一种平面场阵列基板及显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明实施例提供一种平面场阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，当该平面场阵列基板应用于包括液晶层的显示装置时，能够使对应数据线和/或栅线的位置处液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转。该平面场阵列基板包括数据线、栅线、像素电极、公共电极，以及第一电极和/或第二电极，且第一电极与数据线的位置相对应，第二电极与栅线的位置相对应；第一电极与数据线、第二电极与栅线能够在平面场阵列基板未设置衬底基板的一侧形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转。
【专利说明】
一种平面场阵列基板及显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种平面场阵列基板及显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)因其所具有的功耗低、夕卜形轻薄以及无辐射等特点而倍受工程师青睐，因此已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。
[0003]液晶显示器通常包括VA(Vertical Al ignment，垂直取向)模式、TN(TwistNematic，扭曲向列)模式以及平面场模式。其中，平面场模式一般包括ADS(Advanced-SuperDimens1nal Switching，高级超维场开关)型、IPS(In Plane Switch，横向电场效应)型、FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)等。该平面场模式的显示装置中液晶分子的配向与显示面板所在的平面几乎平行，在电场的作用下，液晶分子会发生单向流动性，进而造成显示面板中出现液晶分子单侧堆积的现象，从而使得显示器亮度不均匀。
[0004]现有技术中，通过一般采用减少液晶分子总量、降低老化温度、或者降低液晶分子的偏转电压等方式来减少上述液晶分子单侧堆积的现象，但是上述方法均不能从本质上减小液晶分子的单向流动性，而且还会对显示装置带来不良的影响。例如，上述通过降低液晶分子的偏转电压，降低电场的强度，以达到降低液晶分子单侧堆积的现象，但是采用该方法会使得显示画面的灰阶降低，进而影响显示画面的品质。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种平面场阵列基板及显示装置，当该平面场阵列基板应用于包括液晶层的显示装置时，能够使对应数据线和/或栅线的位置处液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]本发明实施例提供一种平面场阵列基板，包括设置于衬底基板上的数据线、栅线、像素电极以及公共电极，所述平面场阵列基板还包括第一电极和/或第二电极，且所述第一电极与所述数据线的位置相对应，所述第二电极与所述栅线的位置相对应;其中，所述第一电极与所述数据线能够在所述平面场阵列基板未设置所述衬底基板的一侧形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转;所述第二电极与所述栅线能够在所述平面场阵列基板未设置所述衬底基板的一侧能够形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转。
[0008]进一步的，所述第一电极和所述第二电极为同层设置的一体电极。
[0009]进一步的，所述第一电极位于所述数据线背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极包括多个第一条状子电极；和/或，所述第二电极位于所述栅线背离所述衬底基板的一侧，所述第二电极包括多个第一条状子电极
[0010]进一步的，所述平面场阵列基板包括与像素单元位置对应的多个第二条状子电极的情况下，相邻所述第一条状子电极的间距与所述第一条状子电极的宽度之比为1:2至1:1之间，且所述第一条状子电极的宽度小于或等于所述第二条状子电极的宽度，相邻所述第一条状子电极的间距小于相邻所述第二条状子电极的间距。
[0011]进一步的，所述第一电极和/或所述第二电极与所述公共电极同层同材料;或者，所述第一电极和/或所述第二电极与所述像素电极同层同材料。
[0012]进一步的，所述平面场阵列基板还包括与所述公共电极电连接的公共电极线，且所述公共电极线与所述栅线同层同材料。
[0013]进一步的，所述第一电极和/或所述第二电极，与所述公共电极线相连接，且与所述公共电极相连接。
[0014]本发明实施例另一方面还提供一种显示装置，包括上述的平面场阵列基板。
[0015]本发明实施例又一方面还提供一种显示装置，包括平面场阵列基板、对盒基板以及位于所述平面场阵列基板和所述对盒基板之间的液晶分子，所述平面场阵列基板包括设置于衬底基板上的数据线和栅线，其特征在于，所述对盒基板包括第一电极和/或第二电极，且所述第一电极与所述数据线的位置相对应，所述第二电极与所述栅线的位置相对应；其中，所述第一电极与所述数据线能够形成垂直电场以驱动所述液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转;所述第二电极与所述栅线能够形成垂直电场以驱动所述液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转。
[0016]进一步的，所述第一电极和/或所述第二电极为面状电极。
[0017]本发明实施例提供一种平面场阵列基板及显示装置，该平面场阵列基板，包括设置于衬底基板上的数据线、栅线、像素电极以及公共电极，平面场阵列基板还包括第一电极和/或第二电极，且第一电极与数据线的位置相对应，第二电极与栅线的位置相对应。当该平面场阵列基板应用于包括液晶层的显示装置时，数据线与第一电极能够在平面场阵列基板未设置衬底基板的一侧，即数据线对应的液晶层处，形成垂直电场以驱动该位置处的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转;栅线与第二电极能够在液晶层处，形成垂直电场以驱动栅线对应的液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转。由于数据线和/或栅线位置对应液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转，从而能够阻挡像素电极对应位置处配向与平面场阵列基板几乎平行的液晶分子发生单向流动，进而能够防止液晶分子发生单侧堆积的现象。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本发明实施例提供的一种平面场阵列基板的结构示意图；
[0020]图2为图1沿A-A’方向的剖面结构示意图；
[0021]图3为图1沿B-B’方向的剖面结构示意图；
[0022]图4a为本发明实施例提供的另一种平面场阵列基板的结构示意图；
[0023]图4b为图4a沿C-C’方向的剖面结构示意图；
[0024]图5为本发明实施例提供的一种包括平面场阵列基板的显示装置的结构示意图；
[0025]图6为本发明实施例提供的另一种包括平面场阵列基板的显示装置的结构示意图。
[0026]附图标记:
[0027]01-平面场阵列基板；02-对盒基板；10-数据线；100-第一电极；101-衬底基板；110-第一条状子电极;120-第二条状子电极;20-栅线;200-第二电极;30-液晶层;300-—体电极;301 -液晶分子;40-公共电极;401 -公共电极线;50-像素电极。
【具体实施方式】
[0028]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0029]本发明实施例提供一种平面场阵列基板，如图1所示，该平面场阵列基板01包括设置于衬底基板(图1中未示出)上的数据线10、栅线20、公共电极40以及像素电极50，平面场阵列基板01还包括第一电极100和/或第二电极200(图1是以同时设置第一电极100和第二电极200为例进行说明的)，且第一电极100与数据线200的位置相对应，第二电极200与栅线20的位置相对应。如图2(图1沿A-A’方向的剖视图)所示，当该平面场阵列基板01应用于包括液晶层30的显示装置时，数据线10与第一电极100能够在平面场阵列基板01未设置衬底基板101的一侧，即数据线10对应的液晶层30处，形成垂直电场以驱动该液晶层30中的液晶分子301朝向垂直于衬底基板101的方向0-0’上发生翻转。栅线20与第二电极200能够在液晶层30处，形成垂直电场以驱动栅线10对应的液晶层30中的液晶分子301朝向垂直于衬底基板101的方向上发生翻转，由于栅线20与第二电极200和数据线10与第一电极100的设置形式以及驱动液晶分子301发生翻转原理相近，此处不再进行图示说明。
[0030]此处需要说明的，第一、上述平面场阵列基板01可以如图1所示的ADS型平面场阵列基板，其中图1是以面状电极为公共电极40，以及与公共电极40异层设置且包括多个狭缝的像素电极50为例进行说明的；还可以为IPS型平面场阵列基板，或者FFS型平面场阵列基板，本发明对此不作限定。以下均是以图1所示的ADS型平面场阵列基板为例对本发明做进一步的说明。
[0031]第二、上述垂直电场，并不是该电场方向与平面场阵列基板01所在的平面绝对意义上的垂直，本领域技术人员应该理解:如图2所示，以数据线10与包括第一条状子电极110的第一电极100为例，只要数据线10与第一条状子电极110形成的电场中的垂直分量能够驱动液晶分子301朝向垂直于衬底基板101的方向0-0’上发生翻转，即只要能够在该垂直电场分量的驱动下使得液晶分子301与平面场阵列基板01所在的平面形成夹角，从而能够阻挡像素电极50对应位置处配向与平面场阵列基板01几乎平行的液晶分子301发生单向流动，防止液晶分子发生单侧堆积。当然在0-0’方向上发生翻转的液晶分子301与平面场阵列基板01所在的平面形成夹角越大时，例如90°左右，能够最有效的防止液晶分子发生单侧堆积。
[0032]第三、上述平面场阵列基板01包括第一电极100和/或第二电极200是指，在实际的应用中可以根据需要仅设置第一电极100，或者仅设置第二电极200。例如，在平面场阵列基板01应用于包括液晶层30的显示装置时，当液晶分子301的配向与栅线20接近平行的情况下，液晶分子301会沿着栅线20的走向发生单向流动性，由于一般情况下，数据线10与栅线20为横纵交叉设置，这样一来，可以仅在数据线10对应的位置设置第一电极100，从而使得在液晶分子301发生单向流动方向(栅线的走向)的交错方向(数据线的走向)上形成的垂直电场能够驱动液晶分子301朝向垂直于衬底基板101的方向0-0’上发生翻转，进而能够有效的防止液晶分子301发生单侧堆积的现象。又例如，当液晶分子301的配向与数据线10接近平行的情况下，可以仅在栅线20对应的位置设置第二电极200，理由同上述液晶分子301的配向与栅线20接近平行时相近，此处不再赘述。
[0033]当然，为了有效的防止液晶分子301发生单侧堆积的现象，如图1所示，优选的，可以在数据线10对应的位置设置第一电极100，同时在栅线20对应的位置也设置第二电极200，这样一来，能够在液晶层30中对应横纵交叉设置的数据线10和栅线20的位置处均形成的垂直电场来驱动液晶分子301发生翻转，从而能够全面有效的防止液晶分子301发生单侧堆积的现象。
[0034]在此基础上，为了简化工艺，降低制作成本，如图1所示，可以通过一次构图工艺将第一电极100和第二电极200设置为同层的一体电极300。需要说明的是，在本发明中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺;光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工
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[0035]第四，上述第一电极100与数据线10的位置相对应是指，可以如图2所示，第一电极100位于数据线10背离衬底基板101的一侧，该第一电极100包括多个第一条状子电极110，这样一来，数据线10能够与多个第一条状子电极110液晶层30处形成垂直电场以驱动该液晶层30中的液晶分子301发生翻转，从而能够防止液晶分子301发生单侧堆积的现象。还可以将第一电极100设置于数据线10靠近衬底基板101的一侧，此时该数据线10包括多个第一条状子电极110，在此情况下，也能够实现防止液晶分子301发生单侧堆积的现象。同理，上述第二电极200与栅线20的位置相对应可以与上述第一电极100与数据线10的设置形式相同，此处不再赘述。
[0036]另外，当第一电极100位于数据线10靠近衬底基板101的一侧，和/或，第二电极200位于栅线20靠近衬底基板101的一侧的情况下，由于数据线10和/或栅线20包括多个第一条状子电极110时，该第一条状子电极110的存在会对数据线1传输的数据信号、栅线20传输的栅极扫描信号带来影响，因此本发明优选的采用第一电极100位于数据线10背离衬底基板101的一侧，第一电极100包括多个第一条状子电极110;和/或，第二电极200位于栅线20背离衬底基板1I的一侧，第二电极200包括多个第一条状子电极110。
[0037]另外，上述第一条状子电极110组成的第一电极100和/或第二电极200可以是如图1所示的“梯状”的结构，也可以是“梳状”结构，本发明对此不作限定，只要能够保证该第一条状子电极110能够与第一电极10和第二电极20在液晶层30处形成垂直电场以驱动该液晶分子301在0-0’方向上发生翻转即可。
[0038]本发明实施例提供一种平面场阵列基板，该平面场阵列基板，包括设置于衬底基板上的数据线、栅线、像素电极以及公共电极，平面场阵列基板还包括第一电极和/或第二电极，且第一电极与数据线的位置相对应，第二电极与栅线的位置相对应。当该平面场阵列基板应用于包括液晶层的显示装置时，数据线与第一电极能够在平面场阵列基板未设置衬底基板的一侧，即数据线对应的液晶层处，形成垂直电场以驱动该位置处的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转;栅线与第二电极能够在液晶层处，形成垂直电场以驱动栅线对应的液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转。由于数据线和/或栅线位置对应液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转，从而能够阻挡像素电极对应位置处配向与平面场阵列基板几乎平行的液晶分子发生单向流动，进而能够防止液晶分子发生单侧堆积的现象。
[0039]在此基础上，如图1所示，当第一电极100和/或第二电极200位于数据线10和栅线20背离衬底基板101的一侧，且第一电极10和/或第二电极20包括多个第一条状子电极110的情况下，相对于相邻第二条状子电极120的间距H2与第二条状子电极120的宽度W2之比(H2/W2—般为2左右)，使得在平面场阵列基板01中像素单元P对应位置形成的电场以水平电场分量为主，以保证该位置处的液晶分子301在平面场阵列基板01平行的平面内进行旋转，以进行正常的显示；相邻第二条状子电极120的间距H2与第二条状子电极120的宽度W2之比需要小于H2/W2，且第一条状子电极110的宽度Wl小于或等于第二条状子电极的宽度W2，相邻第一条状子电极110的间距Hl小于相邻第二条状子电极110的间距Hl，以使得在平面场阵列基板01中数据线10和栅线20对应位置形成的电场以垂直电场分量为主，从而能够保证该位置处的液晶分子301在平面场阵列基板01垂直的平面内进行翻转。
[0040]具体的，当H1/W1大于1:1时，数据线10和栅线20对应位置形成的电场中垂直电场分量使得该位置处的液晶分子301在0-0’方向上发生翻转的角度较小，不能有效的防止液晶分子发生单侧堆积。当H1/W1小于1:2时，数据线10和栅线20上，相邻第一条状子电极110的间距Hl过小，从而使得制作精度要求增加，进而使得制作成本上升，因此，本发明优选的，在平面场阵列基板01包括与像素单元P位置对应的多个第二条状子电极120的情况下，第一条状子电极110的宽度Wl小于或等于第二条状子电极的宽度W2，相邻第一条状子电极110的间距Hl小于相邻第二条状子电极110的间距Hl，相邻第一条状子电极110的间距Hl与第一条状子电极110的宽度Wl之比为1:2至1:1之间。
[0041 ] 例如，当第二条状子电极120的宽度W2为3μπι，相邻第二条状子电极120的间距H2为6μπι时，即H2/W2 = 2，可以将第一条状子电极110的宽度Wl为3μπι(即W1=W2)，相邻第一条状子电极110的间距Hl为3μπι(Η1小于H2)，此时H1/W1之比为1:1。
[0042]进一步的，为了简化工艺，降低制作成本，通过一次构图工艺将将第一电极100和/或第二电极200与像素电极50同层同材料设置。例如，如图3(图1沿Β-Β’方向的剖视图)所示，第一电极100与像素电极50同层同材料设置。当然，也可以通过一次构图工艺将第一电极100和/或第二电极200与公共电极40同层同材料设置，以达到简化工艺，降低制作成本的目的。
[0043]需要说明的是，对于IPS型平面场阵列基板01而言，像素电极50与公共电极40为同层间隔设置的条形电极，且像素电极50与公共电极40为同种材料，在此情况下，可以过一次构图工艺将第一电极100和/或第二电极200，与像素电极50和公共电极40同层同材料设置。
[0044]在此基础上，由于该平面场阵列基板01中公共电极40采用氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)等透明导电材料制成，该透明导电材料电阻较大，如果直接采用该电阻较大的透明导电材料制成的信号线向公共电极40传输信号，当该平面场阵列基板01应用于显示装置时，一方面，上述电阻较大的信号线会使得显示装置的负载增加，另一方面，由于电阻较大的信号线上容易出现信号衰减，进而使得公共电极信号分布不均匀，导致显示装置的出现残像、画面闪烁等不良显现，并且对于大尺寸的显示装置上述不良现象尤为明显。
[0045]为了解决该技术问题，如图4a所示，该平面场阵列基板01还包括与公共电极40电连接的公共电极线401，如图4b(图4a沿C-C’方向的剖面图)所示，该公共电极线401与栅线20同层同材料，采用金属材质制成，从而使得该公共电极线401的电阻降低，进而减小了显示装置的负载，同时降低了显示画面出现残像、画面闪烁等不良现象的几率。
[0046]进一步优选的，第一电极100与公共电极线401相连接，且与公共电极40相连接，和/或，第二电极200与公共电极线401相连接，且与公共电极40相连接。
[0047]例如，如图4a所示，第一电极100和第二电极200组成的一体电极300，同时与公共电极线401以及公共电极40相连接，其中具体的连接方式，可以如图4b所示，该一体电极300中的第二电极200通过第一过孔Dl与公共电极线401相连接，通过第二过孔D2与公共电极40相连接，这样一来，使得一体电极300与公共电极线401在平面场阵列基板01的平面内广泛并联，从而能够进一步的降低公共电极线401上的电阻，进一步减小显示装置的负载，从而降低显示画面出现残像、画面闪烁等不良现象的几率。
[0048]本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的平面场阵列基板，例如，图5所示的由平面场阵列基板01(图4a沿D-D’方向的剖面图)、对盒基板以及液晶层组成的显示装置，具有与前述实施例提供的平面场阵列基板相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对平面场阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。
[0049]需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置具体可以包括液晶显示装置，例如该显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
[0050]本发明实施例还提供另一种显示装置，如图6所示，该显示装置包括平面场阵列基板01、对盒基板02以及位于平面场阵列基板01和对盒基板02之间的液晶分子301，该平面场阵列基板01包括设置于衬底基板101上的数据线10和栅线20(图中未示出)，该对盒基板02包括第一电极100和/或第二电极200，且第一电极100与数据线10的位置相对应，第二电极200与栅线20的位置相对应。其中，第一电极100与数据线10能够形成垂直电场以驱动液晶分子301朝向垂直于衬底基板的方向0-0’上发生翻转;第二电极200与栅线20能够形成垂直电场以驱动液晶分子301朝向垂直于衬底基板的方向0-0’上发生翻转。这样一来，由于数据线和/或栅线位置对应液晶层中的液晶分子朝向垂直于衬底基板的方向上发生翻转，从而能够阻挡像素电极对应位置处配向与平面场阵列基板几乎平行的液晶分子发生单向流动，进而能够防止液晶分子发生单侧堆积的现象
[0051]需要说明的是，图6中仅示出了数据线10与第一电极100相关的结构，栅线20与第二电极200的相关结构并未示出，对于栅线20与第二电极200的设置形式以及驱动液晶分子301反转的原理，与数据线10与第一电极100的设置形式以及驱动液晶分子301反转的原理相近，此处不再附图赘述。
[0052]在此基础上，优选的第一电极100和/或第二电极200为面状电极，能够使得面状的第一电极100与数据线10之间形成的电场以垂直电场为主，面状的第二电极200与栅线20之间形成的电场以垂直电场为主，能够有效的驱动数据线10和/或栅线20对应位置处的液晶分子301朝向垂直于衬底基板的方向0-0’上发生翻转。
[0053]当然，在对盒基板02同时包括第一电极100和第二电极200的情况下，为了简化工艺，降低制作成本，可以通过一次构图工艺，将第一电极100和第二电极200设置为同层同材料的一体电极300。
[0054]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种平面场阵列基板，包括设置于衬底基板上的数据线、栅线、像素电极以及公共电极，其特征在于，所述平面场阵列基板还包括第一电极和/或第二电极，且所述第一电极与所述数据线的位置相对应，所述第二电极与所述栅线的位置相对应； 其中，所述第一电极与所述数据线能够在所述平面场阵列基板未设置所述衬底基板的一侧形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转； 所述第二电极与所述栅线能够在所述平面场阵列基板未设置所述衬底基板的一侧能够形成垂直电场以驱动液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转。2.根据权利要求1所述的平面场阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极为同层设置的一体电极。3.根据权利要求1所述的平面场阵列基板，其特征在于，所述第一电极位于所述数据线背离所述衬底基板的一侧，所述第一电极包括多个第一条状子电极;和/或，所述第二电极位于所述栅线背离所述衬底基板的一侧，所述第二电极包括多个第一条状子电极。4.根据权利要求3所述的平面场阵列基板，其特征在于，所述平面场阵列基板包括与像素单元位置对应的多个第二条状子电极的情况下，相邻所述第一条状子电极的间距与所述第一条状子电极的宽度之比为I: 2至1:1之间，且所述第一条状子电极的宽度小于或等于所述第二条状子电极的宽度，相邻所述第一条状子电极的间距小于相邻所述第二条状子电极的间距。5.根据权利要求1所述的平面场阵列基板，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极与所述公共电极同层同材料； 或者，所述第一电极和/或所述第二电极与所述像素电极同层同材料。6.根据权利要求1所述的平面场阵列基板，其特征在于，所述平面场阵列基板还包括与所述公共电极电连接的公共电极线，且所述公共电极线与所述栅线同层同材料。7.根据权利要求6所述的平面场阵列基板，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极，与所述公共电极线相连接，且与所述公共电极相连接。8.—种显示装置，其特征在于，还包括如权利要求1-7任一项所述的平面场阵列基板。9.一种显示装置，其特征在于，包括平面场阵列基板、对盒基板以及位于所述平面场阵列基板和所述对盒基板之间的液晶分子，所述平面场阵列基板包括设置于衬底基板上的数据线和栅线，其特征在于，所述对盒基板包括第一电极和/或第二电极，且所述第一电极与所述数据线的位置相对应，所述第二电极与所述栅线的位置相对应； 其中，所述第一电极与所述数据线能够形成垂直电场以驱动所述液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转； 所述第二电极与所述栅线能够形成垂直电场以驱动所述液晶分子朝向垂直于所述衬底基板的方向上发生翻转。10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极为面状电极。
【文档编号】G02F1/1343GK106054471SQ201610665987
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年8月12日 公开号201610665987.8, CN 106054471 A, CN 106054471A, CN 201610665987, CN-A-106054471, CN106054471 A, CN106054471A, CN201610665987, CN201610665987.8
【发明人】蒋学兵, 高吉磊, 崔海月
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司