回收废光刻胶剥离剂的方法

回收废光刻胶剥离剂的方法
【专利摘要】本发明涉及回收废光刻胶剥离剂的方法，所述方法包括以下步骤：使包含40重量％到75重量％的至少一种胺化合物、20重量％到55重量％的亚烷基二醇化合物、以及1重量％到10重量％的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液体。
【专利说明】
回收废光刻胶剥离剂的方法
[0001] 相关专利申请的交叉引用
[0002] 本申请要求2014年8月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No. 10-2014-0108635和2015年7月9日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No. 10-2015-0097659的优 先权权益，所述专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
[0003] 本发明涉及回收废光刻胶剥离剂的方法。具体地本发明涉及这样的回收废光刻胶 剥离剂的方法，其可缩短原材料的分析时间和添加剂的稀释时间，因此提高生产率并降低 成本，且还可定量引入原材料和添加剂，由此减少回收前新鲜的光刻胶剥离剂与回收的光 刻胶剥离剂之间的含量变化。
【背景技术】
[0004] 液晶显示器的微电路或半导体集成电路的制造方法包括以下几个步骤:在衬底上 形成多种底膜如导电金属膜（由铝、铝合金、铜、铜合金、钼、或钼合金制成)或绝缘膜(如氧 化硅膜、氮化硅膜、或丙烯酰基绝缘膜）；在这样的底膜上均匀涂覆光刻胶;任选地使所涂覆 的光刻胶曝光并显影以形成光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为掩模使底膜图案化。在 这些图案化步骤之后，进行移除残留在底膜上的光刻胶的过程。为此，使用剥离剂组合物移 除光刻胶。
[0005] 同时，废剥离剂主要产生于电子零件(如液晶显示器的半导体晶片或玻璃衬底）的 制造过程。所述废剥离剂不仅含有剥离溶剂，而且含有光刻胶树脂、水、和例如重金属的杂 质。这些废剥离剂主要作为所述过程的染料焚烧或以低水平回收。因此，其可引起二次污染 及通过低效能量消耗所致的环境污染，且IT行业中公司的商业竞争力可能变弱。
[0006] 此外，随着IT技术的快速发展，就排出的废剥离剂量最高的LCD制造而言，能够制 造商业化40到47寸LCD面板以及82寸尺寸的产品的第7代生产线已运行。基于已建立的第8 代和第9代生产线的开发计划，IXD衬底的尺寸快速增长且衬底类型也多样化。与此相关的 剥离剂溶剂的量也成比例地大幅增加。
[0007] 考虑到该现状，急切需要回收废剥离剂的技术，其不仅提供废剥离剂的基本回收， 而且能够廉价地生产高纯度的回收剥离剂溶剂。
[0008] 因此，已提出回收剥离剂的技术，其通过纯化废剥离剂以回收相应原材料，然后分 析所述原材料并向其中添加稀释于溶剂中的添加剂来进行。然而，对回收相关原材料、分析 回收材料和在溶剂中稀释添加剂，花费大量时间和金钱且过程效率降低。此外，在于溶剂中 稀释添加剂和添加所述添加剂的过程中，可发生显著差异，因此存在难以定量引入添加剂 的限制。
[0009] 因此，需要开发这样的用于回收废剥离剂的新方法，所述方法能够减少分析材料 和在溶剂中稀释所必需的时间，且能够定量引入添加剂。

【发明内容】

[0010] 技术问题
[0011] 本发明的一个目的是提供用于回收废光刻胶剥离剂的方法，其能够缩短原材料的 分析时间及添加剂的稀释时间，从而提高生产率且降低成本，而且还制造出品质与回收前 的新鲜的光刻胶剥离剂相当的回收剥离剂。
[0012]技术方案
[0013] 在本发明中，提供了用于回收废光刻胶剥离剂的方法，其包含以下步骤:使包含40 重量％到75重量％的至少一种胺化合物、20重量％到55重量％的亚烷基二醇化合物、以及1 重量％到10重量％的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液体。
[0014] 在下文中，将更详述根据本发明的具体实施方案的回收废光刻胶剥离剂的方法。
[0015] 根据本发明的一个实施方案，提供了用于回收废光刻胶剥离剂的方法，其包括以 下步骤:使包含40重量％到75重量％的至少一种胺化合物、20重量％到55重量％的亚烷基 二醇化合物、以及1重量％到10重量％的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液 体。
[0016] 本发明人通过多次实验发现，当使用如上文所述的用于回收废光刻胶剥离剂的方 法时，由于使用了包含预定量的制造光刻胶剥离剂所需的材料的回收液体，可以缩短原材 料的分析时间及添加剂的稀释时间，从而提高生产率且降低成本，而且也可以定量地引入 所述原材料及添加剂，从而制造出品质与回收前的新鲜光刻胶剥离剂相当的回收剥离剂产 物。本发明在此发现的基础上完成。
[0017] 具体来说，用于回收废光刻胶剥离剂的方法可包括以下步骤:使包含40重量％到 75重量％的至少一种胺化合物、20重量％到55重量％的亚烷基二醇化合物、以及1重量％到 10重量％的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化溶液。在上述回收液体中，在已 经完成分析及过滤的状态下，在亚烷基二醇化合物溶剂中稀释未包含在废光刻胶剥离剂的 纯化液体中的添加剂，并因此可缩短分析时间及过滤时间，从而降低成本。此外，由于可准 确地引入少量待引入的添加剂的量，因此可以制造出品质与回收前的新鲜光刻胶剥离剂相 当的回收剥离剂产物。
[0018] 所述回收液体可包含至少一种胺化合物。胺化合物是表现剥离能力的组分，且其 可用于溶解光刻胶和将其移除。
[0019] 所用胺化合物的实例可包括但不特别限于:链状胺化合物，例如(2-氨基乙氧基)_ 1-乙醇(AEE)、氨基乙基乙醇胺(AEEA)、单甲醇胺、单乙醇胺、N-甲基乙基胺(N-MEA)、1_氨基 异丙醇(AIP)、甲基二甲胺(MDEA)、二亚乙基三胺(DETA)、2_甲基氨基乙醇(MMEA)、3_氨基丙 醇(AP)、二乙醇胺（DEA)、二乙氨基乙醇（DEEA)、三乙醇胺（TEA)及三亚乙基四胺（TETA);或 环状胺化合物，例如咪唑基-4-乙醇（ME)、氨基乙基哌嗪(AEP)及羟基乙基哌嗪(HEP)。
[0020] 回收液体可包含40重量％到75重量％的至少一种胺化合物。基于所述回收溶液的 总重量，如果所述至少一种胺化合物的含量小于40重量％，则由于最终回收的光刻胶剥离 剂中胺化合物的含量降低，回收光刻胶剥离剂的剥离能力可能减小。基于所述回收溶液的 总重量，如果所述至少一种胺化合物的含量大于75重量％，则由于最终回收的光刻胶剥离 剂中胺化合物的含量过度增加，这可引起底膜(例如含铜膜)的腐蚀，因此可能必须使用大 量腐蚀抑制剂以抑制腐蚀。在此情况下，由于使用了大量腐蚀抑制剂，显著量的腐蚀抑制剂 可能被吸附且保留在底膜的表面上，从而降低含铜底膜等的电特性。
[0021]作为回收液体中包含的亚烷基二醇化合物，可以使用本领域公知的材料，但其类 别不受特别限制。举例而言，本文所使用的亚烷基二醇化合物可以包含双(2-羟乙基)醚、二 乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁 醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙 醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、三乙二醇单丙 醚、三乙二醇单丁醚、三丙二醇单甲醚、三丙二醇单甲醚、三丙二醇单丙醚或三丙二醇单丁 醚等。可以使用选自其中的两种或更多种。此外，考虑到根据一个实施方案的剥离剂组合物 的优良润湿能力及由此引起的改善的剥离能力及清洗能力，可以适当地用于本文中的亚烷 基二醇或亚烷基二醇单烷基醚包括双(2-羟乙基)醚(HEE)或二乙二醇单丁醚(BDG)等。 [0022]基于回收溶液的总重量，在以20重量％到55重量％的量包含亚烷基二醇化合物 时，可以确保最终回收的光刻胶剥离剂的剥离能力，且随着时间推移，剥离能力及清洗能力 可以维持一段较长时间。
[0023]此外，回收液体可还包含添加剂。如上所述，在回收液体中，在已经完成分析及过 滤的状态下，在亚烷基二醇化合物溶剂中稀释痕量的添加剂，由此可以缩短分析时间及过 滤时间，从而降低成本。此外，可以准确地引入待以少量引入的添加剂的量，由此制造出品 质与回收前的新鲜光刻胶剥离剂相当的回收剥离剂产物。
[0024] 另外，基于回收溶液的总重量，可以1重量％到10重量％、2重量％到9重量％或4重 量％到8重量％的量包含添加剂。
[0025] 所述添加剂可包含选自腐蚀抑制剂或硅酮类非离子型表面活性剂中的一者或更 多者。腐蚀抑制剂与硅酮类非离子型表面活性剂的重量比为5:1到15:1、7:1到12:1、8:1到 10:1或8.5:1到9.5:1。
[0026]可使用苯并咪唑类化合物、三唑类化合物、四唑类化合物等作为腐蚀抑制剂。
[0027] 苯并咪唑类化合物的实例可包括但不特别限于苯并咪唑、2-羟基苯并咪唑、2-甲 基苯并咪唑、2_(羟甲基)苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑等。四唑类化合物的实例可包括5-氨基 四唑或其水合物等。
[0028]此外，三唑类化合物可包括由式1或式2表示的化合物。
[0029] 「式1]
[0030]
[0031] 此处，R9为氢或具有1到4个碳原子的烷基，
[0032] RlO及Rll彼此相同或不同且各自独立地为具有1到4个碳原子的羟烷基，且 [0033] a为1到4的整数，
[0034] [式2]
[0035]
[0036]此处，Rl 2为氢或具有1到4个碳原子的烷基，且 [0037] b为1到4的整数。
[0038] 更具体地，可使用其中R9为甲基，RlO及Rll各自为羟乙基，且a为1的式1化合物，或 其中R12为甲基，且b为1的式2化合物等。
[0039] 通过使用上述腐蚀抑制剂，可以极好地维持回收剥离剂的剥离能力，同时有效地 抑制含金属底膜的腐蚀。
[0040] 此外，基于回收液体的总重量，可以1重量％到10重量％，2重量％到9重量％，或4 重量％到8重量％的量包含腐蚀抑制剂。基于回收液体的总重量，如果腐蚀抑制剂的含量小 于1重量％，则由于最终回收的光刻胶剥离剂中腐蚀抑制剂的含量减少，可能难以有效地抑 制底膜的腐蚀。基于回收液体的总重量，如果腐蚀抑制剂的含量大于10重量％，则由于最终 回收的光刻胶剥离剂中腐蚀抑制剂的含量过度增加，显著量的腐蚀抑制剂可能被吸收且保 留在底膜上，由此降低含铜底膜等的电特性。
[0041] 同时，所述硅酮类非离子型表面活性剂可包括聚硅氧烷类聚合物。更具体地，聚硅 氧烷类聚合物的实例可包含聚醚改性的丙烯酸官能化聚二甲硅氧烷、聚醚改性的硅氧烷、 聚醚改性的聚二甲硅氧烷、聚乙基烷基硅氧烷、芳烷基改性的聚甲基烷基硅氧烷、聚醚改性 的羟基官能化聚二甲硅氧烷、聚醚改性的二甲基聚硅氧烷、改性丙烯酸官能化聚二甲硅氧 烷、或其中两种或更多种的混合物等。
[0042] 基于回收液体的总重量，可以0.1重量％到0.9重量％、0.2重量％到0.8重量％或 0.3重量％到0.7重量％的量包含硅酮类非离子型表面活性剂。基于回收液体的总重量，如 果硅酮类非离子型表面活性剂的含量小于0.1重量％，则由于最终回收的光刻胶剥离剂中 硅酮类非离子型表面活性剂的含量减少，使得不能充分获得回收剥离剂的剥离能力及清洗 能力。此外，基于回收液体的总重量，如果硅酮类非离子型表面活性剂的含量大于0.9重 量％，则由于最终回收的光刻胶剥离剂中硅酮类非离子型表面活性剂的含量过度增加，在 回收剥离剂的剥离过程中，在高压下产生气泡，从而引起底膜上产生污渍或引起设备传感 器故障。
[0043] 同时，在使包含40重量％到75重量％的至少一种胺化合物、20重量％到55重量％ 的亚烷基二醇化合物、以及1重量％到1〇重量％的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂 的纯化液体的步骤中，废光刻胶剥离剂的纯化液体与回收液体的重量比可为5:1到20:1、7: 1到15:1或8:1到12:1。通过在上述范围内调整废光刻胶剥离剂的纯化液体与回收液体的重 量比，可以确保最终制造的回收剥离剂的组分比与回收前的原始剥离剂产物的组分比基本 相同。如果废光刻胶剥离剂的纯化液体与回收液体的重量比小于5:1，则由于废光刻胶剥离 剂的纯化液体的比率变小，因此未包含在回收溶液中而仅包含在废光刻胶剥离剂的纯化液 体中的N-甲基甲酰胺的含量可能变得过少。如果废光刻胶剥离剂的纯化液体与回收液体的 重量比大于20:1，则由于回收液体的比率变小，因此未包含在废光刻胶剥离剂的纯化液体 中而仅包含在回收液体中的其它添加剂的含量可能变得过少。
[0044] 使包含40重量％到75重量％的至少一种胺化合物、20重量％到55重量％的亚烷基 二醇化合物、以及1重量％到10重量％的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液 体的步骤可还包括使选自非质子有机溶剂和质子有机溶剂中的一者或更多者接触所述废 光刻胶剥离剂的纯化液体和所述回收液体的步骤。
[0045] 具体地，可以使60重量％到95重量％的废光刻胶剥离剂的纯化液体、1重量％到10 重量％的回收液体；以及1重量％到30重量％的选自所述非质子有机溶剂和所述质子有机 溶剂中的一种或更多种化合物接触。
[0046] 非质子有机溶剂可以有利地溶解胺化合物，且还允许回收剥离剂在其上保留有待 移除的光刻胶的底膜上浸润，从而确保优良的剥离能力和清洗能力。
[0047] 可用于本文的非质子有机溶剂的实例包括但不特别限于N-甲基-吡咯烷酮(NMP)、 1，3_二甲基-2-咪唑烷酮（DMI)、二甲亚砜（DMSO)、二甲基乙酰胺（DMAc)、二甲基甲酰胺 (DMF)、N-甲基甲酰胺(NMF)、N，N'_二乙基-甲酰胺(DCA)、二甲基丙酰胺(DMP)等。
[0048]非质子有机溶剂可允许回收剥离剂在底膜上更好地浸润，从而有助于优良的剥离 能力，且其还可有效地移除底膜(如含铜膜)上的污渍，从而改善清洗能力。
[0049]质子有机溶剂可包括亚烷基二醇或亚烷基二醇单烷基醚。更具体地，亚烷基二醇 或亚烷基二醇单烷基醚可包括双(2-羟乙基)醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单 丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二 乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单丁醚、三乙 二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、三乙二醇单丙醚、三乙二醇单丁醚、三丙二醇单甲醚、三丙二 醇单乙醚、三丙二醇单丙醚、三丙二醇单丁醚、或其中两种或更多种的混合物。
[0050] 废光刻胶剥离剂的纯化液体可以0.5到2:1、0.6:1到1.8:1、0.7:1到1.7:1或0.8:1 到1.65:1的重量比包含非质子有机溶剂及质子有机溶剂。在使选自非质子有机溶剂和质子 有机溶剂中的一者或更多者接触所述废光刻胶剥离剂的纯化液体和所述回收液体的步骤 中，废光刻胶剥离剂的纯化液体中所包含的非质子有机溶剂及质子有机溶剂包括以上提及 的含量。
[0051 ]废光刻胶剥离剂的纯化液体还可包含0.1重量％到10重量％的胺化合物。废光刻 胶剥离剂的纯化液体含有如上所提及的非质子有机溶剂和质子有机溶剂，且非质子有机溶 剂可随时间推移引起胺的分解反应，但少量胺可包含在所述纯化液体中。
[0052] 在使包含40重量％到75重量％的至少一种胺化合物、20重量％到55重量％的亚烷 基二醇化合物、以及1重量％到10重量％的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化 溶液的步骤前，还可包括纯化废光刻胶剥离剂的步骤。通过纯化废光刻胶剥离剂的步骤，可 有效且经济地从在半导体、显示器、LED或太阳能电池的制造过程中使用新鲜的光刻胶剥离 剂液体后收集的废光刻胶剥离剂中移除固体、杂质和水，从而回收高纯度剥离剂。
[0053]具体来说，纯化废光刻胶剥离剂的步骤可包括维持整个蒸馏塔在100°C到200°C的 温度和60托到140托的压力下并且蒸馏所述废光刻胶剥离剂的步骤。在纯化废光刻胶剥离 剂的步骤中，通过维持整个蒸馏塔在l〇〇°C到200°C的温度和60托到140托的压力下并且蒸 馏所述废光刻胶剥离剂的步骤，从废光刻胶剥离剂中移除固体，且同时可移除沸点大于235 °c的光刻胶。在纯化废光刻胶剥离剂的步骤中，可使用上述根据沸点差异来回收所述纯化 液体的蒸馏塔等。本文所用的蒸馏塔的具体实例可包括但不特别限于常见的简单蒸馏塔、 以及可再装载蒸馏塔或多级蒸馏塔。蒸馏塔意指使用分馏原理制造的实验装置，所述分馏 是通过沸点差异分离混合的液体混合物的方法。
[0054]如果蒸馏塔的温度小于100°C，则不能完全移除废光刻胶剥离剂。因此，存在的问 题在于活性组分与固体和光刻胶一起被移除，由此使废光刻胶剥离剂的回收率降低。此外， 如果蒸馏塔的温度大于200°C，则可能发生废光刻胶剥离剂中的活性组分的热分解和变性。 此外，存在部分光刻胶和固体未被移除的可能，从而引起后续纯化过程中的问题。此外，如 果压力条件小于60托，则可能因成本问题而难以用于工业过程。如果压力条件超过140托， 则即使充分提高温度，也不能完全蒸馏出废光刻胶剥离剂。因此，活性组分与固体和光刻胶 一起被移除且因此可能降低废光刻胶剥离剂的回收率。
[0055]在维持整个蒸馏塔在100°C到200°C的温度和60托到140托的压力下并且蒸馏所述 废光刻胶剥离剂的步骤后，还可包括维持蒸馏塔下部在100°c到200 °C的温度及70托到130 托的压力下，并维持蒸馏塔上部在50°C到IHTC的温度及10托到50托的压力下，且蒸馏废光 刻胶剥离剂的步骤；以及维持蒸馏塔下部在l〇〇°C到200°C的温度及70托到130托的压力下， 并维持蒸馏塔上部在120 °C到130°C的温度及70托到180托的压力下，且蒸馏废光刻胶剥离 剂的步骤。
[0056] 具体来说，通过维持蒸馏塔下部在100°C到200°C的温度及70托到130托的压力下， 并维持蒸馏塔上部在50°C到IHTC的温度及10托到50托的压力下，且蒸馏废光刻胶剥离剂 的步骤，可从已移除固体的废光刻胶剥离剂中移除低沸点混合物。低沸点混合物指的是沸 点低于废光刻胶剥离剂中所包含的剥离剂溶剂的杂质。蒸馏塔下部具体地指蒸馏塔中最接 近地面的最低层点。下部可维持高温，从而获得在高温下气化的液体。另一方面，蒸馏塔上 部具体地指蒸馏塔中距地面最远的最上层点。上部可维持与蒸馏塔下部相比相对较低的温 度，从而获得在低温下气化的液体。
[0057] 通过维持蒸馏塔的下部在100°C到200°C的温度和70托到130托的压力下，并维持 蒸馏塔的上部在120°C到180°C的温度和70托到130托的压力下，且蒸馏所述废光刻胶剥离 剂的步骤，可从已移除低沸点混合物的废光刻胶剥离剂中移除高沸点混合物。高沸点混合 物是指沸点高于废光刻胶剥离剂中所包含的剥离剂溶剂的杂质。
[0058]另一方面，在维持整个蒸馏塔在100°C到200°C的温度和60托到140托的压力下并 且蒸馏所述废光刻胶剥离剂的步骤后，还可包括维持蒸馏塔下部在100 °C到200°C的温度及 70托到130托的压力下，并维持蒸馏塔上部在120°C到180°C的温度及70托到130托的压力 下，且蒸馏废光刻胶剥离剂的步骤；以及维持蒸馏塔下部在100°C到200°C的温度及70托到 130托的压力下，并维持蒸馏塔上部在50°C到110°C的温度及10托到50托的压力下，且蒸馏 废光刻胶剥离剂的步骤。
[0059] 通过维持蒸馏塔下部在100°C到200°C的温度及70托到130托的压力下，并维持蒸 馏塔上部在120°C到180°C的温度及70托到130托的压力下，且蒸馏废光刻胶剥离剂的步骤， 可从已移除固体的废光刻胶剥离剂中移除高沸点混合物。
[0060] 此外，通过维持蒸馏塔下部在100°C到200°C的温度及70托到130托的压力下，并维 持蒸馏塔上部在50°C到IHTC的温度及10托到50托的压力下，且蒸馏废光刻胶剥离剂的步 骤，可从已移除高沸点混合物的废光刻胶剥离剂中移除低沸点混合物。
[0061] 发明效果
[0062] 根据本发明，可提供用于回收废光刻胶剥离剂的方法，其能够缩短原材料的分析 时间和添加剂的稀释时间，从而提高生产率且降低成本，而且其还能够制造出品质与回收 前的新鲜光刻胶剥离剂相当的回收剥离剂。
【具体实施方式】
[0063] 下文，将参照以下实例详细解释本发明。然而，这些实例仅为了说明本发明的概 念，且本发明概念的范畴不限于此。
[0064] 〈制备例1到20:纯化剥离剂液体的制备〉
[0065] 具有下表1中所示组成的新鲜剥离剂液体用于电子元件的制造过程。在150Γ的温 度及100托的压力下，使用多级蒸馏塔从产生的废光刻胶剥离剂中移除固体。其后，维持多 级蒸馏塔下部在150°C的温度和100托的压力下，并维持多级蒸馏塔上部在100°C的温度及 30托的压力下，以移除低沸点混合物。然后，维持多级蒸馏塔下部在150°C的温度及100托的 压力下，并维持多级蒸馏塔上部在130°C的温度及100托的压力下，以移除高沸点混合物。从 而回收具有下表2中所示组成的纯化剥离剂液体。
[0066] 【表1】
[0067] 回收前的新鲜剥离剂液体的组成
LUU〃」〈制爸例21:回叹淞体的制爸〉
[0073] 制备具有下表3中所示组成的回收液体。
[0074] 【表3】
[0075]回收液体的组成
[0077]〈实施例1到20:回收剥离剂的制备〉
[0078]以下表4中所示的重量比将在制备例1到制备例20中获得的纯化剥离剂液体、在制 备例21中获得的回收液体、N-甲基甲酰胺及二乙二醇单丁醚置于搅拌器中，并在室温下搅 拌45分钟，以获得具有下表5中所示组成的回收剥离剂。
[0079]【表4】
[0080]纯化剥离剂液体、回收液体、N-甲基甲酰胺及二乙二醇单丁醚的混合比
[0082] 【表5】
[0083] 回收剥离剂的组成
[0085] 咪唑基-4-乙醇
[0086] *AEE: (2-氨基-乙氧基)-1-乙醇
[0087] *NMF:N-甲基甲酰胺
[0088] *BDG:二乙二醇单丁醚
[0089] *第一腐蚀抑制剂：[[(甲基-1-苯并三唑-1-基）甲基]亚氨基]双乙醇
[0090] *第二腐蚀抑制剂:苯并咪唑
[0091 ] *表面活性剂:聚醚改性的聚硅氧烷
[0092]如上表5中所示，实施例1到实施例20的回收剥离剂包含一致水平的3.0重量％的 咪唑基-4-乙醇、1.0重量％的（2_氨基乙氧基)-1-乙醇、54重量％到56重量％的1甲基甲酰 胺、39重量％到42重量％的二乙二醇单丁醚、0.3重量％的[[(甲基-IH-苯并三唑-卜基）甲 基]亚氨基]双乙醇、〇. 15重量％的苯并咪唑以及0.05重量％的聚醚改性的硅氧烷。
[0093]此外，考虑到上表1中所示的回收前的新鲜光刻胶剥离剂液体已包含3.0重量％的 咪唑基-4-乙醇；1.0重量％的（2_氨基乙氧基)-1-乙醇；54.5重量％的1甲基甲酰胺;41重 量％的二乙二醇单丁醚;0.3重量％的[[(甲基-IH-苯并三唑-1-基）甲基]亚氨基]双乙醇； 0.15重量％的苯并咪唑；以及0.05重量％的聚醚改性的硅氧烷，可以确定在实施例1到实施 例20的回收剥离剂所包含的组分中，咪唑基-4-乙醇、（2-氨基乙氧基）-1-乙醇、[[(甲基-IH-苯并三唑-1-基）甲基]亚氨基]双乙醇、苯并咪唑及聚醚改性的硅氧烷显示出与回收前 的新鲜光刻胶剥离剂液体相同的含量而没有差异。
[0094]此外，就N-甲基甲酰胺及二乙二醇单丁醚而言，在实施例1到实施例20的回收剥离 剂所包含的组分中，包含54重量％到56重量％的^甲基甲酰胺和39重量％到42重量％的二 乙二醇单丁醚。因此，这些显示出与上表1中所示的新鲜光刻胶剥离剂中所包含的54.5重 量％的^甲基甲酰胺和41重量％的二乙二醇单丁醚相当水平的含量。
[0095]因此，即使重复回收方法，实施例1到实施例20中获得的回收剥离剂也可引入预定 量的原材料和添加剂，从而维持一致的品质。此外，不考虑回收光刻胶剥离剂，其可具有与 回收前的新鲜光刻胶剥离剂液体相当的品质。具体而言，在以少量引入添加剂(0.3重量％ 的[[(甲基-IH-苯并三唑-1-基）甲基]亚氨基]双乙醇、0.15重量％的苯并咪唑及0.05重 量％的聚醚改性的硅氧烷)的情况下，可以确定以精确的水平回收光刻胶剥离剂是可能的， 使得回收剥离剂含有与回收前的新鲜光刻胶剥离剂液体相同的含量而没有差异。
【主权项】
1. 一种回收废光刻胶剥离剂的方法，其包括以下步骤:使包含40重量％到75重量％的 至少一种胺化合物、20重量％到55重量％的亚烷基二醇化合物、以及1重量％到10重量％的 添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液体。2. 根据权利要求1所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中，在使包含40重量％到75重 量％的至少一种胺化合物、20重量％到55重量％的亚烷基二醇化合物、以及1重量％到10重 量％的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液体的步骤中， 所述废光刻胶剥离剂的纯化液体与所述回收液体的重量比为5:1到20:1。3. 根据权利要求1所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中使包含40重量％到75重 量％的至少一种胺化合物、20重量％到55重量％的亚烷基二醇化合物、以及1重量％到10重 量％的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液体的步骤还包括使选自非质子有 机溶剂和质子有机溶剂中的一者或更多者接触所述废光刻胶剥离剂的纯化液体和所述回 收液体的步骤。4. 根据权利要求3所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中使选自非质子有机溶剂和 质子有机溶剂中的一者或更多者接触所述废光刻胶剥离剂的纯化液体和所述回收液体的 步骤包括： 使60重量％到95重量％的所述废光刻胶剥离剂的纯化液体、1重量％到10重量％的所 述回收液体；以及1重量％到30重量％的选自所述非质子有机溶剂和质子有机溶剂中的一 种或更多种化合物接触。5. 根据权利要求1所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中所述废光刻胶剥离剂的纯 化液体以0.5:1到2:1的重量比包含所述非质子有机溶剂和所述质子有机溶剂。6. 根据权利要求5所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中所述废光刻胶剥离剂的纯 化液体还包含0.1重量％到10重量％的所述胺化合物。7. 根据权利要求1所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中所述添加剂包含选自腐蚀 抑制剂和硅酮类非离子型表面活性剂中的一者或更多者。8. 根据权利要求7所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中所述腐蚀抑制剂与所述硅 酮类非离子型表面活性剂的重量比为从5:1到15:1。9. 根据权利要求7所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中所述腐蚀抑制剂包含苯并 咪唑类化合物、三唑类化合物或四唑类化合物。10. 根据权利要求9所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中所述三唑类化合物包含由 式1或式2表示的化合物： [式1]其中R9为氢或具有1到4个碳原子的烷基，R10和R11彼此相同或不同且各自独立地为具 有1到4个碳原子的羟烷基，且a为从1到4的整数;以及 [式2]其中R12为氢或具有1到4个碳原子的烷基，且b为从1到4的整数。11. 根据权利要求7所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中所述硅酮类非离子型表面 活性剂包含聚硅氧烷类聚合物。12. 根据权利要求11所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中所述聚硅氧烷类聚合物 包括选自以下中的一者或更多者:聚醚改性丙烯酸官能化聚二甲硅氧烷、聚醚改性硅氧烷、 聚醚改性聚二甲硅氧烷、聚乙基烷基硅氧烷、芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷、聚醚改性羟基 官能化聚二甲硅氧烷、聚醚改性二甲基聚硅氧烷、以及改性丙烯酸官能化聚二甲硅氧烷。13. 根据权利要求1所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中在使包含40重量％到75重 量％的至少一种胺化合物、20重量％到55重量％的亚烷基二醇化合物、以及1重量％到10重 量％的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液体的步骤之前， 还包括纯化废光刻胶剥离剂的步骤。14. 根据权利要求13所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中所述纯化废光刻胶剥离 剂的步骤包括维持整个蒸馏塔在100 °C到200°C的温度和60托到140托的压力下并且蒸馏所 述废光刻胶剥离剂的步骤。15. 根据权利要求14所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中在所述维持整个蒸馏塔 在100°C到200°C的温度和60托到140托的压力下并且蒸馏所述废光刻胶剥离剂的步骤之 后， 还包括维持所述蒸馏塔的下部在100 °C到200 °C的温度和70托到130托的压力下，并维 持所述蒸馏塔的上部在50 °C到110°C的温度和10托到50托的压力下，且蒸馏所述废光刻胶 剥离剂的步骤，以及 维持所述蒸馏塔的下部在l〇〇°C到200°C的温度和70托到130托的压力下，并维持所述 蒸馏塔的上部在120°C到180°C的温度和70托到130托的压力下，且蒸馏所述废光刻胶剥离 剂的步骤。16. 根据权利要求14所述的回收废光刻胶剥离剂的方法，其中在所述维持整个蒸馏塔 在100°C到200°C的温度和60托到140托的压力下并且蒸馏所述废光刻胶剥离剂的步骤之 后， 还包括维持所述蒸馏塔的下部在100 °C到200 °C的温度和70托到130托的压力下，并维 持所述蒸馏塔的上部在120°C到180°C的温度和70托到130托的压力下，且蒸馏所述废光刻 胶剥离剂的步骤，以及 维持所述蒸馏塔的下部在l〇〇°C到200°C的温度和70托到130托的压力下，并维持所述 蒸馏塔的上部在50°C到110°C的温度和10托到50托的压力下，且蒸馏所述废光刻胶剥离剂 的步骤。
【文档编号】G03F7/42GK106062638SQ201580012366
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2015年7月10日 公开号201580012366.3, CN 106062638 A, CN 106062638A, CN 201580012366, CN-A-106062638, CN106062638 A, CN106062638A, CN201580012366, CN201580012366.3, PCT/2015/7199, PCT/KR/15/007199, PCT/KR/15/07199, PCT/KR/2015/007199, PCT/KR/2015/07199, PCT/KR15/007199, PCT/KR15/07199, PCT/KR15007199, PCT/KR1507199, PCT/KR2015/007199, PCT/KR2015/07199, PCT/KR2015007199, PCT/KR201507199
【发明人】朴泰文, 郑大哲, 李东勋, 李佑然, 李贤浚, 金周永
【申请人】株式会社Lg化学