光学装置以及包括该光学装置的有机发光显示器的制造方法

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光学装置以及包括该光学装置的有机发光显示器的制造方法
【专利摘要】本申请涉及光学装置及包括所述光学装置的有机发光显示器。本公开的实施方案的光学装置包括:包括UV吸收剂的相位差层,以及在所述相位差层上的线性偏振层。所述相位差层还可以包括基膜、液晶层以及在所述液晶层上的覆盖层。所得的光学装置以及包括所述光学装置的有机发光显示器可以具有改善的偏振特性和光学特性如透射率,以及优异的外部光抗反射特性和柔性。
【专利说明】
光学装置从及包括该光学装置的有机发光显示器
技术领域
[0001] 本公开的实施方案的一个或多个方面设及光学装置W及包括该光学装置的有机 发光显示器。
【背景技术】
[0002] 平板显示器的非限制性实例包括有机发光显示器、液晶显示器、等离子显示面板 等。
[0003] 在相关领域,如果外部光被反射或散射在显示设备的显示表面上,则可能不能很 好地看到该设备所显示的图像。运对于便携式设备尤其如此,所述便携式设备如移动电话、 PMP(便携式多媒体播放器)、PDA(个人数字助理)和便携式计算机,因为运些显示设备通常 在其中存在大量的外部光的室外使用,并且因此经常经历外部光在显示设备的显示表面上 的反射和散射的问题。
[0004] 最近,已经开发出能够弯曲和折叠的可折叠的显示设备。可折叠的显示设备易于 携带,同时具有相对大型的屏幕。除了诸如TV和计算机监控器中的多种其它应用之外,可折 叠的显示设备可W用于移动设备,如移动电话、PMP、PDP、导航、UMPC(超级移动PC)、电子书 和/或电子报纸。
[0005] 此类可折叠的显示设备可能需要附接抗反射膜,并且为了能够折叠具有较小曲率 半径的可折叠的显示设备,需要具有较薄结构的抗反射膜。
[0006] 在本【背景技术】部分公开的信息仅用于增强对本公开的背景的理解,并且因此其可 W包含不形成在本国中对本领域普通技术人员已经已知的现有技术的信息。

【发明内容】

[0007] 本公开的实施方案的一个或多个方面设及具有使外部光反射最小化的光学特性 的光学装置和有机发光显示器。此外,本公开的实施方案的一个或多个方面设及提供具有 薄的总厚度和改善的柔性的光学装置和有机发光显示器。
[000引本公开的一个或多个示例性实施方案提供了光学装置,包括:包括UV吸收剂的相 位差层W及在所述相位差层上的线性偏振层。
[0009] 所述相位差层还可W包括基膜、液晶层W及在所述液晶层上的覆盖层。
[0010] 所述UV吸收剂可W在所述基膜的后表面上。
[0011] 所述UV吸收剂可W在所述基膜的前表面上。
[0012] 所述基膜可W包括所述UV吸收剂。
[OOU]所述液晶层可从包括所述UV吸收剂。
[0014]所述UV吸收剂可W包括选自由化学式1和化学式2中的任一个表示的化合物中的 至少一个:
[0015
[0016
[0017
[001引化学式2。
[0019] 在化学式巧日化学式帥,R哇护可从各自独立地为取代基或氨原子,其中所述取代 基选自烷基、环烷基、芳基、酷氨基、烧硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、杂环基、烷基横 酷基、芳基横酷基、烷基亚横酷基、芳基亚横酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨横酷基、横酷 胺基、氯基、烷氧基、芳氧基、杂环氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、横酸基、氨基幾基氧基、氨基、 苯胺基、酷亚胺基、酷脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、杂环硫基、硫酷脈 基、簇基、径基、琉基和硝基。
[0020] 由化学式3表示的化合物还可W包括在所述UV吸收剂中:
[0021]
[0022] 化学式3。
[0023] 在化学式3中,Ri至R3可W各自独立地为取代基或氨原子,其中所述取代基选自烧 基、环烷基、芳基、酷氨基、烧硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、杂环基、烷基横酷基、芳基 横酷基、烷基亚横酷基、芳基亚横酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨横酷基、横酷胺基、氯基、 烷氧基、芳氧基、杂环氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、横酸基、氨基幾基氧基、氨基、苯胺基、酷亚 胺基、酷脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、杂环硫基、硫酷脈基、簇基、径基、 琉基和硝基。
[0024] 本公开的一个或多个示例性实施方案提供了有机发光显示器,包括:光学装置,W 及在所述光学装置的后表面上的显示面板,其中所述光学装置包括:包括UV吸收剂的相位 差层W及在所述相位差层上的线性偏振层。
[0025] 所述相位差层可W包括基膜、液晶层W及在所述液晶层上的覆盖层。
[0026] 所述UV吸收剂可W在所述基膜的后表面上。
[0027] 所述UV吸收剂可W在所述基膜的前表面上。
[00%]所述基膜可W包括所述UV吸收剂。
[0029] 所述液晶层可W包括所述UV吸收剂。
[0030] 所述UV吸收剂可W包括选自由化学式1和化学式2中任一个表示的化合物中的至 少一个:
[003
[003
[003
[0034] 化学式2。
[0035] 在化学式1和化学式2中,Ri至R5可W各自独立地为取代基或氨原子,其中所述取代 基选自烷基、环烷基、芳基、酷氨基、烧硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、杂环基、烷基横 酷基、芳基横酷基、烷基亚横酷基、芳基亚横酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨横酷基、横酷 胺基、氯基、烷氧基、芳氧基、杂环氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、横酸基、氨基幾基氧基、氨基、 苯胺基、酷亚胺基、酷脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、杂环硫基、硫酷脈 基、簇基、径基、琉基和硝基。
[0036] 由化学式3表示的化合物还可W包括在所述UV吸收剂中:
[0037]
[0038] 化学式3。
[0039] 在化学式3中,Ri至R3可W各自独立地为取代基或氨原子,其中所述取代基选自烧 基、环烷基、芳基、酷氨基、烧硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、杂环基、烷基横酷基、芳基 横酷基、烷基亚横酷基、芳基亚横酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨横酷基、横酷胺基、氯基、 烷氧基、芳氧基、杂环氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、横酸基、氨基幾基氧基、氨基、苯胺基、酷亚 胺基、酷脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、杂环硫基、硫酷脈基、簇基、径基、 琉基和硝基。
[0040] 所述有机发光显示器还可W包括在所述基膜的后表面上的触摸传感器。
[0041] 所述相位差层可W具有V4相位差值。根据本公开的实施方案,当所述光学装置W 及包括所述光学装置的有机发光显示器包括在显示设备中时,即使当UV光照射在其上时, 也可W保持所述光学装置的特性,并且因此所得的显示设备可W具有改善的透射率和偏振 度。此外,通过所述光学装置的外部光反射可W被抑制或降低W提供具有较好显示品质的 显示设备。另外,本公开的实施方案的所述光学装置可W具有降低的总厚度,并且因此所得 的显示设备可W具有降低的总厚度和改善的柔性。
【附图说明】
[0042] 图1为根据本公开的一个或多个示例性实施方案的光学装置的横截面视图。
[0043] 图2为示出根据本公开的一个或多个示例性实施方案的制造光学装置的方法的横 截面视图。
[0044] 图3、图4和图5为根据本公开的一个或多个示例性实施方案的光学装置的横截面 视图。
[0045] 图6为示出根据本公开的一个或多个示例性实施方案的有机发光显示器的横截面 视图。
[0046] 图7为示出图6中示出的相位差层和线性偏振层的光轴的视图。
[0047] 图8为示出使用线性偏振板和相位延迟器的外部光反射的横截面视图。
【具体实施方式】
[0048] 将参考附图在下文中更充分地描述本公开的实施方案,在所述附图中,示出了本 公开的示例性实施方案。如本领域技术人员会认识到的,所描述的实施方案可W W多种不 同的方式改变,而均不背离本公开的精神或范围。
[0049] 将省略对于理解本公开而言并非必需的部分,W便更清楚地描述本公开,并且在 整个附图和说明书中,相同的元件(例如,二极管)将由相同的参考数字指定。
[0050] 此外,在示例性实施方案中,因为相同的参考数字指定具有相同配置的相同元件, 所W-旦已经代表性描述一个示例性实施方案,则将不再提供其重复的描述,并且其它示 例性实施方案将仅在它们的配置不同于上述示例性实施方案的情况下进行描述。
[0051] 在附图中,出于理解和易于描述的目的,可W任意地显示每个配置的尺寸和厚度, 但本公开不局限于此。例如,在附图中,出于清楚的目的,可W放大层、膜、面板、区域等的厚 度。
[0052] 应理解,当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一元件"上"时,其可W直接 在另一元件上或者也可W存在介于中间的元件。
[0053] 另外,除非明确相反描述,词语"包括/包含"应被理解为意味着包括所规定的要 素,但并不排除任何其它要素。此外,在说明书中,词语"在……上"意指布置在目标部分之 上或之下,并且不旨在限于具体的方向。另外,如本文所用,单数形式也旨在包括复数形式, 并且反之亦然,除非上下文另外明确指出(例如,液晶层LCL可W包括多个液晶层LCL)。
[0054] 诸如"选自……中的至少一个"W及"选自……中的一个"的表达,当在一系列要素 之前时,修饰整列要素而不修饰该列的个别要素。此外,当描述本公开的实施方案时,"可 的使用是指"本公开的一个或多个实施方案"。
[0055] 在下文中,将参考图1和图2描述本公开的一个或多个示例性实施方案的光学装置 和根据本公开的一个或多个示例性实施方案的制造光学装置的方法。图1为根据本公开的 一个或多个示例性实施方案的光学装置的横截面视图,W及图2为示出根据本公开的一个 或多个示例性实施方案的制造光学装置的方法步骤的横截面视图。
[0056] 参考图1,光学装置OM包括触摸传感器TS、相位差层化和线性偏振层POL。
[0057] 触摸传感器TS可W包括传感部分和布线部分。传感部分可W被布置成对应于显示 区域,在显示区域中显示装置DM的有机发光二极管被布置成显示图像,W及布线部分可W 被布置成对应于与该显示区域相邻的非显示区域。
[0058] 传感部分可W包括透明导电氧化物,如IT0;导电材料和/或导电聚合物材料,如银 纳米线(AgNW)和/或聚(3,4-亚乙基二氧嚷吩)(PEDOT);含碳的导电材料,如石墨締和/或碳 纳米管CNT;银纳米线(AgNW)和透明导电氧化物(如IT0)的层压物;导电聚合物材料(如 PEDOT)和透明导电氧化物(如口0)的层压物,和/或类似物。在一些实施方案中,传感部分可 W包括桥,并且可W包括口 0、IZOXu和/或基于Ag-Pd-化的材料作为桥。布线部分可W包括 化和/或基于Ag-Pd-化的材料、Ag,和/或类似物。
[0059] 在其中传感部分由银纳米线(AgNW)形成的实施方案中,传感部分还可W包括覆盖 层W便改善紧密接触性。例如,覆盖层可W被配置成改善银纳米线(AgNW)和相位差层化的 紧密接触性。
[0060] 然而,触摸传感器TS不局限于此,并且可W W显示设备领域中通常可用的任何合 适的形式形成。
[0061] 在一些实施方案中,相位差层化具有总的V4相位差值(例如,相位差层化可W为 四分之一波片),并且包括UV吸收剂化、布置在UV吸收剂化上的基膜BF、布置在基膜BF上的 液晶层LCLW及布置在液晶层LCL上的覆盖层0C。
[0062] 相位差层化可W包括布置在基膜BF的后(或底)表面上的UV吸收剂化。在一些实施 方案中,UV吸收剂化可W W膜的形式附接至基膜BF,或者可W涂覆在基膜BF上并且然后固 化,但形成UV吸收剂化的方法不局限于此。
[0063] UV吸收剂化可W在制造过程期间吸收照射在光学装置OM上的UV光W控制UV光对 液晶层LCL的影响。否则,当UV光照射在液晶层LCL上时,包括在液晶层LCL中的液晶分子和 染料的结合可能另外发生变化W影响设备品质。
[0064] 用于形成UV吸收剂化的材料可W为能够吸收UV光的任何合适的材料,并且可W包 括苯并S挫化合物,例如,基于2-(2'-径基苯基)-苯并S挫的化合物,如2-(2'-径基-5'-甲 基苯基)苯并=挫、2-(3 ',5 ' -二叔下基-2 ' -径基苯基)苯并=挫、2-(5 ' -叔下基-2 ' -径基苯 基)苯并=挫、2-(2-?基-5-a,l,3,3-四甲基下基)苯基)苯并 = 挫、2-(3',5'-二叔下基- 2'-?基苯基)-5-苯并S挫、2-(3'-叔下基-2'-?基苯基-5'-甲基苯基)-5-苯并S挫、2- (3'-仲下基-5'-叔下基-2'-径基苯基)苯并S挫、2-(2'-径基-4'-辛氧基苯基苯基)-5-苯 并S挫和/或2-(3',5'-二叔下基-2'-径基苯基)苯并S挫;二苯甲酬化合物,如具有4-径 基、4-甲氧基、4-辛氧基、4-癸氧基、4-十二烷氧基、4-节氧基、4,2',4'-S径基和/或2'-径 基-4,4'-二甲氧基官能团的基于2-?基二苯甲酬的化合物;苯甲酸醋化合物,例如,具有取 代的苯甲酸醋结构的化合物,如4-叔下基-苯基水杨酸醋、水杨酸苯醋、水杨酸辛基苯醋、联 苯甲酯间苯二酪、双(4-叔下基-苯甲酯基)间苯二酪、苯甲酯基间苯二酪、2,4-二叔下基苯 基-3,5 二叔下基-4-径基苯甲酸醋、3,5-二叔下基-4-径基苯甲酸十六烧醋、3,5-二叔下 基-4-径基苯甲酸十八烧醋和/或2-甲基-4,6-二叔下基苯基3,5-二叔下基-4-径基苯甲酸 醋;=嗦化合物,和/或类似物。
[0065]在一些实施方案中,UV吸收剂化可W包括选自由W下化学式1和化学式2表示的化 合物中的至少一个:
[0066
[0067
[0068
[0069] 化学式2。
[0070] 在化学式1和化学式2中,Ri至R5各自独立地为取代基或氨原子,其中取代基选自烧 基、环烷基、芳基、酷氨基、烧硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、杂环基、烷基横酷基、芳基 横酷基、烷基亚横酷基、芳基亚横酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨横酷基、横酷胺基、氯基、 烷氧基、芳氧基、杂环氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、横酸基、氨基幾基氧基、氨基、苯胺基、酷亚 胺基、酷脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、杂环硫基、硫酷脈基、簇基、径基、 琉基和硝基。
[0071] 根据本公开的一个或多个示例性实施方案的UV吸收剂UL可W吸收波长为约340nm 至约400nm的UV光。
[0072] 在一些实施方案中,UV吸收剂化还可W包括由W下化学式3表示的化合物。下述化 学式3表示的化合物前W巧化巧应稳定剂:
[0073]
[0074] 化学式3。
[0075] 在化学式3中,Ri至R3各自独立地为取代基或氨原子,其中取代基选自烷基、环烧 基、芳基、酷氨基、烧硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、杂环基、烷基横酷基、芳基横酷基、 烷基亚横酷基、芳基亚横酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨横酷基、横酷胺基、氯基、烷氧基、 芳氧基、杂环氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、横酸基、氨基幾基氧基、氨基、苯胺基、酷亚胺基、酷 脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、杂环硫基、硫酷脈基、簇基、径基、琉基和 硝基。
[0076] 在一些实施方案中,相位差层化还可W包括布置在液晶层LCL与基膜BF之间的取 向层(图2中示出)。
[0077] 线性偏振层POL布置在相位差层化上。此处,线性偏振层POL可W具有包括聚乙締 醇(PVA)的膜形式、通过涂层形成的层形式、金属图案层形式如线栅偏振片WGP,和/或类似 物。线性偏振层POL的光轴与相位差层化的光轴的交叉角可W为45°。
[0078] 在根据本公开的一个或多个示例性实施方案的光学装置OM中,在触摸传感器TS的 制造期间,照射的UV光在UV吸收剂化上被吸收,W便不影响相位差层化的液晶层LCL,并且 因此包括OM的显示设备的光学特性如透射率和/或偏振度可W得到改善。
[0079] 在下文中,将参考图2描述根据本公开的一个或多个示例性实施方案的制造光学 装置OM的方法。
[0080] 如图2A和图2B中所示,取向层AL形成在基膜BF上,并且然后液晶层IXL形成在取向 层AL上。
[0081] 在一些实施方案中,可W省略取向层AL,并且在运种情况下,液晶层LCL可W为包 括液晶材料和光刻胶材料的聚合物材料层。
[0082] 随后,如图2C中所示,形成覆盖液晶层LCL的覆盖层0C,因此制造包括基膜BF、取向 层AL、液晶层LCL和覆盖层OC的相位差层化。如上文所述,在一些实施方案中,可W省略取向 层AL。
[0083] 此处,覆盖层OC可W由(但不限于)有机材料或无机材料形成,并且可W用于保护 各个液晶层LCL,同时并发地或同步地改善待在覆盖层OC上形成的线性偏振层POL的粘附 性。
[0084] 接下来,如图2D中所示,线性偏振层POL形成在相位差层化上。
[0085] 例如,线性偏振层POL形成在相位差层化的覆盖层OC上。此处,线性偏振层POL可W 具有包括PVA的膜形式、通过涂层形成的层形式、金属图案层形式如线栅偏振片WGP,和/或 类似物。线性偏振层POL的光轴与相位差层化的光轴的交叉角可W为45°。
[0086] 接下来,如图沈中所示,UV吸收剂化可W形成在基膜BF的后(或底)表面上。在运种 情况下,UV吸收剂化可W W膜的形式附接至基膜BF,或者可W涂覆并且然后固化,但形成UV 吸收剂化的方法不局限于此。
[0087] 尽管本说明书描述了在已经附接线性偏振层POL之后,在基膜BF的后(或底)表面 上形成UV吸收剂化,但其中可W在基膜BF的后(或底)表面上形成UV吸收剂化的顺序不局限 于此。
[0088] 根据本公开的一个或多个示例性实施方案,布置在基膜BF的后(或底)表面上的UV 吸收剂化可W在形成在UV吸收剂化等上布置的触摸传感器的刻蚀过程期间通过例如保护 基膜BF而用作阻挡物(stopper)。
[0089] 接下来,如图2F中所示,可W形成布置在UV吸收剂化的后(或底)表面上的触摸传 感器TS。触摸传感器TS可W包括传感部分和布线部分。
[0090] 传感部分可W包括透明导电氧化物,如IT0;导电材料和/或导电聚合物材料,如银 纳米线(AgNW)和/或PEDOT;含碳的导电材料,如石墨締和/或碳纳米管CNT;银纳米线(AgNW) 和透明导电氧化物(如ITO)的层压物;导电聚合物材料(如PEDOT)和透明导电氧化物(如 IT0)的层压物,和/或类似物。在一些实施方案中,传感部分可W包括桥,并且可W包括IT0、 IZO、化和/或基于Ag-Pd-化的材料作为桥。
[0091] 布线部分可W包括Cu和/或基于Ag-Pd-Cu的材料、Ag,和/或类似物。如上文所述, 触摸传感器TS可W W显示设备领域中通常可用的任何合适的形式形成。
[0092] 在其中传感部分由银纳米线(AgNW)等形成的实施方案中,传感部分还可W包括覆 盖层W便改善紧密接触性。例如,覆盖层可W被配置成改善银纳米线(AgNW)和相位差层化 的紧密接触性。
[0093] 包括在触摸传感器TS中的覆盖层可W通过照射UV光制造,并且照射的UV光可W固 化触摸传感器TS的覆盖层,并且可W被布置在触摸传感器TS上的UV吸收剂化吸收。
[0094] 在其中不包括UV吸收剂化的比较性显示设备中,为了固化包括在触摸传感器TS中 的覆盖层而照射的UV光可W改变布置在液晶层LCL中的液晶材料与染料之间的取向。然而, 根据本公开的示例性实施方案的UV吸收剂化防止或基本上阻断UV光到达液晶层LCL。
[00M]因此,由于照射在相位差层化上的UV光在制造过程期间基本上不影响相位差层化 的液晶层LCL,因而显示设备的光学特性如透射率和偏振度可W得到改善。
[0096] 然后,通过上述过程形成的光学装置可W层压在包括有机发光二极管的显示装置 上W制造有机发光显示器。
[0097] 在下文中,将参考图3至图5描述根据本公开的一个或多个其它示例性实施方案的 光学装置。图3、图4和图5为根据本公开的一个或多个其它示例性实施方案的光学装置的横 截面视图。此处,与上述光学装置的组成元件相同或类似的组成元件的重复描述是不必要 的,并且不会被提供。
[009引参考图3,根据本示例性实施方案的光学装置OM可W包括布置在基膜BF上的UV吸 收剂化。此处,UV吸收剂化可W在制造基膜BF的过程期间与基膜一起形成。
[0099] 与上述UV吸收剂化类似,本示例性实施方案的UV吸收剂化可W由能够吸收照射在 触摸传感器TS上的UV光的任何合适的材料形成,并且可W W膜形式实施。
[0100] 接下来,参考图4,在根据本示例性实施方案的光学装置OM中,UV吸收剂化可W布 置在基膜BF上(例如,在基膜BF的前表面上)。在运种情况下,由于取向层可W布置在基膜BF 上,因而UV吸收剂化可W布置在取向层上。
[0101] 在本实施方案的制造过程中,由于液晶层LCL在形成UV吸收剂化之后形成,因而在 该过程中利用的UV吸收剂化不得不经受制造液晶层LCL的过程,包括,例如,添加溶剂和形 成溫度。
[0102] 接下来,参考图5,在根据本公开的一个或多个其它示例性实施方案的光学装置OM 中,UV吸收剂化可W布置在液晶层IXL上。在运种情况下,UV吸收剂可W与包括在液晶层IXL 中的液晶材料混合。
[0103] 例如,根据本公开的示例性实施方案的光学装置OM可W包括UV吸收剂,其中UV吸 收剂可W但不限于布置在基膜BF上或下、布置为包括在基膜BF中、或者布置在液晶层LCL 中。
[0104]包括在触摸传感器TS中的覆盖层可W通过UV光的照射形成,并且照射的UV光可W 固化触摸传感器TS的覆盖层,并且然后可W被布置在触摸传感器TS上的UV吸收剂化吸收。 [010引因此,在制造过程期间,照射在相位差层化上的UV光基本上不影响相位差层化的 液晶层LCL,并且因此显示设备的光学特性如透射率和偏振度可W得到改善。
[0106] 在下文中,将参考图6至图8描述根据本公开的一个或多个示例性实施方案的有机 发光显示器。图6为示出根据本公开的一个或多个示例性实施方案的有机发光显示器的横 截面视图,图7为示出图6中示出的相位差层和线性偏振层的光轴的图,W及图8为示出使用 线性偏振板和相位延迟器的外部光反射的横截面视图。
[0107] 如图6中所示,根据本公开的示例性实施方案的有机发光显示器1000包括显示装 置DM和光学装置0M。此处,显示装置DM为有机发光显示器,并且光学装置OM可W通过上述根 据本公开的示例性实施方案的制造光学装置的方法制造。
[0108] 光学装置OM可W通过诸如OCA(光学透明粘合剂)的粘合层或诸如PSA(压敏粘合 剂)的附接层而附接至显示装置DM,但其附接方法不局限于此,并且光学装置OM可W通过使 用包括光刻工艺的MEMS (微机电系统)和/或类似物在显示装置DM上直接形成。
[0109] 显示装置DM包括第一衬底F1、第一有机发光二极管R、第二有机发光二极管G、第= 有机发光二极管B和第二衬底F2。
[0110] 第一衬底Fl可W由玻璃衬底或聚合物膜如聚酷亚胺形成,并且可W具有柔性的、 可弯曲的、可卷曲的、可折叠的和/或可伸缩的特性。当第一衬底Fl具有柔性的、可弯曲的、 可卷曲的、可折叠的和/或可伸缩的特性时,整个有机发光显示器1000可W具有柔性的、可 弯曲的、可卷曲的、可折叠的和/或可伸缩的特性。
[0111] 在第一衬底Fl的表面上,可W形成驱动第一有机发光二极管R、第二有机发光二极 管G和第=有机发光二极管B中的每一个的驱动器。驱动器可W包括连接至一个或多个栅极 布线、一个或多个数据布线、一个有机发光二极管和一个或多个电容器的多个薄膜晶体管, 但驱动器不局限于此,并且可W具有本领域中通常可用的任何合适的配置。
[0112] 第一有机发光二极管R、第二有机发光二极管G和第=有机发光二极管B可W各自 包括第一电极、布置在第一电极上的第二电极W及布置在第一电极与第二电极之间的有机 发光层,其中选自第一电极和第二电极中的至少一个可W由光透射电极、光半透射电极或 光反射电极形成。在根据本公开的示例性实施方案的有机发光显示器1000中,由第一有机 发光二极管R、第二有机发光二极管G和第=有机发光二极管B中的每一个发射的光在其中 布置有线性偏振层POL的光学装置OM的方向上被输出。第一有机发光二极管R、第二有机发 光二极管G和第=有机发光二极管B可W各自独立地W本领域中通常可用的任何合适的形 式形成。
[0113] 虽然在本公开的上述示例性实施方案中,为了方便描述,仅示出=个有机发光二 极管,但本公开的实施方案的显示设备不局限于此,并且可W包括两个或四个或多于四个 的有机发光二极管,只要所述多个有机发光二极管可W形成一个图像,并且每个有机发光 二极管可W形成像素,所述像素为形成图像的最小单位。
[0114] 在一些实施方案中,第一有机发光二极管R发射具有第一波长的光,第二有机发光 二极管G发射具有第二波长的光,并且第=有机发光二极管B发射具有第=波长的光。此处, 波长大小从第=波长增加至第一波长,其中第一波长大于第二波长和第=波长中的每一 个,W及第二波长大于第=波长。例如,第一有机发光二极管R可W发射红光,第二有机发光 二极管G可W发射绿光,W及第=有机发光二极管B可W发射蓝光。
[0115] 第二衬底F2可W由玻璃衬底、聚合物膜如聚酷亚胺或薄膜封装部分形成,并且在 其中第二衬底F2由薄膜封装部分形成的情况下,包括在第二衬底F2中的一个或多个有机层 和一个或多个无机层可W被交替地层压。
[0116] 在一些实施方案中,有机发光显示器1000的光学装置OM包括触摸传感器TS、相位 差层化和线性偏振层POL。
[0117] 触摸传感器TS可W包括传感部分和布线部分。传感部分可W被布置成对应于显示 区域,在显示区域中显示装置DM的有机发光二极管被布置成显示图像,并且布线部分可W 被布置成对应于与显示区域相邻的非显示区域。
[0118] 传感部分可W包括透明导电氧化物,如IT0;导电材料和/或导电聚合物材料,如银 纳米线(AgNW)和/或PEDOT;含碳的导电材料,如石墨締和/或碳纳米管CNT;银纳米线(AgNW) 和透明导电氧化物(如ITO)的层压物;导电聚合物材料(如PEDOT)和透明导电氧化物(如 IT0)的层压物,和/或类似物。此外,传感部分可W包括桥,并且可W包括IT0、IZ0、Cu和/或 基于Ag-Pd-Cu的材料作为桥。布线部分可W包括Cu和/或基于Ag-Pd-Cu的材料、Ag和/或类 似物。然而,触摸传感器TS不局限于此,并且可W W显示设备领域中通常可用的任何合适的 形式形成。
[0119] 在其中传感部分由银纳米线(AgNW)和/或类似物形成的实施方案中,传感部分还 可W包括覆盖层W便改善紧密接触性。例如,覆盖层可W被配置成改善银纳米线(AgNW)和 相位差层化的紧密接触性。
[0120] 覆盖层可W通过照射UV光制造,并且照射的UV光可W固化触摸传感器TS的覆盖层 W及可W被布置在触摸传感器TS上的UV吸收剂化吸收。
[0121] 在一些实施方案中,相位差层化具有总的V4相位差值(例如,相位差层化可W为 四分之一波片),并且包括UV吸收剂化、布置在UV吸收剂化上的基膜BF、布置在基膜BF上的 液晶层LCLW及布置在液晶层LCL上的覆盖层0C。
[0122] 虽然已在图6中示出包括光学装置OM的有机发光显示器1000,但本公开的示例性 实施方案不局限于此,并且有机发光显示器可W包括根据本公开的任何上述示例性实施方 案的光学装置0M。
[0123] 在一些实施方案中,相位差层化还可W包括布置在液晶层LCL与基膜BF之间的取 向层,但不局限于此。
[0124] 图7为示出图6中示出的相位差层和线性偏振层的光轴的图。
[012引如图7中所示,基膜BF和液晶层IXL的光轴各自与线性偏振层POL的光轴形成45°的 交叉角,并且因此,相位差层化的光轴与线性偏振层POL的光轴形成45°的交叉角,从而抑制 (或基本上抑制)外部光反射。此外,当基膜BF具有IOnm或小于IOnm的厚度时,可W抑制或降 低透过基膜BF的光中延迟的出现。
[0126]在下文中,将参考图8描述使用本实施方案的线性偏振板和相位延迟器可W基本 上抑制或降低外部光反射的原理。
[0127]如图8A中所示,当外部光化经过线性偏振层POL时,W与线性偏振层POL的线性偏 振轴不相同(例如,平行或基本上平行)的方向入射在线性偏振层POL上的光被线性偏振层 P化吸收,并且因此,当经过线性偏振层POL时,外部光化变为线性偏振的。
[01%]然后,当经过V4相位延迟器时,线性偏振的外部光化可W为圆偏振的,W提供具 有红色波长(例如,对应于红光的波长)的光RW、具有绿色波长(例如,对应于绿光的波长)的 光GWW及具有蓝色波长(例如,对应于蓝光的波长)的光BW。
[0129] 接下来,现参考图8B,具有红色波长的光RW、具有绿色波长的光GWW及具有蓝色波 长的光BW被反射在有机发光二极管化抓上,当再次经过V4相位延迟器(例如,两次)时,具 有红色波长的光RW、具有绿色波长的光GWW及具有蓝色波长的光BW各自被延迟180°并且为 线性偏振的,并且被线性偏振层POL吸收。
[0130] 总之,即使照射UV光W制造触摸传感器TS,根据本公开的示例性实施方案的光学 装置可W通过包括在相位差层中的UV吸收剂而最小化或降低UV光对液晶层的影响。
[0131] 因此,在根据本公开的一个或多个示例性实施方案的光学装置W及包括该光学装 置的有机发光显示器中,可W改善偏振特性和光学特性如透射率。此外,根据本公开的一个 或多个示例性实施方案的光学装置W及包括该光学装置的有机发光显示器可W具有优异 的外部光抗反射特性和柔性。
[0132] 虽然已经关于目前所被认为是实用的示例性实施方案来描述了本公开,但对本领 域技术人员容易理解的是,本公开不限于公开的实施方案,而相反,旨在涵盖包括在所附的 权利要求及其等同物的精神和范围内的各种改变和等同布置。
[0133] 如本文所用,术语"使用"可W被认为分别与术语"利用"同义。另外,术语"基本 上"、"约"和类似术语被用作近似的术语且不用作程度的术语,并旨在说明本领域普通技术 人员会认识到的测量值或计算值中的固有偏差。
[0134] 另外,本文所列举的任何数值范围旨在包括所列举的范围内所包含的相同数值精 度的所有子范围。例如,"1.0至10.0"的范围旨在包括在所列举的最小值1.0与所列举的最 大值10.0之间(并且包括所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0)的所有子范围,即,具 有等于或大于1.0的最小值W及等于或小于10.0的最大值,诸如,例如2.4至7.6。本文列举 的任何最大数值限制旨在包括其中所包含的所有较低的数值限制,并且在本说明书中列举 的任何最小数值限制旨在包括其中所包含的所有较高的数值限制。因此,
【申请人】保留了修 改包括权利要求在内的本说明书的权利W明确列举本文所明确列举的范围内所包含的任 何子范围。
[0135] 符号说明
[0136] 显示装置:DM 光学装置:OM
[0137] 相位差层:RL 覆盖层:OC
[0138] 线性偏振层:P化 液晶层:IXL
[0139] 基膜:邸 UV吸收剂:UL
[0140] 触摸传感器:TS 取向层:AL
[0141] 第一衬底:Fl 第二衬底:F2
[0142] 第一有机发光二极管:R 第二有机发光二极管:G
[0143] 第S有机发光二极管:B 具有红色波长的光:RW
【主权项】
1. 光学装置,包括: 包括UV吸收剂的相位差层,以及 在所述相位差层上的线性偏振层, 其中所述相位差层还包括: 基膜, 液晶层,以及 在所述液晶层上的覆盖层。2. 如权利要求1所述的光学装置,其中: 所述UV吸收剂在所述基膜的后表面以及所述基膜的前表面之一上。3. 如权利要求2所述的光学装置,其中: 所述基膜和所述液晶层中的至少一个包括所述UV吸收剂。4. 如权利要求1所述的光学装置,其中所述UV吸收剂包括选自由化学式1和化学式2中 的任一个表示的化合物中的至少一个: 化学式1化学式2, 其中Ri至R5各自独立地为取代基或氢原子,并且所述取代基选自烷基、环烷基、芳基、酰 氣基、烧硫基、芳硫基、烯基、卤素原子、炔基、杂环基、烷基横醜基、芳基横醜基、烷基亚横醜 基、芳基亚磺酰基、膦酰基、酰基、氨甲酰基、氨磺酰基、磺酰胺基、氰基、烷氧基、芳氧基、杂 环氧基、甲硅烷氧基、酰氧基、磺酸基、氨基羰基氧基、氨基、苯胺基、酰亚胺基、酰脲基、烷氧 基幾基氣基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、杂环硫基、硫醜脈基、駿基、羟基、疏基和硝基, 其中所述UV吸收剂还包括由化学式3表示的化合物: 化学式3,其中Rl至R3各自独立地为取代基或氢原子,并且所述取代基选自烷基、环烷基、芳基、酰 氣基、烧硫基、芳硫基、烯基、卤素原子、炔基、杂环基、烷基横醜基、芳基横醜基、烷基亚横醜 基、芳基亚磺酰基、膦酰基、酰基、氨甲酰基、氨磺酰基、磺酰胺基、氰基、烷氧基、芳氧基、杂 环氧基、甲硅烷氧基、酰氧基、磺酸基、氨基羰基氧基、氨基、苯胺基、酰亚胺基、酰脲基、烷氧 基幾基氣基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、杂环硫基、硫醜脈基、駿基、羟基、疏基和硝基。5. 有机发光显示器,包括: 光学装置,以及 在所述光学装置的后表面上的显示面板, 其中所述光学装置包括: 包括UV吸收剂的相位差层,以及 在所述相位差层上的线性偏振层, 其中所述相位差层还包括: 基膜, 液晶层,以及 在所述液晶层上的覆盖层。6. 如权利要求5所述的有机发光显示器,其中: 所述UV吸收剂在所述基膜的后表面以及所述基膜的前表面之一上。7. 如权利要求6所述的有机发光显示器,其中: 所述基膜和所述液晶层中的至少一个包括所述UV吸收剂。8. 如权利要求5所述的有机发光显示器,其中: 所述UV吸收剂包括选自由化学式1和化学式2中任一个表示的化合物中的至少一个: 化学式1化学式2,其中Rl至R5各自独立地为取代基或氢原子,并且所述取代基选自烷基、环烷基、芳基、酰 氣基、烧硫基、芳硫基、烯基、卤素原子、炔基、杂环基、烷基横醜基、芳基横醜基、烷基亚横醜 基、芳基亚磺酰基、膦酰基、酰基、氨甲酰基、氨磺酰基、磺酰胺基、氰基、烷氧基、芳氧基、杂 环氧基、甲硅烷氧基、酰氧基、磺酸基、氨基羰基氧基、氨基、苯胺基、酰亚胺基、酰脲基、烷氧 基幾基氣基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、杂环硫基、硫醜脈基、駿基、羟基、疏基和硝基, 其中: 所述UV吸收剂还包括由化学式3表示的化合物: 化学式3,其中Ri至R3各自独立地为取代基或氢原子,并且所述取代基选自烷基、环烷基、芳基、酰 氣基、烧硫基、芳硫基、烯基、卤素原子、炔基、杂环基、烷基横醜基、芳基横醜基、烷基亚横醜 基、芳基亚磺酰基、膦酰基、酰基、氨甲酰基、氨磺酰基、磺酰胺基、氰基、烷氧基、芳氧基、杂 环氧基、甲硅烷氧基、酰氧基、磺酸基、氨基羰基氧基、氨基、苯胺基、酰亚胺基、酰脲基、烷氧 基幾基氣基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、杂环硫基、硫醜脈基、駿基、羟基、疏基和硝基。9. 如权利要求8所述的有机发光显示器,还包括: 在所述基膜的后表面上的触摸传感器。10. 如权利要求9所述的有机发光显示器,其中: 所述相位差层具有λ/4相位差值。
【文档编号】G02B5/30GK106019446SQ201610168928
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月23日
【发明人】李熙荣, 尚炫廷, 催硕, 金熙燮, 朴乘范, 张润
【申请人】三星显示有限公司
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