液晶显示面板及其制作方法

液晶显示面板及其制作方法
【专利摘要】本发明提供一种液晶显示面板及其制作方法，采用石墨烯代替氧化铟锡制作公共电极与像素电极，利用石墨烯透明度高、导电性能好、柔韧性强且生产成本低的特点，提高液晶显示面板的显示性能并降低液晶显示面板的生产成本；利用垂直取向剂和可聚合单体对液晶分子进行配向，省去配向膜，简化液晶配向制程；进一步的，通过在石墨烯层的表面设置氧化石墨烯层，可提高垂直取向剂锚定基板的能力，从而提升液晶配向效果。
【专利说明】
液晶显示面板及其制作方法
技术领域
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板及其制作方法。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装 置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数 字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主 流。
[0003] 现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及 背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放 置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶 分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0004] 通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密 封胶框(Sealant)组成。
[0005] 针对常见的垂直配向（Vertically Aligned，VA)显示模式而言，需要在CF基板、 TFT基板上同时设置一层透明导电膜，该透明导电膜的主要作用是在CF基板和TFT基板之间 形成电场，驱动液晶分子偏转，从而实现亮暗显示。目前传统的透明导电膜使用的是由物理 气相溅射(PVD)的方法制备出的氧化铟锡（ΙΤ0)薄膜。在PVD装置中，强电流轰击ΙΤ0靶材，在 基板上沉积得到透明导电ΙΤ0薄膜。但是由于ΙΤ0本身氧化物的物理特性，ΙΤ0薄膜并不能在 一定外力作用下展现弯折特性，这也限制了其在柔性面板、及可穿戴设备上的应用。另一方 面，随着国家政策的导向，铟的成本也逐渐涨高。因此寻找高导电性和高透光率、制备方法 简单且资源丰富的ΙΤ0替代品具有很强的应用价值。
[0006] 另外，在CF基板和TFT基板上，还分别设有一层薄膜，其主要作用是使液晶分子按 一定方向排列，我们称之为配向膜，所述配向膜的材料主要包括摩擦配向型PI (聚酰亚胺） 材料和光配向型PI材料，但是，无论哪一种PI材料都会有各自的缺点，首先摩擦配向容易造 成粉尘颗粒、静电残留、及刷痕等问题，从而降低工艺良率，而光配向材料虽然可以避免这 些问题，但由于材料特性有限，耐热性和耐老化性不佳，同时锚定液晶分子的能力也较弱， 从而影响面板的品质;其次，PI材料本身就具有高极性和高吸水性，存储和运送过程中容易 产生变质从而导致配向不均，并且PI材料价格昂贵，在TFT-LCD上成膜的工艺也较为复杂， 导致面板成本提高。

【发明内容】

[0007] 本发明的目的在于提供一种液晶显示面板，制作成本低，液晶配向效果好，且具有 较好的显示性能。
[0008] 本发明的目的还在于提供一种液晶显示面板的制作方法，省去配向膜，简化液晶 配向制程，并提升液晶配向效果，制得的液晶显示面板具有较好的显示性能且生产成本低。
[0009] 为实现上述目的，本发明提供一种液晶显示面板，包括相对设置的CF基板与TFT基 板、分别设于所述CF基板与TFT基板相对侧上的公共电极与像素电极、分别设于所述公共电 极与像素电极相对侧上的第一聚合物层与第二聚合物层、以及设于所述第一聚合物层与第 二聚合物层之间的液晶层，所述液晶层包括液晶分子；
[0010] 所述公共电极与像素电极均包括石墨烯层；
[0011] 所述第一聚合物层与第二聚合物层均由垂直取向剂与可聚合单体聚合而成。
[0012] 所述公共电极与像素电极还包括设于所述石墨烯层上的氧化石墨烯层。
[0013] 所述垂直取向剂包括
[0014]
[0015]
[0016]
[0017] 所述可聚合单体包括'
中 的至少一种。
[0018] 本发明提供一种液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：
[0019] 步骤1、提供CF基板与TFT基板，在所述CF基板与TFT基板上分别形成公共电极与像 素电极，所述公共电极与像素电极均包括石墨烯层；
[0020] 步骤2、提供液晶混合物，所述液晶混合物包括液晶分子、垂直取向剂、及可聚合单 体;将所述液晶混合物滴注到所述CF基板上设有所述公共电极的一面或者TFT基板上设有 像素电极的一面上；
[0021 ]步骤3、提供密封胶，在所述TFT基板或者CF基板上对应所述液晶混合物的外围涂 布密封胶；
[0022]将所述CF基板与TFT基板贴合在一起，对密封胶进行固化；
[0023]此时，位于所述CF基板与TFT基板之间的液晶混合物形成液晶层，所述液晶层中的 一部分垂直取向剂吸附于所述CF基板与TFT基板表面，并垂直于所述CF基板与TFT基板排 列，从而引导液晶分子垂直于所述CF基板与TFT基板排列；
[0024]步骤4、在所述液晶层两侧施加电压，液晶分子发生偏转，在所述液晶层两侧继续 施加电压的同时，对液晶层进行第一次紫外光照射，所述液晶层中的垂直取向剂与可聚合 单体发生聚合反应，沉积于所述CF基板与TFT基板上，在所述CF基板与TFT基板上分别形成 第一聚合物层与第二聚合物层；
[0025] 步骤5、撤去所述液晶层两侧的电压后，在所述第一聚合物层与第二聚合物层的作 用下，液晶分子产生预倾角；
[0026] 对所述液晶层进行第二次紫外光照射，使所述液晶层中残留的垂直取向剂与可聚 合单体完全反应，得到一液晶显示面板。
[0027] 所述步骤2中，所述液晶混合物中，所述液晶分子的质量百分比为94.5~99.5%， 所述垂直取向剂的质量百分比为0.1~5.0%，所述可聚合单体的质量百分比为0.3~ 0.5%〇
[0028]所述垂直取向剂包括
>W.v.v；V
?-
[0032] 所述可聚合单体包括 中 的至少一种。
[0033] 所述步骤1中，在所述CF基板上形成公共电极的方法包括：
[0034] 步骤11、将石墨烯粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨烯悬浮液；
[0035] 步骤12、将所述石墨烯悬浮液涂布在CF基板上，对所述CF基板进行烘烤加热后，得 到石墨烯层，所述石墨烯层构成公共电极；
[0036]所述步骤1中，在所述TFT基板上形成像素电极的方法包括：
[0037]步骤101、将石墨烯粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨烯悬浮液；
[0038]步骤102、将所述石墨烯悬浮液涂布在TFT基板上，对所述TFT基板进行烘烤加热 后，得到石墨烯层；
[0039] 步骤103、对所述石墨烯层进行图形化处理，得到图形化的像素电极。
[0040] 8、如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述公共电极与像 素电极还包括设于所述石墨烯层上的氧化石墨烯层；
[0041 ]所述步骤1中，在所述CF基板上形成公共电极的方法包括：
[0042] 步骤11'、将石墨烯粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨烯悬浮液；
[0043] 步骤12'、将所述石墨烯悬浮液涂布在CF基板上，对所述CF基板（10)进行烘烤加热 后，得到石墨烯层；
[0044] 步骤13'、在所述石墨烯层上形成氧化石墨烯层，所述石墨烯层与氧化石墨烯层共 同构成公共电极；
[0045] 所述步骤1中，在所述TFT基板上形成像素电极的方法包括：
[0046] 步骤101'、将石墨烯粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨烯悬浮液；
[0047]步骤102'、将所述石墨烯悬浮液涂布在TFT基板上，对所述TFT基板进行烘烤加热 后，得到石墨烯层；
[0048] 步骤103'、在所述石墨烯层上形成氧化石墨烯层；
[0049] 步骤104'、同时对所述石墨烯层与氧化石墨烯层进行图形化处理，得到图形化的 像素电极。
[0050] 所述步骤13'与步骤103'中，在所述石墨烯层上形成氧化石墨烯层的实施方式包 括：
[0051 ]采用臭氧对所述石墨烯层进行氧化处理，得到位于所述石墨烯层表面的氧化石墨 烯层；
[0052]或者，将氧化石墨烯粉末溶解到水中，得到氧化石墨烯悬浮液，将所述氧化石墨烯 悬浮液涂布到所述石墨烯层上，得到氧化石墨烯层。
[0053]所述步骤4中，在所述液晶层两侧施加的电压为13~25V;所述第一次紫外光照射 的能量为85~100mW/cm2,照射时间为80~150s;
[0054] 所述步骤5中，所述第二次紫外光照射的能量为85~lOOmW/cm2,照射时间为90~ 120min〇
[0055] 本发明的有益效果:本发明提供的一种液晶显示面板及其制作方法，采用石墨烯 代替氧化铟锡制作公共电极与像素电极，利用石墨烯透明度高、导电性能好、柔韧性强且生 产成本低的特点，提高液晶显示面板的显示性能并降低液晶显示面板的生产成本;利用垂 直取向剂和可聚合单体对液晶分子进行配向，省去配向膜，简化液晶配向制程;进一步的， 通过在石墨烯层的表面设置氧化石墨烯层，可提高垂直取向剂锚定基板的能力，从而提升 液晶配向效果。
[0056] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0057] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其它有益效果显而易见。
[0058] 附图中，
[0059]图1为本发明的液晶显不面板的结构不意图；
[0060] 图2为本发明的液晶显示面板的制作方法的流程图；
[0061] 图3为本发明的液晶显示面板的制作方法的步骤1-3的示意图；
[0062]图4-5为本发明的液晶显示面板的制作方法的步骤4的示意图；
[0063]图6为本发明的液晶显示面板的制作方法的步骤5的示意图。
【具体实施方式】
[0064]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0065] 请参阅图1，本发明首先提供一种液晶显示面板，包括相对设置的CF基板10与TFT 基板20、分别设于所述CF基板10与TFT基板20相对侧上的公共电极11与像素电极21、分别设 于所述公共电极11与像素电极21相对侧上的第一聚合物层31与第二聚合物层32、以及设于 所述第一聚合物层31与第二聚合物层32之间的液晶层40，所述液晶层40包括液晶分子41;
[0066] 所述公共电极11与像素电极21均包括石墨烯层111;
[0067]所述第一聚合物层31与第二聚合物层32均由垂直取向剂52与可聚合单体(RM)51 聚合而成。
[0068] 优选的，所述公共电极11与像素电极21还包括设于所述石墨烯层111上的氧化石 墨烯层112,由于所述氧化石墨烯层112表面具有-OH、-C00H等极性基团，可在液晶配向过程 中提高垂直取向剂52对所述CF基板10与TFT基板20的吸附能力，从而提升液晶显示面板的 配向效果。
[0069] 具体的，所述垂直取向剂52为一端含有一定长度的非极性基团，一端含有极性基 团的化合物。
[0070] 优选的，所述垂直取向剂52包括 \????·'
[0074] 具体的，所述可聚合单体51主要是一类具有光反应特性的小分子材料。
[0075] 优选的，所述可聚合单体51包括、中 的至少一种。
[0076]具体的，所述液晶分子41的预倾角为0.5~2°。
[0077] 具体的，所述液晶显示面板还包括设于所述CF基板10与TFT基板20之间且位于所 述液晶分子41外围的密封胶60、以及设于所述CF基板10与TFT基板20之间且位于所述密封 胶60外围的导电胶70。
[0078]请参阅图2，本发明还提供一种液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：
[0079] 步骤1、请参阅图3,提供CF基板10与TFT基板20,在所述CF基板10与TFT基板20上分 别形成公共电极11与像素电极21，所述公共电极11与像素电极21均包括石墨烯层111。 [0080]所述步骤1中，在所述CF基板10上形成公共电极11的方法包括：
[0081 ]步骤11、将石墨烯粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨烯悬浮液。
[0082]具体的，所述步骤11还包括对所述石墨烯悬浮液进行超声处理。
[0083]具体的，所述表面活性剂包括十二烷基硫酸钠、十二烷基硫酸铵、十二烷基磺酸 纳、十^?烷基苯横酸纳、及十四烷基硫酸纳中的至少一种。
[0084] 步骤12、将所述石墨烯悬浮液涂布在CF基板10上，对所述CF基板10进行烘烤加热 后，得到石墨烯层111，所述石墨烯层111构成公共电极11。
[0085] 具体的，所述步骤12中，采用旋转涂布的方式将所述石墨烯悬浮液涂布在CF基板 10上。
[0086]具体的，所述步骤12中，对所述CF基板10进行烘烤加热的温度为80-120°C。
[0087]所述步骤1中，在所述TFT基板20上形成像素电极21的方法包括：
[0088]步骤101、将石墨烯粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨烯悬浮液。
[0089]具体的，所述步骤101还包括对所述石墨烯悬浮液进行超声处理。
[0090] 具体的，所述表面活性剂包括十二烷基硫酸钠、十二烷基硫酸铵、十二烷基磺酸 纳、十^?烷基苯横酸纳、及十四烷基硫酸纳中的至少一种。
[0091] 步骤102、将所述石墨烯悬浮液涂布在TFT基板20上，对所述TFT基板20进行烘烤加 热后，得到石墨烯层111。
[0092] 具体的，所述步骤102中，采用旋转涂布的方式将所述石墨烯悬浮液涂布在TFT基 板20上;对所述TFT基板20进行烘烤加热的温度为80-120 °C。
[0093] 步骤103、对所述石墨烯层111进行图形化处理，得到图形化的像素电极21。
[0094] 具体的，所述步骤103中，采用光刻法或者激光直写法对所述石墨烯层111进行图 形化处理。
[0095] 优选的，所述公共电极11与像素电极21还包括设于所述石墨烯层111上的氧化石 墨稀层112。
[0096] 此时，所述步骤1中，在所述CF基板10上形成公共电极11的方法包括：
[0097] 步骤11'、将石墨烯粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨烯悬浮液。
[0098]具体的，所述步骤11'还包括对所述石墨烯悬浮液进行超声处理。
[0099] 具体的，所述表面活性剂包括十二烷基硫酸钠、十二烷基硫酸铵、十二烷基磺酸 纳、十^?烷基苯横酸纳、及十四烷基硫酸纳中的至少一种。
[0100] 步骤12'、将所述石墨烯悬浮液涂布在CF基板10上，对所述CF基板10进行烘烤加热 后，得到石墨烯层111。
[0101] 具体的，所述步骤12中，采用旋转涂布的方式将所述石墨烯悬浮液涂布在CF基板 10上;对所述CF基板10进行烘烤加热的温度为80-120°C。
[0102] 步骤13'、在所述石墨烯层111上形成氧化石墨烯层112,所述石墨烯层111与氧化 石墨烯层112共同构成公共电极11。
[0103] 所述步骤13'中，在所述石墨烯层111上形成氧化石墨烯层112的实施方式包括： [0104]采用臭氧对所述石墨烯层111进行氧化处理，得到位于所述石墨烯层111表面的氧 化石墨稀层112;采用臭氧对所述石墨稀层111进行氧化处理的时间为1~5min;
[0105] 或者，将氧化石墨烯粉末溶解到水中，得到氧化石墨烯悬浮液，将所述氧化石墨烯 悬浮液涂布到所述石墨烯层111上，得到氧化石墨烯层112;溶解过程中进行超声处理，涂布 的方式为旋转涂布。
[0106] 所述步骤1中，在所述TFT基板20上形成像素电极21的方法包括：
[0107] 步骤101'、将石墨烯粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨烯悬浮液。
[0108] 具体的，所述步骤101'还包括对所述石墨烯悬浮液进行超声处理。
[0109] 具体的，所述表面活性剂包括十二烷基硫酸钠、十二烷基硫酸铵、十二烷基磺酸 纳、十^?烷基苯横酸纳、及十四烷基硫酸纳中的至少一种。
[0110]步骤102'、将所述石墨烯悬浮液涂布在TFT基板20上，对所述TFT基板20进行烘烤 加热后，得到石墨烯层111。
[0111] 具体的，所述步骤102'中，采用旋转涂布的方式将所述石墨烯悬浮液涂布在TFT基 板20上。
[0112] 具体的，所述步骤102'中，对所述TFT基板20进行烘烤加热的温度为80-120°C。
[0113] 步骤103'、在所述石墨稀层111上形成氧化石墨稀层112。
[0114] 所述步骤103'中，在所述石墨烯层111上形成氧化石墨烯层112的实施方式包括：
[0115] 采用臭氧对所述石墨烯层111进行氧化处理，得到位于所述石墨烯层111表面的氧 化石墨稀层112;采用臭氧对所述石墨稀层111进行氧化处理的时间为1~5min;
[0116] 或者，将氧化石墨烯粉末溶解到水中，得到氧化石墨烯悬浮液，将所述氧化石墨烯 悬浮液涂布到所述石墨烯层111上，得到氧化石墨烯层112;溶解过程中进行超声处理，涂布 的方式为旋转涂布。
[0117] 步骤104'、同时对所述石墨烯层111与氧化石墨烯层112进行图形化处理，得到图 形化的像素电极21。
[0118] 具体的，所述步骤104'中，采用光刻法或者激光直写法对所述石墨烯层111与氧化 石墨烯层112进行图形化处理。
[0119] 步骤2、请参阅图3,提供液晶混合物，所述液晶混合物包括液晶分子41、垂直取向 剂52、及可聚合单体51;将所述液晶混合物滴注到所述CF基板10上设有所述公共电极11的 一面或者TFT基板20上设有像素电极21的一面上。
[0120]具体的，所述步骤2中，采用液晶滴下制程将所述液晶混合物滴加到TFT基板20或 CF基板10上。
[0121]具体的，所述步骤2中，所述液晶混合物中，所述液晶分子41的质量百分比为94.5 ~99.5%，所述垂直取向剂52的质量百分比为0.1~5.0%，所述可聚合单体51的质量百分 比为0.3~0.5%。
[0122] 具体的，所述垂直取向剂52为一端含有一定长度的非极性基团、一端含有极性基 团的化合物。
[0123] 优选的，所述垂直取向剂52包括
[0124] 1
[0126] 中的至少一种。
>：
[0127] 具体的，所述可聚合单体51主要是一类具有光反应特性的小分子材料。
[0128] 优选的，所述可聚合单体5 1包括
与
5的至少一种。
[0129] 优选的，所述液晶混合物还包括光引发剂，所述光引发剂的质量百分比为0.1~ 0.5%〇
[0130] 具体的，所述光引发剂包括偶氮类引发剂、过氧化二烷基类引发剂、过氧化二酰类 引发剂、以及过氧化脂类引发剂中的至少一种。
[0131] 步骤3、请参阅图3,提供密封胶60,在所述TFT基板20或者CF基板10上对应所述液 晶混合物的外围涂布密封胶60;
[0132] 将所述CF基板10与TFT基板20贴合在一起，对密封胶60进行固化；
[0133] 此时，位于所述CF基板10与TFT基板20之间的液晶混合物形成液晶层40，所述液晶 层40中的一部分垂直取向剂52吸附于所述CF基板10与TFT基板20表面，并垂直于所述CF基 板10与TFT基板20排列，从而引导液晶分子41垂直于所述CF基板10与TFT基板20排列。
[0134] 当所述公共电极11与像素电极21均包括石墨烯层111及位于石墨烯层111上的氧 化石墨稀层112时，由于氧化石墨稀层112表面具有-OH、-C00H等极性基团，可以增强液晶层 40中的垂直取向剂52锚定CF基板10与TFT基板20的能力，提高液晶分子41的配向效果。
[0135] 具体的，所述步骤3中，在真空环境中将所述TFT基板20与CF基板10贴合在一起;对 密封胶50进行固化的方式包括热固化、及UV固化中的至少一种。
[0136] 具体的，所述步骤3还包括:在所述TFT基板20与CF基板10贴合之前，在所述CF基板 10或者TFT基板20上对应密封胶60的外围涂布导电胶70。
[0137] 步骤4、请参阅图4-5，在所述液晶层40两侧施加电压，液晶分子41发生偏转，在所 述液晶层40两侧继续施加电压的同时，对液晶层40进行第一次紫外光照射，所述液晶层40 中的垂直取向剂52与可聚合单体51发生聚合反应，沉积于所述CF基板10与TFT基板20上，在 所述CF基板10与TFT基板20上分别形成第一聚合物层31与第二聚合物层32。
[0138] 具体的，所述步骤4中，在所述液晶层40两侧施加的电压为13~25V;所述第一次紫 外光照射的能量为85~100mW/cm 2，照射时间为80~150 s。
[0139] 步骤5、请参阅图6,撤去所述液晶层40两侧的电压后，在所述第一聚合物层31与第 二聚合物层32的作用下，液晶分子41产生预倾角；
[0140]对所述液晶层40进行第二次紫外光照射，使所述液晶层40中残留的垂直取向剂52 与可聚合单体51完全反应，得到一液晶显示面板(如图1所示）。
[0141] 具体的，所述步骤5中，所述第二次紫外光照射的能量为85~lOOmW/cm2,照射时间 为90~120min。
[0142] 具体的，所述步骤5中，所述液晶分子41产生的预倾角为0.5~2°。
[0143] 综上所述，本发明提供一种液晶显示面板及其制作方法，采用石墨烯代替氧化铟 锡制作公共电极与像素电极，利用石墨烯透明度高、导电性能好、柔韧性强且生产成本低的 特点，提高液晶显示面板的显示性能并降低液晶显示面板的生产成本;利用垂直取向剂和 可聚合单体对液晶分子进行配向，省去配向膜，简化液晶配向制程;进一步的，通过在石墨 烯层的表面设置氧化石墨烯层，可提高垂直取向剂锚定基板的能力，从而提升液晶配向效 果。
[0144] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的 保护范围。
【主权项】
1. 一种液晶显示面板，其特征在于，包括相对设置的CF基板(10)与TFT基板(20)、分别 设于所述CF基板(10)与TFT基板(20)相对侧上的公共电极(11)与像素电极(21)、分别设于 所述公共电极(11)与像素电极(21)相对侧上的第一聚合物层(31)与第二聚合物层(32)、W 及设于所述第一聚合物层(31)与第二聚合物层(32)之间的液晶层(40)，所述液晶层(40)包 括液晶分子(41); 所述公共电极(11)与像素电极(21)均包括石墨締层(111); 所述第一聚合物层(31)与第二聚合物层(32)均由垂直取向剂(52)与可聚合单体(51) 聚合而成。2. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述公共电极（11)与像素电极(21) 还包括设于所述石墨締层（111)上的氧化石墨締层（112)。3. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述垂直取向剂巧2)包括所述可聚合单体（51)包括中的至少一种。4. 一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供CF基板(10)与TFT基板(20)，在所述CF基板（10)与TFT基板(20)上分别形成 公共电极(11)与像素电极(21)，所述公共电极(11)与像素电极(21)均包括石墨締层(111); 步骤2、提供液晶混合物，所述液晶混合物包括液晶分子(41)、垂直取向剂(52)、及可聚 合单体(51);将所述液晶混合物滴注到所述CF基板(10)上设有所述公共电极（11)的一面或 者TFT基板(20)上设有像素电极(21)的一面上； 步骤3、提供密封胶(60 )，在所述TFT基板(20)或者CF基板（10)上对应所述液晶混合物 的外围涂布密封胶(60); 将所述CF基板(10)与TFT基板(20)贴合在一起，对密封胶(60)进行固化； 此时，位于所述CF基板（10)与TFT基板(20)之间的液晶混合物形成液晶层(40)，所述液 晶层(40)中的一部分垂直取向剂(52)吸附于所述CF基板（10)与TFT基板(20)表面，并垂直 于所述CF基板（10)与TFT基板(20)排列，从而引导液晶分子(41)垂直于所述CF基板（10)与 TFT基板(20)排列； 步骤4、在所述液晶层(40)两侧施加电压，液晶分子(41)发生偏转，在所述液晶层(40) 两侧继续施加电压的同时，对液晶层(40)进行第一次紫外光照射，所述液晶层(40)中的垂 直取向剂(52)与可聚合单体巧1)发生聚合反应，沉积于所述CF基板（10)与TFT基板(20)上， 在所述CF基板(10)与TFT基板(20)上分别形成第一聚合物层(31)与第二聚合物层(32); 步骤5、撤去所述液晶层(40)两侧的电压后，在所述第一聚合物层(31)与第二聚合物层 (32)的作用下，液晶分子(41)产生预倾角； 对所述液晶层（40)进行第二次紫外光照射，使所述液晶层（40)中残留的垂直取向剂 (52)与可聚合单体(51)完全反应，得到一液晶显示面板。5. 如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述液晶 混合物中，所述液晶分子(41)的质量百分比为94.5~99.5%，所述垂直取向剂（52)的质量 百分比为0.1~5.0%，所述可聚合单体(51)的质量百分比为0.3~0.5%。6. 如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述垂直取向剂(52)包 括所述可聚合单体（51)包括·中的至少一种。7. 如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，在所述CF 基板(10)上形成公共电极（11)的方法包括： 步骤11、将石墨締粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨締悬浮液； 步骤12、将所述石墨締悬浮液涂布在CF基板（10)上，对所述CF基板（10)进行烘烤加热 后，得到石墨締层（111)，所述石墨締层（111)构成公共电极（11); 所述步骤1中，在所述TFT基板(20)上形成像素电极(21)的方法包括： 步骤101、将石墨締粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨締悬浮液； 步骤102、将所述石墨締悬浮液涂布在TFT基板(20)上，对所述TFT基板(20)进行烘烤加 热后，得到石墨締层（111); 步骤103、对所述石墨締层（111)进行图形化处理，得到图形化的像素电极(21)。8. 如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述公共电极（11)与像 素电极(21)还包括设于所述石墨締层（111)上的氧化石墨締层（112); 所述步骤1中，在所述CF基板(10)上形成公共电极(11)的方法包括： 步骤11'、将石墨締粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨締悬浮液； 步骤12'、将所述石墨締悬浮液涂布在CF基板（10)上，对所述CF基板（10)进行烘烤加热 后，得到石墨締层（111); 步骤13'、在所述石墨締层（111)上形成氧化石墨締层（112)，所述石墨締层（111)与氧 化石墨締层（112)共同构成公共电极（11); 所述步骤1中，在所述TFT基板(20)上形成像素电极(21)的方法包括： 步骤101'、将石墨締粉末和表面活性剂溶解于水中，得到石墨締悬浮液； 步骤102'、将所述石墨締悬浮液涂布在TFT基板(20)上，对所述TFT基板(20)进行烘烤 加热后，得到石墨締层（111); 步骤103'、在所述石墨締层（111)上形成氧化石墨締层（112); 步骤104'、同时对所述石墨締层（111)与氧化石墨締层（112)进行图形化处理，得到图 形化的像素电极(21)。9. 如权利要求8所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤13'与步骤 103'中，在所述石墨締层（111)上形成氧化石墨締层（112)的实施方式包括： 采用臭氧对所述石墨締层（111)进行氧化处理，得到位于所述石墨締层（111)表面的氧 化石墨締层（112); 或者，将氧化石墨締粉末溶解到水中，得到氧化石墨締悬浮液，将所述氧化石墨締悬浮 液涂布到所述石墨締层(111)上，得到氧化石墨締层(112)。10. 如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，在所述 液晶层(40)两侧施加的电压为13~25V;所述第一次紫外光照射的能量为85~lOOmW/cm2， 照射时间为80~150s; 所述步骤5中，所述第二次紫外光照射的能量为85~lOOmW/cm2,照射时间为90~ 120min〇
【文档编号】G02F1/1337GK105974683SQ201610552966
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年7月13日
【发明人】兰松
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司