一种阵列基板及显示器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示器件。
【背景技术】
[0002]目前，随着人们生活水平的不断提高，显示产品的应用越来越广泛，人们对显示产品的质量要求也越来越高。然而显示产品在生产、运输及工作中，经常会受到静电的影响，导致显示产品无法提供高质量的显示要求。
[0003]现有技术中，在显示装置的阵列基板中，可以在信号线(数据线或者栅线)上设置多个悬浮保护电容，以防止信号线被静电击穿。示例的，如图1所示，可以在数据线103上设置多个悬浮保护电容10。图2为图1沿AA’的截面图，参考图2所示，所述悬浮保护电容由三层结构组成，即悬浮电极101、中间层102以及数据线103。其中，悬浮电极101可以与薄膜晶体管的栅极同步形成，中间层102 —般为栅极绝缘层。当数据线103上存在高压静电时，通过悬浮电极101与数据线103之间形成的悬浮保护电容10可以对静电进行分压存储，从而防止数据线103被静电击穿，保证显示装置的显示效果。然而在此种方式中，需要数据线103作为悬浮保护电容10的一个电极，这样会增加数据线103的负载，影响数据线103上信号的正常传输，进而影响产品的良率。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示器件，能够在实现对信号线的静电保护的基础上，减少信号线的负载，提高产品的良率。
[0005]为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案:
[0006]—方面，本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括:
[0007]第一信号线、第二信号线以及静电保护装置；
[0008]所述静电保护装置包括悬浮TFT，所述悬浮TFT的源极与所述第一信号线连接，所述悬浮TFT的栅极与所述第二信号线连接，所述悬浮TFT的漏极悬空；
[0009]所述漏极与所述栅极具有交叠区域。
[0010]可选的，每条所述第一信号线上连接至少两个所述静电保护装置。
[0011]可选的，连接同一所述第一信号线的悬浮TFT的漏极电连接。
[0012]可选的，连接同一所述第一信号线的悬浮TFT的栅极电连接。
[0013]可选的，所述悬浮TFT还包括设置在栅极和漏极之间的有源层，连接同一所述第一信号线的悬浮TFT的有源层电连接。
[0014]可选的，相邻两条所述第一信号线上连接的悬浮TFT共用一个所述漏极和一个所述栅极。
[0015]可选的，所述静电保护装置同时连接两条相邻的所述第一信号线。
[0016]可选的，所述悬浮TFT的源极为U型、L型或W型。
[0017]可选的，所述阵列基板还包括公共电极线，所述第二信号线与所述公共电极线电连接。
[0018]可选的，所述阵列基板还包括第一防静电单元；
[0019]所述第一防静电单元的输入端与所述第二信号线连接，所述第一防静电单元的输出端与所述公共电极线电连接。
[0020]可选的，所述第一信号线为栅线或数据线。
[0021]可选的，所述阵列基板还包括第二防静电单元和短路环，所述第二防静电单元的输入端与所述第一信号线连接，所述第二防静电单元的输出端与所述短路环连接。
[0022]另一方面，本实用新型实施例提供一种显示器件，包括上述任意一种阵列基板。
[0023]本实用新型实施例提供的阵列基板及显示器件，所述阵列基板包括第一信号线、第二信号线以及静电保护装置，静电保护装置包括悬浮TFT，悬浮TFT的源极与第一信号线连接，悬浮TFT的栅极与第二信号线连接，悬浮TFT的漏极悬空；漏极与栅极具有交叠区域。相较于现有技术，本实用新型实施例提供的阵列基板通过在第一信号线上连接悬浮TFT，第一信号线向悬浮TFT提供源极电压，第二信号线在特定时间或周期性向悬浮TFT提供栅极开启电压，以开启悬浮TFT ;在悬浮TFT开启时间内，当第一信号线上存在静电电荷时，悬浮TFT的源极电压变大，此时悬浮TFT的源极和漏极导通，这样大量静电电荷通过悬浮TFT的源极转移到由悬浮TFT的漏极和栅极形成静电存储电容中，防止了第一信号线的静电击穿。当第二信号线无栅极开启电压时，所述悬浮TFT会断开，此时第一信号线与该悬浮TFT处于断开状态，这样减少了第一信号线的负载，保证了第一信号线上信号的正常传输，进而提尚了广品的良率。
【附图说明】
[0024]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为现有技术提供的一种阵列基板局部结构示意图；
[0026]图2为现有技术提供的一种悬浮电容结构剖视图；
[0027]图3为本实用新型实施例提供的一种阵列基板局部结构示意图；
[0028]图4为本实用新型另一实施例提供的一种阵列基板局部结构示意图；
[0029]图5为本实用新型又一实施例提供的一种阵列基板局部结构示意图；
[0030]图6为本实用新型再一实施例提供的一种阵列基板局部结构示意图；
[0031]图7为本实用新型又另一实施例提供的一种阵列基板局部结构示意图；
[0032]图8为图7中B区域的等效电路图；
[0033]图9为本实用新型又再一实施例提供的一种阵列基板局部结构示意图；
[0034]图10为本实用新型再另一实施例提供的一种阵列基板局部结构示意图；
[0035]图11为本实用新型再又一实施例提供的一种阵列基板局部结构示意图。
【具体实施方式】
[0036]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0037]本实用新型实施例提供一种阵列基板，如图3所示，所述阵列基板包括:第一信号线31、第二信号线32以及静电保护装置，静电保护装置包括悬浮TFT33，悬浮TFT33的源极331与第一信号线31连接，悬浮TFT33的栅极333与第二信号线32连接，悬浮TFT33的漏极332悬空；漏极332与栅极333具有交叠区域。
[0038]其中，漏极332与栅极333具有交叠区域表明当漏极332与栅极333上都存在电压时，悬浮TFT33的漏极332和栅极333可以形成静电存储电容。
[0039]悬浮TFT33的源极331与第一信号线31连接，即第一信号线31可以向悬浮TFT33的源极331提供源极电压；悬浮TFT33的栅极333与第二信号线32连接，即第二信号线32向悬浮TFT33的栅极333提供栅极电压；悬浮TFT33的漏极332悬空指的是悬浮TFT33的漏极332不与任何导电层电连接。在特定时间或周期性向第二信号线32提供栅极开启电压，开启悬浮TFT33，此时若第一信号线31上存在大量静电电荷，悬浮TFT33的漏极332和栅极333就会形成静电存储电容，所述静电存储电容可以存储第一信号线31上的静电电荷。
[0040]相较于现有技术，本实用新型实施例提供的阵列基板通过在第一信号线上连接悬浮TFT，第一信号线向悬浮TFT提供源极电压，第二信号线在特定时间或周期性向悬浮TFT提供栅极开启电压，以开启悬浮TFT ;在悬浮TFT开启时间内，当第一信号线上存在静电电荷时，悬浮TFT的源极电压变大，此时悬浮TFT的源极和漏极导通，这样大量静电电荷通过悬浮TFT的源极转移到由悬浮TFT的漏极和栅极形成静电存储电容中，防止了第一信号线的静电击穿。当第二信号线无栅极开启电压时，所述悬浮TFT会断开，此时第一信号线与该悬浮TFT处于断开状态，这样减少了第一信号线的负载，保证了第一信号线上信号的正常传输，进而提尚了广品的良率。
[0041]本实用新型实施例对第一信号线31上连接的静电保护装置的数量、静电保护装置中包含悬浮TFT33的数量均不做限定，本领域技术人员可以综合考虑静电保护能力、成本、制作工艺等方面因素来设定具体数量。
[0042]需要说明的是，所述悬浮TFT可以和阵列基板中的其他薄膜晶体管的至少一种薄膜晶体管具有相同的工艺步骤，例如可以和阵列基板中的开关晶体管和/或驱动晶体管采用光刻工艺同步制作完成；悬浮TFT也可以采用其他工艺，例如打印。本实用新型实施例对于所述悬浮TFT的制作方法不再赘述。
[0043]较佳的，每条第一信号线上连接至少两个静电保护装置，这样在没有增加第一信号线的负载的基础上，可以进一步增强对第一信号线的静电保护能力，减小第一信号线被静电击穿的概率。在实际应用中，一般会在每条第一信号线上连接4-6个静电保护装置，来实现对第一信号线的静电