一种刻蚀装置的制造方法

文档序号:10723476阅读:554来源:国知局
一种刻蚀装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及液晶显示技术领域,公开一种刻蚀装置,用于对待刻蚀件进行刻蚀,包括下部电极以及顶针,下部电极包括电极本体,还包括形成于电极本体支撑表面的多个第一凸点结构和多个第二凸点结构,第一凸点结构和第二凸点结构交错排列,沿垂直于电极本体支撑表面的方向上,第一凸点结构的高度大于第二凸点结构的高度,当顶针将放置于下部电极上的待刻蚀件顶起时,第一凸点结构对待刻蚀件提供的摩擦力的方向背离电极本体的中心、且与电极本体的支撑表面之间呈锐角,该刻蚀装置的下部电极的耐磨性较强,使用时间较长,产品良率高。
【专利说明】
一种刻蚀装置
技术领域
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种刻蚀装置。
【背景技术】
[0002]在液晶显示技术领域,干法刻蚀装置中下部电极表面的凸点结构主要用于在刻蚀过程中支撑待刻蚀件,通用的下部电极表面的凸点结构如图1以及图2所示,图1中圆柱型的凸点结构相较于图2中弧面型的凸点结构与待刻蚀件的接触面积较大,易产生印花姆拉不良,在图2中,待刻蚀件OI放置在干法刻蚀机下部电极02表面的凸点结构03上,下部电极02和待刻蚀件01相对设置的表面之间形成用于保证待刻蚀件背面冷却气体流通的通道。
[0003]目前,这种通用的凸点结构虽然相对简单,但是容易产生各种不良,比如常见的印花姆拉不良、静电放电、待刻蚀件破裂等,严重影响产品良率。当顶针03处于上升工位时,如图3所示,待刻蚀件01的弯曲造成边缘凸点结构04磨损,造成印花姆拉不良,如图4所示,凸点结构04的弧形表面被磨平,更容易产生印花姆拉不良以及待刻蚀件01破裂,而更严重的磨损如图5所示,整个凸点结构04被磨平,造成静电放电以及待刻蚀件01破裂。因此,设计一种耐磨的下部电极就显得尤为重要。

【发明内容】

[0004]本发明提供一种刻蚀装置,该刻蚀装置的下部电极的耐磨性较强,使用时间较长,提尚了广品良率。
[0005]为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
[0006]一种刻蚀装置,用于对待刻蚀件进行刻蚀,包括下部电极以及顶针,所述下部电极包括电极本体,还包括形成于所述电极本体支撑表面的多个第一凸点结构和多个第二凸点结构,所述第一凸点结构和所述第二凸点结构交错排列,沿垂直于所述电极本体支撑表面的方向上,所述第一凸点结构的高度大于所述第二凸点结构的高度,当顶针将放置于所述下部电极上的待刻蚀件顶起时,所述第一凸点结构对待刻蚀件提供的摩擦力的方向背离所述电极本体的中心、且与所述电极本体的支撑表面之间呈锐角。
[0007]在上述刻蚀装置中,由于第一凸点结构的高度大于第二凸点结构的高度,且第一凸点结构和第二凸点结构交错排列,第一凸点结构以及第二凸点结构的顶端配合形成凹向电极本体的待刻蚀件支撑面,当顶针将放置于下部电极上的待刻蚀件顶起时,第一凸点结构对待刻蚀件提供背离电极本体的中心、且与电极本体的支撑表面之间呈锐角的摩擦力,与【背景技术】中待刻蚀件受到的摩擦力相比,第一凸点结构对待刻蚀件提供的摩擦力较大,使得在顶针将待刻蚀件顶起过程中待刻蚀件向中心移动的距离减小,从而减少对凸点机构的磨损。
[0008]而由于第一凸点结构的高度大于第二凸点结构的高度,使得第一凸点结构先于第二凸点结构磨损,当第一凸点结构被磨损到与第二凸点结构结构一致时,第一凸点结构和第二凸点结构同时支撑待刻蚀件,因而,上述干法刻蚀机的下部电极的耐磨性较强,使用时间车父长,广品良率尚。
[0009]优选地,所述第一凸点结构为圆柱型凸点或者弧面型凸点,所述第二凸点结构为圆柱型凸点或者弧面型凸点。
[0010]优选地,所述第一凸点结构为弧面型凸点,所述弧面型凸点的延伸方向与所述电极本体支撑表面之间成设定角度设置,所述设定角度的开口方向背离所述电极本体支撑面的中心区域,且小于90°。
[0011]优选地,所述设定角度大于等于45°。
[0012]优选地,所述设定角度的范围为60°?80°。
[0013]—种刻蚀装置,用于对待刻蚀件进行刻蚀,包括下部电极以及顶针,所述下部电极包括电极本体,还包括形成于所述电极本体支撑表面的多个第一凸点结构和多个第二凸点结构,多个所述第一凸点结构沿所述电极本体支撑表面的边缘区域设置以用于支撑待刻蚀件的边缘区域,所述第二凸点结构设置在所述电极本体支撑表面的中间区域以用于支撑待刻蚀件的中间区域;所述第一凸点结构的长度大于第二凸点结构的长度,每一个所述第一凸点结构的长度方向与所述电极本体支撑表面之间成设定角度,所述设定角度的开口方向背离所述电极本体支撑表面的中心区域,且小于90°;沿垂直于所述电极本体支撑表面的方向,所述第一凸点结构的高度等于所述第二凸点结构的高度,当顶针将放置于所述下部电极上的待刻蚀件顶起时,所述第一凸点结构摩擦机构对待刻蚀件提供的摩擦力的方向背离所述电极本体的中心、且与所述电极本体的支撑表面之间呈锐角。
[0014]在上述刻蚀装置中,电极本体支撑表面的边缘区域设置第一凸点结构,且第一凸点结构的长度方向与电极本体支撑表面之间成设定角度,设定角度的开口方向背离电极本体支撑表面的中心区域,且小于90°,当顶针将放置于下部电极上的待刻蚀件顶起时,第一凸点结构对待刻蚀件提供的摩擦力的方向背离电极本体的中心、且与电极本体的支撑表面之间呈锐角,使得摩擦力增大,使得在顶针将待刻蚀件顶起过程中待刻蚀件向中心移动的距离减小,从而减少对凸点机构的磨损。
[0015]而由于第一凸点结构先于第二凸点结构磨损,且先磨损第一凸点结构的倾斜部分,当第一凸点结构被磨损到与第二凸点结构结构一致时,第一凸点结构和第二凸点结构同时支撑待刻蚀件,因而,上述干法刻蚀机的下部电极的耐磨性较强,使用时间较长,产品良率高。
[0016]优选地,所述第一凸点结构为弧面型凸点。
[0017]优选地,所述设定角度大于等于45°。
[0018]优选地,所述设定角度的范围为60°?80°。
【附图说明】
[0019]图1为本发明【背景技术】提供的一种下部电极的凸点结构的结构示意图;
[0020]图2为本发明【背景技术】提供的一种下部电极的凸点结构的另一结构示意图;
[0021 ]图3为图2所提供的下部电极在顶针升起时的状态示意图;
[0022]图4为图2所提供的的凸点结构磨损后的状态示意图;
[0023]图5为图2所提供的的凸点结构磨损后的另一状态示意图;
[0024]图6为本发明提供的一种下部电极的局部结构示意图;
[0025]图7为本发明提供的一种刻蚀装置的结构示意图;
[0026]图8为本发明提供的一种下部电极的另一结构示意图;
[0027]图9为本发明提供的一种下部电极的另一结构示意图;
[0028]图10为本发明提供的一种下部电极的另一结构示意图;
[0029]图11为本发明提供的一种下部电极的另一结构示意图;
[0030]图12为本发明提供的一种下部电极的另一结构示意图。
【具体实施方式】
[0031]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0032]如图6以及图7所示,一种刻蚀装置,用于对待刻蚀件进行刻蚀,包括下部电极以及顶针,下部电极包括电极本体I,还包括形成于电极本体支撑表面的多个第一凸点结构2和多个第二凸点结构3,第一凸点结构2和第二凸点结构3交错排列,沿垂直于电极本体支撑表面的方向上,第一凸点结构2的高度大于第二凸点结构3的高度,当顶针将放置于下部电极上的待刻蚀件顶起时,第一凸点结构2对待刻蚀件提供的摩擦力的方向背离电极本体I的中心、且与电极本体I的支撑表面之间呈锐角。
[0033]在上述刻蚀装置中,由于第一凸点结构2的高度大于第二凸点结构3的高度,且第一凸点结构2和第二凸点结构3交错排列,第一凸点结构2以及第二凸点结构3的顶端配合形成凹向电极本体I的待刻蚀件支撑面4,当顶针将放置于下部电极上的待刻蚀件顶起时,第一凸点结构2对待刻蚀件提供背离电极本体I的中心、且与电极本体I的支撑表面之间呈锐角的摩擦力,与【背景技术】中待刻蚀件受到的摩擦力相比,第一凸点结构2对待刻蚀件提供的摩擦力较大,使得在顶针将待刻蚀件顶起过程中待刻蚀件向中心移动的距离减小,从而减少对凸点机构的磨损。
[0034]而由于第一凸点结构2的高度大于第二凸点结构3的高度,使得第一凸点结构2先于第二凸点结构3磨损,当第一凸点结构2被磨损到与第二凸点结构3结构一致时,第一凸点结构2和第二凸点结构3同时支撑待刻蚀件,因而,上述干法刻蚀机的下部电极的耐磨性较强,使用时间较长,产品良率高。
[0035]—种优选实施方式中,第一凸点结构2为圆柱型凸点或者弧面型凸点,第二凸点结构3为圆柱型凸点或者弧面型凸点,弧面型凸点与待刻蚀件是点接触,摩擦力较小,能够减少待刻蚀件对弧面型凸点的磨损,而采用圆柱直径较小的圆柱型凸点,能够保证待刻蚀件平稳地放置在下部电极上。
[0036]第一凸点结构2和第二凸点结构3具有如下优选的设置方式:
[0037]方式一,如图6所示,第一凸点结构2为圆柱型凸点,第二凸点结构3为弧面型凸点;
[0038]方式二,如图8所示,第一凸点结构2为圆柱型凸点,第二凸点结构3为圆柱型凸点;
[0039]方式三,如图10所示,第一凸点结构2为弧面型凸点,第二凸点结构3为弧面型凸占.V ,
[0040]方式二,如图9所示,第一凸点结构2为弧面型凸点,第二凸点结构3为圆柱型凸点。
[0041]在方式一中,由于第一凸点结构2的高度大于第二凸点结构3的高度,相邻的第一凸点结构2的顶端以及第二凸点结构3的顶端配合形成凹向电极本体I的待刻蚀件支撑面4,位于待刻蚀件支撑面4上的待刻蚀件与第一凸点结构2以及第二凸点结构3之间为点接触,摩擦力较小,待刻蚀件对第一凸点结构2以及第二凸点结构3的磨损较小。
[0042]在方式二中,由于第一凸点结构2的高度大于第二凸点结构3的高度,相邻的第一凸点结构2的顶端以及第二凸点结构3的顶部平面配合形成凹向电极本体I的待刻蚀件支撑面4,位于待刻蚀件支撑面4上的待刻蚀件与第一凸点结构2之间为点接触,摩擦力较小,待刻蚀件对第一凸点结构2的磨损较小,位于待刻蚀件支撑面4上的待刻蚀件与第二凸点结构3之间为面接触,能够保证待刻蚀件平稳地放置在下部电极上。
[0043]在方式三中,由于第一凸点结构2的高度大于第二凸点结构3的高度,相邻的第一凸点结构2的顶端以及第二凸点结构3的顶端配合形成凹向电极本体I的待刻蚀件支撑面4,位于待刻蚀件支撑面4上的待刻蚀件与弧面型凸点之间为点接触,摩擦力较小,待刻蚀件对弧面型凸点的磨损较小。
[0044]在方式三中,由于第一凸点结构2的高度大于第二凸点结构3的高度,相邻的第一凸点结构2的顶端以及第二凸点结构3的顶部平面配合形成凹向电极本体I的待刻蚀件支撑面4,第一凸点结构2为弧面型凸点,待刻蚀件对第一凸点结构2的磨损较小,位于待刻蚀件支撑面4上的待刻蚀件与第二凸点结构3之间为面接触,能够保证待刻蚀件平稳地放置在下部电极上。
[0045]—种优选实施方式中,如图11所示,第一凸点结构2为弧面型凸点,弧面型凸点的延伸方向与电极本体支撑表面之间成设定角度设置,设定角度的开口方向背离电极本体支撑面的中心区域,且小于90°。相邻的第一凸点结构2的顶端以及第二凸点结构3的顶部平面配合形成凹向电极本体I的待刻蚀件支撑面4,第一凸点结构2为弧面型凸点,待刻蚀件对第一凸点结构2的磨损较小,当第一凸点结构2磨损至与第二凸点结构3高度一致时,在顶针顶起待刻蚀件的过程中,第一凸点结构2对与之相接触的待刻蚀件提供背离电极本体I的中心、且与电极本体I的支撑表面之间呈锐角的摩擦力,使得摩擦力增大,使得在顶针将待刻蚀件顶起过程中待刻蚀件向中心移动的距离减小,从而减少对凸点机构的磨损。而由于第一凸点结构2的高度大于第二凸点结构3的高度,使得第一凸点结构2先于第二凸点结构3磨损,且先磨损第一凸点结构2的倾斜部分,当第一凸点结构2被磨损到与第二凸点结构3结构一致时,第一凸点结构2和第二凸点结构3同时支撑待刻蚀件。
[0046]具体地,设定角度大于等于45°。根据下部电极和待刻蚀件的尺寸、厚度等实际情况选择设定角度,其中,设定角度的可选择45°、50。、55。、60。、65。、70。、75。、80。、85。。
[0047]具体地,设定角度的范围为60°?80°,设定角度的可优选60°、65°、70°、75°、80°。
[0048]如图12所示,一种刻蚀装置,用于对待刻蚀件进行刻蚀,包括下部电极以及顶针,下部电极包括电极本体I,还包括形成于电极本体支撑表面的多个第一凸点结构2和多个第二凸点结构3,多个第一凸点结构2沿电极本体支撑表面的边缘区域设置以用于支撑待刻蚀件的边缘区域,第二凸点结构3设置在电极本体支撑表面的中间区域以用于支撑待刻蚀件的中间区域;第一凸点结构2的长度大于第二凸点结构3的长度,每一个第一凸点结构2的长度方向与电极本体支撑表面之间成设定角度,设定角度的开口方向背离电极本体支撑表面的中心区域,且小于90° ;沿垂直于电极本体支撑表面的方向,第一凸点结构2的高度等于第二凸点结构3的高度,当顶针将放置于下部电极上的待刻蚀件顶起时,所述第一凸点结构摩擦机构对待刻蚀件提供的摩擦力的方向背离电极本体I的中心、且与电极本体I的支撑表面之间呈锐角。
[0049]在上述刻蚀装置中,电极本体支撑表面的边缘区域设置第一凸点结构2,且第一凸点结构2的长度方向与电极本体支撑表面之间成设定角度,设定角度的开口方向背离电极本体支撑表面的中心区域,且小于90°,当顶针将放置于下部电极上的待刻蚀件顶起时,第一凸点结构2对待刻蚀件提供的摩擦力的方向背离电极本体的中心、且与电极本体的支撑表面之间呈锐角,使得摩擦力增大,使得在顶针将待刻蚀件顶起过程中待刻蚀件向中心移动的距离减小,从而减少对凸点机构的磨损。
[0050]而由于第一凸点结构2先于第二凸点结构3磨损,且先磨损第一凸点结构2的倾斜部分,当第一凸点结构2被磨损到与第二凸点结构3结构一致时,第一凸点结构2和第二凸点结构3同时支撑待刻蚀件,因而,上述干法刻蚀机的下部电极的耐磨性较强,使用时间较长,广品良率尚。
[0051]如图12所示,一种优选实施方式中,第一凸点结构2为弧面型凸点,第二凸点结构3为弧面型凸点,当顶针将放置于下部电极上的待刻蚀件顶起时,第一凸点结构2先于第二凸点结构3磨损,且先磨损第一凸点结构2的倾斜部分,当第一凸点结构2被磨损到与第二凸点结构3结构一致时,第一凸点结构2和第二凸点结构3同时支撑待刻蚀件,因而,上述干法刻蚀机的下部电极的耐磨性较强,使用时间较长,产品良率高。
[0052]一种优选实施方式中,设定角度大于等于45°。根据下部电极和待刻蚀件的尺寸、厚度等实际情况选择设定角度,其中,设定角度的可选择45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°、80。、85。ο
[0053]具体地,设定角度的范围为60°?80°,设定角度的可优选60°、65°、70°、75°、80°。
[0054]显然,本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种刻蚀装置,用于对待刻蚀件进行刻蚀,包括下部电极以及顶针,所述下部电极包括电极本体,其特征在于,还包括形成于所述电极本体支撑表面的多个第一凸点结构和多个第二凸点结构,所述第一凸点结构和所述第二凸点结构交错排列,沿垂直于所述电极本体支撑表面的方向上,所述第一凸点结构的高度大于所述第二凸点结构的高度,当顶针将放置于所述下部电极上的待刻蚀件顶起时,所述第一凸点结构对待刻蚀件提供的摩擦力的方向背离所述电极本体的中心、且与所述电极本体的支撑表面之间呈锐角。2.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述第一凸点结构为圆柱型凸点或者弧面型凸点,所述第二凸点结构为圆柱型凸点或者弧面型凸点。3.根据权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述第一凸点结构为弧面型凸点,所述弧面型凸点的延伸方向与所述电极本体支撑表面之间成设定角度,所述设定角度的开口方向背离所述电极本体支撑表面的中心区域,且小于90°。4.根据权利要求3所述的刻蚀装置,其特征在于,所述设定角度大于等于45°。5.根据权利要求4所述的刻蚀装置,其特征在于,所述设定角度的范围为60°?80°。6.—种刻蚀装置,用于对待刻蚀件进行刻蚀,包括下部电极以及顶针,所述下部电极包括电极本体,其特征在于,还包括形成于所述电极本体支撑表面的多个第一凸点结构和多个第二凸点结构,多个所述第一凸点结构沿所述电极本体支撑表面的边缘区域设置以用于支撑待刻蚀件的边缘区域,所述第二凸点结构设置在所述电极本体支撑表面的中间区域以用于支撑待刻蚀件的中间区域;所述第一凸点结构的长度大于第二凸点结构的长度,每一个所述第一凸点结构的长度方向与所述电极本体支撑表面之间成设定角度,所述设定角度的开口方向背离所述电极本体支撑表面的中心区域,且小于90°;沿垂直于所述电极本体支撑表面的方向,所述第一凸点结构的高度等于所述第二凸点结构的高度,当顶针将放置于所述下部电极上的待刻蚀件顶起时,所述第一凸点结构摩擦机构对待刻蚀件提供的摩擦力的方向背离所述电极本体的中心、且与所述电极本体的支撑表面之间呈锐角。7.根据权利要求6所述的刻蚀装置,其特征在于,所述第一凸点结构为弧面型凸点。8.根据权利要求6所述的刻蚀装置,其特征在于,所述设定角度大于等于45°。9.根据权利要求8所述的刻蚀装置,其特征在于,所述设定角度的范围为60°?80°。
【文档编号】G02F1/13GK106094269SQ201610446172
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月20日
【发明人】刘杰, 李伟, 曲泓铭, 安峰, 徐守宇, 谷柏松, 张益存
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司
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