一种光源封装结构及其定位、耦合方法

文档序号:10653019阅读:687来源:国知局
一种光源封装结构及其定位、耦合方法
【专利摘要】本发明提供一种光源封装结构及其定位、耦合方法,本装置包括密封盒盖(101)、C透镜(102)、硅基热沉(103)、激光器芯片(104)、隔离器组件(106)、硅光芯片(107),所述激光器芯片(104)、准直透镜(105)、隔离器组件(106)依次设置于硅基热沉(103)上,所述C透镜(102)固定且耦合对准于硅光芯片(107)的光栅耦合器(110),密封盒盖(101)设置有将所述激光器芯片(104)发出的光反射至C透镜(102)的倾斜内壁,C透镜(102)下表面设置有与反射光线入射角相匹配的抛光面,C透镜(102)偏向远离硅基热沉(103)的一侧朝向密封盒盖(101)的内壁斜面,C透镜(102)光轴与光线传输方向一致且主光线与光轴重合。本发明耦合结构紧凑,位置容差大。
【专利说明】
-种光源封装结构及其定位、輔合方法
技术领域
[0001] 本发明设及一种用于娃光忍片的封装方法和结构,特别设及一种基于光栅禪合器 的娃光忍片的光源封装结构及其定位、禪合方法,本发明属于光电子集成器件技术领域。
【背景技术】
[0002] 光纤通信为信息的传输带了革命性的发展,光纤通信中的光电器件也往更小,更 集成,更价廉方向发展,光电集成忍片是光电器件研究热点之一。集成电路忍片一般在娃片 上采用互补金属氧化物半导体集成工艺制作,已经具有很成熟的制作工艺,现在一些厂商 将波导制作在娃基衬底顶部,用于传输光路,运样把集成电路忍片与光忍片集成在同一块 娃基忍片上,本发明称为娃光忍片,娃光忍片既能实现电信号处理功能例如电子放大器,数 字信号处理器等,又能传输光路,实现光信号的滤波,分束,调制等功能,高度的光电集成化 减小了光电器件的体积,降低功耗,成本等,具有广泛的应用前景。
[0003] 由于娃光忍片中的娃属于间接带隙材料,不能够用于制作光源,为了解决娃光忍 片光源输入问题,有厂家采用虹-v族材料与娃材料结合起来,利用混合集成技术在娃上面 制作激光光源,但是运种技术存在一些缺点,目前没有商用化。因此,我们一般采用外置光 源的方式为娃光忍片提供光源。
[0004] 娃波导制作在娃光忍片顶层,娃波导由于娃材料折射率高,其模场尺寸小,无法直 接与光纤或者娃基二氧化娃波导禪合。目前,现有一些厂家将激光器忍片封装成TO形式 (Transistor Outline,同轴管帽封装),通过保偏光纤输出,保偏光纤末端制作成FA形式与 娃光忍片禪合。运种封装结构,外部光源TO封装尺寸较大,且一般无制冷设计,忍片散热受 到影响,不适用于大功率激光器忍片,不能制作大功率光源;其末端FA的保偏光纤的猫眼角 度要控制在+/-5度,操作难度较大,成品率低,成本高。
[0005] 美国专利US8772704中提供了一些外部光源封装设计,其设计采用的是球透镜或 者D透镜的单透镜光路设计方案,单透镜光路设计中,为了保证较高的禪合效率,需要精确 控制物距及像距来实现激光器忍片与光栅禪合器的模场匹配及消除球差损耗,该结构对激 光器忍片,透镜定位有较高的要求。

【发明内容】

[0006] 针对现有技术的缺陷,本发明提出一种基于光栅禪合器的大功率外部光源封装结 构及其定位方法、禪合定位方法,本发明禪合结构紧凑,位置容差大,能够通过制作标识图 案方法实现无源禪合,提供生产效率,适用于批量生产。
[0007] 本发明的技术方案是:
[000引一种用于娃光忍片的光源封装结构,包括密封盒盖、C透镜、娃基热沉、激光器忍 片、隔离器组件、娃光忍片,所述激光器忍片、准直透镜、隔离器组件依次设置于娃基热沉 上,所述娃基热沉和C透镜设置于所述密封盒盖和娃光忍片形成密封空间内,所述娃光忍片 包括光栅禪合器,所述C透镜固定且禪合对准于娃光忍片的光栅禪合器,密封盒盖设置有将 所述激光器忍片发出的光反射至C透镜的倾斜内壁,C透镜下表面设置有与反射光线入射角 相匹配的抛光面,C透镜偏向远离娃基热沉的一侧朝向密封盒盖的内壁斜面,C透镜光轴与 光线传输方向一致且主光线与光轴重合。
[0009] 所述密封盒盖内壁角度0为47° <0 <60°,C透镜下表面抛光角度巧采用
[0010] 所述激光器忍片、隔离器组件之间设置有准直透镜。
[0011] 所述密封盒盖的内壁斜面角度为54.74度,所述C透镜下表面抛光角度为70.52度。
[0012] 所述密封盒盖的内壁斜面设置有锻金或者反射膜。
[0013] 所述C透镜凸面向上设置,该凸面锻有增透膜,C透镜下表面楠圆的几何中屯、与光 栅禪合器重合对准。
[0014] 所述密封盒盖底部设置有一圈锻金层,娃光忍片与该锻金层位置对应设置有一圈 锻金层,所述娃光忍片的锻金层上沉积有一层金锡焊料,通过焊接将所述密封盒盖与娃光 忍片密封固定。
[0015] 所述C透镜直接设置于娃光忍片或者设置于娃基热沉上。
[0016] -种用于娃光忍片的光源封装结构,所述娃基热沉上设置有固定准直透镜、隔离 器组件的方形凹槽。
[0017] 包括C透镜、娃基热沉、激光器忍片、隔离器组件、娃光忍片,所述激光器忍片、准直 透镜、隔离器组件依次设置于娃基热沉上,所述娃光忍片包括光栅禪合器,所述C透镜固定 且禪合对准于娃光忍片的光栅禪合器,所述激光器忍片发出的光路中设置有将光反射至C 透镜的反射棱镜,所述反射棱镜反射角0为47° <0<6〇°,C透镜下表面设置有抛光角度 :巧=IST -20的抛光面。
[0018] 所述反射棱镜采用梯形反射棱镜,所述梯形反射棱镜反射面上设置有锻金或者反 射膜。
[0019] 所述的用于娃光忍片的光源封装结构的无源定位方法,在娃基热沉忍片上,制作 激光器忍片的定位图案,该定位图案采用与激光器忍片等大的方框或者是分别标记出4个 角的4个十字线;在娃光忍片上,制作C透镜、娃基热沉的定位图案,所述C透镜的定位图案采 用与C透镜下表面等大的楠圆图案;所述娃基热沉定位图案采用与娃基热沉等大的方框或 者是分别标记出4个角的4个十字线。
[0020] 所述的用于娃光忍片的光源封装结构的有源禪合方法,包括如下步骤:1)C透镜粘 接至光栅禪合器上;2)把一梯形反射棱镜粘接在C透镜旁,梯形反射棱镜的反射面与C透镜 凸面对准将光路转向;3)夹持带激光器忍片的娃基热沉,通过外置探针夹具给激光器忍片 供电;4)用源表监控娃光忍片的输出电流,确定娃光忍片的光栅禪合器接收到的光强;5)调 节娃基热沉位置直至源表读数最大处;6)点胶固化娃基热沉,有源禪合调节完成;7)去除梯 形反射棱镜,把密封盒盖焊接固定至娃光忍片对应位置处,整个激光器光源封装完成。
[0021] 本发明装置的优点在于:
[0022] 1)本发明采用密封结构设计,能够有效的隔绝内部激光器忍片与外部湿气,提高 激光器忍片使用寿命;
[0023] 2)本发明采用双透镜的光路结构设计,C透镜直接粘接在光栅禪合器上,降低了激 光器忍片,娃基热沉的贴片精度要求,禪合结构具有较大容差范围;
[0024] 3)本发明娃基热沉能够有效的对激光器忍片散热,封装结构适用于大功率激光器 忍片;
[0025] 4)本发明娃基热沉上设置有凹槽,用于准直透镜,隔离器组件定位,简化制作工 乙;
[0026] 5)本发明密封盒盖内壁斜面呈54.74度角度,斜面锻膜(金或者反射膜)用于反射 光线,直接采用密封盒盖内壁反射的设计能够减少一个反射棱镜的使用,使整个封装结构 更加紧凑;
[0027] 6)本发明通过定位图案的设计能够实现光学无源对准。
【附图说明】
[0028] 图1是本发明第一种实施例封装结构图;
[0029] 图2是本发明第一种实施例不带密封盒盖封装结构图;
[0030] 图3是本发明第一种实施例剖面示意图;
[0031 ]图4是本发明第二种结构剖面示意图;
[0032] 图5是本发明改用梯形反射棱镜非密封的第=种实施例结构图;
[0033] 其中
[0034] 101:密封盒盖; 102: C透镜;
[OO%] 103:娃基热沉; 104:激光器忍片;
[0036] 105:准直透镜; 106:隔离器组件;
[0037] 107:娃光忍片; 108:娃光忍片锻金层;
[0038] 109:密封盒盖锻金层; 110:光栅禪合器;
[0039] 111: IC忍片; 112:梯形反射棱镜;
【具体实施方式】
[0040] W下结合附图对本发明进行详细说明。
[0041] 本发明装置包括密封盒盖IOUC透镜102、娃基热沉103、激光器忍片104、准直透镜 105、隔离器组件106、娃光忍片107;其中,激光器忍片104、准直透镜105、隔离器组件106设 置于娃基热沉103上,娃基热沉103设置于娃光忍片107上。娃光忍片107包括光栅禪合器 ll〇,C透镜102通过紫外胶粘接在娃光忍片107上并与光栅禪合器110相对准,C透镜102凸面 向上,与娃光忍片107粘接的下表面抛光角度为70.52度;娃光忍片107在娃基热沉103的外 围设置有一方形的锻金层108,锻金层108上有一层金锡焊料,锻金层108的形状和尺寸与密 封盒盖101-致,用于与密封盒盖101的定位焊接密封。此时的娃光忍片107的本体相当于与 密封盒盖101相配合的盒体,密封盒盖101起到将激光器进行密封和光路转向的功能。激光 器光路由激光器忍片104、准直透镜105、隔离器组件106的娃基热沉103W及C透镜102组合 而成的,密封盒盖101内与C透镜102相对的内壁被设置为斜面,斜面角度为54.74度,斜面锻 金或者反射膜,用于反射光线,密封盒盖101与娃光忍片107相接触的底部设置有一层锻金 层109,且娃光忍片锻金层108上沉积有一层几微米的金锡焊料,用于将密封盒盖101定位到 娃光忍片107的锻金层108上并且与娃光忍片107密封焊接,通过上述设计保证由激光器忍 片104发出的光线经过准直透镜105准直,穿过隔离器组件106后,通过密封盒盖101的内壁 斜面反射进入C透镜102,并通过C透镜102汇聚到娃光忍片107的光栅禪合器110中,实现娃 光忍片107的光源禪合。
[0042] 如图2所示,在娃光忍片107上还集成有IC忍片111,IC忍片111可W在密封盒盖101 外单独设置。
[0043] 如图3所示,激光器忍片104通过导电胶粘接在娃基热沉103上,娃基热沉103上设 计有锻金焊盘及金线图案,用于激光器忍片104打线及供电,娃基热沉103用导热胶粘接在 娃光忍片107上,在C透镜102-侧,与C透镜102保持一定距离,娃基热沉103上设置有2个方 形凹槽,分别用于放置准直透镜105及隔离器组件106,激光器忍片104发射的光信号由准直 透镜105扩束后,通过隔离器组件106,再到达密封盒盖101内壁反射面,经反射转向C透镜 102,由C透镜102汇聚至娃光忍片107的光栅禪合器110中。
[0044] 本发明中娃光忍片107是一种集成电路与波导光路的结合体:波导光路和光栅禪 合器110位于娃光忍片107表面,用于娃光忍片107与外界光信号连接传输,光栅禪合器110 位于娃光忍片107上,形状为正置或者倒置扇形,此处光栅禪合器110作用是把W特定角度 入射的偏振光禪合进娃光忍片107的娃波导中,信号光禪合进入光栅禪合器110后,将通过 娃波导进行传输,或者分波和波处理,在波导末端信号光将进入娃光忍片107内部高速光电 二极管(Photodiode ,PD)中,实现光到电转换过程,ro正负极设置在娃光忍片107焊盘上;IC 忍片111是集成电路的综合体,可W包括调制器、驱动器、放大器、滤波器等,用于对电信号 进行处理或控制。
[0045] 方形密封盒盖101底部有一圈锻金层109。在娃光忍片107上,与密封盒盖101对应 位置也设置有一圈锻金层108,且锻金层上沉积有一层几微米的金锡焊料,用于密封盒盖 101与娃光忍片107的加热焊接密封,隔绝设置于密封盒盖101内部的激光器忍片104与外部 的湿气,增加激光器忍片104的使用寿命。密封盒盖101内壁锻金或者反射膜,内壁角度为0 度,47° <目<60°。本发明中结合密封盒盖实际制作工艺,优选设定目= 54.74度。激光器忍片 104发射的光线经过准直透镜105准直后,通过隔离器组件106,在密封盒盖101内壁反射,W 与垂直轴线夹角19.48度(即20-90°)的角度方向入射至C透镜102中,光斑经C透镜102最终 汇聚至娃光忍片107的光栅禪合器110中。
[0046] C透镜102由石英或者其他玻璃材料制作而成,其下表面与娃光忍片107用紫外胶 粘接在一起。C透镜102下表面有<P度的抛光角度,巧与0有如下关系;
本发 明中,当0 = 54.74度,可W计算&
;dC透镜102下表面有70.52度的抛光角度,其 面型为一楠圆,粘接过程中保证C透镜102下表面楠圆的几何中屯、与光栅禪合器110重合对 准。C透镜102凸面向上,且凸面锻有增透膜。C透镜102底面抛光70.52度是为了使C透镜102 偏向远离娃基热沉103的一侧W朝向密封盒盖101的内壁斜面,从而实现C透镜102凸面朝向 与反射光线入射角相匹配,即C透镜102光轴与光线传输方向一致且主光线与光轴重合。C透 镜102与娃光忍片107粘接后,经密封盒盖101内壁反射的光线沿C透镜102光轴入射至光栅 禪合器110中,减小像差,减小禪合损耗。
[0047] 本发明提供一种密封的激光器禪合封装结构,激光器位于密封盒盖与娃光忍片焊 接后形成的一个密封区域中,隔绝激光器忍片与外界湿气,密封盒盖倾斜内侧壁起到光路 转向作用。如果激光器忍片采用抗潮性激光器忍片或者整个娃光忍片封装至另外的密封的 模块结构中,就不需要对激光器进行密封,此时可W用梯形反射棱镜代替密封盒盖进行光 路反射转向(把梯形反射棱镜粘贴在原先密封盒盖反射光路位置,去除密封盒盖),如图5所 示。梯形反射棱镜反射面锻金或者反射膜,梯形棱镜反射角0与C透镜下表面抛光角度巧关 系为:
。同样,可W通过制作与梯形反射棱镜底面等大或者标记出底面4个 角的4个十字的标识图案方法来实现梯形反射棱镜的无源定位。
[004引娃基热沉103上设置有方形凹槽,在光路设计中,激光器忍片104与准直透镜105之 间的距离需要精确控制。通过光刻等工艺制作出的凹槽位置精度高,准直透镜105放入凹槽 中能直接定位,保证了激光器忍片104与准直透镜105的禪合位置精度要求。准直透镜105可 W是单凸或者双凸透镜,也可W使用球透镜,准直透镜105双面需要锻增透膜。隔离器组件 106由检偏器,法拉第晶体,半波片组成,组件放置在准直透镜105之后,用于隔离光路中反 射光线,避免运些光线进入激光器忍片104中,造成激光器忍片104的功率波动,隔离器组件 106锻有增透膜。娃基热沉103上面设置有金线图案及锻金焊盘,用于激光器忍片104打线供 电。娃基热沉103具有良好的散热性,能够有效的将激光器忍片104的热量传播到娃光忍片 107,再由娃光忍片107将热量传导至盒体外部,运种有效的散热设计,能够保证本发明能够 应用于大功率激光器忍片封装。
[0049] 激光器忍片104、准直透镜105、隔离器组件106粘接到娃基热沉103上后,可W通过 有源禪合方案把娃基热沉103粘接到娃光忍片107上,具体步骤为:1)把C透镜102粘接至娃 光忍片107上,C透镜102的凸面向上,底面楠圆的几何中屯、与光栅禪合器110重合对准;2)把 一梯形反射棱镜112粘接在C透镜102旁,梯形反射棱镜112的反射面与C透镜102凸面对准, 此处梯形反射棱镜112在有源对准过程中起到临时代替密封盒盖101对光路进行转向作用; 3)夹持带激光器忍片104的娃基热沉103,通过外置探针夹具给激光器忍片104供电;4)用源 表监控娃光忍片107的输出电流,从而确定娃光忍片107的光栅禪合器110接收到的光强;5) 调节娃基热沉103位置,至源表读数最大处,即光栅禪合器110接受到最大光强,禪合损耗最 小;6)点胶固化娃基热沉103,有源禪合调节完成;7)如果采用本发明第一种实施例密封的 激光器禪合封装结构,就去除梯形反射棱镜112,把带有反射斜面的密封盒盖放置到娃光忍 片107上,密封盒盖锻金层109与娃光忍片锻金层108重合对准,加热使娃光忍片锻金层108 上金锡焊料融化,密封盒盖101焊接到娃光忍片107上,整个激光器光源封装完成。
[0050] 本发明中,光路设计使用了双透镜的禪合方案,与传统的单透镜禪合方案相比提 高了禪合容差;C透镜102直接粘接在光栅禪合器110上,整个光学结构紧凑,可靠,适用批量 生产。由于光学结构具有较大的禪合容差,整个禪合结构可W通过标识的设计而实现完全 的无源对准禪合,将很大程度提高制作周期,及成品率。
[0051] 本发明中,还可W通过在娃光忍片107及娃基热沉103上制作定位图案,实现产品 无源禪合制作,提高生产效率。可W在娃基热沉103忍片上,制作激光器忍片104的定位图 案,图案样式可W是与激光器忍片104等大的方框或者是分别标记出4个角的4个十字线;可 W在娃光忍片107上,制作C透镜102的定位图案,图案样式是与C透镜102下表面等大的楠圆 图案;可W在娃光忍片107上,制作娃基热沉103的定位图案,图案样式可W是与娃基热沉 103等大的方框或者是分别标记出4个角的4个十字线。
[0052] 本发明提供第二种激光器外部光源封装方案见图4,包括密封盒盖IOUC透镜102、 娃基热沉103、激光器忍片104、准直透镜105、隔离器组件106、娃光忍片107;激光器忍片 104、准直透镜105、隔离器组件106、C透镜102设置于娃基热沉103上,娃基热沉103设置于娃 光忍片107上。C透镜102与娃基热沉103有巧巾固定方式,1)C透镜102通过紫外胶粘接在娃基 热沉103上,C透镜102凸面向上,与娃基热沉103粘接的下表面抛光角度为70.52度;2)直接 利用刻蚀工艺把C透镜102刻蚀在娃基热沉103上面。激光器忍片104发射出的光,经过准直 透镜105、隔离器组件106后,在密封盒盖101内壁发生反射,光线经过C透镜102汇聚后,穿过 娃基热沉103汇聚至光栅禪合器110处。实现外部光源与娃光忍片107的禪合。
[0053] 本发明提供一种双透镜的外部光源封装结构,结构采用双透镜禪合方案,第一个 透镜用于光路准直,第二个透镜用于光路汇聚,第二个透镜与光栅禪合器粘接在一起,相对 位置固定,所W,对激光器忍片与娃基热沉的位置具有较大容差范围,降低了激光器忍片, 娃基热沉的贴片精度要求,结合定位图案的设计能够实现无源光学禪合,且具有较高的禪 合效率。
[0054] 为了实现娃光忍片的光信号输入输出,本发明使用的娃光忍片在波导末端设计有 垂直光栅禪合器利用光衍射把外部光源禪合至娃波导中,本发明提供一种的外部光源的禪 合结构设计,运个禪合结构紧凑,位置容差大,能够通过制作标识图案方法实现无源禪合, 提供生产效率,适用于批量生产。
[0055] 虽然本发明已详细地示出并描述了相关的特定的实施例参考,但本领域的技术人 员应该能够理解,在不背离本发明的精神和范围内可W在形式上和细节上作出各种改变。 运些改变都将落入本发明的权利要求所要求的保护范围。
【主权项】
1. 一种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:包括密封盒盖(101)、C透镜(102)、 硅基热沉(103)、激光器芯片(104)、隔离器组件(106)、硅光芯片(107),所述激光器芯片 (104)、准直透镜(105)、隔离器组件(106)依次设置于硅基热沉(103)上,所述硅基热沉 (103)和C透镜(102)设置于所述密封盒盖(101)和硅光芯片(107)形成密封空间内,所述硅 光芯片(107)包括光栅耦合器(110 ),所述C透镜(102)固定且耦合对准于硅光芯片(107)的 光栅耦合器(110),密封盒盖(101)设置有将所述激光器芯片(104)发出的光反射至C透镜 (102)的倾斜内壁,C透镜(102)下表面设置有与反射光线入射角相匹配的抛光面,C透镜 (102)偏向远离硅基热沉(103)的一侧朝向密封盒盖(101)的内壁斜面,C透镜(102)光轴与 光线传输方向一致且主光线与光轴重合。2. 根据权利要求1所述的一种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:所述密封盒 盖(1〇1)内壁角度9为47°〈0〈6〇°,(:透镜(1〇2)下表面抛光角度屮采用(1)=18(广-20。3. 根据权利要求1所述的一种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:所述激光器 芯片(104)、隔离器组件(106)之间设置有准直透镜(105)。4. 根据权利要求2所述的一种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:所述密封盒 盖(101)的内壁斜面角度为54.74度,所述C透镜(102)下表面抛光角度为70.52度。5. 根据权利要求3所述的一种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:所述密封盒 盖(101)的内壁斜面设置有镀金或者反射膜。6. 根据权利要求4所述的一种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:所述C透镜 (102)凸面向上设置,该凸面镀有增透膜,C透镜(102)下表面椭圆的几何中心与光栅耦合器 (110)重合对准。7. 根据权利要求4所述的一种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:所述密封盒 盖(101)底部设置有一圈镀金层(109),硅光芯片(107)与该镀金层(109)位置对应设置有一 圈镀金层(108),所述硅光芯片(107)的镀金层(108)上沉积有一层金锡焊料,通过焊接将所 述密封盒盖(101)与硅光芯片(107)密封固定。8. 根据权利要求6所述的一种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:所述C透镜 (102) 直接设置于硅光芯片(107)或者设置于硅基热沉(103)上。9. 根据权利要求3-8任一项所述的一种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:所 述硅基热沉(103)上设置有固定准直透镜(105)、隔离器组件(106)的方形凹槽。10. -种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:包括C透镜(102)、硅基热沉 (103) 、激光器芯片(104)、隔离器组件(106)、硅光芯片(107),所述激光器芯片(104)、准直 透镜(105)、隔离器组件(106)依次设置于硅基热沉(103)上,所述硅光芯片(107)包括光栅 耦合器(110),所述C透镜(102)固定且耦合对准于硅光芯片(107)的光栅耦合器(110),所述 激光器芯片(104)发出的光路中设置有将光反射至C透镜(102)的反射棱镜,所述反射棱镜 反射角Θ为47°〈θ〈60°,C透镜(102)下表面设置有抛光角度φ = 1806 -2Θ的抛光面。11. 根据权利要求10所述的一种用于硅光芯片的光源封装结构,其特征在于:所述反射 棱镜采用梯形反射棱镜(112),所述梯形反射棱镜(112)反射面上设置有镀金或者反射膜。12. -种用于如权利要求1-11任一项所述的用于硅光芯片的光源封装结构的无源定位 方法,其特征在于:在硅基热沉(103)芯片上,制作激光器芯片(104)的定位图案,该定位图 案采用与激光器芯片(104)等大的方框或者是分别标记出4个角的4个十字线;在硅光芯片 (107)上,制作C透镜(102)、硅基热沉(103)的定位图案,所述C透镜(102)的定位图案采用与 C透镜(102)下表面等大的椭圆图案;所述硅基热沉(103)定位图案采用与硅基热沉(103)等 大的方框或者是分别标记出4个角的4个十字线。13.-种用于如权利要求1-11任一项所述的用于硅光芯片的光源封装结构的有源耦合 方法,其特征在于:包括如下步骤:1)C透镜(102)粘接至光栅耦合器上;2)把梯形反射棱镜 粘接在C透镜(102)旁,梯形反射棱镜的反射面与C透镜(102)凸面对准将光路转向;3)夹持 带激光器芯片(104)的硅基热沉(103),通过外置探针夹具给激光器芯片(104)供电;4)用源 表监控硅光芯片(107)的输出电流,确定硅光芯片(107)的光栅耦合器(110)接收到的光强; 5)调节硅基热沉(103)位置直至源表读数最大处;6)点胶固化硅基热沉(103),有源耦合调 节完成;7)去除梯形反射棱镜,把密封盒盖(101)焊接固定至硅光芯片(107)对应位置处,整 个激光器光源封装完成。
【文档编号】G02B6/42GK106019496SQ201610379414
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月31日
【发明人】石川, 常进, 林谦, 江雄
【申请人】武汉光迅科技股份有限公司
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