液晶显示器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种液晶显示器，所述液晶显示器的上偏光片(3)与下偏光片(4)均为亚波长纳米线栅偏光片，并且上偏光片(3)与下偏光片(4)的线栅结构和线栅材料中至少有一个是不同的，以使得透过上偏光片(3)与下偏光片(4)的光线的波长能够相互补偿，从而改善亚波长线栅偏光片在液晶显示器应用中的波长依存性问题，提高液晶显示器的整体穿透率和亮度均匀性，提升显示品质。
【专利说明】
液晶显不器
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示器。
【背景技术】
[0002]纳米压印(Nano-1mprint Lithography，NIL)技术突破了传统光刻在特征尺寸减小过程中的难题，具有分辨率高、低成本、高产率的特点。自1995年提出以来，纳米压印已经演变出了多种压印技术，广泛应用于半导体制造、微机电系统(Microe IectromechanicalSyStemS，MEMS)、生物芯片、生物医学等领域。NIL技术的基本思想是通过模版，将图形转移到相应的衬底上，转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜，通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。整个过程包括压印和图形转移两个过程。根据压印方法的不同，NIL主要可分为热塑(Hot embossing)、紫外(UV)固化和微接触(Micro contactprinting，uCP)三种光刻技术。
[0003]对于需要使用偏光片的各类器件，例如LCD、0LED等，传统的偏光片是由多层膜组合而成的，其中最核心的部分是偏光层，通常为含有具有偏光作用的碘分子的聚乙烯醇(PVA)层，其次是分别位于偏光层两侧的保护层，通常为透明的三醋酸纤维素(TAC)层，主要是为了维持偏光层中偏光子的被拉伸状态，避免偏光子水分的流失，保护其不受外界影响，该偏光片通过二向碘分子的吸收作用来产生偏振光。
[0004]随着纳米压印技术的发展，人们已经开始制备亚波长光栅结构，来达到对可见光波长范围的光的偏振作用，所谓亚波长光栅是指光栅周期远小于入射光波长的光栅，亚波长光棚■结构对于横向磁场(Transverse Magnetic，TM)和横向电场(Transverse Electric，TE)态光场具有很高的消光比，能够显著地透过垂直于金属线排列方向的TM光而反射平行于金属线排列方向的TE光，使得其可以作为高透过率的偏光片结构使用。亚波长线栅偏光片相比于传统的偏光片具有高透过率和高对比度的优点，但是其在应用到液晶显示器中时存在波长依存性的问题。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种液晶显示器，能够改善亚波长线栅偏光片在液晶显示器应用中的波长依存性问题，提高光的利用率，提升液晶显示器的显示效果。
[0006]为实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示器，包括:上基板、与所述上基板相对设置的下基板、设于所述上基板的一侧的上偏光片、及设于所述下基板的一侧的下偏光片;
[0007]所述上偏光片和下偏光片均为亚波长纳米线栅偏光片，并且所述上偏光片和下偏光片的线栅结构和线栅材料中至少有一个不同。
[0008]所述线栅结构通过线栅参数来定义，所述线栅参数包括:线栅周期、线栅宽度、及线栅高度。
[0009]所述上偏光片和下偏光片的线栅材料为金属、或金属氧化物。
[0010]所述上偏光片和下偏光片的线栅材料为铝、银、或金。
[0011 ]所述上偏光片与下偏光片的线栅周期不同。
[0012]所述上偏光片与下偏光片的线栅宽度不同。
[0013]所述上偏光片与下偏光片的线栅高度不同。
[0014]所述上偏光片与下偏光片的线栅材料与线栅周期均不同。
[0015]所述上偏光片和下偏光片采用纳米压印工艺或光刻工艺制作。
[0016]所述上偏光片对波长越长的光线的透过率越高，所述下偏光片对波长越短的光线的透过率越高。
[0017]本发明的有益效果:本发明提供了一种液晶显示器，所述液晶显示器的上偏光片与下偏光片均为亚波长纳米线栅偏光片，并且上偏光片与下偏光片的线栅结构和线栅材料中至少有一个是不同的，以使得透过上偏光片与下偏光片的光线的波长能够相互补偿，从而改善亚波长线栅偏光片在液晶显示器应用中的波长依存性问题，提高液晶显示器的整体穿透率和亮度均匀性，提升显示品质。
【附图说明】
[0018]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0019]附图中，
[0020]图1为本发明的液晶显示器的第一实施例的示意图；
[0021 ]图2为本发明的液晶显示器的第二实施例的示意图；
[0022]图3为本发明的液晶显示器的透过率与光线波长的关系曲线图。
【具体实施方式】
[0023]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0024]请参阅图1，本发明提供一种液晶显示器，包括:上基板1、与所述上基板I相对设置的下基板2、设于所述上基板I的一侧的上偏光片3、及设于所述下基板2的一侧的下偏光片4；
[0025]其中，所述上偏光片3和下偏光片4均为亚波长纳米线栅偏光片，并且所述上偏光片3和下偏光片4的线栅结构和线栅材料中至少有一个不同。
[0026]具体地，采用亚波长纳米线栅偏光片能够将反射的光加以重新利用，充分利用入射光，并且保证颜色和亮度的均匀性。
[0027]具体地，亚波长纳米线栅偏光片的偏光特性是由线栅材料及线栅结构决定的，所述线栅结构通过线栅参数来定义，所述线栅参数包括:线栅宽度(Iinewidth)、线栅深度(depth)以及线栅周期(pitch)。不同的线栅结构与不同的线栅材料能够使得亚波长纳米线栅偏光片产生不同的波长依存性。
[0028]也就是说，通过改变所述上偏光片3和下偏光片4的线栅周期、线栅宽度、线栅高度、及线栅材料，可以调整上偏光片3和下偏光片4对不同波长的光线的透过率，使得透过上偏光片3和下偏光片4的光线的波长能够相互补偿，从而改善亚波长线栅偏光片在液晶显示器应用中的波长依存性问题，提高液晶显示器的整体穿透率和亮度均匀性，提升显示品质。
[0029]具体地，所述上偏光片3和下偏光片4的不同可以为线栅周期不同、线栅宽度不同、线栅高度不同、及线栅材料不同中的一种或多种的组合。
[0030]进一步地，例如，如图3所示，可以通过上述方法调整上偏光片3和下偏光片4的线栅结构参数和线栅材料，使得所述上偏光片3对波长越长的光线的透过率越高，所述下偏光片4对波长越短的光线的透过率越高，从而使得液晶显示器的对各种不同波长的光线的透过率相对稳定，提高液晶显示器的整体穿透率和亮度均匀性，提升显示品质。当然，也可以使得所述下偏光片4对波长越长的光线的透过率越高，所述上偏光片3对波长越短的光线的透过率越高，同样可以达到使得液晶显示器的对各种不同波长的光线的透过率相对稳定，提尚液晶显不器的整体穿透率和壳度均勾性，提升显不品质的目的。
[0031]与现有技术相比，由于本发明是从亚波长纳米线栅偏光片自身的材料和结构上解决其波长依存性问题的，和传统的高分子薄膜偏光片增加多层光学补偿膜来解决波长依存性问题相比，不需要额外增加膜层，不增加液晶显示器厚度，并且亚波长纳米线栅偏光片的自身材料和结构调节的可操作性更强，成本更低，而且可调整的范围更加广泛。
[0032]可选地，如图1所示，在本发明的第一实施例中，所述上偏光片3和下偏光片4均为内置式，分别设于所述上基板I靠近所述下基板2的一侧及所述下基板2靠近上基板I的一侦U，并且上偏光片3与下偏光片4的线栅周期以及线栅宽度均不相同。
[0033]可选地，如图2所示，在本发明的第二实施例中，所述上偏光片3为内置式，所述下偏光片4为外置式，也即所述上偏光片3设于所述上基板I靠近所述下基板2的一侧，所述下偏光片4设于所述下基板2远离上基板I的一侧，并且上偏光片3与下偏光片4的线栅周期以及线栅宽度均不相同。
[0034]此外，在本发明的其他实施例中，还可以将所述上偏光片3设于所述上基板I远离所述下基板2的一侧，并将所述下偏光片4设于所述下基板2远离上基板I的一侧，或者将所述上偏光片3设于所述上基板I远离所述下基板2的一侧，所述下偏光片4设于所述下基板2靠近上基板I的一侧。
[0035]具体地，所述上偏光片3和下偏光片4采用的纳米线的截面形状不限制为长方形，也可以为圆形、或者核壳结构等其他各种形状的截面。
[0036]优选地，所述上偏光片3和下偏光片4的线栅材料可以为金属，如铝、银、或金等，也可以为可实现线栅偏光效果的金属氧化物等其他线栅材料。
[0037]制作上，所述上偏光片3和下偏光片4优选通过纳米压印工艺来制作，以便于量产和成本控制，当然也可以采用诸如光刻工艺在内的其他制作方法来制作。
[0038]综上所述，本发明提供了一种液晶显示器，所述液晶显示器的上偏光片与下偏光片均为亚波长纳米线栅偏光片，并且上偏光片与下偏光片的线栅结构和线栅材料中至少有一个是不同的，以使得透过上偏光片与下偏光片的光线的波长能够相互补偿，从而改善亚波长线栅偏光片在液晶显示器应用中的波长依存性问题，提高液晶显示器的整体穿透率和壳度均勾性，提升显不品质。
[0039]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种液晶显示器，其特征在于，包括:上基板(I)、与所述上基板(I)相对设置的下基板(2)、设于所述上基板(I)的一侧的上偏光片(3)、及设于所述下基板(2)的一侧的下偏光片⑷； 所述上偏光片(3)和下偏光片(4)均为亚波长纳米线栅偏光片，并且所述上偏光片(3)和下偏光片(4)的线栅结构和线栅材料中至少有一个不同。2.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述线栅结构通过线栅参数来定义，所述线栅参数包括:线栅周期、线栅宽度、及线栅高度。3.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述上偏光片(3)和下偏光片(4)的线栅材料为金属、或金属氧化物。4.如权利要求3所述的液晶显示器，其特征在于，所述上偏光片(3)和下偏光片(4)的线栅材料为铝、银、或金。5.如权利要求2所述的液晶显示器，其特征在于，所述上偏光片(3)与下偏光片(4)的线栅周期不同。6.如权利要求2所述的液晶显示器，其特征在于，所述上偏光片(3)与下偏光片(4)的线栅宽度不同。7.如权利要求2所述的液晶显示器，其特征在于，所述上偏光片(3)与下偏光片(4)的线栅高度不同。8.如权利要求2所述的液晶显示器，其特征在于，所述上偏光片(3)与下偏光片(4)的线栅材料与线栅周期均不同。9.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述上偏光片(3)和下偏光片(4)采用纳米压印工艺或光刻工艺制作。10.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，所述上偏光片(3)对波长越长的光线的透过率越高，所述下偏光片(4)对波长越短的光线的透过率越高。
【文档编号】G02F1/1335GK105974644SQ201610554407
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年7月13日
【发明人】陈黎暄, 李明辉, 李泳锐
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司