施加之前从基板切除 EC片。基板现在完成EC装置。接着，切割基板(操作470)以产生多个EC片440，在这个实例中 为12个片。这在根本上脱离常规涂布然后切割方法，其中可制造在大面积片幅玻璃板上包 括母线的全功能EC装置。在某些实施方案中，在切割大片幅板之前测试个别EC片且任选地 减轻任何缺陷。
[0117] 涂布且然后切割方法允许高产率制造，因为多个EC装置可被制造在单个大面积基 板上，并且在将大片幅玻璃板切割成个别片之前被测试且减轻缺陷。在一个实施方案中，在 切割大片幅板之前大片幅玻璃窗格和与每个EC装置配准的个别强化窗格层压。在层压之前 可或可不附接母线；例如，匹配片可以与允许用于后续母线附接的顶部TC0和底部TC0的一 些暴露部分的区域共延伸。在另一实例中，匹配片是基本上与EC装置或整个大片幅板共延 伸的薄柔性材料，诸如下文所述薄柔性玻璃。烧蚀薄柔性匹配片向下到第一导体层和第二 导体层(和层压粘着剂，如果这些区域中存在），使得母线可如本文所述般附接到其处。在又 另一实施方案中，薄柔性匹配片(不管与整个大片幅板或个别EC装置共延伸与否)配置有在 层压期间与顶部导体层和BPE配准的孔隙。因为孔隙允许任一操作序列，所以在与匹配片层 压之前或之后附接母线。可在切割大型板之前或之后单独执行层压和母线附接。
[0118] 在某些实施方案中，当层压时，可在层压之前施加母线墨水，其中墨水被施加到 BPE和上TC0,然后在层压时从这些区域之间被压出到例如匹配片中的孔隙或继续在层压边 缘周围，以允许位于层压区域外部的点处的引导附接。在另一实施方案中，扁平箱带被施加 到顶部导体和BPE，箱带延伸到层压区之外，使得布线可在层压之后被焊接到所述带。在这 些实施方案中，切割必须先于层压，除非例如层压匹配片不覆盖大片幅基板的整个表面(例 如，如关于本文的辊到辊实施方案所述）。
[0119] 片440(被层压或未被层压）可被并入IGU中，例如如图4F所描绘。在一个实施方案 中，个别EC片被并入IGU中且然后IGU的EC片中的一个或多个层压如本文或美国专利号8， 164,818中所述的强化窗格(匹配片）。在其它实施方案中，例如如本文所述，层压物可包括 柔性基板，例如其中匹配片是柔性基板的I⑶的前述层压物，或例如EC片直接层压到柔性基 板。关于图4J描述另外的这种实施方案。
[0120]图4J描绘辊到辊加工475,其形成层压物使用柔性匹配片的电致变色装置层压。基 板476被馈送到层压线中，在这个实例中包括输送机477。基板476可以是并入至少一个EC片 的IGU，或者基板476可以是例如如本文所述的单块EC装置或者基板476可以是在其上制造 多个EC片的大片幅基板。在这个实例中，将薄且柔性基板478(在本案中为玻璃基板)从辊馈 送到层压线中。在一个实施方案中，一个或多个辊被并行施加到例如关于图41所述的包括 多个EC装置的大片幅玻璃板。例如，柔性基板的这些单独和并行辊被馈送到纵向或横向层 压大片幅玻璃基板的层压线中，使得三个列或行的EC装置(见图41，上部)每个与柔性基板 层压。因此，使用辊到辊加工，大片幅玻璃板可与柔性匹配片材料层压且切割成个别EC片。 在每行被层压时或在整个板被层压之后可切割大片幅玻璃板。在某些实施方案中，用辊到 辊加工层压个别EC片或含有EC片的IGU。下文描述辊到辊加工的更多细节。
[0121 ]示例性柔性基板包括薄且耐久的玻璃材料，诸如Gorilla?玻璃(例如在约〇. 5mm与 约2.0mm厚之间）和Willow?玻璃，可从Corning, Incorporated of Corning New York购买 到的。在一个实施方案中，柔性基板小于〇. 3mm厚，在另一实施方案中，柔性基板小于0.2_ 厚，且在另一实施方案中，柔性基板为约0.1mm厚。在某些实施方案中，薄柔性低钠基板可小 于0.1mm厚。这些基板可用于辊到辊加工。再次参考图图4J，对基板476、柔性基板478或两者 施加粘着剂。辊479施加足够压力以确保基板476与柔性基板478之间的良好粘接。例如使用 激光480切割柔性基板478以匹配其层压配件476。得到最终层压结构481。使用这种辊到辊 方法，可用薄柔性强化窗格强化单块EC装置、IGU或承载多个EC片的大片幅玻璃板。这些方 法适用于本文或另外描述的任何EC基板。在一个实施方案中，如图41所描绘的例如已经从 大面积基板切割的单块EC片被馈送到要与柔性基板层压的层压线。在另一实施方案中，在 其上制造多个EC装置的大面积基板与对应宽度的柔性基板层压，且在层压之后，例如在层 压结束时或在整个大片幅板层压之后从大面积层压中逐行切割个别新层压的EC装置。在另 一实施方案中，在其上制造有多个EC装置的大面积基板与对应个别EC片的宽度或长度的多 个柔性基板层压，且在层压之后，从大面积层压物中例如个别地或逐行(或列)地切割现在 经层压的EC装置。
[0122] 在某些实施方案中，薄柔性基板被层压到非退火玻璃片，例如回火或热强化玻璃 片，且然后所产生的层压物用作光学涂层的基板。虽然未限于此方式，但是这些实施方案尤 其有用于将溅射无机EC装置施加到柔性基板，其中EC装置制造所需的加工条件包括加热基 板、尤其在约300°C与450°C之间的温度下的退火。此外，这些薄柔性基板的大型板可更易于 用支撑基板处置。然而，由于柔性玻璃基板可以是极低缺陷表面且低钠的，其可以是在其上 制造低缺陷EC装置的极佳基板。关于图4K描述其中薄柔性基板例如具有或不具有例如从 Corning, Incorporated of Corning New York购买的预施加透明导体层的前述低钠薄柔 性玻璃首先被层压到支撑片且然后在其上制造的EC装置的实施方案。
[0123] 图4K描述用于制造光学装置的工艺流程482的方面。在被层压到回火玻璃或热强 化玻璃片的薄柔性低钠玻璃方面描述工艺流程482;然而，这仅是工艺流程的层压部分的一 个实施方案。例如，薄柔性玻璃可被层压到塑料基板且然后在其上制造的EC装置(例如，其 中EC制造工艺不需要层压无法耐受的温度）。
[0124] 参考图4K，首先，将薄柔性玻璃层压到支撑片，例如回火或热强化片，在约2mm与约 25mm厚之间，在另一实施方案中在约2mm与约12mm厚之间，且在又另一实施方案中在约2mm 与约6mm厚之间，见483。如果薄柔性玻璃包括透明导体层，那么该层可被定位成背朝层压粘 着剂，以便在透明导体层上制造光学装置且因此将其用作光学装置的导体中的一个。例如 如果最终层压结构中期望有额外低E涂层，那么透明导体层可被定向朝向层压粘着剂，且在 这种实施方案中，薄柔性玻璃的另一侧将需要透明导体层。
[0125] 利用适用于光学装置制造的层压粘着剂执行执行层压；即，层压粘着剂将耐受制 造工艺的条件，包括任何退火、烘烤或烧制步骤。在某些实施方案中，使用高温层压粘着剂， 例如硅酮基粘着剂。2012年2月24日提交的美国专利公布US 2012/0156457描述一种类型的 这种硅酮基粘着剂，其全文以引用的方式并入本文。前述专利公布中描述的硅基粘着剂允 许薄柔性基板粘结到支撑基板且然后在加工尤其例如在400°C或约400°C°C下的高温加工 之后从支撑基板脱粘。本文的实施方案不限于允许柔性基板从支撑基板脱粘(剥离能力）的 层压粘着剂。在某些实施方案中，尤其期望层压粘结是永久的。在较低温度状况中，例如在 小于300°C的一个实施方案中，在小于200°C的另一实施方案中，可使用环氧树脂基层压粘 着剂。任何适当层压粘着剂将足够，只要粘着剂经受用于制造光学装置的加工条件。在一些 情况中，层压粘着剂是光透粘着剂。硅酮粘着剂是有吸引力的选择，因为其可被调配成具有 低挥发性有机组分(低VOC)或甚至零VOC。此外，可调配硅粘着剂以在加工期间保留光透。这 在例如使用本文所述层压物作为全无机例如经溅射且热处理(退火、烘烤或烧制）的EC涂层 的基板时是有用，因为例如在整合真空涂布器系统中，应避免挥发性组分，因为其可能影响 保持稳定真空和/或污染沉积(例如溅射)层。通常，在其上制造光学装置之前硅酮基层压粘 着剂将在l〇〇°C与约250°C之间下固化，但是在某些实施方案中，在EC制造之前执行固化工 艺。在步骤483形成的层压物应具有均匀的表面，例如层压粘着剂应在回火片与柔性退火玻 璃基板之间在厚度和没有泡沫两者上均匀分配。在柔性基板上具有均匀（例如基本上平坦） 表面对于其上的沉积层的均匀性是重要的。对于吸收性装置，例如层压粘着剂应针对最终 光学装置的规格具有良好的清晰度、低雾度和充分的光透射度。层压层可取决于需要被着 色或不着色。着色层压层可用来偏移光学装置的另一部分中的不希望的颜色，或用来加强 现有颜色。如果在加工期间层压粘着剂发生变黄，那么可选择支撑片的颜色使最终产品的 颜色空间符合规格。层压层中可能使用的染料对于加热和紫外(UV)辐射优选是高度稳定。 如果选择无机颜料，那么其不应在加热或UV下催化层压粘着剂的分解。在一个实施方案中， 层压粘着剂被调配成具有横向伸展性，使得在没有由于热冲击的破裂的情况下支撑片与薄 柔性片之间的热膨胀的系数差得到适配。
[0126] 在一个实施方案中，如关于图4J描述制造层压，但是其中基板476(例如，回火或热 强化玻璃或塑料基板)其上不具有EC装置。激光480不仅可用来从块体辊478中自由切割层 压，而且可用来执行如下文所述的边缘处理。柔性基板478可以是大片幅辊，例如二分之一 米到三米宽，且例如数十米或数百米长，例如至多300米长。多个片476可以并行层压(例如 并排）。在一个实例中，片476以最大化柔性基板476的有效使用的图案被布置在辊系统上。 这在图图4L中说明。
[0127] 图4L描绘层压设备490的俯视图。设备490中执行的层压工艺很像相对于图4J描述 的层压工艺，除了基板476其上不具有EC装置之外，其是例如薄柔性退火低钠玻璃的薄柔性 基板478的支撑基板。基板476被馈送到例如辊输送器477上，如关于图4K所述般层压片以形 成层压物481(在这个实例中，使用大型辊479,然而，这种自动层压可以包括如所属领域技 术人员应明白的大型平坦按压、真空袋技术、加热器等等）。在这个实例中，基板476具有不 同大小和形状，且被布置成最大化柔性基板478的可用区域(在图4L中，用白色填充实线描 绘基板476和层压物481以便简化图示）。基板476例如可为72英寸X 120英寸大。在这个实例 中，在基板478离开层压工艺(大型辊479)时，层压物481仍附接到块体基板478。例如使用激 光（例如图4J中的激光480)或电热和/或机械玻璃切割从块体板中自由切割个别层压物 481。从每个层压物的周边移除的过量薄玻璃478可循环使用。在某些实例中，运输基板476 的辊输送器477至少在层压工艺之前可在邻近辊之间具有窄间隔（例如，1英寸与3英寸之间 的间隔），以减小破裂基板的可能性。另外或作为替代，可以在层压工艺之前加热基板476， 使得基板476被放置处于在冷却之下还可减少基板476的破裂的可能的压缩下。
[0128] 当从块体板中切割层压物481时，可将薄柔性基板切割成比支撑片476更大，这描 绘于图4M中。构造491是从薄柔性玻璃478的块体板自由切割的层压物481，其中薄柔性玻璃 478的周边悬垂保留（注意层压粘着剂493)。这个构造可是期望的，使得可避开高产率层压 设置进行薄玻璃的更精确的切割。如图4M所描绘，可切割薄玻璃以匹配支撑片476的区域。 图4M示出此的俯视图和侧视图。图4N描绘薄柔性玻璃可被切割成比制作层压物492的支撑 片476缩退(更小面积）。这可进行以帮助保护退火玻璃的边缘。所属领域技术人员应明白， 可在不使用大片幅(例如，辊或大型纹带)柔性玻璃的情况下制造构造491、481和492。例如， 使用比支撑片476的面积稍微更大、相同大小或更小的预切割柔性片，可分别制造构造491、 481和492。
[0129] 再次参考图4K的工艺流程482,对层压任选施加边缘处理，见484。边缘处理可以包 括碾磨和/或抛光程序以改进边缘强度或更充分保护和/或固定薄柔性基板的边缘。在一个 实施方案中，薄柔性玻璃配件的边缘被加热到高温以熔融在周边周围的玻璃，从而移除微 裂纹且在增加强度的边缘中引发应力。在一个实施方案钟，在层压之后碾磨和/或抛光柔性 薄退火玻璃的边缘，例如，层压物481是例如机械切割的"粗切"层压物，其经过边缘碾磨和 抛光工艺以强化薄退火片的边缘（回火片通常将已经具有碾磨和抛光边缘）。在所得结构 中，虽然回火支撑片和薄柔性片的面积（"占用面积"）相同，但是薄玻璃的最外边缘被斜切， 例如以逼近回火片的碾磨(且任选抛光)边缘的曲率。这描绘于图40中的层压物481a。层压 物481的薄退火片在边缘处具有矩形横截面，但是在边缘碾磨且任选抛光之后，边缘被修圆 或成角且更耐受破裂，见层压物481a。邻近层压粘着剂493的匹配表面的表面积是相同的， 不存在回缩，且柔性玻璃478的边缘的外(最右边)角由于边缘区率(或角度)受到保护。由于 支撑片通常是具有预存在边缘碾磨和抛光的回火玻璃片，这个边缘处理可仅包括碾磨和/ 或抛光或修改退火玻璃边缘。在一些情况中，如相对于图4P描述的具有碾磨/抛光的边缘处 理可能需要频繁处理抛光轮以移除残余。
[0130] 虽然不希望受限于理论，但是据信当极薄柔性退火玻璃被层压到更薄回火片时， 可执行边缘碾磨和/或抛光以便从层压物的两个片中移除材料。即，如果在工艺期间从回火 片中碾磨小厚度的材料，只要未穿透回火片的张力区，并且在边缘碾磨之后压缩区中有足 够的材料保留，那么层压物可被边缘碾磨，其中回火片和退火片两者被一起碾磨以形成均 匀曲率。一个实施方案是形成层压物的方法，所述方法包括将回火片层压到更薄退火片，且 然后边缘碾磨层压物，其中回火片和退火片两者的边缘被同时碾磨。所得边缘看起来将很 像层压物481a的边缘，但是沿居中且平行于如所描绘的横截面的轴可具有更好的C2对称。
[0131] 在典型实施方案中，回火或热强化片用于支撑基板，其中在层压之前支撑基板的 边缘具有碾磨和任选抛光的边缘。在层压之前或之后处理柔性片的边缘。例如，可在将薄柔 性玻璃制造到前述层压物中之前或之后施加环氧树脂（例如，S〇m〇S?ProtoGen 0-XT 18420环氧树脂）以机械切割退火薄柔性玻璃。由于机械切割玻璃具有可能不如激光或电热 切割玻璃高的边缘强度，将边缘粘着剂例如环氧树脂施加到玻璃的周边以防止玻璃在热应 力下的破裂或裂纹。某些环氧树脂粘着剂可耐受例如在约300°C与约400°C之间的高温，但 是在这些条件下可能变黄。由于边缘处有环氧树脂，任何变黄将不再是问题，因为当例如层 压窗格被制造到IGU中或搭配相关联框系统安装时，这些边缘将被遮蔽。在薄柔性玻璃被制 造到前述层压物之前或之后，其它材料可被施加到机械切割的退火薄柔性玻璃，诸如例如 ABS塑料、聚丙烯（例如，PolypX)響PD626聚丙烯）和聚氨酯/聚丙烯混合（例如，诸如 Santoprene?聚氨酯/聚丙烯混合）。此外，在层压边缘处理之前或之后可对柔性片的边缘 进行处理以额外边缘处理。例如，边缘的酸蚀刻可用来使裂纹尖端变钝。在一些情况中，柔 性片边缘的处理可能涉及围绕在边缘周围的材料带。在一些情况中，材料带可被囊封在IGU 框中，使得其对观看者不可见。
[0132] 图4P描绘施加边缘粘着剂495的两个层压物的横截面。在这个图中，边缘粘着剂 495被施加到层压物481和481a。应注意，边缘粘着剂不仅可涂布边缘，而且涂布层压物在周 边附近的面的部分。在一个实施方案中，边缘粘着剂并未覆盖层压物的退火玻璃片的周边 的约1mm以上宽的带，在另一实施方案中，边缘粘着剂并未覆盖层压物的退火玻璃片的周边 的约2mm以上宽的带，在又另一实施方案中，边缘粘着剂并未覆盖层压物的退火玻璃片的周 边的约3mm以上宽的带。
[0133] 可以极低粘度调配诸如环氧树脂的边缘粘着剂以便确保其不仅覆盖退火片的边 缘，而且还穿透玻璃中的微裂纹且将其粘结在一起。可以两次或多次施加施加边缘粘着剂， 例如施加低粘度粘着剂以密封和粘结玻璃边缘中的任何微裂纹或缺陷，且然后施加更粘稠 的粘着剂以提供更厚的阻挡，例如用作保护边缘免遭处置期间的物理接触的防护器的材料 "珠子"。
[0134] 施加边缘粘着剂是任选的，因为在某些实施方案中，层压粘着剂被设计成用作两 个玻璃基板之间的粘结剂和用作如上文所述的边缘粘着剂两者。在一个实施方案中，在层 压工艺期间，从基板之间挤压足够的层压粘着剂以便涂布薄柔性基板的边缘且提供边缘粘 着剂。这在图4P中予以说明，见层压物481b。在这个实例（但非必需）中，层压物481b具有回 缩的薄退火片。层压粘着剂493围绕退火片478的周边边缘形成珠子并且保护器免遭破裂。 在其它实施方案中，从边缘移除任何层压粘着剂，且之后施加单独边缘粘着剂，例如硅酮基 层压粘着剂用于层压物，且之后施加环氧树脂边缘粘着剂。在一个实施方案中，层压粘着剂 和所施加的边缘粘着剂两者用来保护玻璃边缘，例如诸如481b的层压物可以具有在层压物 的周边附近施加在层压粘着剂493的珠子上方的边缘粘着剂。
[0135] 在一个实施方案中，在施加边缘粘着剂之前或代替施加边缘粘着剂执行蚀刻、加 热等。例如，在一个实施方案中，在层压到支撑基板之前和/或之后，激光用来强化薄柔性基 板的边缘。激光可用来例如切掉弱边缘材料，或例如加热边缘且熔融任何微裂纹，从而对边 缘增加应力和强度。在某些实施方案中，可在与EC制造相关联的加热期间缓解边缘应力中 的一些。
[0136] 虽然不希望受限于理论，据信边缘处理不仅可现场改进层压EC装置的耐久性（例 如热冲击期间的稳定性），而且还改进耐久性使得层压物可在与某些EC制造工艺相关联的 高温下幸存。
[0137] 再次参考图4K的工艺流程482,优选在清洁、低微粒环境中进行层压。然而，由于光 学装置制造在层压之后发生，可任选在例如EC装置制造之前清洁层压物，见485。例如使用 市售玻璃清洁设备执行清洁。
[0138] 在任选边缘处理和/或任选清洁之后，在薄柔性玻璃基板上制造 EC装置，见486。本 文例如关于图4A-E描述用于制造 EC装置的示例性方法，然而可在不脱离工艺流程482的"EC 制造"方面的范围的情况下使用其它方法。应注意，可通过使用薄柔性退火玻璃基板诸如上 述Corning产品而避免下透明导体层的任选抛光工艺(本文所述），因为这些玻璃基板具有 原始表面且是高度均匀的。
[0139] 在某些实施方案中，在柔性玻璃基板其上不具有预施加透明导体时，施加第一透 明导体作为制造工艺流程的部分。例如，如在本文所述的工艺流程400中在薄柔性基板上制 造 EC装置，但是包括在其上制造第一透明导体。一个实施方案是如本文所述制造 EC装置的 方法，其中基板是如关于图4K-Q所述的层压物。
[0140] 在制造 EC装置之后，任选地执行边缘处理，见487。例如，如果在工艺步骤484中不 执行边缘处理，那么可在EC制造之后执行。此外，作为EC制造的部分，例如在激光边缘去除 (LED)期间，薄退火玻璃的边缘可能受到不利影响且在EC制造之后需要进一步边缘处理。在 其它实施方案中，EC制造之前的边缘处理包括施加在EC制造期间或在EC制造之后固化的边 缘粘着剂。方面484和487预期后个实例。例如，边缘粘着剂被施加作为484中的边缘处理。边 缘粘着剂的固化工艺被溅射沉积工艺的组分催化以制造 EC装置，而且还需要在沉积EC装置 之后执彳丁的加热。在另一实例中，在484处施加边缘粘着剂，例如环氧树脂或娃酬基粘着剂， 但是所述粘着剂需要在沉积EC装置之后执行的加热以完全固化。在另一实例中，在484处在 或未在机械边缘修改的情况下将第一边缘粘着剂施加到薄柔性退火玻璃边缘。EC制造工艺 的加热允许第一边缘粘着剂在玻璃边缘处更自由地流动且进入任何微裂纹和缺陷。在EC装 置制造之后，在EC层压物冷却至室温之前或之后施加第二边缘粘着剂。
[0141] 再次参考图4K，在第二任选边缘处理之后，将顶部涂层任选施加到EC装置以保护 所述EC装置，见488。顶部涂层可被添加为密封物，例如作为气密密封以保护层压物免遭环 境的损害。在某些实施方案中，密封物还充当如本文所述的边缘粘着剂。例如，在一个实施 方案中，密封物是聚对二甲苯，例如，聚对二甲苯AF-4(对二甲苯衍生物，其还是特氟隆衍生 物）。在另一实施方案种，顶部涂层是硅酮或环氧树脂基密封物，诸如市售自例如 Polysciences，Inc.，Warrington, Pennsylvania 的密圭寸物或市售自 Dow Corning Corporation，Midland Michigan的密封物。这些密封物还可以是粘着剂，因此，在某些实施 方案中，顶部涂布程序还保护退火薄玻璃的边缘，且因此替代边缘处理使用，或除其之外使 用。在一个实施方案中，工艺流程482并不包括484或487，而实际上顶部涂层施加488是保护 薄退火玻璃基板（以及作为整体的EC装置）的边缘全部所需。在其它实施方案中，为更稳健 层压组合如本文所述的一个或多个边缘处理与顶部涂布使其可耐受温度变化以及环境暴 露和冲击。
[0142] 再次参考图4K，在任选顶部涂布之后，层压物被任选并入IGU中，见489。由于本文 所述方法可以产生强健层压，所以并入到IGU是任选的。还可通过将另一回火、热强化或聚 合片层压到EC装置而进一步强化层压物以便保护柔性退火片和/或EC装置免遭冲击。
[0143] 在一个实施方案中，层压物被并入IGU中，其中光学装置例如EC装置在IGU的内部 容积中。这可在从块体板478切除层压物之前或之后进行(对于后者，见图4Q)。在这种实施 方案中，EC装置可或可不具有被层压到EC装置侧的顶部涂层和/或额外片，因为内部容积会 保护EC装置。在一个实施方案中，层压物不包括顶部涂层且还被并入EC装置在I⑶的内部容 积内的ICTJ中。例如如果IGU的内接窗格和/或主要密封件和次要密封件要失效时这种构造 是有用的，EC装置将受顶部涂层保护免遭环境的损害。IGU可以仅具有如本文所述的单个层 压物，例如其中IGU的匹配片是单个玻璃片的双窗格IGU。在其它实施方案中，IGU是如本文 所述的两个层压物用作IGU的两个窗格的双窗格构造。具有如本文所述的一个、两个或三个 层压物的三窗格ICTJ也在本文所述实施方案的范围内。
[0144] 在某些实施方案中，回火或热强化玻璃板被层压到薄退火玻璃板且然后在其上制 造 EC装置涂层。图4R描绘工艺流程482a，其更像如图4K中所述的工艺流程482。在这个特定 工艺流程中，回火或热强化玻璃板被层压到退火玻璃，其中退火玻璃在辊478中。使用如本 文所述的高温层压粘着剂将个别回火或热强化玻璃板层压到退火玻璃，见483。从退火玻璃 块体板中切割层压物，见421。执行任选边缘加工，422,在其中如本文例如关于图4M-P所述 碾磨层压边缘，施加粘着剂等。如关于图4B描述，可在退火玻璃已施加透明导电涂层时执行 边缘去除，见405。接着，例如全PVD工艺用来在其上沉积EC涂层，见486。如关于图4B所述，可 执行另一边缘去除，见415。接着，在形成BPE(如果需要)之后（未描绘）附接母线，见625 JC 装置层压物可任选并入在IGU中。
[0145] 参考图4L和图4Q，现在在了解以上实施方案之后，应注意，无需从块体板中自由切 割个别层压物，直至光学装置被施加到块体板之后，或甚至直至在制造 IGU构造之后。图4Q 示出ICTJ组装线和相关联工艺流程496。即，在一个实施方案中，如由图4Q的顶部处的盒所指 示，层压物附接到其处的块体板延伸通过如本文所述的光学涂层制造工艺。这将与如关于 图4K所述的工艺流程482的步骤483和486-致，明确而言，其中未从块体板切割层压物481， 直至在I⑶形成之后。参考图4Q，形成层压物481且在每个层压物的薄退火玻璃478侧上制造 完整的EC装置，包括任选顶部涂层、母线和相关联布线。在一个实施方案中，制造母线(及其 任选布线)且之后施加顶部涂层。这避免了必须穿透顶部涂层以施加母线。在块体薄柔性退 火板离开组装线的层压EC制造部分之后，每个个别层压物现在在其上具有光学装置(例如， EC装置，甚至更特定而言固态且无机的EC装置，甚至更特定而言全PVD固态且无机EC装置）。 IGU间隔件497被施加到每个层压物，仍附接到块体板以及匹配片498,在这个实例中，对匹 配片上色以帮助视觉化。在一个实施方案中，间隔件是如2012年12月11日提交的专利申请 序列号PCT/US2012/068950中所述的预布线间隔件，该案以引用方式并入本文。这种IGU间 隔件具有将母线整合到其处的布线，且一些在玻璃上包括到间隔件匹配表面的接触件，其 在某些实施方案中消除了母线的需要。间隔件和/或匹配片具有施加到其处的粘着剂，且其 在每个层压物进入在其中形成IGU的IGU压力机之前全体与每个层压物481配准。因此在IGU 形成期间形成主要密封件。在一个实施方案中，粘着剂是诸如PVB的常规ICTJ主要密封剂。在 某些实施方案中，粘着剂是环氧树脂粘着剂/密封剂。如上所述，环氧树脂基粘着剂可以对 薄退火玻璃边缘赋予额外耐久性。在一个实施方案中，不存在如关于图4K的工艺流程482所 述的边缘处理，而实际上在ICTJ形成期间施加的环氧树脂基主要密封剂足以保护退火玻璃 边缘且形成极佳主要密封件两者。
[0146] 在形成其主要密封件的情况下从压力机中呈现IGU499，EC装置气密密封在ICTJ内， 同时仍附接到块体板478。在制造完整的ICTJ之后，从块体板中切除所述IGU。如上所提及，可 在之后循环使用过量块体板。在从块体板切除之前或之后，IGU可施加次要密封剂，但这通 常是在之后进行，以便不干扰从板中自由切割所述IGU。可水平或垂直地进行工艺流程496-在适当载体支撑具有附接层压物和最终IGU的薄基板的情况下。
[0147] 根据但不受限于本文所述方法，其它实施方案包括光学装置、层压物、IGU和相关 物品。
[0148] -个实施方案是光学装置层压物，其包括：i)第一基板，其包括选自由回火玻璃、 热强化玻璃、化学强化玻璃和聚合物组成的组的材料;ii)第二基板，其被层压到第一基板， 其中第二基板是低钠退火玻璃；iii)第一基板与第二基板之间的层压粘着剂，所述层压粘 着剂能够耐受约300°C与450°C之间的温度;和iv)光学装置，其在第二基板的外表面上。在 一个实施方案中，第二基板在约〇.5mm与约2.0mm厚之间，在另一实施方案中，第二基板小于 0 ? 3mm厚，在另一实施方案中，第二基板小于0 ? 2mm厚，在又另一实施方案中，第二基板小于 0.1mm厚。在一个实施方式中，光学装置是固态且无机的电致变色装置。在一个实施方案中， 第一基板是回火玻璃片。在一个实施方案中，回火玻璃片在约2_与约25_厚之间。
[0149] 在某些实施方案中，第二基板大于第一基板，使得第二基板在第一基板的周边附 近悬垂。在其它实施方案中，第二基板在层压物周边附近从第一基板回缩。
[0150] 第二基板可以包括边缘处理。在一个实施方案中，边缘处理包括边缘粘着剂。除了 边缘粘着剂之外或作为其替代，边缘处理可以包括边缘碾磨和/或抛光。在一个实施方案 中，边缘粘着剂是环氧树脂或硅酮基粘着剂。边缘粘着剂可以是低粘度的以便穿透且密封 玻璃边缘中的微裂纹和缺陷。边缘处理可包括第二基板在第二基板的周边附近的熔融部 分。边缘处理还可包括激光处理移除边缘的缺陷部分和/或斜切边缘。
[0151] 在一个实施方案中，光学装置层压物包括被施加到光学装置的顶部涂层，例如顶 部涂层被施加到固态且无机的电致变色装置以气密密封所述装置或以其它方式保护其免 遭环境的损害。一个实施方案是包括如本文所述的光学装置层压物的IGU。
[0152] -个实施方案是光学装置构造，其包括：i)退火玻璃板；i i)通过层压粘着剂被层 压到退火玻璃板的多个回火玻璃片;和iii)在与层压粘着剂相对的侧上被涂布在退火玻璃 板上的光学装置。在一个实施方案中，退火玻璃板是在约〇.5_与约2.0_厚之间的低钠退 火玻璃，在另一实施方案中，退火玻璃板是小于〇. 3mm厚的低钠退火玻璃，在又另一实施方 案中，退火玻璃板是小于0.2mm厚的低钠退火玻璃，且在仍又另一实施方案中，退火玻璃板 是小于0.1mm厚的低钠退火玻璃。在一个实施方案中，层压粘着剂是能耐受约300°C与约450 °C之间的温度的硅酮基层压粘着剂。光学装置可以是固态且无机的电致变色装置。
[0153] 在某些实施方案中，光学装置构造还包括：iv)多个间隔件，其与多个回火玻璃片 中的每个配准且粘附到退火玻璃板;和v)多个匹配片，其每个与多个间隔件中的一个配准 且粘附到其处，从而形成共用退火玻璃板的多个IGU构造。一个实施方案是共用退火玻璃公 共板的多个IGU构造。在一个实施方案中，退火玻璃是例如如本文所述的薄柔性低钠退火玻 璃。
[0154] 如例如关于图4A-E所述，EC装置可以具有两个母线，一个用于每个透明导电层。然 而，本文方法还包括制造装置，其具有用于每个透明导电层的一个以上母线，明确而言，在 第一导体层和第二导体层中的每个的相对侧上的母线。这在当制造由于片电阻而将另外需 要更长切换时间的较大EC装置且具有大面积装置时可尤为重要。
[0155] 图5A描述根据实施方案用于制造在第一导体层和第二导体层中的每个上具有相 对母线的光学装置的工艺流程500的方面。出于说明，图5B包括描绘关于图5A所述的工艺流 程的俯视图，其涉及矩形电致变色装置的制造。图5C示出关于图5B所述的电致变色片的横 截面。
[0156] 参考图5A和图5B，工艺流程500以在基板的周边处从两个相对侧移除第一导电层 的第一宽度A开始，见505。如上所述，这可包括移除扩散阻挡或不移除。描绘基板具有第一 导体层530的基板。在步骤505之后，暴露基板(或扩散阻挡）的两个相对边缘部分。可如关于 图4A和图4B所述执行边缘变细和抛光步骤。将装置的一个或多个材料层和第二导体层（和 任选防潮阻挡)施加到基板，见510。从基板的整个周边移除第二宽度B，见515。在这个实例 中，制造两个BPE 435,见520。因此，根据上文所述的方法，第一导电层的至少一个暴露部分 包括沿从其中未在505中移除第一宽度的光学装置的相对侧的长度制造的一对暴露部分。 施加母线(见525)以制作装置540(因此，例如根据上文所述方法，将至少一个第二母线施加 到第二导电层包括施加一对第二母线，所述第二母线对中的每个在第二导电层的相对长度 上且在其中在505移除第一导电层的区域上面）。图5B指示装置540的横截面C-C'和D-D'。在 图5C中更详细示出装置540在C-C'和D-D '下的横截面图的图示。
[0157] 图5C示出装置540的横截面C-C'和D-D'。在这个实例中，当移除宽度A和宽度B时移 除扩散阻挡。明确而言，周边区域140没有第一导体层和扩散阻挡;然而在一个实施方案中， 扩散阻挡在一个或多个侧上的周边附近对基板的边缘保持完好。在另一实施方案中，扩散 阻挡与一个或多个材料层和第二导体层共延伸（因此，以到扩散阻挡的深度制造宽度A，且 到足以移除扩散阻挡的深度制造宽度B)。在这个实例中，仅在功能装置的相对侧上存在一 个或多个材料层的重叠部分545。在这些重叠部分的两者上，在第二TC0上制造母线1。在一 个实施方案中，将蒸汽阻挡层制造成与第二导体层共延伸。在这个实施方案中，移除蒸汽阻 挡的两个部分以便为母线1暴露第二导体层。这些暴露的部分类似于区域435,用于母线2的 BPE〇
[0158] 图5D描绘类似于矩形装置540的电致变色装置540a。母线550在第一导体层上且母 线555在第二导体层上。因此，BPE 435被制造在圆形区域的相对侧上且类似相对母线被施 加到第二导体层。
[0159] 图5E描绘在这个实例中为三角形形状装置的电致变色装置540b。在这个实例中， 区域140b类似于先前所述装置的区域140和140a。装置540b具有一个成角母线570以及一个 线性母线580。在这个实例中，成角母线570在第二导体层中未在第一导体层上方的区565 上，且线性母线580在BPE 435上。三角形光学装置不限于此特定配置，例如，BPE可以沿着两 个正交侧且具有成角母线，且线性母线可以在第二导体层上。重点在于本文所述方法可用 来制造几乎任何形状的光学装置。此外，虽然掩模添加了额外步骤，但是各个掩模步骤可用 来制造如本文所述的装置。其它实施方案包括光学装置。
[0160] -个实施方案是光学装置，其包括：（i)在基板上的第一导体层，第一导体层包括 小于基板的面积的面积，第一导体层被基本上没有第一导体层的基板的周边区域围绕； (ii)包括至少一个可光学切换材料的一个或多个材料层，所述一个或多个材料层被配置在 基板的周边区域内且与第一导体层共延伸，除了第一导体层的至少一个暴露区域之外，第 一导体层的至少一个暴露区域没有一个或多个材料层;和（iii)在一个或多个材料层上的 第二导体层，所述第二导体层是透明的且与一个或多个材料层共延伸，其中一个或多个材 料层和第二导体层悬于第一导体层上，除了第一导体层的至少一个暴露区域之外。在一个 实施方案中，光学装置还包括与第二导体层共延伸的蒸汽阻挡层。基板与第一导体层之间 可存在扩散阻挡。基板的周边区域可以包括离子扩散阻挡。在一个实施方案中，至少一个可 光学切换材料是电致变色材料。在一个实施方案中，基板和第一导体层也是透明的。在一个 实施方案中，第一导体层的至少一个暴露区域包括接近基板的周边区域的带状物。装置可 以包括在带状物区域上且在其内的第一母线。装置还可以包括在第二导体层上的第二母 线，第二母线被配置在第二导电层中不覆盖第一导电层的一部分上或布置在其上，所述部 分接近周边区域且与第一母线相对。在一个实施方案中，第一导体层和第二导体层以及一 个或多个材料层是全固态且无机的。在一个实施方案中，基板是回火或未回火的浮法玻璃， 且第一导电层包括氧化锡，例如氟化氧化锡。在一个实施方案中，基板在ICTJ中与第二基板 配准。在一个实施方案中，第一导电层的任何其它暴露区域被配置在IGU的主要密封件内， 母线还可以被配置在ICTJ的主要密封件内和不在第一导体层上方的第二导体层的区域内。 光学装置可以是矩形、圆形、椭圆形、三角形等等。
[0161] 在某些实施方案中，在每个导体层上使用相对的母线。在一个实施方案中，第一导 体层的至少一个暴露区域包括一对带状物，所述带状物对中的每个带状物在接近透明基板 的周边区域的第一导体层的相对侧上。取决于装置的形状，例如，带状物可以是线性或弯曲 的。带状物可以包括第一对母线，第一对母线中的每个在带状物对的每个带状物的区域上 和在其内。可以包括第二导体层上的第二对母线，第二对母线中的每个被配置成在第二导 电层中不覆盖第一导电层的两个部分的每个上或布置在其上，所述两个部分中的每个接近 周边区域且在第二导电层的相对侧上。
[0162] 本文所述的光学装置的第一导体层和第二导体层以及一个或多个材料层可以是 全固态且无机的。在一个实施方案中，基板是回火或未回火的浮法玻璃，且第一导电层包括 氧化锡，例如氟化氧化锡。基板可以在IGU中与额外EC装置配准或不配准。如所述，母线、任 何激光划线、装置边缘和/或第一导体层的暴露部分可密封在IGU的主要密封件中。在2010 年8月5日提交的且题为"Multi-pane Electrochromic Windows"的美国专利申请系列号 12/851，514(现为美国专利号8,270,059)中描述双￡(：装置161]，该案全文以引用的方式并入 本文。一个实施方案是如本申请中所述具有如本文所述的一个或多个EC装置的多窗格窗。 一个实施方案是本文所述不包括激光隔离划线的任何光学装置。一个实施方案是本文所述 不包括光学装置的非作用部分的任何光学装置。
[0163] 如上文关于图4H和图41所述，一些实施方案包括涂布然后切割制造。图5F和图5G 描绘类似于关于图5A所述的工艺流程且在如适用于所公开实施方案的涂布然后切割方法 的大面积基板上进行的工艺流程。这是制造在每个透明导电层上具有两个相对母线的EC装 置的实例。上文所述的层压实施方案还适用于下文所述的涂布然后切割实施方案。
[0164] 参考图5F，大面积基板530在其上具有透明导电层（如点划图案所指示）。在操作 505期间，以第一宽度A执行边缘去除。进行邻近EC装置之间的边缘去除以使A加倍，使得每 个EC装置具有等效边缘去除宽度A。在操作510中，施加剩余EC装置层。接着，见515，以比宽 度A更窄的宽度B执行边缘去除。在这个实例中，隔离EC装置前体类似于操作515之后图5B所 述的前体。
[0165] 参考图图5G，操作520创建母线垫暴露区435，在这个实例中，每个EC装置有两个暴 露区。操作525包括施加母线，透明导体层中的每个有两个母线。在操作570中，切割大面积 基板以产生(在这个实例中）12个EC装置540。如上文关于图4H-J所述，这些可被并入I⑶中， 或例如使用薄柔性基板直接层压。
[0166] 如上所述，薄柔性基板可用作例如如上文所述般制造的EC片的EC片的强化窗格 (匹配片）。在某些实施方案中，薄柔性基板用作用于EC片制造工艺的基板。例如，一个实施 方案包括本文所述对如本文所述薄柔性基板(例如，GoriMa"皮璃或Willow?玻璃)执行的 EC装置制造方法中的任一个。在一些实施方案中，使用辊到辊制造方案执行制造。下文关于 图6A和图6B描述这个实施方案的实例。
[0167] 图6A描绘电致变色装置在薄柔性基板上以及与刚性基板的任选层压的辊到辊制 造600。图6A是图表型工艺流程与包括功能描述设备和装置特征的方框图的融合。用于执行 所述制造的实际设备可以在任何定向上，但是在一个实施方案中，柔性基板优选是垂直的。 在另一实施方案中，基板是垂直的且以"自顶向下"格式执行工艺操作，其中基板从第一高 度被馈送到线中，向下行经制造工艺，且以比第一高度更低的第二高度结束。在这个实例 中，薄柔性基板478a(如上文所述）包括透明导电氧化物层。这个基板的实例是Willow Glass?，其可以具有IT0涂层市售自Corning, Incorporated of Corning，New York。图6A中 的粗点划箭头指示通过各个模块的柔性基板的运动方向。
[0168] 首先，柔性基板被馈送到边缘去除模块605。在这个模块中，执行自透明导体层的 第一宽度(如本文所述)的边缘去除。基板可以任选清洁（图6A中未描绘)源自第一边缘去除 的任何污染物。此外，根据本文例如关于图4A和图4B所述的实施方案，可给予透明导电层边 缘变细和/或抛光工艺(未描绘）。接着，薄柔性基板进入涂布器610,在其中在这个实例中使 用真空整合全PVD溅射设备沉积EC装置的剩余层。在20 11年5月11日提交的题为 "Fabrication of Low Defectivity Electrochromic Devices" 的美国专利号8,243,357 中描述这些设备，该案其全文以引用的方式并入本文。在柔性基板被涂布有EC装置之后，在 这个实例中在模块615中进行第二边缘去除（如本文所述）。边缘去除可以任选接着边缘变 细(未示出）。接着是BPE制造 620,之后接着施加母线，见625。任选地，例如如关于图4J描述， 柔性基板可以与匹配片层压，见630。匹配片可如基板般柔性，或是刚性基板，诸如退火玻璃 或聚合物基板。在这个实例中，柔性基板与退火玻璃层压。柔性基板然后被切割以匹配与其 层压(如所描绘）的刚性基板，这产生层压EC装置640或作为单块柔性EC装置(未示出）。在后 个实施方案中，柔性EC装置可在从块体材料中切割之前或之后涂布蒸汽阻挡和/或密封层。
[0169] 取决于柔性基板的宽度，在柔性基板行经模块/工艺流程605-635时可存在沿柔性 基板的宽度制造的一个或多个EC装置。例如，如果柔性基板与如本文所述的大面积浮法玻 璃基板一样宽，那么与大面积基板的层压将产生对应大面积层压物。可例如如上文所述从 大面积层压物中切割个别EC片层压物。
[0170]在一些实施方案中，期望有柔性EC装置层压物。在一个实施方案中，承载多个EC装 置的柔性基板本身与另一柔性基板层压。图6B描绘电致变色装置在柔性玻璃基板上以及与 柔性基板的后续层压的制造650。在这个实例中，上面具有透明导体层的柔性基板478a(如 上文所述)被馈送通过如关于图6A所述的制造线工艺605-625。然后，上面具有多个EC装置 的柔性基板经由适当施加层压粘着剂和辊630与（在这个实例中）如上述基板478的另一柔 性基板层压。例如经由激光切割(见635)新形成的层压物以形成个别柔性EC层压物665,其 例如可沿输送器477行进供进一步加工。如上所述，柔性基板"匹配片"可用适配母线的孔隙 图案化，或被烧蚀以显露层压之后在切割成个别层压EC片之前或之后添加的TCO和母线（工 艺625)。
[0171]虽然已经在一些细节上描述前述实施方案以便于理解，但是所述实施方案应被视 为说明性且非限制性。所属领域技术人员应明白，可在以上描述和随附权利要求的范围内 实践某些变化和修改。
【主权项】
1. 一种制造光学装置的方法，所述方法包括： a) 接收第一基板，所述第一基板包括选自由回火玻璃、热强化玻璃、化学强化玻璃和聚 合物组成的组的材料； b) 将第二基板层压到所述第一基板以形成层压物，其中所述第二基板是薄柔性低钠退 火玻璃;和 c) 在所述层压物的所述薄柔性低钠退火玻璃的外表面上制造所述光学装置。2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述光学装置是固态且无机的电致变色装置。3. 根据权利要求2所述的方法，其中所述第一基板是回火玻璃片。 4 ·根据权利要求3所述的方法，其中所述回火玻璃片在约2mm与约25mm厚之间。5. 根据权利要求4所述的方法，其中b)包括使用能够耐受约300°C与450°C之间的温度 的硅酮基层压粘着剂。6. 根据权利要求5所述的方法，其中所述第二基板大于所述第一基板且b)还包括使所 述第一基板与所述第二基板配准，因此所述基板在X轴和Y轴两者上彼此居中，使得在b)之 后，所述第二基板悬垂于所述第一基板的周边附近。7. 根据权利要求6所述的方法，其中所述第一基板在其最大尺寸上为约30cm与约300cm 之间，且所述第二基板为在约I /2m与约3m宽之间且在约I Om与约300m长之间的带。8. 根据权利要求7所述的方法，其中多个所述第一基板在b)中被层压到所述第二基板。9. 根据权利要求7所述的方法，其还包括从所述层压物的所述周边附近切割所述第二 基板的过量部分。10. 根据权利要求1或9所述的方法，其中所述第一基板和所述第二基板的层压表面共 延伸。11. 根据权利要求1或9所述的方法，其中所述第二基板在所述层压物的所述周边附近 从所述第一基板回缩。12. 根据权利要求7所述的方法，其中从所述层压物的所述周边切割所述第二基板的所 述过量部分包括使用激光切割、电热切割和机械切割中的至少一个。13. 根据权利要求9所述的方法，其还包括对所述层压物的所述第二基板的所述周边施 加边缘处理以便强化或保护所述边缘。14. 根据权利要求13所述的方法，其中所述边缘处理包括施加边缘粘着剂。15. 根据权利要求13所述的方法，其中所述边缘处理包括边缘碾磨和/或抛光。16. 根据权利要求13所述的方法，其中所述边缘处理包括边缘碾磨和施加边缘粘着剂 两者。17. 根据权利要求14或16所述的方法，其中所述边缘粘着剂是环氧树脂或硅酮基粘着 剂。18. 根据权利要求17所述的方法，其中所述边缘粘着剂包括低粘度以便穿透且密封所 述玻璃边缘中的微裂纹和缺陷。19. 根据权利要求17所述的方法，其中施加边缘粘着剂是两部分施加低粘度部分和之 后施加更粘稠部分。20. 根据权利要求13所述的方法，其中所述边缘处理包括加热所述边缘以熔融外部分 以便减少或消除所述边缘中的微裂纹和缺陷。21. 根据权利要求13所述的方法，其中所述边缘处理包括施加激光来移除所述边缘的 缺陷部分和/或斜切所述边缘。22. 根据权利要求1-21中任一项所述的方法，其还包括在b)与c)之间清洁所述层压物。23. 根据权利要求2所述的方法，其还包括在c)之后将顶部涂层施加到所述层压物的所 述固态且无机电致变色装置。24. 根据权利要求1-23中任一项所述的方法，其还包括从所述层压物中制造 IGU，其中 所述光学装置在所述IGU的密封容积内。25. -种形成多个EC层压物的方法，所述方法包括： a) 将多个支撑基板层压成单个薄柔性低钠退火玻璃板;所述多个支撑基板包括回火玻 璃片、热强化玻璃片、化学强化玻璃片和聚合物片中的至少一个中的一个或多个； b) 从所述单个薄柔性低钠退火玻璃板中切割多个层压物;和 c) 用EC装置涂布所述多个层压物中的每个。26. 根据权利要求25所述的方法，其中a)包括使用能够耐受约300°C与450°C之间的温 度的硅酮基层压粘着剂。27. 根据权利要求26所述的方法，其中所述EC装置是固态且无机的电致变色装置。28. 根据权利要求27所述的方法，其中所述多个支撑基板中的每个是回火玻璃片。29. 根据权利要求25-28中任一项所述的方法，其中在b)之后且在c)之前清洁所述多个 层压物。30. 根据权利要求29所述的方法，其中在c)之后将所述多个层压物顶部涂布在所述EC 装置侧上。31. -种形成多个I⑶的方法，所述方法包括： a) 将多个支撑基板层压成单个薄柔性低钠退火玻璃板以制作多个层压物;所述多个支 撑基板包括回火玻璃片、热强化玻璃片、化学强化玻璃片和聚合物片中的至少一个中的一 个或多个； b) 用EC装置涂布所述多个层压物中的每个； c) 将母线施加到每个EC装置； d) 将间隔件施加到每个EC装置； e) 将匹配片施加到每个间隔件;和 f) 按压所述构造以形成所述多个IGU; 其中所述IGU是从所述单个薄柔性低钠退火玻璃板中切割。32. 根据权利要求31所述的方法，其中a)包括使用能够耐受约300 °C与450 °C之间的温 度的硅酮基层压粘着剂。33. 根据权利要求31所述的方法，其中所述EC装置是固态且无机的电致变色装置。34. 根据权利要求31所述的方法，其中所述多个支撑基板中的每个是回火玻璃片。35. 根据权利要求31-34中任一项所述的方法，其中在a)之后且在b)之前清洁所述多个 层压物。36. 根据权利要求31所述的方法，其中在b)之后将所述多个层压物顶部涂布在所述EC 装置侧上。37. 根据权利要求31所述的方法，其中在c)之后将所述多个层压物顶部涂布在所述EC 装置侧上。38. 根据权利要求31-37中任一项所述的方法，其中c)和d)同时进行，其中所述间隔件 是预布线间隔件。39. 根据权利要求31所述的方法，其中所述间隔件和/或所述匹配片具有预施加主要密 封剂。40. -种光学装置层压物，其包括： i)第一基板，其包括选自由回火玻璃、热强化玻璃、化学强化玻璃和聚合物组成的组的 材料； i i)第二基板，其被层压到所述第一基板，其中所述第二基板是低钠退火玻璃； i i i)层压粘着剂，其在所述第一基板与所述第二基板之间，所述层压粘着剂能够耐受 约300 °C与450 °C之间的温度;和 iv)光学装置，其在所述第二基板的外表面上。41. 根据权利要求40所述的光学装置层压物，其中所述第二基板在约0.5mm与约2. Omm 厚之间。42. 根据权利要求40所述的光学装置层压物，其中所述第二基板小于0.3mm厚。43. 根据权利要求40所述的光学装置层压物，其中所述第二基板小于0.2mm厚。44. 根据权利要求40所述的光学装置层压物，其中所述第二基板小于0.1 mm厚。45. 根据权利要求40所述的光学装置层压物，其中所述光学装置是固态且无机的电致 变色装置。46. 根据权利要求40所述的光学装置层压物，其中所述第一基板是回火玻璃片。47. 根据权利要求40所述的光学装置层压物，其中所述回火玻璃片在约2mm与约25mm厚 之间。48. 根据权利要求40所述的光学装置层压物，其中所述第二基板大于所述第一基板，使 得所述第二基板在所述第一基板的周边附近悬垂。49. 根据权利要求40所述的光学装置层压物，其中所述第二基板在所述层压物的所述 周边附近从所述第一基板回缩。50. 根据权利要求40所述的光学装置层压物，其中所述第二基板的所述周边包括边缘 处理。51. 根据权利要求50所述的光学装置层压物，其中所述边缘处理包括边缘粘着剂。52. 根据权利要求50所述的光学装置层压物，其中所述边缘处理包括边缘碾磨和/或抛 光。53. 根据权利要求50所述的光学装置层压物，其中所述边缘处理包括边缘碾磨和边缘 粘着剂两者。54. 根据权利要求51或53所述的光学装置层压物，其中所述边缘粘着剂是环氧树脂或 娃酬基粘着剂。55. 根据权利要求54所述的光学装置层压物，其中所述边缘粘着剂包括低粘度以便穿 透且密封所述玻璃边缘中的微裂纹和缺陷。56. 根据权利要求50所述的光学装置层压物，其中所述边缘处理包括所述第二基板在 所述第二基板的所述周边附近的熔融部分。57. 根据权利要求50所述的光学装置层压物，其中所述边缘处理包括激光处理移除所 述边缘的缺陷部分和/或斜切所述边缘。58. 根据权利要求45所述的光学装置层压物，其还包括施加到所述固态且无机的电致 变色装置的顶部涂层。59. -种包括权利要求40-59中任一项的所述光学装置层压物的I⑶。60. -种光学装置构造，其包括： i)退火玻璃板； i i)多个回火玻璃片，其用层压粘着剂被层压到所述退火玻璃板;和 i i i)光学装置，其在与所述层压粘着剂相对的侧上被涂布所述退火玻璃板上。61. 根据权利要求60所述的光学装置构造，其中所述退火玻璃板是在约0.5mm与约 2. Omm厚之间的低钠退火玻璃。62. 根据权利要求60所述的光学装置构造，其中所述退火玻璃板是小于0.3mm厚的低钠 退火玻璃。63. 根据权利要求60所述的光学装置构造，其中所述退火玻璃板是小于0.2mm厚的低钠 退火玻璃。64. 根据权利要求60所述的光学装置构造，其中所述退火玻璃板是小于0.1mm厚的低钠 退火玻璃。65. 根据权利要求60所述的光学装置构造，其中所述层压粘着剂是能够耐受约300°C与 450°C之间的温度的硅酮基层压粘着剂。66. 根据权利要求60-65中任一项所述的光学装置构造，其中所述光学装置是固态且无 机的电致变色装置。67. 根据权利要求66所述的光学装置构造，其还包括： iv)多个间隔件，其与所述多个回火玻璃片中的每个配准且粘附到所述退火玻璃板； V)多个匹配片，其每个与所述多个间隔件中的一个配准且粘附到其处，从而形成共用 所述退火玻璃板的多个IGU构造。68. 多种共用退火玻璃公共板的I⑶构造。69. 根据权利要求68所述的多种IGU构造，其中所述退火玻璃是如本文所述的薄柔性低 钠退火玻璃。
【文档编号】G02F1/15GK105917272SQ201480073448
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2014年12月31日
【发明人】汤姆·端-贡·德兰, 布赖恩·D·格里德尔, 罗伯特·T·罗兹比金, 托德·马丁
【申请人】唯景公司